專利名稱：紅外線傳感器的制作方法
紅外線傳感器技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及紅外線傳感器。
背景技術(shù)：
以外，如圖12所不，提出了一種將由MID (Molded Interconnect Devices)基板構(gòu)成的三維電路模塊120收納到罐封裝部件(Can Package) 130中的紅外線傳感器,其中，該MID基板安裝有熱電元件101、將對(duì)熱電元件101的輸出電流進(jìn)行信號(hào)處理的信號(hào)處理電路的大部分集成于I個(gè)芯片的IC元件102以及外裝于IC元件102的電容器(未圖示)等(例如日本國專利第3367876號(hào)公報(bào)以下稱為“專利文獻(xiàn)I”)。這里，構(gòu)成三維電路模塊120的MID基板在樹脂成形品121的表面形成有電路圖案122。而且，罐封裝部件130由金屬制的芯柱(stem) 131、具有光學(xué)濾波窗132a的金屬制帽132構(gòu)成。另外，圖12的紅外線傳感器在罐封裝部件130的外側(cè)安裝有穹頂狀的聚光透鏡150。另外，以往公知在將熱電元件和對(duì)該熱電元件的輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理的IC元件(信號(hào)處理IC)收納到罐封裝部件內(nèi)的紅外線傳感器中，會(huì)由于IC元件的信號(hào)輸入端子與信號(hào)輸出端子的電容耦合而導(dǎo)致敏感度降低(例如日本國專利第4258139號(hào)公報(bào)以下稱為“專利文獻(xiàn)2”)。這里，在上述專利文獻(xiàn)2中公開了一種下述紅外線傳感器，如圖13以及圖14所示，在第I 第7金屬部件211 217被插入成形的同時(shí)成形體210的上表面部安裝有熱電元件201，并且在該同時(shí)成形體210的正表面部安裝有IC元件202，在同時(shí)成形體210的側(cè)表面部安裝有外帶的電容器Cl。而且，在該紅外線傳感器中，為了降低上述的電容耦合，將第4金屬部件214彎曲加工為屏蔽(shield)專用的金屬部件，并且將與信號(hào)輸入端子連接的內(nèi)部布線用的第I金屬部件211和與信號(hào)輸出端子連接的外部布線用的第6金屬部件216配置在同時(shí)成形體210的對(duì)角方向。另外，該紅外線傳感器中的封裝部件230由安裝有同時(shí)成形體210的金屬制芯柱(金屬基底)231、金屬制帽232構(gòu)成，在帽232中設(shè)置有紅外線透過濾波器233。上述專利文獻(xiàn)I中公開的IC元件102具備電流電壓變換電路、電壓放大電路以及輸出電路等，電流電壓變換電路具備在反轉(zhuǎn)輸入端與輸出端之間連接反饋電容(電容器)，并且從電源電路對(duì)非反轉(zhuǎn)輸入端供給基準(zhǔn)電壓的運(yùn)算放大器，該運(yùn)算放大器的反轉(zhuǎn)輸入端與熱電元件連接、被輸入熱電電流，通過電容器的阻抗變換將微小的熱電電流變換成數(shù)IOil V程度的電壓信號(hào)。在該電流電壓變換電路中，減小了在由使用了電場效應(yīng)型晶體管和高電阻值的電阻的阻抗變換電路構(gòu)成的現(xiàn)有電流電壓變換電路中處于支配地位的熱噪聲的影響，能夠顯著地改善S/N比，可在實(shí)現(xiàn)低噪聲化的同時(shí)提高敏感度。但在圖12所示的構(gòu)成的紅外線傳感器中，由于在罐封裝部件130內(nèi)收納有三維電路模塊120，所以難以薄型化(低背化)，而且在印刷布線板那樣的電路基板等上2次安裝時(shí)無法進(jìn)行表面安裝。另外，圖13所示的構(gòu)成的紅外線傳感器也由于在罐封裝部件230內(nèi)收納有同時(shí)成形體210，所以難以薄型化(低背化)，而且在印刷布線板那樣的電路基板等上2次安裝時(shí)無法進(jìn)行表面安裝。
與此相對(duì)，提出了一種如下所述的紅外線傳感器，如圖15以及圖16所示，具備收納有紅外線傳感器元件301、電場效應(yīng)型晶體管302、旁路電容器(未圖示)、具有高電阻值的電阻(未圖示)等的表面安裝型的封裝部件303 ;和在封裝部件303的開ロ部303b安裝的光學(xué)濾波器304 (例如國際公開2006/120863號(hào)以下稱為“專利文獻(xiàn)3”)。在上述專利文獻(xiàn)3所公開的紅外線傳感器中，封裝部件303被形成為一面開ロ的矩形箱狀，在封裝部件303的內(nèi)底面配設(shè)有對(duì)紅外線傳感器元件301進(jìn)行支承的多個(gè)基座(base)312。而且，電場效應(yīng)型晶體管302、旁路電容器以及電阻等并設(shè)于紅外線傳感器元件301。另外，光學(xué)濾波器304的平面形狀是與封裝部件303的開ロ部303b大致對(duì)應(yīng)的長方形。具體而言，光學(xué)濾波器304按照在該光學(xué)濾波器304的側(cè)緣與封裝部件303的內(nèi)側(cè)面之間形成縫隙的方式來設(shè)定平面尺寸，被在封裝部件303的開ロ部303b的4個(gè)角部配設(shè)的支承部320支承。而且，光學(xué)濾波器304和封裝部件303的金屬制的封裝主體303a由導(dǎo)電 性粘接劑接合而電連接。在圖15以及圖16所示的構(gòu)成的紅外線傳感器中，由于高電阻值的電阻產(chǎn)生的熱噪聲大，所以S/N比的提高也存在著一定限度。鑒于此，為了實(shí)現(xiàn)高敏感度化，可考慮代替電場效應(yīng)型晶體管302、旁路電容器以及電阻等，而使用能夠以高的放大率來放大紅外線傳感器元件301的微弱輸出信號(hào)的IC元件102 (參照?qǐng)D12)、IC元件202 (參照?qǐng)D13)。但在該情況下，由于需要在封裝部件303內(nèi)橫向并排設(shè)置紅外線傳感器元件301和IC元件102或者IC元件202，所以難以實(shí)現(xiàn)小型化以及低成本化。另外，該情況下，由于紅外線傳感器元件301和與IC元件102、202連接的輸出用布線的電容耦合而降低了敏感度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而提出，其目的在于，提供一種能夠小型化并且能夠抑制由于熱電元件和與IC元件連接的輸出用布線的電容耦合而減低敏感度的紅外線傳感器。本發(fā)明的紅外線傳感器具備熱電元件、對(duì)所述熱電元件的輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理的IC元件、和收納所述熱電元件以及所述IC元件的表面安裝型的封裝部件，所述封裝部件具有封裝主體，其在由絕緣材料構(gòu)成的基體上形成有由金屬材料構(gòu)成的電路布線以及多個(gè)外部連接用電極；和封裝蓋，其具有使所述熱電元件的檢測對(duì)象的紅外線透過的功能，以在與所述封裝主體之間包圍所述熱電元件以及所述IC元件的形式和所述封裝主體接合；在所述封裝主體的一面?zhèn)仍O(shè)置有多段凹部，所述IC元件被安裝在下段的凹部的內(nèi)底面，所述熱電元件在俯視所述封裝主體時(shí)跨越所述下段的凹部和比該下段的凹部靠上段的凹部并且在厚度方向與所述IC元件分離地安裝，在所述熱電元件與將所述IC元件的輸出端子和所述外部連接電極間電連接的輸出用布線之間設(shè)置有屏蔽構(gòu)造部，所述屏蔽構(gòu)造部與所述IC元件的成為接地電位或者定電位的部位電連接。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述屏蔽構(gòu)造部具備埋設(shè)在所述封裝主體的所述基體中并位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述屏蔽構(gòu)造部具備形成在所述封裝主體的所述基體的內(nèi)面并位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述屏蔽構(gòu)造部具備一部分埋設(shè)在所述封裝主體的所述基體中、所述一部以外的剩余部分形成在所述基體的內(nèi)面，且位于所述熱電元件所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選以形成有電路部的主表面?zhèn)葹樗鱿露蔚陌疾康膬?nèi)底面?zhèn)?、與所述主表面?zhèn)认喾吹谋趁鎮(zhèn)葹樗鰺犭娫?cè)，將所述IC元件安裝在所述下段的凹部的內(nèi)底面。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述屏蔽構(gòu)造部具備設(shè)置于所述IC元件的背面?zhèn)炔⑽挥谒鰺犭娫c所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述屏蔽構(gòu)造部具備配置在所述IC元件的背面與所述熱電元件之間并位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽板，所述屏蔽板與所述外部連接用電極中的成為所述接地電位或者所述定電位的所述外部連接用電極電連接。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述屏蔽板由金屬板或者印刷基板構(gòu)成。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述封裝主體的俯視下的外形是正方形，所述封裝主體的所述俯視下的中心與所述熱電元件的中心重合。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選在所述封裝蓋的周部形成有針對(duì)所述封裝主體的定位用的階梯差部。 在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述封裝蓋是硅制的透鏡。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選具備在所述封裝部件的外側(cè)配置的樹脂制的殼體。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述殼體以除了向所述封裝部件的安裝部位之外，在與所述封裝部件之間形成空氣層的形式被安裝于所述封裝部件。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述殼體通過使設(shè)置在所述封裝主體的側(cè)面的卡合凹部與設(shè)置在所述殼體的卡合凸部凹凸卡合而被安裝于所述封裝部件。在該紅外線傳感器中，優(yōu)選所述熱電元件的熱電材料是鉭酸鋰或者鈮酸鋰。


圖I是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的概略剖視圖。圖2是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的概略分解立體圖。圖3是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的電路框圖。圖4是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的概略剖視圖。圖5是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的其他構(gòu)成例的概略剖視圖。圖6是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的其他構(gòu)成例的概略剖視圖。圖7是實(shí)施方式I的紅外線傳感器的其他構(gòu)成例的概略剖視圖。圖8是實(shí)施方式2的紅外線傳感器的概略剖視圖。
圖9是實(shí)施方式3的紅外線傳感器的概略剖視圖。圖10是實(shí)施方式3的紅外線傳感器的其他構(gòu)成例的概略剖視圖。圖11是實(shí)施方式4的紅外線傳感器的概略剖視圖。
圖12是現(xiàn)有例的紅外線傳感器的概略分解立體圖。
圖13是表示其他現(xiàn)有例的紅外線傳感器的概略分解立體圖。圖14是其他現(xiàn)有例的紅外線傳感器中的第I 第7金屬部件的概略立體圖。圖15是表示其他現(xiàn)有例的紅外線傳感器的概略分解立體圖。圖16是其他現(xiàn)有例的紅外線傳感器的主要部分概略立體圖。
具體實(shí)施例方式(實(shí)施方式I)以下，參照?qǐng)DI 圖4對(duì)本實(shí)施方式的紅外線傳感器進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的紅外線傳感器具備作為熱型紅外線檢測元件的熱電元件I、對(duì)熱電元件I的輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理的IC元件2、和收納熱電元件I以及IC元件2的表面安裝型的封裝部件3。這里，封裝部件3具有封裝主體4和封裝蓋5，其中，該封裝蓋5以在與封裝主體4之間包圍熱電元件I以及IC元件2的形式和封裝主體4氣密接合。封裝主體4在由絕緣材料(陶瓷)構(gòu)成的基體41上形成有由金屬材料構(gòu)成的電路布線(未圖示)以及多個(gè)外部連接用電極45 (參照?qǐng)D4)。封裝蓋5具有使熱電元件I中的檢測對(duì)象的紅外線透過的功能以及導(dǎo)電性。另外，在封裝主體4中形成有屏蔽部43(參照?qǐng)D4)，其中，該屏蔽部43防止外來的電磁噪聲影響含有熱電元件I、IC元件2以及上述電路布線而構(gòu)成的傳感器電路100(參照?qǐng)D3)。封裝蓋5與封裝主體4的屏蔽部43電連接。此外，在本實(shí)施方式中，將由封裝主體4和封裝蓋5圍成的氣密空間設(shè)為干(dry)氮?dú)夥?，但不限于此，例如也可以是真空氣氛或空氣氣氛。熱電元件I是嵌塊(quad)型元件，如圖2所示，使用了在I枚熱電體基板11上以2X2的矩陣狀形成了 4個(gè)受光部(元件要素)12的元件。這里，各受光部12由在熱電體基板11的厚度方向的兩面以相互對(duì)置的形式形成的ー對(duì)正方形的電極12a、和熱電體基板11中的被該ー對(duì)電極12a夾持的部位構(gòu)成。另外，熱電元件I通過在矩形板狀的熱電體基板11上，形成俯視下沿著正方形的電極12a的3邊的俯視為“コ”字狀的狹縫(未圖示)，而成為各元件要素12被熱電體基板11的一部分懸臂支承的構(gòu)造，通過形成這樣的狹縫，能夠提高敏感度，并且能夠降低跳躍噪聲(popcorn noise)(例如參照日本國專利第3372180號(hào)公報(bào))。其中，電極12a由紅外線吸收材料(例如NiCr等)形成。在上述的熱電元件I中，各受光部12的電極12a被配置成在熱電體基板11的中央部，受光部12的中心位于比熱電體基板11的外周線靠向內(nèi)側(cè)的虛擬正方形的角。而且，熱電元件I在熱電體基板11的兩端部形成有輸出端子部(未圖示)。利用在熱電體基板11的厚度方向的兩面形成的布線圖案(未圖示)等，來并列連接4個(gè)受光部12中的位于對(duì)角位置的2個(gè)受光部12彼此，使得位于彼此不同的對(duì)角的2個(gè)受光部12相互倒并聯(lián)連接。于是，在該熱電元件I中，由于在倒并聯(lián)連接的受光部12彼此中，2個(gè)受光部12中產(chǎn)生的電荷會(huì)由于環(huán)境溫度的變化等而相抵消，所以實(shí)現(xiàn)了 S/N比的提高。此外，熱電元件I不限于圖2的嵌塊型元件，例如也可以是2個(gè)受光部12以1X2的矩陣狀形成的雙元型(dual type)元件、或4個(gè)受光部12以1X4的矩陣狀形成的嵌塊型元件。
其中，圖2所示的構(gòu)成的熱電元件I與雙元型元件、受光部12以1X4的矩陣狀形成的嵌塊型元件相比，能夠 降低由于來自外部的熱而引起的熱電元件I的輸出變動(dòng)。另外，本實(shí)施方式的紅外線傳感器在印刷布線板那樣的電路基板等上2次安裝時(shí)，可以使用無鉛焊錫(例如SnCuAg焊錫等)作為接合材料。其中，在采用PZT(:Pb(Zr，Ti)O3)系材料作為熱電元件I的熱電體基板11的熱電材料的情況下，通過適當(dāng)?shù)剡x擇PZT的組分、添加物，還能夠使居里溫度高于回流焊峰值溫度(260°C )，但由于居里溫度與回流焊峰值溫度的溫度差小，所以如果不高精度管理回流焊峰值溫度，則存在因回流焊峰值溫度超過熱電元件I的居里溫度而削減熱電元件I的分極，導(dǎo)致無法得到熱電效應(yīng)的可能性。鑒于此，優(yōu)選使用由于居里溫度比PZT高而與PZT相比耐熱性高的鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(=LiNbO3)作為熱電元件I中的熱電體基板11的熱電材料。這樣，如果使用與PZT相比居里溫度高的鉭酸鋰、鈮酸鋰作為熱電材料，則在利用無鉛焊錫進(jìn)行2次安裝的情況下，能夠容易地管理回流焊溫度，并且即使在回流焊峰值溫度向比所希望的設(shè)定溫度(260°C )高的溫度側(cè)變動(dòng)(過沖)的情況下，也能夠可靠地防止熱電元件I的特性劣化，由于2次安裝工程的成品率的提高而實(shí)現(xiàn)低成本化以及可靠性的提高。其中，鉭酸鋰的居里溫度為618°C程度，鈮酸鋰的距離溫度為1140°C程度，是比回流焊峰值溫度高2倍的溫度。另外，IC元件2如圖3所示，將從熱電元件I輸出的輸出信號(hào)、即熱電電流變換成電壓信號(hào)的電流電壓變換電路22 ;對(duì)由電流電壓變換電路22變換后的電壓信號(hào)中的規(guī)定頻帶的電壓信號(hào)進(jìn)行放大的電壓放大電路23 ;將由電壓放大電路23放大后的電壓信號(hào)與恰當(dāng)設(shè)定的閾值相比，在電壓信號(hào)超過了閾值的情況下輸出檢測信號(hào)的檢測電路24;和將檢測電路24的檢測信號(hào)作為規(guī)定的人體檢測信號(hào)輸出的輸出電路25被單芯片化。這里，電流電壓變換電路22具有附加了反饋電容(電容器)的運(yùn)算放大器、和將運(yùn)算放大器的輸出反饋給輸入側(cè)的直流反饋電路，利用反饋電容的阻抗將微小的熱電電流變換成數(shù)IOu V程度的電壓信號(hào)，與使用了電場效應(yīng)型晶體管和與該電場效應(yīng)型晶體管的柵極連接的電阻的電流電壓變換電路相比，能夠提高放大率并且提高S/N比，可實(shí)現(xiàn)高敏感度化。其中，在具備這種電流電壓變換電路22、電壓放大電路23等的IC元件2的基本電路構(gòu)成中，省略了上述專利文獻(xiàn)I等中公開而公知的詳細(xì)說明。另外，IC元件2的基本電路構(gòu)成也可以是上述專利文獻(xiàn)2所公開的構(gòu)成。另外，IC元件2還可以構(gòu)成為作為熱電元件I的輸出信號(hào)對(duì)輸出電壓進(jìn)行信號(hào)處理。在本實(shí)施方式中，通過采用陶瓷、玻璃等無機(jī)材料作為封裝主體4的基體41的絕緣材料，與采用環(huán)氧樹脂等有機(jī)材料作為上述絕緣材料的情況相比，能夠防止由于封裝主體4的吸濕而降低上述電路布線間的絕緣電阻，并且能夠提高耐熱性。這里，如果采用氧化鋁作為上述無機(jī)材料，則與采用氮化鋁、碳化硅等作為上述無機(jī)材料的情況相比，上述絕緣材料的熱傳導(dǎo)率小，能夠抑制由于外部熱的變動(dòng)而導(dǎo)致熱電元件I的敏感度降低。封裝主體4在一面?zhèn)仍O(shè)置有多段(這里是2段)的凹部41a、41b，IC元件2被安裝在下段的凹部41a的內(nèi)底面，在俯視封裝主體4時(shí)熱電元件I跨越下段的凹部41a和比該下段的凹部41a靠向上段的凹部41b并且在厚度方向與IC元件2分開規(guī)定距離地安裝。此外，在封裝主體4的上述一面?zhèn)仍O(shè)置的凹部41a、41b的段數(shù)不特別地限定為2段，也可以是多段，只要在相對(duì)靠下段的凹部41a的內(nèi)底面安裝IC元件2，在相對(duì)靠上段的凹部41b的內(nèi)底面安裝熱電元件I即可。這里，將形成有電路部的主表面?zhèn)茸?為下段的凹部41a的內(nèi)底面?zhèn)?、將與主表面?zhèn)认喾吹谋趁鎮(zhèn)茸鳛闊犭娫蘒側(cè)，IC元件2被安裝在下段的凹部41a的內(nèi)底面。gp，IC元件2是芯片對(duì)，通過多個(gè)焊盤(例如Au球焊盤、鍍金焊盤、實(shí)施了在C4技術(shù)中利用的鍍金的Cu球、焊錫焊盤等)28而被倒裝晶片(flip chip)安裝于封裝主體4。另外，在封裝主體4中，支承熱電元件I的2個(gè)導(dǎo)電性支承體6被固定在上段的凹部41b的內(nèi)底面。這里，各導(dǎo)電性支承體6分別與熱電元件I的2個(gè)輸出端子部電連接。各導(dǎo)電性支承體6形成為短?hào)艩?，以沿著長邊方向的ー側(cè)面彼此相互對(duì)置的形式配置在上段的凹部41b的內(nèi)底面上。另外，熱電元件I被配置成相互不同的輸出端子部分別與各導(dǎo)電性支承體6重疊，并且各受光部12不重疊。簡言之，在本實(shí)施方式中，由于利用2個(gè)導(dǎo)電性支承體6對(duì)熱電元件I進(jìn)行雙支承，所以能夠穩(wěn)定地支承熱電元件I。另外，各導(dǎo)電性支承體6和封裝主體4通過具有電絕緣性以及熱絕緣性的粘接劑(例如環(huán)氧樹脂等)粘接。因此，能夠提高導(dǎo)電性支承體6與封裝主體4之間的熱絕緣性，可提高熱電元件I與封裝主體4之間的熱絕緣性。此外，導(dǎo)電性支承體6不必一定是與封裝主體4不同的部件，也可以與封裝主體4 一體形成，還可以通過對(duì)封裝主體4設(shè)置用干與熱電元件I連接的連接盤(land)，來取代導(dǎo)電性支承體6而將熱電元件I直接安裝于封裝主體4。上述的導(dǎo)電性支承體6在由銅或者鐵構(gòu)成的導(dǎo)電板的表面形成有鍍金膜或者鍍銀膜或者鍍鎳膜。這里，熱電元件I的各輸出端子部與各導(dǎo)電性支承體6通過由有機(jī)樹脂系的導(dǎo)電性粘接劑構(gòu)成的接合部7電連接。于是，能夠抑制從導(dǎo)電性支承體6向熱電元件I的熱傳導(dǎo)。另外，封裝主體4形成有由金屬材料(例如Cu等)構(gòu)成的上述屏蔽部43，熱電元件I的接地側(cè)的輸出端子部以及IC元件2的接地側(cè)的輸出端子2c (參照?qǐng)D3)與封裝主體4的屏蔽部43適當(dāng)連接。而且，IC元件2的信號(hào)輸出用的輸出端子2b(參照?qǐng)D3)經(jīng)由上述的焊盤28以及封裝主體4的輸出用布線44與外部連接用電極45電連接。優(yōu)選該輸出用布線44設(shè)置在盡量遠(yuǎn)離熱電元件I的位置。本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，在熱電元件I和與IC元件2連接的輸出用布線44之間設(shè)置有屏蔽構(gòu)造部，屏蔽構(gòu)造部與IC元件2的成為接地電位的部位電連接。這里，本實(shí)施方式中的屏蔽構(gòu)造部由埋設(shè)在封裝主體4的基體41中并位于熱電元件I與輸出用布線44之間的屏蔽層46構(gòu)成，該屏蔽層46與IC元件2的成為接地電位的部位電連接。位于熱電元件I與輸出用布線44之間的屏蔽層46不限于埋設(shè)在基體41中，也可以如圖5所示那樣形成在基體41的內(nèi)面。另外，屏蔽層46也可以如圖6所示，一部分埋設(shè)在基體41、該一部分以外的剩余部分形成在基體41的內(nèi)面。在圖5、圖6的情況下，形成在基體41的內(nèi)面的屏蔽層46只要通過焊盤或者焊線與IC元件2的成為接地電位的部位電連接即可。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，與屏蔽部43電連接的接地用的外部連接用電極(未圖示)也設(shè)置在封裝主體4的外底面，通過將該接地用的外部連接用電極與2次安裝紅外線傳感器的電路基板等的接地圖案電連接，能夠降低外來電磁噪聲對(duì)由熱電元件I以及IC元件2等構(gòu)成的傳感器電路100的影響，可防止由于外來的電磁噪聲而導(dǎo)致S/N比降低。在本實(shí)施方式中，由于屏蔽層46與屏蔽部43電連接而成為同電位，所以將屏蔽層46與IC元件2的成為接地電位的部位(接地端子等)電連接，但在屏蔽層46與屏蔽部43電絕緣的情況下，只要將屏蔽層46與IC元件2的成為定電位的部位(成為定電位的定電位電路等)電連接即可。作為該情況下的電連接方法，可以根據(jù)IC元件2的安裝方式而采用例如焊盤或焊線(bonding wire)等。本實(shí)施方式中的屏蔽部43跨越封裝主體4的基體41的底壁和側(cè)壁而形成，與僅在底壁和側(cè)壁的一方形成的情況相比，能夠提高屏蔽效果。這里，屏蔽部43被埋設(shè)在封裝主體4的基體41中，在封裝主體4的內(nèi)面未露出。因此，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，能夠防止屏蔽部43與封裝部件3內(nèi)的傳感器電路100的干涉。另外，上述的屏蔽部43也可以由在封裝主體4的側(cè)壁沿著該側(cè)壁的高度方向埋設(shè)的多個(gè)導(dǎo)電性通孔(via)、和埋設(shè)在封裝主體4的底壁并將多個(gè)導(dǎo)電性通孔彼此電連接的導(dǎo)電性層構(gòu)成。這里，如果將上述多個(gè)導(dǎo)電性通孔以包圍封裝主體4的內(nèi)部空間的形式配置，使各導(dǎo)電性通孔中的封裝蓋5側(cè)的一個(gè)端面露出，則能夠?qū)⒏鲗?dǎo)電性通孔與封裝蓋5電連接，可降低封裝蓋5和與該封裝蓋5電連接的接地用的外部連接用電極之間的電阻，能夠提高針對(duì)外來電磁噪聲的屏蔽效果?？傊?，在本實(shí)施方式中，由于屏蔽部43延伸設(shè)置到封裝主體4的側(cè)壁的前端面，所以通過封裝蓋5的周部以與封裝主體4的側(cè)壁重合的形式將封裝蓋5與封裝主體4接合，能夠?qū)⒎庋b蓋5和屏蔽部43電連接。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于IC元件2具有電流電壓變換電路22以及電壓放大電路23，能夠增大IC元件2的輸出信號(hào)，而且熱電元件I自身的阻抗也非常高，高到100GQ程度，所以當(dāng)不如上所述那樣，在封裝主體4中設(shè)置屏蔽部43并且將封裝蓋5與封裝主體4的屏蔽部43電連接而固定為接地電位或者特定電位(一定的電位)時(shí)，易于受到外來電磁噪聲的影響。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，如上所述，設(shè)置防止外來的電磁噪聲對(duì)在封裝主體4中含有熱電元件I和IC元件2以及上述電路布線而構(gòu)成的傳感器電路100造成影響的屏蔽部43，并且，將封裝蓋5與封裝主體4的屏蔽部43電連接。因此，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝部件3的薄型化，并且抑制由于外來電磁噪聲的影響而導(dǎo)致敏感度降低。另外，上述的封裝蓋5在具有導(dǎo)電性并且透過紅外線的基板的一種即硅基板的一個(gè)表面?zhèn)?圖I的下面?zhèn)?形成有濾波部，構(gòu)成了紅外線光學(xué)濾波器。這里，濾波部由透過規(guī)定波段的紅外線并且反射該波段以外的紅外線的光學(xué)多層膜(多層干涉濾波膜)構(gòu)成。因此，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，封裝蓋5能夠通濾波波部將所希望的波段以外的不要波段的紅外線或可見光除去，可以防止因太陽光等而導(dǎo)致噪聲的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)高敏感度化。此外，基板的材料不限于硅，例如還可以是鍺、砷化鎵、硫化鋅等。另外，對(duì)封裝蓋5而言，在與封裝主體4的側(cè)壁重合的周部52露出了硅基板。因此，能夠與濾波部的材料無關(guān)地將封裝蓋5和屏蔽部43電連接。此外，封裝蓋5不限于在硅基板的上述一個(gè)表面?zhèn)?，也可以在另一個(gè)表面?zhèn)刃纬蔀V波部，優(yōu)選在至少一方形成濾波部。另外，在上述一個(gè)表面?zhèn)刃纬傻臑V波部和在上述另一個(gè)表面?zhèn)刃纬傻臑V波部彼此的濾波特性可以相同，但能夠通過使彼此的濾波特性不同，更加有效地除去不要的紅外線或可見光。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，通過封裝蓋5和封裝主體4借助由高融點(diǎn)焊錫或?qū)щ娦詷渲葮?gòu)成的接合部8(參照?qǐng)DI)而接合、電連接，能夠提高紅外線傳感器整體的電磁屏蔽效果。
本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，在封裝蓋5的周部52形成有針對(duì)封裝主體4的定位用階梯差部52a，能夠提高封裝蓋5針對(duì)封裝主體4的定位精度。另外，當(dāng)將熱電元件I和IC元件2在熱電元件I的厚度方向分離配置時(shí)，也會(huì)為了封裝部件3的小型化而縮短IC元件2與熱電元件I的距離，所以引起IC元件2的信號(hào)輸出用的輸出端子(以下稱為“信號(hào)輸出端子”)2b的輸出信號(hào)被反饋給熱電元件I的現(xiàn)象(電容反饋)，有可能產(chǎn)生因電容反饋而導(dǎo)致的誤檢測(由于敏感度發(fā)生變化，所以有時(shí)會(huì)誤檢測或不檢測)。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，按照IC元件2的主表面?zhèn)鹊碾娐凡窟h(yuǎn)離熱電元件I的方式，將IC元件2倒裝晶片安裝于封裝主體4。于是，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，即使在IC元件2如上述那樣包括對(duì)電流電壓變換電路22的輸出電壓進(jìn)行放大的電壓放大電路23的情況下，也能夠防止因IC元件2的信號(hào)輸出端子2b于熱電元件I的電容耦合而引起的誤檢測。在以上說明的本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于形成有防止外來的電磁噪聲影響在封裝主體4中含有熱電元件I、IC元件2以及上述電路布線而構(gòu)成的傳感器電路100的屏蔽部43，并且封裝蓋5與封裝主體4的屏蔽部43電連接，所以能夠?qū)崿F(xiàn)封裝部件3的薄型化，并且抑制因外來的電磁噪聲的影響而造成敏感度降低。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于IC元件2被安裝在封裝主體4的下段的凹部41a的內(nèi)底面，熱電元件I在俯視封裝主體4時(shí)跨越下段的凹部41a和比該下段的凹部41a靠上段的凹部41b并且在該熱電元件I的厚度方向與IC元件2分離地安裝，所以可實(shí)現(xiàn)小型化以及低成本化。并且，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于在熱電元件I與將IC元件2的輸出端子2b、外部連接電極45間電連接的輸出用布線44之間設(shè)置有屏蔽構(gòu)造部，該屏蔽構(gòu)造部與IC元件2的成為接地電位或者定電位的部位電連接，所以能夠抑制因熱電元件I和與IC元件2連接的輸出用布線44的電容耦合而導(dǎo)致敏感度降低。這里，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于屏蔽構(gòu)造部由被埋設(shè)在封裝主體4的基體41中并位于熱電元件I和輸出用布線44之間的屏蔽層46構(gòu)成，所以能夠以低成本抑制熱電元件I和與IC元件2連接的輸出用布線44的電容耦合。另外，在屏蔽構(gòu)造部如圖6所示那樣，由一部分埋設(shè)在基體41中而該一部分以外的剰余部分形成在基體41的內(nèi)面的屏蔽層46構(gòu)成的情況、或如圖5所示那樣由形成在封裝主體4的基體41的內(nèi)面并位于熱電元件I與輸出用布線44之間的屏蔽層46構(gòu)成的情況下，也能夠以低成本抑制熱電元件I和與IC元件2連接的輸出用布線44的電容耦合。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于熱電元件I和IC元件2在封裝主體4中并排配置在熱電元件I的厚度方向，所以與橫向并排配置熱電元件I和IC元件2的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)因封裝部件3的平面尺寸的縮小而帶來的小型化，可縮小向電路基板等2次安裝時(shí)的安裝面積。在圖15以及圖16的構(gòu)成中，當(dāng)在封裝部件303內(nèi)橫向并設(shè)紅外線傳感器元件301和IC元件102 (參照?qǐng)D12)或者IC元件202 (參照?qǐng)D13)時(shí)，從對(duì)封裝部件303的開ロ部303b進(jìn)行封閉的作為封裝蓋發(fā)揮功能的光學(xué)濾波器304入射的紅外線有可能對(duì)IC元件102,202的電路部等造成壞影響。另外，該情況下，有可能在IC元件102、202的主表面?zhèn)鹊碾娐凡恐挟a(chǎn)生的熱向紅外線傳感器元件301傳遞而導(dǎo)致敏感度降低。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于將形成有電路部的主表面?zhèn)茸鳛橄露蔚陌疾?1a的內(nèi)底面?zhèn)?、將與主表面?zhèn)认喾吹谋趁鎮(zhèn)茸鳛闊犭娫蘒側(cè)，IC元件2被安裝在下段的凹部41a的內(nèi)底面，所以能夠防止從封裝蓋5入射的紅外線對(duì)IC元件2的電路部等造成不良影響，而且可抑制在IC元件2的主表面?zhèn)鹊碾娐凡恐挟a(chǎn)生的熱向熱電元件I傳遞，能夠抑制敏感度的降低。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，如果封裝主體4俯視下的外形為正方形，并將熱電元件I的中心與裝主體4的俯視下的中心重合地配置，則能夠進(jìn)一步降低因外部的熱源而導(dǎo)致的噪聲，并且能夠從封裝部件3的外部容易地推定熱電元件I的位置，因此在將用于使紅外線聚光到熱電元件I的透鏡等配置在封裝部件3的前方那樣的情況下，能夠容易地進(jìn)行透鏡的配置位置等的定位，并且透鏡等的光學(xué)設(shè)計(jì)變?nèi)菀?。其中，本?shí)施方式的 IC元件2被單芯片化成不需要外帶的電子部件(電容器)等。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于在熱電元件I的厚度方向熱電元件I與IC元件2的電路部分離，在熱電元件I與IC元件2之間形成有間隙，所以能夠提高熱電元件I與IC元件2之間的熱絕緣性。這里，熱電元件I的各受光部12的兩電極12a與在封裝部件3內(nèi)封入的氣體相接。其中，優(yōu)選熱電元件I的熱電材料與封裝主體4的上述絕緣材料的線膨脹率差小。在上述的紅外線傳感器中，也可以如圖7所示，在IC元件2的背面?zhèn)仍O(shè)置位于熱電元件I與輸出用布線44(參照?qǐng)D4)之間的屏蔽層27作為屏蔽構(gòu)造部。IC元件2通過對(duì)硅晶片應(yīng)用IC制造技術(shù)而形成，作為硅晶片，存在n型基板和p型基板。因此，在上述的紅外線傳感器中，當(dāng)IC元件2的背面?zhèn)炔糠质莗型時(shí)，通過將屏蔽層27與IC元件2的成為接地電位的部位(p型基板)電連接，能夠利用IC元件2的背面?zhèn)鹊钠帘螌?7實(shí)現(xiàn)的屏蔽效果，抑制熱電元件I和與IC元件2連接的輸出用布線44的電容耦合的產(chǎn)生。另外，在上述的紅外線傳感器中，當(dāng)IC元件2的背面?zhèn)鹊牟糠质莕型時(shí)，通過將屏蔽層27與IC元件2的成為定電位的部位(n型基板)電連接，能夠利用IC元件2的背面?zhèn)鹊钠帘螌?7實(shí)現(xiàn)的屏蔽效果，抑制熱電元件I與IC元件2的電容耦合。這里，屏蔽構(gòu)造部可以僅由設(shè)置在IC元件2的背面?zhèn)鹊钠帘螌?7構(gòu)成，也可以具備在封裝主體4的基體41形成的屏蔽層46 (參照?qǐng)D4)，具備兩方的屏蔽層27、46能夠更可靠地抑制熱電元件I和輸出用布線44的電容耦合。另外，由于IC元件2的背面?zhèn)鹊牟糠?成為接地電位或者定電位的部位，換言之，成為接地電位的P型基板或者成為定電位的n型基板)發(fā)揮與屏蔽層27同等的作用，所以不一定必須設(shè)置屏蔽層27。(實(shí)施方式2)本實(shí)施方式的紅外線傳感器的基本構(gòu)成與實(shí)施方式I大致相同，如圖8所示，不同之處在于，具備被配置在IC元件2的背面與熱電元件I之間并位于熱電元件I與輸出用布線44(參照?qǐng)D4)之間的屏蔽板30作為屏蔽構(gòu)造部等。其中，對(duì)與實(shí)施方式I同樣的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略說明。另外，圖8中省略了在實(shí)施方式I中說明的圖4中的輸出用布線44、外部連接用電極45、屏蔽部43的圖不。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，將屏蔽板30的兩端部固定在封裝主體4的上段的凹部41b的內(nèi)底面中比各導(dǎo)電性支承體6靠近下段的凹部41a的部位。而且，按照在熱電元件I的厚度方向熱電元件I與屏蔽板30之間形成第I規(guī)定間隔的縫隙的方式，設(shè)定了各導(dǎo)電性支承體6的厚度尺寸。另外，按照在屏蔽板30與IC元件2的背面之間形成第2規(guī)定間隔的縫隙的方式，設(shè)定了下段的凹部41a的深度(上段的凹部41b與下段的凹部41a的階梯差)。另外，屏蔽板30的外形尺寸被設(shè)定成大于IC元件2的外形尺寸且小于熱電元件I的外形尺寸。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，通過將屏蔽板30與IC元件2的成為接地電位或者定電位的部位電連接，能夠利用IC元件2的背面?zhèn)鹊钠帘伟?0實(shí)現(xiàn)的屏蔽效果，抑制熱電元件I和與IC元件2連接的輸出用布線44 (參照?qǐng)D4)的電容耦合。這里，屏蔽構(gòu)造部可以僅由屏蔽板30構(gòu)成，也可以具備在封裝主體4的基體41中形成的屏蔽層46(參照?qǐng)D4)，具備屏蔽板30以及屏蔽層46能夠更加可靠地抑制熱電元件I與輸出用布線44的電容耦合。在上述的紅外線傳感器中，如果利用金屬板或者印刷基板來構(gòu)成屏蔽板30，則與如圖7所示那樣在IC元件2的背面設(shè)置屏蔽層27的構(gòu)成相比，能夠進(jìn)一歩抑制在IC元件2中產(chǎn)生的熱向熱電元件I傳遞。(實(shí)施方式3)圖9所示的本實(shí)施方式的紅外線傳感器的基本構(gòu)成與實(shí)施方式I大致相同，不同之處在于封裝蓋5是硅制的透鏡。其中，對(duì)與實(shí)施方式I同樣的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說明。另外，圖9中省略了在實(shí)施方式I中說明的圖4中的輸出用布線44、外部連接用電極45、屏蔽部43的圖示。另外，對(duì)于屏蔽構(gòu)造部，只要與其他實(shí)施方式同樣地設(shè)置即可。在本實(shí)施方式的封裝蓋5中，中央部構(gòu)成平凸型的透鏡部51，周部52構(gòu)成用于向封裝主體4安裝的凸緣部。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于封裝蓋5由硅制的透鏡構(gòu)成，所以能夠?qū)崿F(xiàn)由熱電元件I的受光效率的提高而帶來的高敏感度化，并且能夠利用封裝蓋5來設(shè)定熱電元件I的檢測區(qū)域。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，與封裝蓋5另行配置透鏡的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。上述的硅制透鏡由按照如下步驟形成的半導(dǎo)體透鏡(這里為硅透鏡)構(gòu)成在半導(dǎo)體基板的ー個(gè)表面?zhèn)劝凑张c半導(dǎo)體基板的接觸為歐姆接觸的方式形成了對(duì)應(yīng)于所希望的透鏡形狀而設(shè)計(jì)了與半導(dǎo)體基板(這里為硅基板)的接觸圖案的陽極之后，在由將半導(dǎo)體基板的構(gòu)成元素的氧化物蝕刻除去的溶液構(gòu)成的電解液中，對(duì)半導(dǎo)體基板的另ー表面?zhèn)冗M(jìn)行陽極氧化來形成成為除去部位的多孔質(zhì)部，然后除去該多孔質(zhì)部。其中，關(guān)于應(yīng)用了這種陽極氧化技術(shù)的半導(dǎo)體透鏡的制造方法，由于可以采用例如日本國專利第3897055號(hào)公報(bào)、日本國專利第3897056號(hào)公報(bào)等所公開的制造方法，所以省略說明。于是，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，能夠利用構(gòu)成封裝蓋5的硅制透鏡來設(shè)定熱電元件I的檢測區(qū)域。并且，在利用上述半導(dǎo)體透鏡的制造方法而制造出的封裝蓋5 中，由于能夠使透鏡部51成為以比球面透鏡短焦點(diǎn)且開口徑大、象差小的非球面透鏡，所以能夠利用短焦點(diǎn)化來實(shí)現(xiàn)紅外線傳感器整體的薄型化。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，如果封裝主體4的俯視下的外形為正方形，將熱電元件I的中心與封裝主體4的俯視下的中心重合地配置，并且使透鏡部51的光軸與封裝蓋5的沿著厚度方向的中心線一致，則能夠提高透鏡部51與熱電元件I的相對(duì)位
置精度。在構(gòu)成封裝蓋5的透鏡是聚乙烯制的情況下，由于當(dāng)向印刷布線板那樣的電路基板等2次安裝封裝部件3時(shí)，透鏡不能承受回流焊溫度，所以在回流焊工序之后需要將封裝蓋5與封裝主體4接合。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，由于采用了硅制的透鏡作為封裝蓋5，所以無需在回流焊工序后將封裝蓋5與封裝主體4接合另外，在圖9所示的紅外線傳感器中，按照透鏡部51的平面部51b位于熱電元件I側(cè)并且凸曲面部51a位于與熱電元件I側(cè)相反側(cè)的方式形成了封裝蓋5，但不限于此，例如也可以如圖10所示，按照透鏡部51的凸曲面部51a位于熱電元件I側(cè)并且平面部51b位于與熱電元件I側(cè)相反側(cè)的方式形成封裝蓋5。圖10的構(gòu)成與圖9的構(gòu)成相比，組裝時(shí)封裝蓋5的操作變?nèi)菀?，并且透鏡部51難以被劃傷。另外，在圖9以及圖10的任意一個(gè)情況下，都優(yōu)選封裝蓋5與實(shí)施方式I同樣地具有濾波部。此外，也可以使用圖9、圖10中的封裝蓋5來取代實(shí)施方式2的紅外線傳感器中的封裝蓋5。(實(shí)施方式4)本實(shí)施方式的紅外線傳感器的基本構(gòu)成與實(shí)施方式I大致相同，不同之處如圖11所示，具備在封裝部件3的外側(cè)配置的樹脂制(例如聚乙烯等)的殼體9。這里，殼體9形成為一面開放的箱狀(這里為矩形箱狀)，以使封裝部件3的背面露出、覆蓋封裝部件3的外側(cè)面以及表面(前面)的形式安裝于封裝部件3。其中，對(duì)于與實(shí)施方式I同樣的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說明。另外，圖11中省略了在實(shí)施方式I中說明的圖4中的輸出用布線44、外部連接用電極45、屏蔽部43的圖示。另外，對(duì)于屏蔽構(gòu)造部，只要與其他實(shí)施方式同樣地設(shè)置即可。本實(shí)施方式的紅外線傳感器在殼體9中的熱電兀件I的前方形成有開口窗9a,以堵塞殼體9的開口窗9a的形式固定了使紅外線透過的透鏡59。上述透鏡59與實(shí)施方式3同樣由按照如下步驟形成的半導(dǎo)體透鏡(這里為硅透鏡)構(gòu)成在半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)劝凑张c半導(dǎo)體基板的接觸為歐姆接觸的方式形成了將對(duì)應(yīng)于所希望的透鏡形狀而設(shè)計(jì)了與半導(dǎo)體基板(這里硅基板)的接觸圖案的陽極后，在由對(duì)半導(dǎo)體基板的構(gòu)成元素的酸化物蝕刻除去的溶液構(gòu)成的電解液中，對(duì)半導(dǎo)體基板的另一表面?zhèn)冗M(jìn)行陽極氧化來形成成為除去部位的多孔質(zhì)部，然后除去該多孔質(zhì)部。于是，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，通過在殼體9的開口窗9a固定透鏡59，能夠提高熱電元件I的受光效率，并且能夠利用該透鏡59調(diào)整熱電元件I的檢測區(qū)域。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，殼體9除了向封裝部件3的安裝部位以外，還以與封裝部件3之間形成有空氣層10的形式被安裝于封裝部件3。于是，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，通過具備在封裝部件3的外側(cè)配置的樹脂制的殼體9，殼體9發(fā)揮隔熱蓋的功能，從而難以受到外界的熱變動(dòng)的影響。其中，在其他實(shí)施方式中也可以設(shè)置與本實(shí)施方式同樣的殼體9。另外，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，由于能夠利用空氣層10阻止從殼體9向封裝部件3的熱傳導(dǎo)，所以更難以受到外界的溫度變化的影響。在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，殼體9通過使設(shè)置在封裝部件3的側(cè)面的卡合凹部31與設(shè)置在殼體9的卡合凸部94凹 凸卡合而被安裝于封裝部件3。于是，在本實(shí)施方式的紅外線傳感器中，當(dāng)將殼體9安裝到封裝部件3時(shí)無需使用其他部件，能夠?qū)崿F(xiàn)由于部件個(gè)數(shù)的削減而帶來的低成本化，并且能夠容易地對(duì)封裝部件3安裝殼體9，且還能夠自由裝卸。上述殼體9從該殼體9的后端緣突設(shè)有在前端部具有由卡合爪構(gòu)成的卡合凸部94的多個(gè)結(jié)合腳93，通過使各結(jié)合腳93的卡合凸部94與封裝部件3的卡合凹部31凹凸卡合而與封裝部件3結(jié)合(安裝)。這里，殼體9形成為后面開放的直方體狀，從沿著2個(gè)導(dǎo)電性支承體6的并設(shè)方向的2個(gè)側(cè)壁各自的后端緣起延設(shè)有2個(gè)結(jié)合腳93。另外，在各結(jié)合腳93的卡合凸部94中，形成有按照越靠近結(jié)合腳93的前端，從結(jié)合腳93向封裝部件3的側(cè)面?zhèn)鹊耐怀隽吭綔p小的方式傾斜的傾斜面94a。在該圖11所示的例子，由于在將殼體9安裝于封裝部件3時(shí)能夠利用結(jié)合腳93的撓曲，所以殼體9向封裝部件3的安裝變得容易。在上述各實(shí)施方式中，說明了將IC元件2倒裝晶片安裝于封裝主體4的方式，但在屏蔽構(gòu)造部具備實(shí)施方式I中說明的屏蔽層46、實(shí)施方式3中說明的屏蔽板30的情況下，也可以采用面朝上(faceup)地安裝IC元件2的方式、利用焊線來進(jìn)行IC元件2與封裝主體4的電連接。
權(quán)利要求
1.一種紅外線傳感器，其特征在于，具備熱電元件、對(duì)所述熱電元件的輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理的IC元件、和收納所述熱電元件以及所述IC元件的表面安裝型的封裝部件，所述封裝部件具有封裝主體，其在由絕緣材料構(gòu)成的基體上形成有由金屬材料構(gòu)成的電路布線以及多個(gè)外部連接用電極；和封裝蓋，其具有使所述熱電元件的檢測對(duì)象的紅外線透過的功能，以在與所述封裝主體之間包圍所述熱電元件以及所述IC元件的形式和所述封裝主體接合；在所述封裝主體的一面?zhèn)仍O(shè)有多段凹部，所述IC元件被安裝在下段的凹部的內(nèi)底面，所述熱電元件在俯視所述封裝主體時(shí)跨越所述下段的凹部和比該下段的凹部靠上段的凹部并且在厚度方向與所述IC元件分離地安裝，在所述熱電元件與將所述IC元件的輸出端子和所述外部連接電極間電連接的輸出用布線之間設(shè)有屏蔽構(gòu)造部，所述屏蔽構(gòu)造部與所述IC元件的成為接地電位或者定電位的部位電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)造部具備埋設(shè)在所述封裝主體的所述基體中并位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)造部具備形成在所述封裝主體的所述基體的內(nèi)面并位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)造部具備一部分埋設(shè)在所述封裝主體的所述基體中、所述一部分以外的剩余部分形成在所述基體的內(nèi)面，且位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求4中任意一項(xiàng)所述的紅外線傳感器，其特征在于，以形成有電路部的主表面?zhèn)葹樗鱿露蔚陌疾康膬?nèi)底面?zhèn)取⑴c所述主表面?zhèn)认喾吹谋趁鎮(zhèn)葹樗鰺犭娫?cè)，將所述IC元件安裝于所述下段的凹部的內(nèi)底面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)造部具備設(shè)置于所述IC元件的背面?zhèn)炔⑽挥谒鰺犭娫c所述輸出用布線之間的屏蔽層，所述屏蔽層與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述屏蔽構(gòu)造部具備配置在所述IC元件的背面與所述熱電元件之間并位于所述熱電元件與所述輸出用布線之間的屏蔽板，所述屏蔽板與所述IC元件的成為所述接地電位或者所述定電位的所述部位電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述屏蔽板由金屬板或者印刷基板構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求8中任意一項(xiàng)所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述封裝主體的俯視下的外形是正方形，所述封裝主體的所述俯視下的中心與所述熱電元件的中心重合。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任意一項(xiàng)所述的紅外線傳感器，其特征在于，在所述封裝蓋的周部形成有針對(duì)所述封裝主體的定位用的階梯差部。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求10中任意一項(xiàng)所述的紅外線傳感器，其特征在于， 所述封裝蓋是硅制的透鏡。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求11中任意一項(xiàng)所述的紅外線傳感器，其特征在于，具備在所述封裝部件的外側(cè)配置的樹脂制的殼體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述殼體以除了向所述封裝部件的安裝部位以外，在與所述封裝部件之間形成空氣層的形式被安裝于所述封裝部件。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或者權(quán)利要求13所述的紅外線傳感器，其特征在于，所述殼體通過使設(shè)置在所述封裝主體的側(cè)面的卡合凹部與設(shè)置在所述殼體的卡合凸部凹凸卡合而被安裝于所述封裝部件。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求14中任意一項(xiàng)所述的紅外線傳感器，其特征在于， 所述熱電元件的熱電材料是鉭酸鋰或者銀酸鋰。
全文摘要
本發(fā)明的紅外線傳感器具備熱電元件、對(duì)熱電元件的輸出信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理的IC元件、和收納熱電元件以及IC元件的表面安裝型的封裝部件。封裝部件具有封裝主體、和具有使熱電元件的檢測對(duì)象的紅外線透過的功能以及導(dǎo)電性的封裝蓋。封裝主體在一面?zhèn)仍O(shè)有多段凹部，IC元件被安裝在下段的凹部的內(nèi)底面，熱電元件在封裝主體的俯視下跨越下段的凹部和比該下段的凹部靠上段的凹部并且在厚度方向與IC元件分離地安裝。在熱電元件與將IC元件的輸出端子、封裝主體的外部連接電極間電連接的輸出用布線之間設(shè)有屏蔽構(gòu)造部，該屏蔽構(gòu)造部與IC元件的成為接地電位或者定電位的部位電連接。
文檔編號(hào)G01J1/02GK102625907SQ20108003640
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2010年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月17日
發(fā)明者俵積田健, 西川尚之, 角貞幸 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社