一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法及裝置，涉及芯片測溫技術(shù)。本發(fā)明公開的測溫方法包括：將嵌入式智能卡芯片的PAD?ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為溫度傳感器，提供設(shè)定電流通過，測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在0攝氏度下的電壓值V0，根據(jù)Ta、Va和V0，確定等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M；改變嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度至期望溫度值T，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試；在嵌入式智能卡芯片掉電零時(shí)刻，測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值VT；根據(jù)VT、Va、Ta和M計(jì)算出嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度。本發(fā)明還公開了一種嵌入式智能卡芯片的測溫裝置。本申請技術(shù)方案大大提高了智能卡芯片溫度測量的準(zhǔn)確性。
【專利說明】一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片測溫技術(shù)，特別涉及一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法及裝置。【背景技術(shù)】
[0002]目前，嵌入式智能卡產(chǎn)品測試驗(yàn)證過程中通常的溫度測量基本采用在待測樣品附近安置新的溫度傳感器進(jìn)行測量的方法，這種方法是以環(huán)境溫度間接的表征芯片溫度，受環(huán)境溫度的均勻性，穩(wěn)定性的影響嚴(yán)重，是不科學(xué)，不準(zhǔn)確的。而且，當(dāng)芯片在一定的功率下穩(wěn)定工作時(shí)，芯片的實(shí)際溫度必然會與環(huán)境溫度存在偏差’ T，而傳感器根本無法察覺這個(gè)偏差，無法做到對芯片溫度的實(shí)時(shí)跟蹤。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種嵌入式智能卡芯片測溫方法及裝置，以提高智能卡芯片溫度測量的準(zhǔn)確性。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開了一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法，包括:
[0005]將嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為溫度傳感器，為所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流通過，并分別測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在O攝氏度下的電壓值Vtl,根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,確定所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M ;
[0006]改變所述嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度至期望溫度值T，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試；
[0007]當(dāng)所述嵌入式智能卡芯片收到掉電信號時(shí)，在掉電零時(shí)刻，測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值Vt ；
[0008]根據(jù)所述VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度。
[0009]可選地，上述方法中，根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,確定所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M指，按照如下公式計(jì)算M:
[0010]M= Δ V/ Δ T= (Va-V0) / (Ta-273K)。
[0011 ] 可選地，上述方法中，根據(jù)所述VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度指，按照如下公式計(jì)算T。:
[0012]Tc= (VT-Va)/M+Ta。
[0013]可選地，上述方法中，分別測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在O攝氏度下的電壓值Vtl指:
[0014]在常溫Ta下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va ；
[0015]在O攝氏度下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值V。。[0016]可選地，上述方法中，所述期望溫度值T屬于-20°?+85°范圍。
[0017]本發(fā)明還公開了一種嵌入式智能卡芯片的測溫裝置，包括恒流源模塊、電壓采集模塊和控制模塊，其中:
[0018]所述恒流源模塊，為嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流通過；
[0019]所述電壓采集模塊，根據(jù)所述控制模塊的控制采集所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在不同溫度下的電壓值；
[0020]所述控制模塊，控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va，和所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值Vtl,根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,計(jì)算所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M，并在本嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度變化至期望溫度值T后，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試，當(dāng)所述嵌入式智能卡芯片收到掉電信號時(shí)，在掉電零時(shí)刻控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值Vt，根據(jù)所述VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度。
[0021 ] 可選地，上述裝置中，所述控制模塊根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,按照如下公式計(jì)算M:
[0022]M= Δ V/ Δ T= (Va-V0) / (Ta-273K)。
[0023]可選地，上述裝置中，根據(jù)所述VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度指，按照如下公式計(jì)算T。:
[0024]Tc= (VT-Va)/M+Ta。
[0025]可選地，上述裝置中，所述控制模塊，控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va，和所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值Vtl指:
[0026]在常溫Ta下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，所述控制模塊控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va ；
[0027]在O攝氏度下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，所述控制模塊控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值％。
[0028]可選地，上述裝置中，所述控制模塊為單片機(jī)。
[0029]可選地，上述裝置還包括:
[0030]鍵盤輸入模塊，根據(jù)用戶操作向所述控制模塊輸入所述恒流源模塊提供的設(shè)定電流值，以及常溫Ta值；
[0031]所述控制模塊，根據(jù)輸入的設(shè)定電流值，控制所述恒流源模塊為所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流。
[0032]可選地，上述裝置還包括:
[0033]溫度顯示模塊，顯示所述控制模塊計(jì)算出的M值，以及所述控制模塊計(jì)算出的所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度值。
[0034]本申請技術(shù)方案以待測嵌入式智能卡芯片內(nèi)嵌等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為溫度傳感器實(shí)現(xiàn)芯片自身溫度的直接測試和實(shí)時(shí)測試，大大提高了智能卡芯片溫度測量的準(zhǔn)確性。
[0035]具體地，本申請技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0036]1、發(fā)揮了 PN結(jié)溫度傳感器優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，待測嵌入式智能卡芯片即作為研究對象，又做為測溫系統(tǒng)的核心部件而存在；
[0037]2、直接測溫，由于傳感器是待測嵌入式智能卡芯片的一部分，傳感器的溫度就是芯片的溫度，而不是以恒溫環(huán)境溫度作為芯片溫度，因此不需等待環(huán)境溫度足夠穩(wěn)定也可以測試；
[0038]3、實(shí)時(shí)測溫，即使芯片的功率耗散產(chǎn)生一定的溫差，通過單片機(jī)對讀卡系統(tǒng)poweroff的響應(yīng)控制測溫系統(tǒng)，就能夠做到讀卡系統(tǒng)下電后的零時(shí)刻采集PN結(jié)的壓降，因此能實(shí)時(shí)的反映芯片的真實(shí)溫度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]圖1為PAD ESD保護(hù)電路原理示意圖；
[0040]圖2為PAD ESD保護(hù)電路中等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖3為本發(fā)明提供的嵌入式智能卡芯片測溫裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文將結(jié)合附圖對本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例和實(shí)施例中的特征可以任意相互組合。
[0043]實(shí)施例1
[0044]本申請發(fā)明人將PN結(jié)正向壓降隨溫度升高而降低的線性特性應(yīng)用到嵌入式智能卡芯片溫度相關(guān)特性的研究中，利用待測嵌入式智能卡芯片的PADESD保護(hù)電路(如圖1所示)中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)(如圖2所示)，對芯片內(nèi)部實(shí)際溫度直接測量。即將待測嵌入式智能卡芯片作為傳感器測量芯片溫度。
[0045]基于上述思想，本實(shí)例提供一種嵌入式智能卡芯片測溫裝置，至少包括恒流源模塊、電壓采集模塊和控制模塊，其中:
[0046]恒流源模塊，為嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流通過；
[0047]電壓采集模塊，根據(jù)控制采集等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在不同溫度下的電壓值；
[0048]具體地，可采用AD電壓采集模塊，例如AD轉(zhuǎn)換器，采樣待測嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的電壓，并將采樣的電壓值轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號傳遞給控制豐吳塊。
[0049]控制模塊，控制電壓采集模塊測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va，以及等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值Vtl,并根據(jù)Ta、Va和Vtl，計(jì)算等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M，并在本嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度變化至期望溫度值T時(shí)，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試，當(dāng)所述嵌入式智能卡芯片收到掉電信號時(shí)，在掉電零時(shí)刻控制電壓采集模塊測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值Vt，根據(jù)VT、Va、Ta和M計(jì)算出嵌入式智能卡芯片的當(dāng)iu溫度。
[0050]一般，PC及上位機(jī)軟件控制讀卡系統(tǒng)和待測樣品的通訊，通訊結(jié)束后，讀卡系統(tǒng)將待測樣品(即嵌入式智能卡芯片)Poweroff。
[0051]其中，期望溫度值T是芯片的設(shè)計(jì)指標(biāo)值，例如芯片設(shè)計(jì)之初希望其能在環(huán)境溫度為-20°?+85°的范圍內(nèi)都正常工作。為了驗(yàn)證其達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)，設(shè)定一個(gè)指定的溫度來檢驗(yàn)。比如20°、80度等等。[0052]需要說明的是，上述控制模塊控制電壓采集模塊測量Vt時(shí)，是由掉電信號觸發(fā)的，而控制模塊控制電壓采集模塊測量Va，以及Vtl時(shí)，同樣是由掉電信號觸發(fā)的，但不同之處在于，測量Vt之前，嵌入式智能卡芯片處于工作狀態(tài)，而測量Va，以及Vtl時(shí)，嵌入式智能卡芯片并未啟動(dòng)，此時(shí)，是由手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號以觸發(fā)控制模塊控制電壓采集模塊進(jìn)行測量操作的，即在常溫Ta下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，控制模塊控制電壓采集模塊測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va ;在O攝氏度下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，控制模塊控制電壓采集模塊測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值Vtl即可。
[0053]上述控制模塊可以選用單片機(jī)。
[0054]另外，在上述裝置結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，還可以增加鍵盤輸入模塊，該模塊根據(jù)用戶操作輸入電流參數(shù)I (即恒流源模塊提供的設(shè)定電源值)和常溫溫度值Ta。.其中，I值越小越好，受限于恒流源模塊性能；Ta是通過一般的溫度計(jì)獲得的。
[0055]還可以包括溫度顯示模塊，顯示控制模塊(單片機(jī))計(jì)算出的M值，以及顯示控制模塊(單片機(jī))計(jì)算的溫度值。此時(shí)，整個(gè)嵌入式智能卡芯片測溫裝置如圖3所示。其中，恒流源模塊、電壓采集模塊、鍵盤輸入模塊以及溫度顯示模塊、均可采用邏輯電路或相應(yīng)的芯片器件等構(gòu)成。本申請對各模塊的實(shí)現(xiàn)形式不作任何限制。
[0056]下面再介紹上述裝置的具體工作流程。整個(gè)過程可分為系統(tǒng)校準(zhǔn)與溫度測量兩部分。
[0057]首先介紹系統(tǒng)校準(zhǔn)過程；
[0058]通過輸入鍵盤模塊輸入恒流源模塊提供的設(shè)定電流(在校準(zhǔn)過程中也可稱為設(shè)定校準(zhǔn)電流)，本實(shí)施例中，設(shè)定電流為ImA (也可選擇其他電流值進(jìn)行校準(zhǔn)，但所選電流值應(yīng)足夠小，避免校準(zhǔn)電流帶來的熱效應(yīng)影響)，以及獲取常溫溫度值Ta ；
[0059]手動(dòng)產(chǎn)生Poweroff信號,控制模塊(如單元片機(jī))響應(yīng)該P(yáng)oweroff信號,控制電壓采集模塊分別采集等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta和冰水混合物中((TC )的等效PN結(jié)壓降即\、V0;
[0060]控制模塊根據(jù)Ta、Va和Vtl計(jì)算溫度系數(shù)M值；
[0061]具體地，可根據(jù)等式M= Λ V/Λ T= (Va-V0)/(Ta-273K)計(jì)算溫度系數(shù)M值，M值反映的是在特定的電流條件下，電壓隨溫度變化的規(guī)律。
[0062]再介紹電壓測量過程；
[0063]通過輸入鍵盤模塊輸入恒流源模塊提供的設(shè)定電流(在此測量過程中也可稱為設(shè)定測量電流)。本實(shí)施例中設(shè)定電源為1mA。此處必須與校準(zhǔn)電流相同，因?yàn)镸值是根據(jù)校準(zhǔn)電流獲得的，不同的校準(zhǔn)電流得到不同M值；
[0064]改變環(huán)境溫度至設(shè)計(jì)范圍內(nèi)的某一溫度T (即期望溫度值T)，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試;
[0065]控制模塊在PoweiOff的零時(shí)刻觸發(fā)溫度測量，控制電壓采集模塊測量當(dāng)前溫度下等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的Vt ；
[0066]控制模塊利用校準(zhǔn)過程獲得的M值計(jì)算智能芯片的當(dāng)前溫度值=Tc=(VfVa)/M+Ta。
[0067]其中，上述計(jì)范圍內(nèi)的某一溫度T 一般屬于_25°C?85°C的范圍，即智能卡能夠正常工作的溫度范圍。這是為了驗(yàn)證芯片確實(shí)達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)，需進(jìn)行一系列實(shí)驗(yàn):具體地，溫度T可選幾個(gè)溫度點(diǎn):-25度、O度、50度、85度等。
[0068]實(shí)施例2
[0069]本實(shí)施例提供一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法，包括如下操作:
[0070]將嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為溫度傳感器，為等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流通過，并分別測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在O攝氏度下的電壓值Vtl,根據(jù)Ta、Va和Vtl,確定等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M ；
[0071]改變嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度至期望溫度值T，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試，當(dāng)所述嵌入式智能卡芯片收到掉電信號時(shí)，在掉電零時(shí)刻，測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值Vt ；
[0072]根據(jù)VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度。
[0073]具體地，本實(shí)施例中采用如下公式計(jì)算M:
[0074]M= Δ V/ Δ T= (Va-V0) / (Ta-273K)。
[0075]采用如下公式計(jì)算Tc:
[0076]Tc= (VT-Va)/M+Ta。
[0077]其中，期望溫度值T是芯片的設(shè)計(jì)指標(biāo)值，例如芯片設(shè)計(jì)之初希望其能在環(huán)境溫度為-20°?+85°的范圍內(nèi)都正常工作。為了驗(yàn)證其達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)，設(shè)定一個(gè)指定的溫度來檢驗(yàn)。比如20°、80度等等。
[0078]還要說明的是，上述方法中，分別測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在O攝氏度下的電壓值Vtl指:在常溫Ta下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va ；同樣地，在O攝氏度下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，測量等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值Vtl即可。
[0079]從上述實(shí)施例可以看出，本申請技術(shù)方案以待測嵌入式智能卡PAD ESD保護(hù)電路中等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為溫度傳感器，對實(shí)驗(yàn)過程中芯片的實(shí)際溫度進(jìn)行直接測量，有效解決了測量溫度不準(zhǔn)確，不科學(xué)的問題。同時(shí)，本申請技術(shù)方案以讀卡系統(tǒng)Poweroff信號作為溫度測量的觸發(fā)，在下電零時(shí)刻采集PN結(jié)結(jié)構(gòu)的壓降，做到對芯片溫度的實(shí)時(shí)測量，即使因芯片處于工作狀態(tài)，其與環(huán)境存在溫差，也能較準(zhǔn)確的采集芯片功率耗散狀態(tài)下的溫度。
[0080]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述方法中的全部或部分步驟可通過程序來指令相關(guān)硬件完成，所述程序可以存儲于計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，如只讀存儲器、磁盤或光盤等?？蛇x地，上述實(shí)施例的全部或部分步驟也可以使用一個(gè)或多個(gè)集成電路來實(shí)現(xiàn)。相應(yīng)地，上述實(shí)施例中的各模塊/單元可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。本申請不限制于任何特定形式的硬件和軟件的結(jié)合。
[0081]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種嵌入式智能卡芯片的測溫方法，其特征在于，包括: 將嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)作為溫度傳感器，為所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流通過，并分別測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在O攝氏度下的電壓值Vtl,根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,確定所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M ； 改變所述嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度至期望溫度值T，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試； 當(dāng)所述嵌入式智能卡芯片收到掉電信號時(shí)，在掉電零時(shí)刻，測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值Vt; 根據(jù)所述VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,確定所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M指，按照如下公式計(jì)算M:
M= Δ V/ Δ T= (Va-V0) / (Ta-273K)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述VT、\、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度指，按照如下公式計(jì)算T。:
Tc= (VT-Va)/M+Ta。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，分別測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va和在O攝氏度下的電壓值Vtl指: 在常溫Ta下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電`壓值Va ； 在O攝氏度下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值V。。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于， 所述期望溫度值T屬于-20°~+85°范圍。
6.一種嵌入式智能卡芯片的測溫裝置，其特征在于，包括恒流源模塊、電壓采集模塊和控制模塊，其中: 所述恒流源模塊，為嵌入式智能卡芯片的PAD ESD保護(hù)電路中的等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流通過； 所述電壓采集模塊，根據(jù)所述控制模塊的控制采集所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在不同溫度下的電壓值； 所述控制模塊，控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va,和所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值V。，根據(jù)所述Ta、Va和V。，計(jì)算所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)的溫度系數(shù)M，并在本嵌入式智能卡芯片的環(huán)境溫度變化至期望溫度值T后，循環(huán)進(jìn)行讀卡功能測試，當(dāng)所述嵌入式智能卡芯片收到掉電信號時(shí)，在掉電零時(shí)刻控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在期望溫度值T下的電壓值VT，根據(jù)所述VT、Va、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊根據(jù)所述Ta、Va和Vtl,按照如下公式計(jì)算M:
M= Δ V/ Δ T= (Va-V0) / (Ta-273K)。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，根據(jù)所述VT、\、Ta和M計(jì)算出所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng)前溫度指，按照如下公式計(jì)算T。:Tc= (VT-Va)/M+Ta。
9.如權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊，控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va，和所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值Vtl指: 在常溫Ta下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，所述控制模塊控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在常溫Ta下的電壓值Va ； 在O攝氏度下，手動(dòng)產(chǎn)生掉電信號給所述嵌入式智能卡芯片，在掉電零時(shí)刻，所述控制模塊控制所述電壓采集模塊測量所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)在O攝氏度下的電壓值\。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于， 所述控制模塊為單片機(jī)。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括: 鍵盤輸入模塊，根據(jù)用戶操作向所述控制模塊輸入所述恒流源模塊提供的設(shè)定電流值，以及常溫Ta值； 所述控制模塊，根據(jù)輸入的設(shè)定電流值，控制所述恒流源模塊為所述等效PN結(jié)結(jié)構(gòu)提供設(shè)定電流。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括: 溫度顯示模塊，顯示所述控制模塊計(jì)算出的M值，以及所述控制模塊計(jì)算出的所述嵌入式智能卡芯片的當(dāng) 前溫度值。
【文檔編號】G01K7/01GK103679246SQ201310701474
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】任偉, 張鎖印, 時(shí)惠玲, 陳震宇 申請人:大唐微電子技術(shù)有限公司