專利名稱：機械強度測試設備、半導體裝置的制造方法與測試方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制造方法與測試設備，且特別是涉及一種半導體裝置的制造方法與機械強度測試設備。
背景技術：
隨著電腦及通訊等產(chǎn)品功能的快速發(fā)展及提升，近年來半導體相關產(chǎn)業(yè)為了滿足電子產(chǎn)品多元化及輕薄微小化等功能的需求，使得芯片封裝制作工藝業(yè)逐漸脫離傳統(tǒng)的技術而朝向高功率、高密度、低成本、輕、薄、短、小等高精密度制作工藝發(fā)展，而三維堆疊式芯片(3D stacked IC)的技術發(fā)展便是用來滿足這些需求。雖然三維堆疊式芯片的概念早在數(shù)年前就已被提出，但以半導體制作工藝進入納米等級后，最待克服的問題就是硅導通孔 (through silicon via,TSV)的合格率問題。如何測試TSV的強度及其合格率，更是可靠度測試中最主要的議題。以目前的測試方法中，大多是在3DIC堆疊完成后才做可靠度測試， 而往往其中的TSV結構在芯片堆疊前就已經(jīng)屬于不良品，使用不良的TSV進行芯片堆疊的制作工藝就變成是浪費成本時間且無效益。所以，如何在芯片堆疊前檢測TSV的強度及合格率就變的十分重要。傳統(tǒng)在封裝測試方法中，常使用剪力測試(Shear test)將錫球推動，以測試球閘陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)結構的錫球強度，以是否破壞錫球的規(guī)范力量得到錫球的可靠度。另外，一般打線接合(wire bond)的封裝結構是利用鉤子將導線鉤段與否做可靠度的判斷標準。一般3DIC integration制作工藝，如圖17所示，在制作電鍍銅TSV與Cu CMP (Chemical MechanicalPolishing/Planarization,化學機械研磨法)后，需要對 TSV 做強度測試，但目前并無TSV結構強度測試設備與方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明目的是避免后續(xù)利用含TSV的芯片做好3D堆疊時才發(fā)現(xiàn)TSV結構失效的情形。本發(fā)明提供一種半導體裝置的制造方法，可解決不良硅導通孔造成半導體裝置的制造成本提高的問題。本發(fā)明提供一種機械強度測試設備，可在應用硅導通孔進行芯片堆疊前對硅導通孔進行機械強度測試。本發(fā)明提供一種半導體裝置的測試方法，可解決不良硅導通孔造成半導體裝置的制造成本提高的問題。為達上述目的，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法包括下列步驟，提供一晶片，該晶片具有一第一表面與一第二表面；形成多數(shù)盲孔于該晶片的第一表面上；形成一絕緣層于該盲孔壁與該晶片的第一表面上；形成一導電柱于該盲孔內，使該導電柱的第一表面露出該絕緣層；提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度。
本發(fā)明的機械強度測試設備包括一測試治具、一驅動器以及一數(shù)據(jù)記錄器。測試治具用以測試一待測物的一絕緣層、多個導電柱其中之一與導電柱所在的一開孔的孔壁之間的結合強度。該測試治具包括一施力機構，對該待測物施予一外力，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度。驅動器連接并驅動測試治具。數(shù)據(jù)記錄器用以記錄驅動器提供給測試治具的驅動能量。本發(fā)明的半導體裝置的測試方法包括下列步驟，提供一待測物，該待測物包括一晶片、一絕緣層與多個導電柱，該晶片具有相對的一第一表面與一第二表面，該晶片的第一表面具有多個盲孔，該絕緣層覆蓋該盲孔的孔壁，該盲孔內充填一導電柱；提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度；以及在通過前一步驟測試后，自該晶片切割出多數(shù)芯片，并經(jīng)該導電柱電連接一元件。 基于上述，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法先測試導電柱的機械強度，確認合格后才進行芯片后續(xù)的制作工藝，可降低制作工藝成本。本發(fā)明的機械強度測試設備可測試導電柱的機械強度。本發(fā)明的半導體裝置的測試方法可建立各種尺寸的導電柱所對應的標準結合強度的數(shù)據(jù)庫。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。


圖1為本發(fā)明一實施例的半導體裝置的制造方法的流程圖；圖2A至圖20為本發(fā)明另一實施例的半導體裝置的制造方法的局部剖面示意圖；圖3是圖2D的待測物的上視圖；圖4A與圖4B為本發(fā)明再一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖5A為本發(fā)明又一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖5B與圖5C為本發(fā)明再一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖6A為本發(fā)明另一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖6B為本發(fā)明再一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖7至圖9為本發(fā)明另三種實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖IOA為本發(fā)明一實施例的半導體裝置的測試方法的流程圖；圖IOB為圖IOA的測試方法中的機械強度測試的局部剖面示意圖；圖11為本發(fā)明一實施例的機械強度測試設備的示意圖；圖12為本發(fā)明另一實施例的機械強度測試設備的示意圖；圖13A為本發(fā)明另一實施例的機械強度測試設備的示意圖；圖13B為圖13A的機械強度測試設備進行另一機械強度測試的示意圖14為本發(fā)明另一實施例的機械強度測試設備的頂針；圖15為本發(fā)明再一實施例的機械強度測試設備的示意圖；圖16為本發(fā)明又一實施例的機械強度測試設備的示意圖；圖17為傳統(tǒng)3DIC integration制作工藝的示意圖。主要元件符號說明SllO S130、S210 S230 步驟50 元件100,700 待測物102 芯片104、106 測試片110:晶片112、712、130A 第一表面114、714、130B 第二表面120、720:絕緣層130、730:導電柱132:導電層140、160:線路層150 支撐基板170 凸塊H12 第一盲孔H14 第二盲孔RlO 芯片區(qū)R20:區(qū)域R3O:切割道PlO 感光粘膠層P12 粘膠片200、300、400、500、600 機械強度測試設備202、302、402、502、602 測試治具210 探頭220,320 墊片222、322:開口230、330、430 驅動器240,340,440 數(shù)據(jù)記錄器310:吸嘴410,412 頂針710 基板H72 盲孔
具體實施方式
圖1為本發(fā)明一實施例的半導體裝置的制造方法的流程圖。請參照圖1，本實施例的半導體裝置的制造方法是提供一晶片，該晶片具有一第一表面與一第二表面；形成多數(shù)盲孔于該晶片的第一表面上；形成一絕緣層于該盲孔壁與該晶片的第一表面上；形成一導電柱于該盲孔內，使該導電柱的第一表面露出該絕緣層；提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度。由上述內容可知，在本實施例的半導體裝置的制造方法中，會先確定導電柱有合格的強度，才使用位于同一待測物上的芯片區(qū)的導電柱進行后續(xù)制作工藝。如此，可減少因為導電柱不良而導致制造完成的半導體裝置屬于不良品的機率，進而降低制造時間與成本。以下，將列舉更多具體的實施例，但本發(fā)明不限定于此。本發(fā)明可隨機抽樣測試或也可于制作工藝中安排測試，隨機抽樣測試是以批次方式了解晶片的導電柱合格率，來決定此批晶片是否可用。如在制作工藝中測試，則對于每一片的晶片挑選將更直接且有幫助。不管是那一種方式，均為本發(fā)明所保護的精神范圍內。圖2A至圖20為本發(fā)明另一實施例的半導體裝置的制造方法的局部剖面示意圖， 而圖3是圖2D的待測物的上視圖。請參照圖2A至圖2C，在制備圖2D的待測物100前，會先對完整的晶片110進行清潔，并以光刻蝕刻制作工藝在晶片110的第一表面上形成多個盲孔，例如圖3的第一盲孔H12與第二盲孔H14。之后，在晶片110的第一表面與盲孔壁上形成絕緣層120，如圖2B。接著，在晶片110的絕緣層120上形成導電層132，導電層132并填入如圖3的第一盲孔H12與第二盲孔H14，如圖2C。導電層132的材質例如是銅或其他導電材質。然后，以化學機械研磨制作工藝或其他制作工藝將部分導電層132移除，形成填充于如圖3的第一盲孔H12與第二盲孔H14內的導電柱130，使該導電柱130的第一表面露出該絕緣層120，如圖2D。在圖2A至圖2D中，說明第一盲孔H12及其對應區(qū)域的絕緣層 120與導電柱130的形成過程。然而，在這些步驟的前后或同時，如圖3的晶片110會在芯片區(qū)RlO形成芯片所需的各式線路與元件，在此并不說明這些現(xiàn)有技術。請參照圖2D與圖3，本實施例的半導體裝置的制造方法是先提供一待測物100，圖 2D僅繪示待測物100的局部剖面。待測物100包括一晶片110、一絕緣層120與多個導電柱130。晶片110具有相對的一第一表面112與一第二表面114。晶片110包括多個芯片區(qū)R10，如圖3所示。第一表面112具有多個第一盲孔H12與多個第二盲孔H14。第一盲孔 H12位于芯片區(qū)RlO之外或之間，第二盲孔H14位于芯片區(qū)RlO內。絕緣層120覆蓋第一表面112、第一盲孔H12的孔壁與第二盲孔H14的孔壁，但在圖2D中未繪示絕緣層120覆蓋第二盲孔H14的孔壁。導電柱130填充于第一盲孔H12與第二盲孔H14內，且絕緣層120位于導電柱130與第一盲孔H12的孔壁之間，絕緣層120也位于導電柱130與第二盲孔H14 的孔壁之間。圖3中僅放大表示位于兩個芯片區(qū)RlO之間的第一盲孔H12的位置，但第一盲孔 H12也可位于晶片110的周邊區(qū)域或其他非芯片區(qū)RlO的區(qū)域，例如區(qū)域R20。第一盲孔H12 的位置還可設計為避開切割道R30。切割道R30是將待測物100切割成多個芯片時刀具會經(jīng)過的區(qū)域。切割道R30兩旁的第一盲孔H12內的導電柱130是單純用于測試合格率，在測試后可切除或保留?；蛘?，第一盲孔H12也可直接設計成位于切割道R30內，這些第一盲孔H12內的導電柱130可在進行切割前就供合格率測試之用，并在切割時一并切除。在提供如圖2D的待測物100后，提供一外力于該導電柱130的第一表面上，以便進行一機械強度測試，通過該導電柱130破壞與否判斷該導電柱130的機械強度，亦即以測試絕緣層120、導電柱130與導電柱130所在的第一盲孔H12的孔壁之間的結合強度，如圖 2H。接著可進行后續(xù)制作工藝，例如形成連接導電柱130的第一表面金屬層；將晶片110 接合于一支撐基板上；研磨該晶片的第二表面，使露出該導電柱的第二表面；形成連接導電柱130的第二表面的第二表面金屬層；形成多數(shù)凸塊于該導電柱的第二表面上；移除支撐基板；以及利用凸塊將晶片110上的芯片與其他元件連接等步驟。這些后續(xù)制作工藝，下方將參考圖21至圖20做進一步說明。上述外力可為一拉力方式、一推力方式、一吸力方式或一彎曲力方式。舉例而言， 該拉力方式包括形成一感光粘膠層Pio于該晶片110第一表面112，如圖2E。感光粘膠層 PlO接觸導電柱130的第一表面。接著，光刻蝕刻感光粘膠層P10，以于每個導電柱130的第一表面形成一粘膠片P12，如圖2F與圖2G。然后，將一探頭210經(jīng)由一個粘膠片P12連接導電柱130被暴露的一端，并通過探頭210施加拉力于導電柱130。在此，探頭210施加于導電柱130的拉力的大小可以是一預設值，若在受力過程中造成導電柱130、絕緣層120 與第一盲孔H12的孔壁這三者中任一者的破壞或是任兩者之間的剝離(如圖2H)，則表示待測物100未能通過機械強度測試。反之，待測物100沒有因為探頭210施加于導電柱130 的拉力而被破壞，即表示導電柱130的品質可合格通過機械強度測試。在此，探頭210是以經(jīng)由粘膠片P12連接導電柱130為例，但本發(fā)明不限定于此。另外，在探頭210經(jīng)由粘膠片 P12連接導電柱130之前，可先配置一墊片220于第一表面112上。墊片220具有至少一開口 222，開口 222暴露要被測試的第一盲孔H12內的導電柱130，探頭210即經(jīng)由此開口 222接觸粘膠片P12。在前述步驟中，并未限定用于測試的第一盲孔H12是當位于完整的晶片110上時被測試，或是先將待測物100具有第一盲孔H12的部分切割出來后才進行測試，兩者皆屬于本發(fā)明所欲保護的范圍。在進行圖2H所示的機械強度測試后，若導電柱130的品質可合格通過機械強度測試，經(jīng)后續(xù)制作工藝完成全部步驟，可從圖3的晶片切割出芯片102，使該導電柱130電連接一元件50，如圖20所示的晶片。芯片102的導電柱130原本是位于圖3的第二盲孔H14 內，而在芯片102進行堆疊式封裝前導電柱130的兩端都會被暴露出來以便于進行電連接。 圖20的實施例中，導電柱130的一端是經(jīng)由凸塊而電連接另一元件50，元件50也是一個芯片。然而，導電柱130也可以其他方式電連接元件50，而元件50也可以是線路基板或其他元件。接著，再舉例說明圖2H至圖20的步驟之間可進行的一般半導體裝置的制作工藝步驟，但非用以限定本發(fā)明。如圖21，若導電柱130的品質可合格通過機械強度測試，可在絕緣層120與導電柱130上形成線路層140。然后，將一支撐基板150與線路層140接合，如圖2J。支撐基板150例如是硅基板或其他基板。之后，利用支撐基板150提供支撐力量而將晶片110從第二表面114進行減薄，直到暴露導電柱130，如圖觀。晶片110減薄的步驟例如是以研磨的方式進行。接著，在薄化后的晶片110的第二表面114上形成線路層160， 線路層160電連接至少部分的導電柱130，如圖2L。之后，在線路層160上形成凸塊170，如圖2M。在未繪示的實施例中，線路層160可包括球底金屬層。然后，移除支撐基板150，如圖2N。在完成圖2N所示的步驟后，就可將成品用于如圖20的步驟。
以上，較完整地介紹了本發(fā)明一實施例的半導體裝置的制造方法。接下來，對于本發(fā)明其他實施例的半導體裝置的制造方法，僅介紹用于取代圖2E至圖2H所示關于機械強度測試的步驟，其余步驟則可參考圖2A至圖2D與圖20。圖4A與圖4B為本發(fā)明再一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖。請參照圖4A，先將一吸嘴310對準第一盲孔H12內的導電柱130的第一表面。接著，如圖4B，通過吸嘴310施加預設強度的一吸力于該導電柱130的第一表面，通過該導電柱130破壞與否判斷該導電柱130的機械強度，以判斷導電柱130的品質是否可以合格通過機械強度測試。圖5A為本發(fā)明又一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖。在以化學機械研磨制作工藝或其他制作工藝將部分導電層132移除(參考圖2C) 而只保留第一盲孔H12內的導電柱130(參考圖2D)后，可將晶片110整個減薄直到暴露導電柱130。接著請參照圖5A，以頂針410施加推頂力于導電柱130的第一表面130A，通過該導電柱130破壞與否判斷該導電柱130的機械強度，以判斷導電柱130的品質是否可以合格通過機械強度測試。在其他實施例中，將晶片110整個減薄直到暴露導電柱130后，可以頂針410施加推頂力于導電柱130的第二表面130B，亦即以頂針410施加推頂力于導電柱 130在晶片110減薄后被暴露出的表面，同樣可判斷導電柱130的機械強度。圖5B與圖5C為本發(fā)明再一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖。請參照圖5B與圖5C，本實施例與圖5A的實施例的差異在于，并沒有將晶片 110整個減薄，而是在該晶片110的第二表面114形成一測試孔H20。測試孔H20暴露至少一第一盲孔H12內的導電柱130，如圖5B。接著，如圖5C，以一頂針410施加推頂力于導電柱130，通過該導電柱130破壞與否判斷該導電柱130的機械強度，以判斷導電柱130的品質是否可以合格通過機械強度測試。本實施例中同樣使用了墊片220，但也可不使用墊片 220。圖6A為本發(fā)明另一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖。請參照圖6A，先在該晶片110的第二表面114形成一測試孔H22。測試孔H22暴露多個第一盲孔H12內的多個導電柱130。接著，以一頂針412同時施加推頂力于多個導電柱130，通過該導電柱130破壞與否判斷該導電柱130的機械強度，以同時判斷多個導電柱 130的品質是否可以合格通過機械強度測試。本實施例中使用了墊片320，但也可不使用墊片320。墊片320的開口 322暴露多個導電柱130。圖6B為本發(fā)明再一實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖。請參照圖6B，本實施例與圖6A的實施例的差異在于，本實施例的頂針412是由測試孔H22施加推頂力于導電柱130，而晶片110的第一表面112接觸墊片320。該墊片320 提供支撐該晶片110用的治具。圖7至圖9為本發(fā)明另三種實施例的半導體裝置的制造方法的機械強度測試的局部剖面示意圖。請參照圖7，在提供如圖2D的待測物100后，可將一測試片104由待測物 100分離出來。測試片104包括一個第一盲孔H12。本實施例的機械強度測試是對測試片 104進行三點彎曲測試。請參照圖8，在提供如圖2D的待測物100后，可將一測試片106由待測物100分離出來。測試片106包括多個第一盲孔H12。本實施例的機械強度測試是對測試片106進行三點彎曲測試。請參照圖9，本實施例的機械強度測試是對測試片106進行四點彎曲測試。另外，在進行圖7至圖9的實施例的機械強度測試之前，可進行化學機械研磨制作工藝或其他制作工藝，使測試片上的導電柱130的兩端都被暴露。在進行圖5B與圖6B的實施例的機械強度測試之前，也可將整個要進行測試的部分都從圖2D的待測物100分離出來，并進行化學機械研磨制作工藝或其他制作工藝，使測試片上的導電柱130的兩端都被暴露。在前述各實施例中已說明，機械強度測試中施加在導電柱上的力量的大小是一預設值。以下，將介紹本發(fā)明的半導體裝置的測試方法，先提供一待測物，如步驟S110。接著， 測試待測物的絕緣層、導電柱與導電柱所在的盲孔的孔壁之間的結合強度，如步驟S120。之后，將待測物的芯片區(qū)的導電柱電連接一元件，如步驟S130。本發(fā)明可將得到的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)， 用以建立導電柱的尺寸及其應有的結合強度的數(shù)據(jù)庫。圖IOA為本發(fā)明一實施例的半導體裝置的測試方法的流程圖，而圖IOB為圖IOA的測試方法中的機械強度測試的局部剖面示意圖。請參照圖IOA與圖10B，本實施例的半導體裝置的測試方法包括下列步驟。提供一待測物700，步驟S210。待測物700包括一基板710、一絕緣層720與多個導電柱730?；?10具有相對的一第一表面712與一第二表面714。第一表面712具有多個盲孔H72。 絕緣層720覆蓋第一表面712與盲孔H72的孔壁。導電柱730填充于盲孔H72內，且絕緣層720位于導電柱730與盲孔H72的孔壁之間。待測物700可以如圖3的實施例的待測物 100具有多個芯片區(qū)，但待測物700也可以是單純由基板710、絕緣層720與導電柱730構成，而不包括芯片區(qū)，也就是待測物700單純用于導電柱730的強度測試。此外，本實施例以多個導電柱730為例，但在其他實施例中也可以是單一導電柱。另外，本實施例的導電柱 730以相同尺寸為例，但也可以在單一待測物上提供多種不同尺寸的導電柱，以一次進行多種尺寸的導電柱的機械強度測試。接著，進行一機械強度測試，以測試絕緣層720、導電柱730與盲孔H72的孔壁之間的結合強度，并訂定導電柱730的一標準結合強度，步驟S220。在此所進行的機械強度測試的實際進行方式與圖2H的實施例相似，但也可采用其他實施例的實際進行方式。另外，在此所進行的機械強度測試與前述各實施例的差異在于，施加在導電柱730上的力量是持續(xù)增加，直到造成導電柱730、絕緣層720與盲孔H72的孔壁這三者中任一者的破壞或是任兩者之間的剝離為止，并記錄施加的最大力量(破壞力)。然后，根據(jù)所記錄到的最大力量訂出本尺寸的導電柱730所應有的標準結合強度。此標準結合強度通常是在對于同一尺寸的導電柱730進行多次機械強度測試而得到多個最大力量后，再根據(jù)這些數(shù)據(jù)而訂定。然后，重復前述兩個步驟，以訂出各種尺寸的導電柱730所對應的多個標準結合強度，并建立一數(shù)據(jù)庫來儲存多種尺寸的導電柱730所對應的多個標準結合強度，步驟 S230。建立上述數(shù)據(jù)庫后，就可以在生產(chǎn)半導體裝置的過程中，趁導電柱尚未電連接線路層或其他元件之前以數(shù)據(jù)庫中的標準結合強度來對導電柱進行測試。亦即是，上述數(shù)據(jù)庫就是用于提供如圖1的半導體裝置的制造過程中在進行機械強度測試時使用。具體而言，是以數(shù)據(jù)庫中與導電柱的尺寸所對應的標準結合強度進行機械強度測試。然后，才將通過機械強度測試而未損壞的導電柱電連接元件。圖11為本發(fā)明一實施例的機械強度測試設備的示意圖。請參照圖11，本實施例的機械強度測試設備200包括一測試治具202、一驅動器230以及一數(shù)據(jù)記錄器M0。測試治具202用以測試待測物100的絕緣層120、導電柱130與導電柱130所在的第一盲孔H12 的孔壁之間的結合強度。驅動器230連接并驅動測試治具202。數(shù)據(jù)記錄器240用以記錄驅動器230提供給測試治具202的驅動能量。使用本實施例的機械強度測試設備200，就可在進行芯片堆疊制作工藝之前先對待測物100進行測試，確定導電柱130有合格的強度。 如此，可減少因為導電柱不良而導致制造完成的半導體裝置屬于不良品的機率，進而降低制造時間與成本。本發(fā)明的機械強度的測試可采批次抽樣測試或于制作工藝中測試。該測試治具202包括有一施力機構，對該待測物施予一外力，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度。該施力機構為一拉力機構、一推力機構、一吸力機構或一彎曲機構。本實施例的測試治具202如為拉力機構，其包括一探頭210，用以連接第一盲孔 H12內的導電柱130被暴露的一端，并將導電柱130從第一盲孔H12內拉出。然而，導電柱 130也可以是位于貫孔形式的開孔內。本實施例的為拉力機構更包括一墊片220，用以配置于待測物100上。墊片220具有一開口 222，開口 222暴露要被測試的第一盲孔H12內的導電柱130，探頭210即經(jīng)由此開口 222接觸粘膠片P12。本實施例的驅動器230為一拉伸器，以經(jīng)由探頭210進行拉伸試驗。數(shù)據(jù)記錄器 240可記錄拉伸試驗過程中驅動器230提供給測試治具202的驅動能量，本實施例中驅動能量也就是拉伸力。數(shù)據(jù)記錄器240記錄到的最大拉伸力就是造成導電柱130、絕緣層120與第一盲孔H12的孔壁這三者中任一者的破壞或是任兩者之間的剝離所需的破壞力。另外， 探頭210也可僅施加預設大小的拉伸力于導電柱130，以判斷導電柱130是否可承受預設大小的拉伸力，并不一定要測量真正產(chǎn)生破壞所需的破壞力。圖12為本發(fā)明另一實施例的機械強度測試設備的示意圖。請參照圖12，本實施例的機械強度測試設備300與圖11的機械強度測試設備200相似，以下僅介紹其差異處。 本實施例的測試治具302如為吸力機構，其包括一吸嘴310，用以對準第一盲孔H12內的導電柱130，并將導電柱130從第一盲孔H12內拉出。本實施例的驅動器330為一抽真空器， 以提供吸嘴310所需的吸力。數(shù)據(jù)記錄器340可記錄機械強度測試過程中驅動器330提供給測試治具302的吸力。數(shù)據(jù)記錄器340記錄到的最大吸力就是造成導電柱130、絕緣層 120與第一盲孔H12的孔壁這三者中任一者的破壞或是任兩者之間的剝離所需的破壞力。 另外，吸嘴310也可僅施加預設大小的吸力于導電柱130，以判斷導電柱130是否可承受預設大小的吸力，并不一定要測量真正產(chǎn)生破壞所需的破壞力。圖13A為本發(fā)明另一實施例的機械強度測試設備的示意圖。請參照圖13A，本實施例的機械強度測試設備400與圖11的機械強度測試設備200相似，以下僅介紹其差異處。 本實施例的測試治具402如為推力機構，其包括一頂針410，用以將導電柱130從第一盲孔 H12內頂出。本實施例的驅動器430為一頂出器，以經(jīng)由頂針410進行推頂試驗。數(shù)據(jù)記錄器440可記錄機械強度測試過程中驅動器430提供給測試治具402的推頂力。數(shù)據(jù)記錄器 440記錄到的最大推頂力就是造成導電柱130、絕緣層120與第一盲孔H12的孔壁這三者中任一者的破壞或是任兩者之間的剝離所需的破壞力。另外，頂針410也可僅施加預設大小的推頂力于導電柱130，以判斷導電柱130是否可承受預設大小的推頂力，并不一定要測量真正產(chǎn)生破壞所需的破壞力。本實施例中，待測物100配置于墊片220與頂針410之間。
圖1 為圖13A的機械強度測試設備進行另一機械強度測試的示意圖。請參照圖 13B，本實施例與圖13A的實施例的差異在于，本實施例是將晶片110整個減薄直到暴露導電柱130后，再以頂針410施加推頂力于導電柱130，以判斷導電柱130的品質是否可以合格通過機械強度測試。在另一實施例中，頂針412具有多個頂出端412A，用以同時將多個導電柱從導電柱所在的多個開孔內頂出，如圖14。圖15為本發(fā)明再一實施例的機械強度測試設備的示意圖。請參照圖15，本實施例的機械強度測試設備500與圖11的機械強度測試設備200相似，以下僅介紹其差異處。本實施例的測試治具502如為彎曲機構，其是一三點彎曲的彎曲機構，用以對待測物100進行三點彎曲測試。在另一實施例中，機械強度測試設備600的測試治具602如為彎曲機構，其是一四點彎曲的彎曲機構，如圖16。綜上所述，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法先測試絕緣層、導電柱與盲孔的孔壁之間的結合強度，確認合格后才將芯片經(jīng)由導電柱電連接其他元件，可避免不良的導電柱增加制作工藝成本。本發(fā)明的機械強度測試設備可測試絕緣層、導電柱與開孔的孔壁之間的結合強度。雖然結合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域中熟悉此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應以附上的權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，包括提供一晶片，該晶片具有第一表面與第二表面；形成多數(shù)盲孔于該晶片的第一表面上；形成一絕緣層于該盲孔壁與該晶片的第一表面上；形成一導電柱于該盲孔內，使該導電柱的第一表面露出該絕緣層；及提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該外力為一拉力方式、一推頂力方式、一吸力方式或一彎曲方式。
3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中該拉力方式包括 將一探頭連接該些導電柱的第一表面；以及通過該探頭施加一拉力于該導電柱。
4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中將該探頭連接該導電柱的步驟包括形成一感光粘膠層于該晶片的第一表面；光刻蝕刻該感光粘膠層，以于各該導電柱的第一表面形成一粘膠片；以及將該探頭經(jīng)由該粘膠片連接該導電柱的第一表面。
5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中將該探頭經(jīng)由該粘膠片連接該導電柱的第一表面前，還包括配置一墊片在該第一表面上，該墊片具有至少一開口，該開口暴露該第一盲孔的導電柱，使該探頭由該開口接觸該粘膠片。
6.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中該吸力方式包括 將一吸嘴對準該第一盲孔的導電柱的第一表面；以及通過該吸嘴施加一吸力于該導電柱的第一表面。
7.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中該推頂力方式包括 使該晶片暴露至少一第一盲孔內的該導電柱；以及以一頂針施加一推頂力于該導電柱的第一表面或第二表面。
8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中使該晶片暴露至少一第一盲孔內的該導電柱的方式包括在該晶片的第二表面形成一測試孔，該測試孔暴露至少一第一盲孔內的該導電柱。
9.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該晶片的盲孔內設有該導電柱， 使形成一待測物。
10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中在提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度前，還包括將一測試片由該待測物分離出來，該測試片包括至少一個該些第一盲孔，該機械強度測試包括對該測試片進行三點彎曲測試或是四點彎曲測試。
11.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中在提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度前，還包括使該測試片上的至少一個該些導電柱的兩端都被暴露。
12.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中在判斷該導電柱的機械強度之后，還包括在該絕緣層與導電柱上形成一第一線路層；將一支撐基板與該第一線路層接合；將該晶片從該第二表面薄化，直到暴露該導電柱；在薄化后的該晶片的該第二表面上形成一第二線路層，該第二線路層電連接該導電柱；在該第二線路層上形成至少一凸塊；以及移除該支撐基板。
13.如權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其中在移除該支撐基板之后，還包括使該導電柱經(jīng)由該凸塊而電連接一元件。
14.一種機械強度測試設備，包括測試治具，用以測試一待測物的一絕緣層、多個導電柱其中之一與該導電柱所在的一開孔的孔壁之間的結合強度，該測試治具包括一施力機構，對該待測物施予一外力，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度；一驅動器，連接并驅動該測試治具；以及數(shù)據(jù)記錄器，用以記錄該驅動器提供給該測試治具的驅動能量。
15.如權利要求14所述的機械強度測試設備，其中該施力機構為一拉力機構、一推力機構、一吸力機構或一彎曲機構。
16.如權利要求15所述的機械強度測試設備，其中該施力機構包括一探頭，用以連接該開孔內的該導電柱的第一表面，并施加一拉力于該導電柱。
17.如權利要求16所述的機械強度測試設備，其中該施力機構還包括一墊片，用以配置于該待測物上，該墊片具有一開口，該探頭用以通過該開口而連接該導電柱。
18.如權利要求16所述的機械強度測試設備，其中該驅動器為一拉伸器。
19.如權利要求15所述的機械強度測試設備，其中該吸力機構包括一吸嘴，用以對準該開孔內的該導電柱的第一表面，并施加一吸力于該導電柱。
20.如權利要求19所述的機械強度測試設備，其中該吸力機構還包括一墊片，用以配置于該待測物上，該墊片具有一開口，該吸嘴用以通過該開口而對準該導電柱。
21.如權利要求19所述的機械強度測試設備，其中該驅動器為一抽真空器。
22.如權利要求15所述的機械強度測試設備，其中該推力機構包括至少一頂針，用以施加一推頂力于該導電柱。
23.如權利要求22所述的機械強度測試設備，其中該推力機構還包括一墊片，該待測物適于配置在該墊片上，該墊片具有一開口，該導電柱從該開孔內被頂出時會通過該開口。
24.如權利要求22所述的機械強度測試設備，其中該驅動器為一頂出器。
25.如權利要求14所述的機械強度測試設備，其中該彎曲機構是一三點彎曲的彎曲機構或是一四點彎曲的彎曲機構。
26.一種半導體裝置的測試方法，包括提供一待測物，該待測物包括一晶片、一絕緣層與多個導電柱，該晶片具有相對的一第一表面與一第二表面，該晶片的第一表面具有多個盲孔，該絕緣層覆蓋該盲孔的孔壁，該盲孔內充填一導電柱；及提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度。
27.如權利要求沈所述的半導體裝置的測試方法，其中該晶片包括多個芯片區(qū)，該盲孔包括多個第一盲孔與多個第二盲孔，該些第一盲孔位于該些芯片區(qū)之外，該些第二盲孔位于該些芯片區(qū)內，且該絕緣層位于該些導電柱與該些第一盲孔的孔壁及該些第二盲孔的孔壁之間。
28.如權利要求27所述的半導體裝置的測試方法，其中進行該機械強度的測試是測試該絕緣層、該些導電柱其中之一與該導電柱所在的該第一盲孔的孔壁之間的 結合強度。
29.如權利要求沈所述的半導體裝置的制造方法，其中該外力為一拉力方式、一推頂力方式、一吸力方式或一彎曲方式。
30.如權利要求四所述的半導體裝置的制造方法，其中該拉力方式包括將一探頭連接該些導電柱的第一表面；以及通過該探頭施加一拉力于該導電柱。
31.如權利要求30所述的半導體裝置的制造方法，其中將該探頭連接該導電柱的步驟包括形成一感光粘膠層于該晶片的第一表面；光刻蝕刻該感光粘膠層，以于各該導電柱的第一表面形成一粘膠片；以及將該探頭經(jīng)由該粘膠片連接該導電柱的第一表面。
32.如權利要求31所述的半導體裝置的制造方法，其中將該探頭經(jīng)由該粘膠片連接該導電柱的第一表面前，還包括配置一墊片于該第一表面上，該墊片具有至少一開口，該開口暴露該第一盲孔的導電柱，使該探頭由該開口接觸該粘膠片。
33.如權利要求四所述的半導體裝置的制造方法，其中該吸力方式包括將一吸嘴對準該第一盲孔的導電柱的第一表面；以及通過該吸嘴施加一吸力于該導電柱的第一表面。
34.如權利要求四所述的半導體裝置的制造方法，其中該推頂力方式包括在該晶片的第二表面形成一測試孔，該測試孔暴露至少一第一盲孔內的該導電柱；以及以一頂針施加一推頂力于該導電柱的第一表面或第二表面。
35.如權利要求觀所述的半導體裝置的制造方法，其中該晶片的盲孔內設有該導電柱，使形成一待測物。
36.如權利要求35所述的半導體裝置的制造方法，其中在提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度前，還包括將一測試片由該待測物分離出來，該測試片包括至少一個該些第一盲孔，該機械強度測試包括對該測試片進行三點彎曲測試或是四點彎曲測試。
37.如權利要求36所述的半導體裝置的制造方法，其中在提供一外力于該導電柱的第一表面，通過該導電柱破壞與否判斷該導電柱的機械強度前，還包括使該測試片上的至少一個該些導電柱的兩端都被暴露。
38.如權利要求沈所述的半導體裝置的制造方法，其中該待測物為一第一待測物；進行該機械強度的測試，取得該第一待測物的機械強度的數(shù)據(jù)儲存到一數(shù)據(jù)庫；以及重復前述步驟，以取得多種不同待測物的機械強度的測試數(shù)據(jù)儲存到該數(shù)據(jù)庫。
39.如權利要求38所述的半導體裝置的測試方法，還包括提供一第二待測物，其中該第二待測物包括一晶片、一第二絕緣層與一第二導電柱，該晶片具有一第三表面，該第三表面具有一第二盲孔，該第二絕緣層覆蓋該第三表面與該第二盲孔的孔壁，該第二導電柱填充于該第二盲孔內，且該第二絕緣層位于該第二導電柱與該第二盲孔的孔壁之間；取得該第二導電柱的數(shù)據(jù)；自該數(shù)據(jù)庫中取得與該第二導電柱相同的數(shù)據(jù)，進行該機械強度的測試；以及通過通過前述步驟測試以判斷該第二導電柱破壞與否。
40.如權利要求沈所述的半導體裝置的測試方法，其中在判斷該導電柱的機械強度之后，還包括自該晶片切割出多個芯片，并將該些芯片經(jīng)該些導電柱分別電連接一元件。
全文摘要
本發(fā)明公開一種機械強度測試設備、半導體裝置的制造方法與測試方法。制造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶片、一絕緣層與多個導電柱。晶片包括多個芯片區(qū)。晶片的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位于芯片區(qū)外，第二盲孔位于芯片區(qū)內。絕緣層覆蓋晶片的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充于第一與第二盲孔內，且絕緣層位于導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試后，將芯片區(qū)的導電柱電連接一元件。
文檔編號G01N3/00GK102479733SQ20101059759
公開日2012年5月30日 申請日期2010年12月21日 優(yōu)先權日2010年11月26日
發(fā)明者劉漢誠, 謝明哲, 譚瑞敏 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院