GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法，包括：采集待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線；根據(jù)待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線；采集待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線；根據(jù)待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓曲線，獲得待測GaN基器件的頻散關(guān)系；根據(jù)待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)。該評價(jià)方法可以對GaN基器件中肖特基的可靠性進(jìn)行評價(jià)。
【專利說明】GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及GaN基器件可靠性評價(jià)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]GaN材料作為寬帶隙的材料，具有擊穿電壓高，飽和電子漂移速度高，熱穩(wěn)定性優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)，在高壓、高溫、大功率器件的軍用和民用領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。而在GaN基器件的研制中，肖特基接觸是關(guān)鍵技術(shù)之一。
[0003]肖特基接觸是指金屬和半導(dǎo)體材料接觸的時(shí)候，在界面處，半導(dǎo)體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘，從而達(dá)到整流特性。在肖特基接觸的制備中，金屬組分的選擇和半導(dǎo)體材料表面處理的優(yōu)良直接影響肖特基接觸的質(zhì)量，其質(zhì)量的優(yōu)劣直接決定了 GaN基器件溝道中二維電子氣(2DEG)的調(diào)控能力和器件的性能。
[0004]例如，如果肖特基接觸的質(zhì)量較差，肖特基的方向漏電過大，不僅會降低GaN基器件的功率，增大噪聲，還會嚴(yán)重降低GaN基器件的可靠性。因此，在肖特基接觸完成之后，對其質(zhì)量和可靠性進(jìn)行有效評價(jià)，將有利于發(fā)現(xiàn)肖特基接觸制備中的缺陷，并進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)，以提升GaN基器件的性能和可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法，以在肖特基接觸完成之后，對其質(zhì)量和可靠性進(jìn)行評價(jià)，從而有利于發(fā)現(xiàn)肖特基接觸制備中的缺陷，并進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)，以提升GaN基器件的性能和可靠性。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0007]—種GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法，所述GaN基器件包括GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和位于所述GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的金屬結(jié)構(gòu)，該方法包括:
[0008]采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線；
[0009]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線；
[0010]采集所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線；
[0011]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓曲線，獲得所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系；
[0012]根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對所述待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)。
[0013]優(yōu)選的，采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線包括:
[0014]將待測GaN基器件固定在高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)；
[0015]通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度，采集所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線。
[0016]優(yōu)選的，通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度，采集所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線包括:
[0017]通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度；
[0018]保持所述待測GaN基器件的溫度穩(wěn)定在所述第一預(yù)設(shè)溫度預(yù)設(shè)時(shí)間后，采集所述待測GaN基器件在第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線。
[0019]優(yōu)選的，所述第一預(yù)設(shè)溫度的范圍為-50°C _125°C，所述第一預(yù)設(shè)溫度的精度為
0.1°C，且相鄰兩個(gè)第一預(yù)設(shè)溫度之間的溫度梯度為25°C。 [0020]優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為3分鐘；所述待測GaN基器件的柵極電壓范圍為-10V-2V，包括端點(diǎn)值。
[0021 ] 優(yōu)選的，根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線包括:
[0022]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公式: i(f i m2、 φ = —ln -T- 獲得所述待測GaN基器件中肖特基的勢壘高度隨溫度的變化曲線； cI V 1 J 5
[0023]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公式: q.dV、
n =茯得所述待測GaN基器件的理想因子隨溫度的變化曲線；
[0024]根據(jù)所述待測GaN基器件的勢壘高度隨溫度的變化曲線和理想因子隨溫度的變化曲線，獲得所述待測GaN基器件的勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線；
[0025]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公式:
dV rn fkT、
M +"(—)，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線；i/(ln /)q
[0026]其中，Φ表示所述待測GaN基器件在不同溫度下，肖特基的勢壘高度，A表示所述待測GaN基器件中肖特基接觸的面積，A*表示有效的里察德常數(shù)，Rs表示所述待測GaN基器件在不同溫度下的串聯(lián)電阻，η為所述待測GaN基器件在不同溫度下的理想因子，dV/d(lnl)由測試得到的電流-電壓(Ig-Vg)特性曲線經(jīng)過相應(yīng)的變形獲得，k為波爾茲曼常數(shù)，T表示所述待測GaN基器件的溫度，q表示所述待測GaN基器件中肖特基接觸的電子電量，I表示所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流值。
[0027]優(yōu)選的，采集所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線包括:
[0028]將待測GaN基器件固定在高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)；
[0029]通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至第二預(yù)設(shè)溫度；
[0030]給所述待測GaN基器件施加不同的預(yù)設(shè)頻率，測得所述待測GaN基器件在同一溫度不同頻率下的電容-電壓特性曲線。[0031]優(yōu)選的，根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對所述待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)包括:
[0032]根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線，判斷所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻是否隨著溫度的升高而降低；
[0033]根據(jù)所述待測GaN基器件的肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線，判斷所述GaN基器件的勢壘高度與理想因子是否成線性關(guān)系；
[0034]根據(jù)所述待測GaN基器件的電容-電壓-頻率的曲線關(guān)系，判斷所述待測GaN基器件是否存在較大的頻散關(guān)系；
[0035]若所述待測GaN基器件中肖特基的勢壘高度與所述待測GaN基器件的理想因子之間成線性關(guān)系，所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨著溫度的升高而降低，且所述待測GaN基器件存在較大的頻散關(guān)系，則所述待測GaN基器件中肖特基接觸的質(zhì)量和穩(wěn)定性較差。
[0036]優(yōu)選的，所述高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)充有氮?dú)狻?br> [0037]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0038]本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，通過采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線以及所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線，從而根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線，并根據(jù)所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓曲線，獲得所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，進(jìn)而根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對所述待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)，以便于發(fā)現(xiàn)肖特基接觸制備中的缺陷，并進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)，以提升GaN基器件的性能和可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法的流程圖；
[0041]圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法中，所述待測GaN基器件的肖特基勢壘、理想因子隨溫度的變化曲線；
[0042]圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法中，所述待測GaN基器件的肖特基勢壘與理想因子之間曲線關(guān)系；
[0043]圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法中，所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線；
[0044]圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法中，所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓關(guān)系曲線?！揪唧w實(shí)施方式】
[0045]正如【背景技術(shù)】部分所述，肖特基接觸完成之后，對其質(zhì)量和可靠性進(jìn)行有效評價(jià)，將有利于發(fā)現(xiàn)肖特基接觸制備中的缺陷，并進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)，以提升GaN基GaN基器件的性能和可靠性。
[0046]發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，在肖特基接觸實(shí)際制備過程中，由于表面處理等工藝會直接影響GaN基器件肖特基接觸的質(zhì)量，也不可避免的會或多或少的引入表面態(tài)和界面態(tài)，導(dǎo)致GaN基器件的漏電過大，功率下降，可靠性降低。因此，確定肖特基接觸的金屬-半導(dǎo)體界面是否存在界面態(tài)，對于肖特基接觸質(zhì)量和可靠性的評價(jià)具有指導(dǎo)意義。
[0047]發(fā)明人進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，在GaN基器件的研制過程中，通常采用測量IV(電流-電壓)特性和CV (電容-電壓)特性的方法，對GaN基器件的性能進(jìn)行表征，而肖特基接觸中，溫度的作用可以直接影響GaN基器件中對溝道電子的調(diào)制作用，進(jìn)而影響溝道中載流子的濃度。
[0048]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法，所述GaN基器件包括GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和位于所述GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的金屬結(jié)構(gòu)，該方法包括:
[0049]采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流_電壓特性曲線；
[0050]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線；
[0051]采集所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線；
[0052]根據(jù)所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓曲線，獲得所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系；
[0053]根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對所述待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)。
[0054]利用本發(fā)明實(shí)施例所提供的評價(jià)方法，可以對所述GaN基器件中肖特基接觸的質(zhì)量和可靠性進(jìn)行評價(jià)，以便于發(fā)現(xiàn)肖特基接觸制備中的缺陷，并進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)，以提升GaN基器件的性能和可靠性。
[0055]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0056]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0057]下面以所述待測GaN基器件為GaN HEMT為例對本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明對此并不做限定，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述待測GaN基器件AlGaN HEMT或其他GaN基器件，只要所述待測GaN基器件包括GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和位于所述GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的金屬結(jié)構(gòu)，從而可以形成肖特基接觸即可。
[0058]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的GaN基器件肖特基接觸可靠性評價(jià)方法，包括:
[0059]步驟1:采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線。
[0060]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟I包括:
[0061]步驟101:將待測GaN基器件固定在高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)。所述高低溫探針臺內(nèi)設(shè)置有溫度控制軟件，可以實(shí)現(xiàn)不同溫度的調(diào)節(jié)。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述高低溫探針臺可以實(shí)現(xiàn)_50°C -200°C溫度范圍內(nèi)的調(diào)節(jié)。優(yōu)選的，所述高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)充有氮?dú)?，以對所述待測GaN基器件進(jìn)行保護(hù)。
[0062]步驟102:通過所述高低溫探針臺，將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度，采集所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線。
[0063]具體的，步驟102包括:
[0064]通過所述高低溫探針臺，將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度；
[0065]保持所述待測GaN 基器件的溫度穩(wěn)定在所述第一預(yù)設(shè)溫度預(yù)設(shè)時(shí)間后，采集所述待測GaN基器件在第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，即可得到所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線。
[0066]在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，保持所述待測GaN基器件的溫度穩(wěn)定在所述第一預(yù)設(shè)溫度預(yù)設(shè)時(shí)間后，利用惠普HP4122對所述待測GaN基器件的電流-電壓特性進(jìn)行測試，并利用數(shù)據(jù)采集軟件采集所述待測GaN基器件在第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線。
[0067]優(yōu)選的，所述第一預(yù)設(shè)溫度的范圍為-50°C _125°C，所述第一預(yù)設(shè)溫度的精度為0.TC，且相鄰兩個(gè)第一預(yù)設(shè)溫度之間的溫度梯度為25°C，即所述第一預(yù)設(shè)溫度依次為:-50 V、-250C、(TC、25°C、50°C、75°C、100°C、125°C，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一預(yù)設(shè)溫度的范圍、精度以及溫度梯度還可以為其他數(shù)值，本發(fā)明對此并不做限定，具體視情況而定。
[0068]更優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為3分鐘；所述待測GaN基器件的柵極電壓范圍為-10V-2V，包括端點(diǎn)值，但本發(fā)明對此同樣不做限定。
[0069]步驟2:獲得所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線后，根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線。
[0070]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟2包括:
[0071]步驟201:根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公
式:
【權(quán)利要求】
1.一種GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價(jià)方法，所述GaN基器件包括GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和位于所述GaN基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的金屬結(jié)構(gòu)，其特征在于，該方法包括: 采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線； 根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線； 采集所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線； 根據(jù)所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓曲線，獲得所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系； 根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對所述待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價(jià)方法，其特征在于，采集所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線包括: 將待測GaN基器件固定在高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)； 通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度，采集所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的評價(jià)方法，其特征在于，通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度，采集所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線包括:` 通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至不同的第一預(yù)設(shè)溫度； 保持所述待測GaN基器件的溫度穩(wěn)定在所述第一預(yù)設(shè)溫度預(yù)設(shè)時(shí)間后，采集所述待測GaN基器件在第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線，從而獲得所述待測GaN基器件在不同第一預(yù)設(shè)溫度下的電流-電壓特性曲線。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的評價(jià)方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)溫度的范圍為-50°C _125°C，所述第一預(yù)設(shè)溫度的精度為0.1°C，且相鄰兩個(gè)第一預(yù)設(shè)溫度之間的溫度梯度為25°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的評價(jià)方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為3分鐘；所述待測GaN基器件的柵極電壓范圍為-10V-2V，包括端點(diǎn)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價(jià)方法，其特征在于，根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，獲得所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線及其肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線包括: 根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公式: kT ( AA*TZ、φ = —ln -T-獲得所述待測GaN基器件中肖特基的勢壘高度隨溫度的變化曲線； 1I V 1 )， 根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公式:n =獲得所述待測GaN基器件的理想因子隨溫度的變化曲線；根據(jù)所述待測GaN基器件的勢壘高度隨溫度的變化曲線和理想因子隨溫度的變化曲線，獲得所述待測GaN基器件的勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線； 根據(jù)所述待測GaN基器件在不同溫度下的電流-電壓特性曲線，利用公式:
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價(jià)方法，其特征在于，采集所述待測GaN基器件在不同頻率下的電容-電壓特性曲線包括: 將待測GaN基器件固定在高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)； 通過所述高低溫探針臺將所述待測GaN基器件的溫度調(diào)節(jié)至第二預(yù)設(shè)溫度； 給所述待測GaN基器件施加不同的預(yù)設(shè)頻率，測得所述待測GaN基器件在同一溫度不同頻率下的電容-電壓特性曲線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價(jià)方法，其特征在于，根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線、肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線以及所述待測GaN基器件的頻散關(guān)系，對所述待測GaN基器件肖特基接觸的可靠性進(jìn)行評價(jià)包括: 根據(jù)所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨溫度的變化曲線，判斷所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻是否隨著溫度的升高而降低； 根據(jù)所述待測GaN基器件的肖特基勢壘高度與理想因子之間的關(guān)系曲線，判斷所述GaN基器件的勢壘高度與理想因子是否成線性關(guān)系； 根據(jù)所述待測GaN基器件的電容-電壓-頻率的曲線關(guān)系，判斷所述待測GaN基器件是否存在較大的頻散關(guān)系； 若所述待測GaN基器件中肖特基的勢壘高度與所述待測GaN基器件的理想因子之間成線性關(guān)系，所述待測GaN基器件的串聯(lián)電阻隨著溫度的升高而降低，且所述待測GaN基器件存在較大的頻散關(guān)系，則所述待測GaN基器件中肖特基接觸的質(zhì)量和穩(wěn)定性較差。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評價(jià)方法，其特征在于，所述高低溫探針臺的密閉腔內(nèi)充有氮?dú)狻?br> 【文檔編號】G01R31/26GK103728545SQ201410005400
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月6日
【發(fā)明者】趙妙, 劉新宇, 鄭英奎, 李艷奎, 歐陽思華 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所