專利名稱：一種老化測(cè)試基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路可靠性測(cè)試板，特別涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)單個(gè)器件電
流量測(cè)功能的老化測(cè)試基板。
背景技術(shù)：
隨著高科技的蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體器件的體積區(qū)域輕、薄、小的方向發(fā)展，當(dāng)半導(dǎo)體
器件制成后，還需經(jīng)過(guò)產(chǎn)品可靠性測(cè)試來(lái)判斷其性能的好壞，其中對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行老化測(cè)試
(Burn-in test)是產(chǎn)品可靠性測(cè)試非常重要且必須經(jīng)過(guò)的一個(gè)環(huán)節(jié)。 一般來(lái)說(shuō)，在高溫、高
電壓等條件下對(duì)位于老化測(cè)試基板(老化板，Burn-in Board,BIB)上的半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)
試，加速芯片運(yùn)行過(guò)程，使生命周期較短的半導(dǎo)體器件在老化測(cè)試的過(guò)程中提早顯現(xiàn)出來(lái)，
以淘汰易于發(fā)生故障的半導(dǎo)體器件，使半導(dǎo)體器件進(jìn)入市場(chǎng)后可靠性相對(duì)提高。 老化測(cè)試(Burn-in Test)廣泛應(yīng)用于集成電路可靠性測(cè)試領(lǐng)域，老化測(cè)試基板插
入老化測(cè)試機(jī)臺(tái)后，可通過(guò)其內(nèi)集成的測(cè)試通道電路將信號(hào)引到被測(cè)芯片的引腳上，從而
通過(guò)短時(shí)間的老化測(cè)試來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的可靠性現(xiàn)在的老化測(cè)試系統(tǒng)的功能已經(jīng)從原有的單
純老化發(fā)展為老化加測(cè)試(TestDuring Burn-in，TDBI)。但作為產(chǎn)品測(cè)試中必不可少的步
驟——單個(gè)器件工作電流的測(cè)試，現(xiàn)有的老化系統(tǒng)無(wú)法實(shí)現(xiàn)，主要原因是現(xiàn)有的老化板是
基于并行測(cè)試設(shè)計(jì)，因而現(xiàn)有的老化測(cè)試系統(tǒng)沒(méi)有單個(gè)器件電流量測(cè)功能，最多只具有整
塊老化板的總電流監(jiān)測(cè)機(jī)制。 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中老化測(cè)試基板的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)Dl，老化板IO上的器件插座 ll，其上可插入待測(cè)器件，器件插座11通過(guò)電路板的銅線12并聯(lián)到電源接口金手指13上， 所述電源接口金手指13與老化測(cè)試機(jī)臺(tái)上相應(yīng)的電源接口連接。因此現(xiàn)有的老化板是基 于并行測(cè)試設(shè)計(jì)，這種設(shè)計(jì)無(wú)法在老化中實(shí)時(shí)量測(cè)到單個(gè)待測(cè)器件的工作電流，最多只具 有整塊老化板的總電流監(jiān)測(cè)機(jī)制。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題為，在老化測(cè)試中不能實(shí)時(shí)量測(cè)每個(gè)待測(cè)器件工作電 流的問(wèn)題。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型通過(guò)提供了一種老化測(cè)試基板在老化測(cè)試試驗(yàn) 中連接老化機(jī)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)老化測(cè)試功能。包括 若干器件插座，用于插接待測(cè)器件；電源接口金手指，在老化測(cè)試試驗(yàn)時(shí)連到老化 機(jī)臺(tái)的電源接口 ；每個(gè)所述器件插座連接一 電阻后，通過(guò)金屬互聯(lián)線并聯(lián)到所述電源接口 金手指上。 其中，所述電阻阻值小于等于1歐姆。 進(jìn)一步的，每個(gè)所述電阻兩端都連接有金屬引線。 可選的，老化測(cè)試基板還包括耐高溫接口 ，連接所述金屬引線。 可選的，所述老化測(cè)試基板還可連接外置接口板，所述外置接口板包括排線接口和表筆接口 ，所述排線接口通過(guò)排線連接到所述老化測(cè)試基板上的耐高溫接口 ，所述表筆 接口用于插接外部量測(cè)儀。 綜上所述，本實(shí)用新型提供的老化測(cè)試基板中，所述老化板上每個(gè)所述器件插座 上串聯(lián)一個(gè)電阻。每個(gè)所述電阻兩端有金屬引線，通過(guò)所述老化板上的所述耐高溫接口 、所 述排線和所述外置接口板上的排線接口連接到所述外置接口板上的所述表筆接口 ，即可在 老化試驗(yàn)進(jìn)行時(shí)，實(shí)時(shí)量測(cè)指定電阻兩端的電壓，又已知電阻的電阻值，故可得到流經(jīng)指定 電阻的電流。由于電阻與器件插座是串聯(lián)的，即可得到在該器件插座上的被老化器件的實(shí) 時(shí)電流。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中老化測(cè)試基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實(shí)用新型中老化測(cè)試基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式為使本實(shí)用新型的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本實(shí)用新型新型 的內(nèi)容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本實(shí)用新型并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通及相關(guān) 人員所熟知的一般替換也涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。 其次，本實(shí)用新型利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)例時(shí)，為了
便于說(shuō)明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。 本實(shí)用新型的核心思想是，給老化測(cè)試基板上的每個(gè)器件插座串聯(lián)一個(gè)電阻，在
老化試驗(yàn)進(jìn)行時(shí)，通過(guò)量測(cè)與指定待測(cè)器件串聯(lián)的電阻兩端的電壓，進(jìn)而得到待測(cè)器件的
電流。從而解決了老化中不能實(shí)時(shí)量測(cè)每個(gè)待測(cè)器件工作電流的問(wèn)題。 圖2為本實(shí)用新型中老化測(cè)試基板的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖2。 本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供了一種老化測(cè)試基板，在老化測(cè)試試驗(yàn)中連接老化機(jī)
臺(tái)，實(shí)現(xiàn)老化測(cè)試功能。包括若干器件插座21，用于插接待測(cè)器件；電源接口金手指23，在
老化測(cè)試試驗(yàn)時(shí)連到老化機(jī)臺(tái)的電源接口 ；每個(gè)所述器件插座21連接一 電阻30后，通過(guò)金
屬互聯(lián)線22并聯(lián)到所述電源接口金手指23上。 其中，所述電阻30阻值小于等于1歐姆。 所述電阻30選擇阻值小于等于1歐姆，體積相對(duì)較小，便于增設(shè)在老化測(cè)試基板 上，同時(shí)小電阻30消耗的電能小，對(duì)待測(cè)器件的電流影響也很小。 進(jìn)一步的，每個(gè)所述電阻30兩端都連接有金屬引線24。 在進(jìn)行老化試驗(yàn)時(shí)，不便于在老化測(cè)試基板上直接測(cè)量小電阻30的電壓，故在小
電阻30兩端連接金屬引線24，在老化測(cè)試基板的外部實(shí)時(shí)測(cè)量小電阻30的電壓。 可選的，老化測(cè)試基板還包括耐高溫接口 25，連接所述金屬引線24。老化測(cè)試基
板常在高溫條件下進(jìn)行老化試驗(yàn)，故選擇耐高溫接口 ，可以延長(zhǎng)使用壽命。 可選的，所述老化測(cè)試基板還可連接外置接口板27，所述外置接口板27包括排線
接口 28和表筆接口 29，所述排線接口 28通過(guò)排線26連接到所述老化測(cè)試基板上的耐高溫
接口 25，所述表筆接口 29用于插接外部量測(cè)儀。 在本實(shí)施例中，為使圖2中本實(shí)用新型中老化測(cè)試基板的結(jié)構(gòu)示意圖清晰明了，故圖2中只表示出部分金屬互聯(lián)線22，部分電阻30和部分金屬引線，所述器件插座21的數(shù) 目并不局限于圖2中顯示的數(shù)目。 在本實(shí)施例中，增加外置接口板27便于實(shí)時(shí)量測(cè)待測(cè)器件的電流。在老化試驗(yàn) 時(shí)，老化板處在高溫的環(huán)境下，不便于在老化板上直接進(jìn)行量測(cè)。增加外置接口板27后，故 將電壓表或其他量測(cè)儀插接在外置接口板27上的表筆接口 29，即可實(shí)時(shí)量測(cè)到指定待測(cè) 器件的電流。當(dāng)然，能夠?qū)崿F(xiàn)本實(shí)施例中所述外置接口板27功能的其他接口板也在本實(shí)用 新型的范圍內(nèi)。 綜上所述，本實(shí)用新型提供的老化測(cè)試基板中，所述老化板上每個(gè)所述器件插座 21上串聯(lián)一個(gè)電阻30。每個(gè)所述電阻30兩端有金屬引線24，通過(guò)所述老化板上的所述耐 高溫接口 24、所述排線26和所述外置接口板27上的排線接口 28連接到所述外置接口板 27上的所述表筆接口 29，即可在老化試驗(yàn)進(jìn)行時(shí)，實(shí)時(shí)量測(cè)指定電阻30兩端的電壓，又已 知電阻30的阻值，故可得到流經(jīng)指定電阻30的電流。由于電阻30與器件插座21是串聯(lián) 的，即可得到在該器件插座21上待測(cè)器件的實(shí)時(shí)電流。 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)或變型而不脫離本實(shí)用 新型的精神和范圍，這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型的權(quán)利要求 及其同等技術(shù)范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型之內(nèi)。
權(quán)利要求一種老化測(cè)試基板，在老化測(cè)試試驗(yàn)時(shí)連接老化機(jī)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)老化測(cè)試功能，包括若干器件插座，用于插接待測(cè)器件；電源接口金手指，在老化測(cè)試試驗(yàn)時(shí)連到所述老化機(jī)臺(tái)的電源接口；其特征在于，每個(gè)所述器件插座連接一電阻，連接電阻后的所有所述器件插座，通過(guò)金屬互聯(lián)線并聯(lián)到所述電源接口金手指上。
2. 如權(quán)利要求1中所述的老化測(cè)試基板，其特征在于，所述電阻阻值小于等于1歐姆。
3. 如權(quán)利要求l中所述的老化測(cè)試基板，其特征在于，每個(gè)所述電阻兩端都連接有金 屬引線。
4. 如權(quán)利要求3中所述的老化測(cè)試基板，其特征在于，老化測(cè)試基板還包括耐高溫接 口 ，所述金屬引線分別連接所述耐高溫接口 。
5. 如權(quán)利要求4所述的老化測(cè)試基板，其特征在于，所述老化測(cè)試基板還包括外置接 口板，所述外置接口板包括排線接口和表筆接口 ，所述排線接口通過(guò)排線連接到所述耐高 溫接口 ，所述表筆接口用于插接外部量測(cè)儀。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種老化測(cè)試基板，包括一種老化測(cè)試基板，在老化測(cè)試試驗(yàn)時(shí)連接老化機(jī)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)老化測(cè)試功能。包括若干器件插座，用于插接待測(cè)器件；電源接口金手指，在老化測(cè)試試驗(yàn)時(shí)連到老化機(jī)臺(tái)的電源接口；其特征在于，每個(gè)所述器件插座連接一電阻后，通過(guò)金屬互聯(lián)線并聯(lián)到所述電源接口金手指上。給老化測(cè)試基板上的每個(gè)器件插座串聯(lián)一個(gè)電阻，在老化試驗(yàn)進(jìn)行時(shí)，通過(guò)量測(cè)與指定待測(cè)器件串聯(lián)的電阻兩端的電壓，進(jìn)而得到待測(cè)器件的電流。
文檔編號(hào)G01R1/02GK201535784SQ20092021217
公開(kāi)日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月10日
發(fā)明者馮軍宏, 劉云海 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司