電子元器件的厚度測(cè)定方法、電子元器件卷盤(pán)及其制造方法、以及電子元器件的檢查裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的電子元器件的厚度測(cè)定方法包括：在第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線和第2圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線中，僅提取出位于相同相同的位置且第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之差最小的第2基準(zhǔn)線(210c)，并形成包括第1基準(zhǔn)線(220c)和所提取出的第2基準(zhǔn)線(210c)的第3圖像數(shù)據(jù)(200c)的工序；以及根據(jù)第3圖像數(shù)據(jù)(200c)的第1基準(zhǔn)線(220c)和第2基準(zhǔn)線(210c)之間的間隔(Lc)來(lái)計(jì)算出電子元器件的厚度的工序。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電子元器件的厚度測(cè)定方法、電子元器件卷盤(pán)及其制造方 法、以及電子元器件的檢查裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子元器件的厚度測(cè)定方法、使用該厚度測(cè)定方法的電子元器件卷 盤(pán)的制造方法、由此制造的電子元器件卷盤(pán)以及電子元器件的檢查裝置，尤其涉及放置在 透明板上的電子元器件的厚度測(cè)定方法、使用該厚度測(cè)定方法的電子元器件卷盤(pán)的制造方 法、由此制造的電子元器件卷盤(pán)、以及放置在透明板上的電子元器件的檢查裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為公開(kāi)了電子元器件的外觀分類(lèi)裝置的結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有文獻(xiàn)，有日本專(zhuān)利特開(kāi)平 4-107000號(hào)公報(bào)。在日本專(zhuān)利特開(kāi)平4-107000號(hào)公報(bào)中所記載的電子元器件的外觀分類(lèi) 裝置中，在連續(xù)旋轉(zhuǎn)的透明圓板上隔開(kāi)間隔地放置來(lái)自元器件進(jìn)料器的元器件，將相機(jī)配 置在可自由拍攝透明圓板上的元器件的位置，利用該相機(jī)拍攝元器件的瞬時(shí)圖像，并根據(jù) 由此得到的圖像信號(hào)來(lái)檢查元器件的外觀。另外，在電子元器件的外觀分類(lèi)裝置中，根據(jù)外 觀檢查結(jié)果，利用設(shè)置于透明圓板上的元器件軌道的中途的分類(lèi)機(jī)構(gòu)來(lái)對(duì)電子元器件進(jìn)行 分類(lèi)。
[0004] 有時(shí)必須利用外觀和厚度來(lái)對(duì)電子元器件進(jìn)行分類(lèi)。在日本專(zhuān)利特開(kāi)平4-107000 號(hào)公報(bào)中所記載的電子元器件的外觀分類(lèi)裝置中，在利用相機(jī)來(lái)測(cè)定電子元器件的厚度 時(shí)，由于相機(jī)的景深的界限導(dǎo)致難以正確地測(cè)定電子元器件的厚度。
[0005] 作為精密地測(cè)定電子元器件的形狀的方法具有光切法。在光切法中，從正上方對(duì) 電子元器件照射光，根據(jù)接收到其反射光后得到的圖像來(lái)測(cè)定電子元器件的形狀。
[0006] 考慮了如下方法：在利用光切法對(duì)放置于透明板上的電子元器件的厚度進(jìn)行測(cè)定 的情況下，對(duì)電子元器件和透明板照射光，根據(jù)接收到被電子元器件的上表面反射的反射 光的位置和接收到被透明板的上表面反射的反射光的位置之間的間隔，來(lái)測(cè)定電子元器件 的厚度。
[0007] 然而，在該方法中，由于被照射的光在透明板上的反射率較低，且被照射的光的一 部分在透明板上引起多次反射，導(dǎo)致作為用于測(cè)定電子元器件的厚度的標(biāo)準(zhǔn)的、被透明板 的上表面反射的反射光的受光位置變得不清楚。因此，很難利用光切法來(lái)測(cè)定放置于透明 板上的電子元器件的厚度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種能夠利用光切法來(lái)測(cè)定放置于透明板上的電子 元器件的厚度的電子元器件的厚度測(cè)定方法、利用該厚度測(cè)定方法的電子元器件卷盤(pán)的制 造方法、由此制造的電子元器件卷盤(pán)以及電子元器件的檢查裝置。
[0009] 基于本發(fā)明的第一方式的電子元器件的厚度測(cè)定方法具有： 對(duì)電子元器件及放置有該電子元器件的透明板，從斜上方照射第1電磁波的工序； 接收第1電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度 峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第1 圖像數(shù)據(jù)的工序； 對(duì)電子元器件和透明板的與照射第1電磁波的位置大致相同的位置，以與第1電磁波 相同的角度從斜上方照射與第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁波的工序；以及 接收第2電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度 峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第2 圖像數(shù)據(jù)的工序。 另外，電子元器件的厚度測(cè)定方法具有：在第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線和第2圖像 數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線中，僅提取出位于相互相同的位置且第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之 差最小的第2基準(zhǔn)線，并形成包括第1基準(zhǔn)線和所提取出的第2基準(zhǔn)線的第3圖像數(shù)據(jù)的 工序；以及根據(jù)第3圖像數(shù)據(jù)的第1基準(zhǔn)線和第2基準(zhǔn)線之間的間隔來(lái)計(jì)算出電子元器件 的厚度的工序。
[0010] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，第1電磁波和第2電磁波各自的波長(zhǎng)在400nm以上且在 500nm以下。
[0011] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極。在照射第1電磁 波的工序中，至少對(duì)多個(gè)外部電極中的任一個(gè)照射第1電磁波。
[0012] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，在照射第1電磁波的工序中，以跨過(guò)多個(gè)外部電極中的 各個(gè)的方式照射第1電磁波。
[0013] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，對(duì)于照射第1電磁波的工序、形成第1圖像數(shù)據(jù)的工序、 照射第2電磁波的工序、形成第2圖像數(shù)據(jù)的工序、形成第3圖像數(shù)據(jù)的工序、以及計(jì)算電 子元器件的厚度的工序的各個(gè)工序，對(duì)1個(gè)電子元器件的互不相同的位置進(jìn)行該各個(gè)工 序。
[0014] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，透明板的厚度在1. 2mm以上且在5. 0mm以下。 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，透明板由玻璃構(gòu)成。第1電磁波和第2電磁波的偏振方向相 差90°，第1電磁波入射到電子元器件的上表面的入射角在10°以上且在43. 5°以下。
[0015] 基于本發(fā)明的第二方式的電子元器件的厚度測(cè)定方法具有： 對(duì)電子元器件及放置有該電子元器件的透明板照射電磁波的工序； 對(duì)在電子元器件及透明板的各個(gè)發(fā)生反射的電磁波的反射波進(jìn)行接收的工序；以及 根據(jù)在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度峰值的接收位置和在透明板反射的 多個(gè)反射波之中強(qiáng)度峰值最大的接收位置之間的位置關(guān)系，計(jì)算出電子元器件的厚度的工 序。
[0016] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，電子兀器件在表面具有多個(gè)外部電極。在照射電磁波的 工序中，對(duì)多個(gè)外部電極的至少任一個(gè)照射電磁波。
[0017] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，在照射電磁波的工序中，以跨過(guò)多個(gè)外部電極中的各個(gè) 的方式照射電磁波。
[0018] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，對(duì)于照射電磁波的工序、接收反射波的工序、以及計(jì)算電 子元器件的厚度的工序的各個(gè)工序，對(duì)1個(gè)電子元器件的互不相同的位置進(jìn)行該各個(gè)工 序。
[0019] 基于本發(fā)明的第三方式的電子元器件卷盤(pán)的制造方法是將多個(gè)電子元器件捆包 以形成為一體的電子元器件卷盤(pán)的制造方法。該電子元器件卷盤(pán)的制造方法具有： 至少利用配置于透明板的下方的拍攝裝置對(duì)放置于透明板的電子元器件的外觀進(jìn)行 拍攝的工序； 對(duì)電子元器件及透明板，從斜上方照射第1電磁波的工序； 接收第1電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度 峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第1 圖像數(shù)據(jù)的工序； 對(duì)電子元器件和透明板的與照射第1電磁波的位置大致相同的位置，以與第1電磁波 相同的角度從斜上方照射與第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁波的工序；以及 接收第2電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度 峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第2 圖像數(shù)據(jù)的工序。 另外，電子元器件卷盤(pán)的制造方法具有：在第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線和第2圖像 數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線中，僅提取出位于相互相同的位置且第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之 差最小的第2基準(zhǔn)線，并形成包括第1基準(zhǔn)線和所提取出的第2基準(zhǔn)線的第3圖像數(shù)據(jù)的 工序； 根據(jù)第3圖像數(shù)據(jù)的第1基準(zhǔn)線和第2基準(zhǔn)線之間的間隔來(lái)計(jì)算出電子元器件的厚度 的工序； 根據(jù)在上述拍攝的工序中所拍攝的各個(gè)電子元器件的外觀、以及在計(jì)算上述電子元器 件的厚度的工序中測(cè)定到的各個(gè)電子元器件的厚度，對(duì)多個(gè)電子元器件進(jìn)行分類(lèi)并分成多 個(gè)組的工序；以及 對(duì)被分類(lèi)為多個(gè)組之中的任一組的多個(gè)電子元器件進(jìn)行纏帶的工序。
[0020] 基于本發(fā)明的第四方式的電子元器件卷盤(pán)的制造方法是將多個(gè)電子元器件捆包 以形成為一體的電子元器件卷盤(pán)的制造方法。該電子元器件卷盤(pán)的制造方法具有： 至少利用配置于透明板的下方的拍攝裝置對(duì)放置于透明板的電子元器件的外觀進(jìn)行 拍攝的工序； 對(duì)電子元器件和透明板照射電磁波的工序； 對(duì)在電子元器件及透明板的各個(gè)發(fā)生反射的電磁波的反射波進(jìn)行接收的工序；以及 根據(jù)在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度峰值的接收位置和在透明板反射的 多個(gè)反射波之中強(qiáng)度峰值最大的接收位置之間的位置關(guān)系，計(jì)算出電子元器件的厚度的工 序； 根據(jù)在上述拍攝的工序中拍攝到的各個(gè)電子元器件的外觀、以及在計(jì)算電子元器件的 厚度的工序中計(jì)算出的各個(gè)電子元器件的厚度，對(duì)多個(gè)電子元器件進(jìn)行分類(lèi)并分成多個(gè)組 的工序；以及 對(duì)被分類(lèi)為多個(gè)組之中的任一組的多個(gè)電子元器件進(jìn)行纏帶的工序。
[0021] 基于本發(fā)明的第五方式的電子元器件卷盤(pán)是利用上述任一項(xiàng)所記載的電子元器 件卷盤(pán)的制造方法所制造的電子元器件卷盤(pán)， 在被分類(lèi)為上述一組的多個(gè)電子元器件中，最厚的電子元器件的厚度和最薄的電子元 器件的厚度之差在10 μ m以下。
[0022] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，電子兀器件具有素體和外部電極。素體具有相互位于相 反側(cè)的一對(duì)主面，連接一對(duì)主面且相互相對(duì)的一對(duì)端面，以及連接一對(duì)主面且連接一對(duì)端 面的一對(duì)側(cè)面。在一對(duì)主面分別設(shè)置外部電極。電子元器件的厚度為分別設(shè)置于一對(duì)主面 的外部電極在連接一對(duì)主面的方向上的外側(cè)彼此間的間隔。
[0023] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，在被分類(lèi)為上述一組的多個(gè)電子元器件中，最厚的電子 元器件的厚度為〇. 25mm以下。
[0024] 基于本發(fā)明的第六方式的電子元器件的檢查裝置是對(duì)電子元器件進(jìn)行外觀檢查 和厚度測(cè)定的檢查裝置。電子元器件的檢查裝置具有： 放置有電子元器件的透明板； 至少?gòu)耐该靼宓南路脚臄z電子元器件的外觀的拍攝裝置；以及 測(cè)定電子元器件的厚度的厚度測(cè)定器。 厚度測(cè)定器包括照射部和接收部。照射部對(duì)電子元器件和透明板照射電磁波。接收部 對(duì)在電子元器件及透明板的各個(gè)發(fā)生反射的電磁波的反射波進(jìn)行接收。厚度測(cè)定器根據(jù)在 電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度峰值的接收位置和在透明板反射的多個(gè)反射波 之中強(qiáng)度峰值最大的接收位置之間的位置關(guān)系，計(jì)算出電子元器件的厚度。
[0025] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，照射部對(duì)電子元器件和透明板從斜上方照射第1電磁 波，并且在電子元器件和透明板的與照射第1電磁波的位置大致相同的位置，以與第1電 磁波相同的角度從斜上方照射與第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁波。接收部接收第 1電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度峰值的第1 基準(zhǔn)線和表示在透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第1圖像數(shù)據(jù)， 并且接收部接收第2電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波 的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線 的第2圖像數(shù)據(jù)。厚度測(cè)定器在第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)第2基準(zhǔn)線和第2圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)第 2基準(zhǔn)線中，僅提取出位于相互相同的位置且第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之差最小的第2基 準(zhǔn)線，形成包括第1基準(zhǔn)線和所提取出的第2基準(zhǔn)線的第3圖像數(shù)據(jù)，且根據(jù)第3圖像數(shù)據(jù) 的第1基準(zhǔn)線和第2基準(zhǔn)線之間的間隔來(lái)計(jì)算出電子元器件的厚度。
[0026] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極。照射部至少對(duì)多 個(gè)外部電極的任一個(gè)照射第1電磁波。
[0027] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，照射部以跨過(guò)多個(gè)外部電極中的各個(gè)的方式照射第1電 磁波。
[0028] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，厚度測(cè)定器對(duì)1個(gè)電子元器件的互不相同位置的厚度進(jìn) 行測(cè)定。
[0029] 在本發(fā)明的一個(gè)方式中，電子元器件的檢查裝置還具有分類(lèi)機(jī)構(gòu)，該分類(lèi)機(jī)構(gòu)對(duì) 多個(gè)電子元器件進(jìn)行分類(lèi)并分成多個(gè)組。分類(lèi)機(jī)構(gòu)包括收納電子元器件的多個(gè)容器，以及 使電子元器件從透明板上分別移動(dòng)到容器內(nèi)的多個(gè)排出機(jī)構(gòu)。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明，能夠利用光切法來(lái)測(cè)定放置于透明板上的電子元器件的厚度。 關(guān)于本發(fā)明的上述及其他目的、特征、方面及優(yōu)點(diǎn)，可從以下結(jié)合附圖理解的、與本發(fā) 明相關(guān)的詳細(xì)說(shuō)明來(lái)了解。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031] 圖1是表示層疊陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖2是表示埋設(shè)于基板的層疊陶瓷電容器的安裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖3是表示用于進(jìn)行本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的電子元器件的厚度測(cè)定方法的檢查裝 置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。 圖4表示本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的厚度測(cè)定器的結(jié)構(gòu)。 圖5是表示從本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的厚度測(cè)定器照射電磁波的狀態(tài)的立體圖。 圖6是表示觀察漫反射時(shí)的電磁波的前進(jìn)方向的側(cè)視圖。 圖7是表示觀察鏡面反射時(shí)的電磁波的前進(jìn)方向的側(cè)視圖。 圖8是表示在引起透明板的多次反射后電磁波的前進(jìn)方向的側(cè)視圖。 圖9是表示接收部的高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)所拍攝的圖像數(shù)據(jù)的圖。 圖10是用于說(shuō)明菲涅爾公式的圖。 圖11是表不從空氣中射入到玻璃板的P偏振波和S偏振波的反射率和入射角之間的 關(guān)系的曲線圖。 圖12是表示高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)拍攝P偏振波的反射波后得到的第1圖像數(shù)據(jù)的圖。 圖13是表示圖12中的線L1上的電磁波量分布的圖。 圖14是表示高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)拍攝S偏振波的反射波后得到的第2圖像數(shù)據(jù)的圖。 圖15是表示圖14中的線L2上的電磁波量分布的圖。 圖16是表示在提取出第2基準(zhǔn)線后所形成的第3圖像數(shù)據(jù)的圖。 圖17表示本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的電子元器件的厚度測(cè)定方法的流程圖。 圖18是對(duì)實(shí)施例的測(cè)定值和千分尺的測(cè)定值進(jìn)行比較的曲線圖。 圖19是表示入射波照射到層疊陶瓷電容器的整個(gè)長(zhǎng)邊方向的狀態(tài)的立體圖。 圖20是表示本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的電子元器件卷盤(pán)的制造方法的流程圖。 圖21是表示被卷繞后得到的電子元器件卷盤(pán)的外觀的立體圖。 圖22表示本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的電子元器件的厚度測(cè)定方法的流程圖。 圖23是表示本發(fā)明實(shí)施方式2所涉及的電子元器件卷盤(pán)的制造方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032] 下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元器件的厚度測(cè)定方法、使 用該厚度測(cè)定方法的電子元器件卷盤(pán)的制造方法、由此制造的電子元器件卷盤(pán)、以及電子 元器件的檢查裝置。在下面的實(shí)施方式的說(shuō)明中，對(duì)圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的標(biāo) 號(hào)，不重復(fù)對(duì)其說(shuō)明。在下面的說(shuō)明中，以層疊陶瓷電容器作為電子元器件進(jìn)行說(shuō)明，但是 電子元器件不僅限于電容器，還包含壓電元器件、熱敏電阻或電感器等。
[0033] (實(shí)施方式1) 首先，對(duì)電子元器件的一個(gè)示例、即層疊陶瓷電容器進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示層疊陶瓷電 容器的結(jié)構(gòu)的立體圖。如圖1所示，層疊陶瓷電容器3具有素體1和外部電極2。在素體1 上交替地層疊有陶瓷層和平板狀的內(nèi)部電極。
[0034] 素體1具有與厚度方向T正交的一對(duì)主面、與長(zhǎng)邊方向L正交的一對(duì)端面、以及與 寬度方向W正交的一對(duì)側(cè)面。也就是說(shuō)，素體1具有相互位于相反側(cè)的一對(duì)主面、連接一對(duì) 主面且相互相對(duì)的一對(duì)端面、以及連接一對(duì)主面且連接一對(duì)端面的一對(duì)側(cè)面。素體1具有 長(zhǎng)方體形的外形，但是可使角部和棱線部中的至少一方具有圓度。在素體1的長(zhǎng)邊方向L 的兩側(cè)設(shè)有一對(duì)外部電極2。另外，在一對(duì)主面分別設(shè)置外部電極2。
[0035] 例如層疊陶瓷電容器3的長(zhǎng)邊方向L的尺寸為1. 0mm，寬度方向W的尺寸為0. 5mm， 厚度方向T的尺寸為0. 10mm以上且0. 13mm以下。在本實(shí)施方式中，層疊陶瓷電容器3的厚 度為分別設(shè)置于一對(duì)主面的外部電極2在連接一對(duì)主面的方向上的、外側(cè)彼此間的間隔。 有時(shí)將例如厚度為〇. 25_以下的薄型層疊陶瓷電容器3埋設(shè)于基板來(lái)使用。
[0036] 圖2是表示埋設(shè)于基板的層疊陶瓷電容器的安裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖2所示，層 疊陶瓷電容器3埋設(shè)于基板4來(lái)使用。具體而言，安裝于基板4的表面的IC (Integrated Circuit :集成電路）芯片6和層疊陶瓷電容器3通過(guò)通孔5電連接。
[0037] 對(duì)于如上所述埋設(shè)于基板4的層疊陶瓷電容器3,要求厚度的偏差較小。例如要求 設(shè)置有外部電極2的部分中的層疊陶瓷電容器3的厚度偏差在10 μ m以內(nèi)。要求在層疊陶 瓷電容器3上沒(méi)有缺陷或龜裂等。因此，對(duì)于量產(chǎn)的全部層疊陶瓷電容器3,有時(shí)要進(jìn)行外 觀檢查及厚度測(cè)定。
[0038] 下面，對(duì)以排成一直線的方式對(duì)量產(chǎn)的層疊陶瓷電容器3進(jìn)行外觀檢查和厚度測(cè) 定的本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的電子元器件的檢查裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示用于 進(jìn)行本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的電子元器件的厚度測(cè)定方法的檢查裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0039] 如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施方式1所涉及的用于對(duì)電子元器件即層疊陶瓷電容器3 進(jìn)行厚度測(cè)定方法的檢查裝置1〇〇具備放置有層疊陶瓷電容器3的圓板形的透明板110。 透明板110由使電磁波（光）透過(guò)的玻璃來(lái)形成。但是，透明板110也可由使電磁波（光） 透過(guò)的樹(shù)脂來(lái)形成。
[0040] 在本實(shí)施方式中，透明板110的厚度為1. 2mm。作為透明板110的厚度，優(yōu)選為 1. 2mm以上且5. 0mm以下。在透明板110的厚度小于1. 2mm的情況下，如后所述，很難從由 透明板110多次反射的反射波中提取出由透明板110的上表面反射的反射波。在透明板 110的厚度大于5. 0_的情況下，如后所述，很難通過(guò)透明板110對(duì)層疊陶瓷電容器3的外 觀進(jìn)行拍攝。
[0041] 在透明板110上安裝有旋轉(zhuǎn)編碼器111，且以可連續(xù)旋轉(zhuǎn)的方式對(duì)其進(jìn)行支承。通 過(guò)使透明板110朝著箭頭119所示的方向連續(xù)旋轉(zhuǎn)，以一定速度將放置于透明板110的周 緣部的層疊陶瓷電容器3在圓形軌道上傳輸。
[0042] 檢查裝置100具有芯片進(jìn)料器120,該芯片進(jìn)料器120用于向透明板110上提供層 疊陶瓷電容器3。芯片進(jìn)料器120通過(guò)使層疊陶瓷電容器3振動(dòng)且使其排列成1列，由此以 使多個(gè)層疊陶瓷電容器3以聚集在規(guī)定方向上的狀態(tài)、互相隔開(kāi)間隔一個(gè)一個(gè)地放置在透 明板110上。在本實(shí)施方式中，使層疊陶瓷電容器3整齊地排列以使層疊陶瓷電容器3的 長(zhǎng)邊方向成為前進(jìn)方向。
[0043] 檢查裝置100具備傳感器130,該傳感器130從芯片進(jìn)料器120檢測(cè)出放置于透明 板110上的層疊陶瓷電容器3。作為傳感器130,能夠使用紅外線傳感器等公知的傳感器。
[0044] 檢查裝置100具有4臺(tái)相機(jī)，該4臺(tái)相機(jī)是用于檢查層疊陶瓷電容器3的外觀的 拍攝裝置。具體而言，具有第1相機(jī)141，該第1相機(jī)141配置在高于透明板110的位置、 且在傳輸層疊陶瓷電容器3的軌道內(nèi)側(cè)的位置，該第1相機(jī)141用于拍攝層疊陶瓷電容器 3的一個(gè)側(cè)面。具有第2相機(jī)142,該第2相機(jī)142配置在高于透明板110的位置、且在傳 輸層疊陶瓷電容器3的軌道外側(cè)的位置，該第2相機(jī)142用于拍攝層疊陶瓷電容器3的另 一個(gè)側(cè)面。具有第3相機(jī)143,該第3相機(jī)143配置在高于透明板110的位置、且在傳輸層 疊陶瓷電容器3的軌道上方的位置，該第3相機(jī)143用于拍攝層疊陶瓷電容器3的一個(gè)主 面。具有第4相機(jī)144,該第4相機(jī)144配置在低于透明板110的位置、且在傳輸層疊陶瓷 電容器3的軌道下方的位置，該第4相機(jī)144用于拍攝層疊陶瓷電容器3的另一個(gè)主面。
[0045] 由此，為了能夠通過(guò)透明板110對(duì)層疊陶瓷電容器3的另一個(gè)主面進(jìn)行拍攝，使用 了透明板110。從使電磁波（光）透過(guò)的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選透明板110的厚度在5mm以下。另 夕卜，檢查裝置100還可具有對(duì)層疊陶瓷電容器3的端面進(jìn)行拍攝的相機(jī)。
[0046] 檢查裝置100具有厚度測(cè)定器150,該厚度測(cè)定器150用于檢查層疊陶瓷電容器3 的厚度。厚度測(cè)定器150配置在高于透明板110的位置、且在傳輸層疊陶瓷電容器3的軌 道上方的位置。厚度測(cè)定器150利用光切法來(lái)測(cè)定層疊陶瓷電容器3的厚度。厚度測(cè)定器 150的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作在后文中進(jìn)行說(shuō)明。
[0047] 檢查裝置100具有分類(lèi)機(jī)構(gòu)，該分類(lèi)機(jī)構(gòu)用于對(duì)多個(gè)層疊陶瓷電容器3進(jìn)行分類(lèi) 以分成多個(gè)組。分類(lèi)機(jī)構(gòu)包括：收納層疊陶瓷電容器3的多個(gè)容器、以及使層疊陶瓷電容器 3從透明板110上移動(dòng)到容器內(nèi)的多個(gè)排出機(jī)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，作為排出機(jī)構(gòu)，可以使 用送風(fēng)機(jī)，也可以使用搖動(dòng)構(gòu)件等。
[0048] 在本實(shí)施方式中，對(duì)多個(gè)層疊陶瓷電容器3進(jìn)行分類(lèi)以分成3個(gè)組。由此，分類(lèi)機(jī) 構(gòu)包括3個(gè)容器和3個(gè)送風(fēng)機(jī)。
[0049] 具體而言，分類(lèi)機(jī)構(gòu)具備：將經(jīng)外觀檢查和厚度檢查這兩者都被判斷為合格產(chǎn)品 的第1組的層疊陶瓷電容器3吹入第1容器161內(nèi)的第1送風(fēng)機(jī)171 ;將經(jīng)外觀檢查被判 斷為合格產(chǎn)品而經(jīng)厚度檢查被判斷為不合格產(chǎn)品的第2組的層疊陶瓷電容器3吹入第2容 器162內(nèi)的第2送風(fēng)機(jī)172 ;以及將經(jīng)外觀檢查被判斷為不合格產(chǎn)品的第3組的層疊陶瓷 電容器3吹入第3容器163內(nèi)的第3送風(fēng)機(jī)173。另外，在根據(jù)厚度對(duì)層疊陶瓷電容器3進(jìn) 行等級(jí)劃分的情況下，可進(jìn)一步將第1組的層疊陶瓷電容器3分成多個(gè)組。
[0050] 檢查裝置100具有控制部190。控制部190將旋轉(zhuǎn)編碼器111、傳感器130、第1 相機(jī)141、第2相機(jī)143、第3相機(jī)143、第4相機(jī)144、厚度測(cè)定器150、第1送風(fēng)機(jī)171、第 2送風(fēng)機(jī)172以及第3送風(fēng)機(jī)173各個(gè)電連接。
[0051] 控制部190從旋轉(zhuǎn)編碼器111輸入透明板110的轉(zhuǎn)速?？刂撇?90從傳感器130 輸入層疊陶瓷電容器3通過(guò)圓周軌道上的規(guī)定位置的時(shí)間?？刂撇?90根據(jù)從旋轉(zhuǎn)編碼器 111輸入的轉(zhuǎn)速和由傳感器130輸入的時(shí)間，時(shí)常掌握隨著時(shí)間的流逝而變化的各個(gè)層疊 陶瓷電容器3的位置。另外，控制部190對(duì)由傳感器130檢測(cè)出的層疊陶瓷電容器3進(jìn)行 編號(hào)并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中。
[0052] 控制部190從第1相機(jī)141、第2相機(jī)142、第3相機(jī)143及第4相機(jī)144分別輸 入層疊陶瓷電容器3的外觀圖像數(shù)據(jù)。預(yù)先對(duì)控制部190輸入用于判定層疊陶瓷電容器3 的外觀的程序，控制部190根據(jù)該程序來(lái)判斷層疊陶瓷電容器3是否有缺陷或龜裂?？刂?部190將這樣進(jìn)行的外觀檢查的結(jié)果和各個(gè)層疊陶瓷電容器3的號(hào)碼相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)至數(shù)據(jù) 庫(kù)中。
[0053] 在層疊陶瓷電容器3到達(dá)厚度測(cè)定器150的下方時(shí)，控制部190使厚度測(cè)定器150 進(jìn)行工作以測(cè)定層疊陶瓷電容器3的厚度?？刂撇?90中，將厚度測(cè)定器150的動(dòng)作條件 預(yù)先輸入到數(shù)據(jù)庫(kù)中，控制部190選擇某一個(gè)動(dòng)作條件使厚度測(cè)定器150測(cè)定層疊陶瓷電 容器3的厚度。
[0054] 控制部190從厚度測(cè)定器150輸入層疊陶瓷電容器3的厚度的測(cè)定數(shù)據(jù)。在控制 部190中，預(yù)先向數(shù)據(jù)庫(kù)中輸入層疊陶瓷電容器3的規(guī)定厚度，控制部190對(duì)照該數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái) 判斷層疊陶瓷電容器3的厚度是否在規(guī)定的范圍內(nèi)?？刂撇?90將厚度檢查的結(jié)果和各個(gè) 層疊陶瓷電容器3的號(hào)碼相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)庫(kù)。
[0055] 在數(shù)據(jù)庫(kù)中，控制部190將經(jīng)外觀檢查和厚度檢查這兩者都被判斷為合格產(chǎn)品的 層疊陶瓷電容器3分類(lèi)成第1組，將經(jīng)外觀檢查被判斷為合格產(chǎn)品而經(jīng)厚度檢查被判斷為 不合格產(chǎn)品的層疊陶瓷電容器3分類(lèi)成第2組，將經(jīng)外觀檢查被判斷為不合格產(chǎn)品的層疊 陶瓷電容器3分類(lèi)成第3組。
[0056] 在被分類(lèi)成第1組的層疊陶瓷電容器3到達(dá)第1送風(fēng)機(jī)171前方時(shí)，控制部190 使第1送風(fēng)機(jī)171工作，將該層疊陶瓷電容器3吹入第1容器161內(nèi)。在被分類(lèi)成第2組 的層疊陶瓷電容器3到達(dá)第2送風(fēng)機(jī)172前方時(shí)，控制部190使第2送風(fēng)機(jī)172工作，將該 層疊陶瓷電容器3吹入第2容器162內(nèi)。在被分類(lèi)成第3組的層疊陶瓷電容器3到達(dá)第3 送風(fēng)機(jī)173前方時(shí)，控制部190使第3送風(fēng)機(jī)173工作，將該層疊陶瓷電容器3吹入第3容 器163內(nèi)。
[0057] 由此將多個(gè)層疊陶瓷電容器3分類(lèi)成3個(gè)組。其結(jié)果是，能夠從量產(chǎn)的層疊陶瓷 電容器3之中僅分類(lèi)出外觀檢查和厚度檢查都為合格產(chǎn)品的層疊陶瓷電容器3來(lái)使用。
[0058] 下面，對(duì)厚度測(cè)定器150的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖4表示本實(shí)施方式所涉及的 厚度測(cè)定器的結(jié)構(gòu)。圖5是表示從本實(shí)施方式所涉及的厚度測(cè)定器照射電磁波的狀態(tài)的立 體圖。在圖5中，將與層疊陶瓷電容器3的寬度方向W平行的方向設(shè)為X方向，將與層疊陶 瓷電容器3的長(zhǎng)邊方向L平行的方向設(shè)為Y方向，將與層疊陶瓷電容器3的厚度方向T平 行的方向設(shè)為Z方向。
[0059] 如圖4所示，本實(shí)施方式所涉及的厚度測(cè)定器150具有照射部150a和接收部 150b。照射部150a包括第1激光起振源151、第2激光起振源152、半反射鏡153、以及投影 透鏡154。接收部150b包括接收透鏡155、高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)156。
[0060] 照射部150a中，從第1激光起振源151射出的電磁波和從第2激光起振源152射 出的電磁波分別是直線偏振波、且偏振波方向?yàn)橐欢ā牡?激光起振源151射出的電磁 波的偏振方向和從第2激光起振源152射出的電磁波的偏振方向互不相同。在本實(shí)施方式 中，從第1激光起振源151射出的電磁波的偏振方向與從第2激光起振源152射出的電磁 波的偏振方向互相相差90 °，但兩者的偏振方向的差異并不僅限于90°。
[0061] 從第1激光起振源151射出的電磁波是電場(chǎng)的振動(dòng)方向與半反射鏡153的反射面 平行的P偏振波，透過(guò)反射面射入投影透鏡154。射入投影透鏡154的電磁波被整形成擴(kuò)展 為扇形，并照射到厚度測(cè)定器150的外部。
[0062] 從第2激光起振源152射出的電磁波是電場(chǎng)的振動(dòng)方向與半反射鏡153的反射面 垂直的S偏振波，在反射面被垂直地反射并射入投影透鏡154。射入投影透鏡154的電磁波 被整形成擴(kuò)展為扇形，并照射到厚度測(cè)定器150的外部。
[0063] 如圖4、5所示，由厚度測(cè)定器150的照射部150a照射的入射波180從相對(duì)于層疊 陶瓷電容器3和放置有層疊陶瓷電容器3的透明板110為斜上方的方向入射。以入射角θ 入射的入射波180以反射角Θ進(jìn)行反射，從而到達(dá)接收部150b。例如入射角Θ和反射角 Θ都為22.5°。由此，厚度測(cè)定器150進(jìn)行所謂的鏡面反射觀察。
[0064] 在接收部150b，通過(guò)接收透鏡155的反射波182射入包含CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor:互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）傳感器的高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)156。由高 動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)156拍攝的圖像具有從暗部到亮部的更多的灰度信息。
[0065] 此處，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器3的厚度測(cè)定方法中進(jìn)行鏡面反射 觀察的理由進(jìn)行說(shuō)明。圖6是表示觀察漫反射時(shí)的電磁波的前進(jìn)方向的側(cè)視圖。圖7是表 示觀察鏡面反射時(shí)的電磁波的前進(jìn)方向的側(cè)視圖。
[0066] 如上所述為了使厚度測(cè)定器150利用光切法來(lái)測(cè)定層疊陶瓷電容器3的厚度，需 要接收在層疊陶瓷電容器3的上表面反射的反射波、和在透明板110的上表面反射的反射 波。
[0067] 如圖6所示，假設(shè)在從照射部150a向與透明板110的上表面正交的方向照射入射 波180的情況下，入射波180全部透過(guò)透明板110而成為透射波181。因此，在接收部150b， 無(wú)法接收到在透明板110的上表面反射的反射波。
[0068] 如圖7所示，在從照射部150a向與透明板110的上表面成入射角θ ( Θ尹〇° ) 的方向照射入射波180的情況下，入射波180的一部分透過(guò)透明板110而成為透射波181， 但是入射波180的另一部分以反射角Θ反射而成為反射波182。因此，通過(guò)將接收部150b 配置在反射波182入射的位置上，由此接收部150b能夠接收到在透明板110的上表面反射 的反射波182。
[0069] 然而，在進(jìn)行鏡面反射觀察的情況下，在層疊陶瓷電容器3的上表面反射的反射 波的強(qiáng)度明顯低于在透明板110的上表面反射的反射波的強(qiáng)度。另外，在進(jìn)行鏡面反射觀 察的情況下，透明板110會(huì)引起多次反射。
[0070] 圖8是表示在引起透明板的多次反射后電磁波的前進(jìn)方向的側(cè)視圖。另外，在圖 8中，對(duì)在透明板110的內(nèi)部反射的反射波，示出了 2個(gè)反射波的示例。
[0071] 如圖8所示，從照射部150a照射的入射波180a的一部分在透明板110的上表面 反射，從而成為反射波182?。從照射部150a照射的入射波180a的另一部分在透明板110 的上表面發(fā)生折射，射入透明板110內(nèi)，當(dāng)在透明板110的下表面反射之后，在透明板110 的上表面發(fā)生折射，從透明板110射出而成為反射波182a 2。從照射部150a照射的入射波 180a的再另一部分在透明板110的上表面發(fā)生折射，射入透明板110內(nèi)，當(dāng)在透明板110的 下表面反射之后，在透明板110的上表面反射，并再次在透明板110的下表面反射，最后在 透明板110的上表面發(fā)生折射，從透明板110射出而成為反射波182a 3。
[0072] 從照射部150a照射的入射波180b在層疊陶瓷電容器3的上表面反射而成為反 射波182b。反射波182b的強(qiáng)度與反射波182 &1的強(qiáng)度相比明顯較低。
[0073] 如上所述，由于接收部150b具有高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)156,因此能夠接收反射波 182ai、反射波182a 2、反射波182a3以及反射波182b，從而形成表示各個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值 的圖像數(shù)據(jù)。
[0074] 圖9是表示接收部的高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)所拍攝的圖像數(shù)據(jù)的圖。如圖9所示，在高 動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)156所拍攝的圖像數(shù)據(jù)200中，包含：表示在層疊陶瓷電容器3的上表面反 射的反射波182b的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線220 ;表示在透明板110的上表面反射的反射波 182&1的強(qiáng)度峰值的第2基準(zhǔn)線210 ;表示在透明板110的下表面反射的反射波182a2的強(qiáng) 度峰值的第2基準(zhǔn)線211 ;表示在透明板110內(nèi)反射3次的反射波182a3的強(qiáng)度峰值的第2 基準(zhǔn)線212。
[0075] 也就是說(shuō)，在高動(dòng)態(tài)范圍相機(jī)156所拍攝的圖像數(shù)據(jù)200中，包含：表示在層疊陶 瓷電容器3的上表面反射的反射波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線；以及表示在透明板110反射 的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線。
[0076] 在圖9中示出了在第2基準(zhǔn)線210、第2基準(zhǔn)線211、第2基準(zhǔn)線212之間相互隔 開(kāi)間隔以能夠明確地進(jìn)行判別，但是在透明板110的厚度薄到5. 0_以下程度的情況下，各 個(gè)第2基準(zhǔn)線互相接近而導(dǎo)致邊界不明確。在此情況下，很難從多個(gè)第2基準(zhǔn)線之中僅提 取出第2基準(zhǔn)線210。也就是說(shuō)，有時(shí)很難正確地檢測(cè)出作為用于測(cè)定層疊陶瓷電容器3的 厚度的基準(zhǔn)的透明板110的上表面的位置。
[0077] 在此情況下，在厚度測(cè)定器150中，通過(guò)交替地照射偏振方向互不相同的電磁波， 由此正確地檢測(cè)出作為用于測(cè)定層疊陶瓷電容器3的厚度的基準(zhǔn)的透明板110的上表面的 位置。在本實(shí)施方式中，厚度測(cè)定器150的照射部150a交替地照射P偏振波和S偏振波。
[0078] 此處，對(duì)P偏振波和S偏振波在透明板110上的反射率的不同進(jìn)行說(shuō)明。圖10是 用于說(shuō)明菲涅爾公式的圖。如圖10所示，P偏振波和S偏振波在介質(zhì)I中前進(jìn)，且其一部 分在與介質(zhì)II的邊界面上反射，而另一部分在邊界面上發(fā)生折射而透射入介質(zhì)II中。將 介質(zhì)I的折射率設(shè)為 ηι，將介質(zhì)II的折射率設(shè)為n2。將入射角和反射角設(shè)為Θ i，將折射角 設(shè)為Θ 2。
[0079] 根據(jù)折射定律（斯涅爾定律），滿足npin Θ i = n2sin Θ 2的關(guān)系。此處，滿足相對(duì) 折射率η = η2/ηι的關(guān)系。而且，根據(jù)菲涅爾公式，P偏振波的能量反射率Rp由下述的數(shù)學(xué) 式（1)來(lái)表示，S偏振波的能量反射率Rs由下述的數(shù)學(xué)式（2)來(lái)表示。
[0080]【數(shù)學(xué)式1】

【權(quán)利要求】
1. 一種電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于，具有： 對(duì)電子元器件及放置有該電子元器件的透明板，從斜上方照射第1電磁波的工序； 接收所述第1電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射 波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在所述透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2 基準(zhǔn)線的第1圖像數(shù)據(jù)的工序； 對(duì)所述電子元器件和所述透明板的與照射所述第1電磁波的位置大致相同的位置，以 與所述第1電磁波相同的角度從斜上方照射與所述第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁 波的工序； 接收所述第2電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射 波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在所述透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2 基準(zhǔn)線的第2圖像數(shù)據(jù)的工序； 在所述第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)所述第2基準(zhǔn)線和所述第2圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)所述第2基準(zhǔn) 線中，僅提取出位于相互相同的位置且所述第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之差最小的第2基 準(zhǔn)線，并形成包括所述第1基準(zhǔn)線和所提取出的所述第2基準(zhǔn)線的第3圖像數(shù)據(jù)的工序；以 及 根據(jù)所述第3圖像數(shù)據(jù)的所述第1基準(zhǔn)線和所述第2基準(zhǔn)線之間的間隔，計(jì)算出所述 電子元器件的厚度的工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 所述第1電磁波和所述第2電磁波各自的波長(zhǎng)都在400nm以上且在500nm以下。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 所述電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極， 在照射所述第1電磁波的工序中，至少對(duì)多個(gè)所述外部電極的任一個(gè)照射所述第1電 磁波。
4. 如權(quán)利要求3所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 在照射所述第1電磁波的工序中，以跨過(guò)多個(gè)所述外部電極的各個(gè)的方式照射所述第 1電磁波。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 對(duì)于照射所述第1電磁波的工序、形成所述第1圖像數(shù)據(jù)的工序、照射所述第2電磁波 的工序、形成所述第2圖像數(shù)據(jù)的工序、形成所述第3圖像數(shù)據(jù)的工序、以及計(jì)算所述電子 元器件的厚度的工序的各個(gè)工序，對(duì)1個(gè)所述電子元器件的互不相同的位置進(jìn)行該各個(gè)工 序。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 所述透明板的厚度在1. 2mm以上且在5. Omm以下。
7. 如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 所述透明板由玻璃構(gòu)成， 所述第1電磁波和所述第2電磁波的偏振方向相互相差90°， 所述第1電磁波射入所述電子元器件的所述上表面的入射角為10°以上且在43. 5° 以下。
8. -種電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于，具有： 對(duì)電子元器件及放置有該電子元器件的透明板照射電磁波的工序； 對(duì)在所述電子元器件及所述透明板的各個(gè)發(fā)生反射的所述電磁波的反射波進(jìn)行接收 的工序；以及 根據(jù)在所述電子元器件的上表面反射的所述反射波的強(qiáng)度峰值的接收位置和在所述 透明板反射的多個(gè)反射波之中強(qiáng)度峰值最大的接收位置之間的位置關(guān)系，計(jì)算出所述電子 兀器件的厚度的工序。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 所述電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極， 在照射所述電磁波的工序中，至少對(duì)多個(gè)所述外部電極之中的任一個(gè)照射所述電磁 波。
10. 如權(quán)利要求9所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 在照射所述電磁波的工序中，以跨過(guò)多個(gè)所述外部電極的各個(gè)的方式照射所述電磁 波。
11. 如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的電子元器件的厚度測(cè)定方法，其特征在于， 對(duì)于照射所述電磁波的工序、接收所述反射波的工序、以及計(jì)算所述電子元器件的厚 度的工序的各個(gè)工序，對(duì)1個(gè)所述電子元器件的互不相同的位置進(jìn)行該各個(gè)工序。
12. -種電子元器件卷盤(pán)的制造方法， 是將多個(gè)電子元器件捆包以形成為一體的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 具有： 至少利用配置于透明板的下方的拍攝裝置對(duì)放置于該透明板的所述電子元器件的外 觀進(jìn)行拍攝的工序； 對(duì)所述電子元器件及所述透明板，從斜上方照射第1電磁波的工序； 接收所述第1電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射 波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在所述透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2 基準(zhǔn)線的第1圖像數(shù)據(jù)的工序； 對(duì)所述電子元器件和所述透明板的與照射所述第1電磁波的位置大致相同的位置，以 與所述第1電磁波相同的角度從斜上方照射與所述第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁 波的工序； 接收所述第2電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射 波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在所述透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2 基準(zhǔn)線的第2圖像數(shù)據(jù)的工序； 在所述第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)所述第2基準(zhǔn)線和所述第2圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)所述第2基準(zhǔn) 線中，僅提取出位于相互相同的位置且所述第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之差最小的第2基 準(zhǔn)線，并形成包括所述第1基準(zhǔn)線和所提取出的所述第2基準(zhǔn)線的第3圖像數(shù)據(jù)的工序；以 及 根據(jù)所述第3圖像數(shù)據(jù)的所述第1基準(zhǔn)線和所述第2基準(zhǔn)線之間的間隔來(lái)計(jì)算出所述 電子元器件的厚度的工序； 根據(jù)在所述拍攝的工序中拍攝到的各個(gè)所述電子元器件的外觀、以及在計(jì)算所述電子 元器件的厚度的工序中測(cè)定到的各個(gè)所述電子元器件的厚度，對(duì)多個(gè)所述電子元器件進(jìn)行 分類(lèi)并分成多個(gè)組的工序；以及 對(duì)被分類(lèi)為所述多個(gè)組之中的任一組的多個(gè)所述電子元器件進(jìn)行纏帶的工序。
13. 如權(quán)利要求12所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 所述第1電磁波和所述第2電磁波各自的波長(zhǎng)都在400nm以上且在500nm以下。
14. 如權(quán)利要求12或13所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 所述電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極， 在照射所述第1電磁波的工序中，至少對(duì)多個(gè)所述外部電極的任一個(gè)照射所述第1電 磁波。
15. 如權(quán)利要求14所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 在照射所述第1電磁波的工序中，以跨過(guò)多個(gè)所述外部電極的各個(gè)的方式照射所述第 1電磁波。
16. 如權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 對(duì)于照射所述第1電磁波的工序、形成所述第1圖像數(shù)據(jù)的工序、照射所述第2電磁波 的工序、形成所述第2圖像數(shù)據(jù)的工序、形成所述第3圖像數(shù)據(jù)的工序、以及計(jì)算所述電子 元器件的厚度的工序的各個(gè)工序，對(duì)所述電子元器件的互不相同的位置進(jìn)行該各個(gè)工序。
17. 如權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 所述透明板的厚度在1. 2mm以上且在5. Omm以下。
18. 如權(quán)利要求12至17中任一項(xiàng)所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 所述透明板由玻璃構(gòu)成， 所述第1電磁波和所述第2電磁波的偏振方向相互相差90°， 所述第1電磁波射入所述電子元器件的所述上表面的入射角為10°以上且在43. 5° 以下。
19. 一種電子元器件卷盤(pán)的制造方法， 是將多個(gè)電子元器件捆包以形成為一體的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 具有： 至少利用配置于透明板的下方的拍攝裝置對(duì)放置于該透明板的所述電子元器件的外 觀進(jìn)行拍攝的工序； 對(duì)所述電子元器件和所述透明板照射電磁波的工序； 對(duì)在所述電子元器件及所述透明板的各個(gè)發(fā)生反射的所述電磁波的反射波進(jìn)行接收 的工序； 根據(jù)在所述電子元器件的上表面反射的所述反射波的強(qiáng)度峰值的接收位置和在所述 透明板反射的多個(gè)反射波之中強(qiáng)度峰值最大的接收位置之間的位置關(guān)系，計(jì)算出所述電子 兀器件的厚度的工序； 根據(jù)在所述拍攝的工序中拍攝到的各個(gè)所述電子元器件的外觀、以及在計(jì)算所述電子 元器件的厚度的工序中測(cè)定到的各個(gè)所述電子元器件的厚度，對(duì)多個(gè)所述電子元器件進(jìn)行 分類(lèi)并分成多個(gè)組的工序；以及 對(duì)被分類(lèi)為所述多個(gè)組之中的任一組的多個(gè)所述電子元器件進(jìn)行纏帶的工序。
20. 如權(quán)利要求19所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 所述電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極， 在照射所述電磁波的工序中，至少對(duì)多個(gè)所述外部電極之中的任一個(gè)照射所述電磁 波。
21. 如權(quán)利要求20所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 在照射所述電磁波的工序中，以跨過(guò)多個(gè)所述外部電極的各個(gè)的方式照射所述電磁 波。
22. 如權(quán)利要求19至21中任一項(xiàng)所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法，其特征在于， 對(duì)于照射所述電磁波的工序、接收所述反射波的工序、以及計(jì)算所述電子元器件的厚 度的工序的各個(gè)工序，對(duì)1個(gè)所述電子元器件的互不相同的位置進(jìn)行該各個(gè)工序。
23. -種電子元器件卷盤(pán)，其特征在于， 利用權(quán)利要求12至22中任一項(xiàng)所述的電子元器件卷盤(pán)的制造方法而制造得到的電子 元器件卷盤(pán)， 在被分類(lèi)為所述一組的多個(gè)所述電子元器件中，最厚的所述電子元器件的厚度和最薄 的所述電子元器件的厚度之差在10 μ m以下。
24. 如權(quán)利要求23所述的電子元器件卷盤(pán)，其特征在于， 所述電子元器件具有素體和外部電極， 所述素體具有相互位于相反側(cè)的一對(duì)主面，連接該一對(duì)主面且相互相對(duì)的一對(duì)端面， 以及連接該一對(duì)主面且連接所述一對(duì)端面的一對(duì)側(cè)面， 在所述一對(duì)主面分別設(shè)置所述外部電極， 所述電子元器件的厚度為分別設(shè)置于所述一對(duì)主面的所述外部電極在連接所述一對(duì) 主面的方向上的外側(cè)彼此之間的間隔。
25. 如權(quán)利要求23或24所述的電子元器件卷盤(pán)，其特征在于， 在被分類(lèi)為所述一組的多個(gè)所述電子元器件中，最厚的所述電子元器件的厚度為 0. 25mm 以下。
26. -種電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 該檢查裝置用于對(duì)電子元器件進(jìn)行外觀檢查和厚度測(cè)定，具備： 放置有所述電子元器件的透明板； 至少?gòu)脑撏该靼宓南路脚臄z所述電子元器件的外觀的拍攝裝置；以及 測(cè)定所述電子元器件的厚度的厚度測(cè)定器， 所述厚度測(cè)定器包括照射部和接收部， 所述照射部對(duì)所述電子元器件和所述透明板照射電磁波， 所述接收部對(duì)在所述電子元器件及所述透明板的各個(gè)發(fā)生反射的所述電磁波的反射 波進(jìn)行接收， 所述厚度測(cè)定器根據(jù)在所述電子元器件的上表面反射的所述反射波的強(qiáng)度峰值的接 收位置和在所述透明板反射的多個(gè)反射波之中強(qiáng)度峰值最大的接收位置之間的位置關(guān)系， 計(jì)算出所述電子元器件的厚度。
27. 如權(quán)利要求26所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述照射部對(duì)于所述電子元器件和所述透明板，從斜上方照射第1電磁波，并且在所 述電子元器件和所述透明板的與照射所述第1電磁波的位置大致相同的位置，以與所述第 1電磁波相同的角度從斜上方照射與所述第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁波， 所述接收部接收所述第1電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面 反射的反射波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在所述透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰 值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第1圖像數(shù)據(jù)，并且所述接收部接收所述第2電磁波的反射波，形成 包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射波的強(qiáng)度峰值的第1基準(zhǔn)線和表示在所 述透明板反射的多個(gè)反射波的強(qiáng)度峰值的多個(gè)第2基準(zhǔn)線的第2圖像數(shù)據(jù)， 所述厚度測(cè)定器在所述第1圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)所述第2基準(zhǔn)線和所述第2圖像數(shù)據(jù)的多 個(gè)所述第2基準(zhǔn)線中，僅提取出位于相互相同的位置且所述第2基準(zhǔn)線彼此的強(qiáng)度峰值之 差最小的第2基準(zhǔn)線，形成包括所述第1基準(zhǔn)線和所提取出的所述第2基準(zhǔn)線的第3圖像 數(shù)據(jù)，且根據(jù)所述第3圖像數(shù)據(jù)的所述第1基準(zhǔn)線和所述第2基準(zhǔn)線之間的間隔來(lái)計(jì)算出 所述電子元器件的厚度。
28. 如權(quán)利要求27所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述第1電磁波和所述第2電磁波各自的波長(zhǎng)都在400nm以上且在500nm以下。
29. 如權(quán)利要求27或28所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述電子元器件在表面具有多個(gè)外部電極， 所述照射部至少對(duì)多個(gè)所述外部電極之中的任一個(gè)照射所述第1電磁波。
30. 如權(quán)利要求29所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述照射部以跨過(guò)多個(gè)所述外部電極的各個(gè)的方式照射所述第1電磁波。
31. 如權(quán)利要求27至30中任一項(xiàng)所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述透明板由玻璃構(gòu)成， 所述第1電磁波和所述第2電磁波的偏振方向相互相差90°， 所述第1電磁波射入所述電子元器件的所述上表面的入射角為10°以上且在43. 5° 以下。
32. 如權(quán)利要求26至31中任一項(xiàng)所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述厚度測(cè)定器對(duì)1個(gè)所述電子元器件的互不相同的位置的厚度進(jìn)行測(cè)定。
33. 如權(quán)利要求26至32中任一項(xiàng)所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 所述透明板的厚度在1. 2mm以上且在5. 0mm以下。
34. 如權(quán)利要求26至33中任一項(xiàng)所述的電子元器件的檢查裝置，其特征在于， 還具備對(duì)多個(gè)電子元器件進(jìn)行分類(lèi)并分成多個(gè)組的分類(lèi)機(jī)構(gòu)， 所述分類(lèi)機(jī)構(gòu)包括收納所述電子元器件的多個(gè)容器，以及使所述電子元器件分別從所 述透明板上移動(dòng)到所述容器內(nèi)的多個(gè)排出機(jī)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G01B11/24GK104279970SQ201410328475
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月11日
【發(fā)明者】西岡良直, 春木雅良 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所