專利名稱：具有用于施加偏置磁場(chǎng)的模塑封裝的傳感器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及傳感器相關(guān)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
某些》茲性速度傳感器被配置為可測(cè)量;茲性齒4&的速度。典型 地，這種速度傳感器包括具有多個(gè)磁性傳感器元件(例如霍爾傳感 器元件或巨磁阻(GMR)傳感器元件)的集成電路。永磁鐵為傳感 器元件提供偏置磁場(chǎng)。隨著齒輪的轉(zhuǎn)動(dòng)，輪齒經(jīng)過(guò)傳感器前并產(chǎn)生 小的場(chǎng)變化，該場(chǎng)變化由集成電路檢測(cè)。；險(xiǎn)測(cè)出的場(chǎng)包含關(guān)于齒輪 的角位置和角速度的信息。
GMR傳感器在19世紀(jì)80年代首次制成。它們是因?yàn)槠潆娮?只十外部萬(wàn)茲場(chǎng)方^立的高靈壽文'性而著名的。GMR歲丈應(yīng)發(fā)生在沿》茲場(chǎng)的
一條軸線的有限范圍內(nèi)。此范圍稱為各向異性范圍。在各向異性范 圍內(nèi)，該傳感器具有高靈敏性(電阻改變對(duì)磁場(chǎng)改變)。在某些應(yīng) 用中，例如用于測(cè)量磁性齒輪速度的具有反向偏》茲的磁性速度傳感 器，反偏磁相對(duì)于傳感器的GMR元件的小錯(cuò)位或傾斜能夠使GMR 元件的工作點(diǎn)進(jìn)入飽和區(qū)域。反偏石茲使傳感器的工作點(diǎn)/人各向異性 范圍的中心附近的最優(yōu)點(diǎn)向飽和區(qū)域偏移。結(jié)果，沒(méi)有信號(hào)產(chǎn)生或 者產(chǎn)生的信號(hào)質(zhì)量降低，從而降低了傳感器性能。對(duì)于在不同原理 下工作的輻射測(cè)量^f專感器(gradiometric )，因?yàn)閭鞲衅髟立于兩 個(gè)不同的位置，所以此偏移問(wèn)題變得更嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)實(shí)施例提供了制造傳感器模塊的方法。該方法包括提供包 括不茲靈敏傳感器元件的基底。傳感器元件和基底由被配置為向傳感
器元件施加偏置^t場(chǎng)的至少一種才莫塑料(mold material)封裝。


說(shuō)明中包括了附圖，以提供對(duì)實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且這些 附圖并入此i兌明書并構(gòu)成其一部分。附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例， 并與該描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。隨著參考隨后的詳細(xì)描述 而對(duì)本發(fā)明的更好理解，可以更容易地體會(huì)到本發(fā)明的其它實(shí)施例 和本發(fā)明的許多期望的優(yōu)點(diǎn)。附圖中的元件相對(duì)彼此不必等比例。 同樣的參考數(shù)字代表相應(yīng)的類似部分。
圖1是示出了用于感測(cè)磁性齒輪速度的現(xiàn)有技術(shù)速度傳感器的的圖。
圖2A是示出了具有提供偏置磁場(chǎng)的永磁鐵的磁性傳感器的圖。
圖2B是示出了磁性傳感器芯片(圖2A中所示)的一部分以
及偏置》茲場(chǎng)的分量的圖。
圖3是示出了具有永磁鐵的磁性傳感器的圖，永磁鐵內(nèi)形成有 凹槽或空腔，以一是供偏置》茲場(chǎng)。
圖4是示出了圖3中所示永磁鐵的可替換形狀的圖。
圖5是示出了具有永萬(wàn)茲鐵和^茲場(chǎng)引導(dǎo)元件的磁性傳感器的圖。圖6A-6D是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的傳感器模塊的剖視圖和 制成傳感器模塊的方法的圖。
圖7是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的傳感器模塊的剖視圖和由該傳 感器模塊所產(chǎn)生的偏置磁場(chǎng)的圖。
圖8是示出了根據(jù)另一實(shí)施例的傳感器模塊的剖視圖的圖。
圖9是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有兩個(gè)模塑結(jié)構(gòu)的傳感器模
塊的剖視圖的圖。
圖10是示出了4艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有多個(gè)》茲靈4文傳感器元件 的傳感器模塊的剖視圖的圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)描述中，參考構(gòu)成本文一部分的附圖，在附圖中 通過(guò)圖示示出了可以實(shí)施本發(fā)明的特定實(shí)施例。在這點(diǎn)上，例如"頂 部"、"底部"、"前面"、"背面"、"前沿"、"尾部"等方向性術(shù)語(yǔ)是 參照所描述附圖的方向來(lái)使用的。因?yàn)楸景l(fā)明的實(shí)施例的各部分能 夠被設(shè)置為多個(gè)不同的方向，所以這些方向性術(shù)語(yǔ)是用于說(shuō)明而絕 不是限定。應(yīng)當(dāng)理解，可以4吏用其它實(shí)施例，且在不背離本發(fā)明的 范圍內(nèi)可以進(jìn)^f亍結(jié)構(gòu)或邏輯上的改變。因此，下面的詳細(xì)i^明不是 為了限定，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限定。
圖1是示出了用于感測(cè)磁性齒輪114速度的現(xiàn)有技術(shù)速度傳感 器102的圖。速度傳感器102包括^皮保護(hù)罩104所包圍的永》茲4失106 和》茲性傳感器集成電3各110。》茲性傳感器集成電^各110包4舌多個(gè)》茲 靈每文元件108，例如霍爾傳感器元件或GMR傳感器元件。永^茲4失 106向元件108提供偏置磁場(chǎng)。在示出的實(shí)施例中，偏置》茲場(chǎng)垂直于集成電^各110的平面和》茲靈4丈元件108的平面(例如，沿Z方向)。 元件108與磁齒輪114通過(guò)氣隙距離112間隔開(kāi)。隨著輪114沿箭 頭116所示的方向旋轉(zhuǎn)，輪114的齒經(jīng)過(guò)傳感器102的前方并產(chǎn)生 小的場(chǎng)變化，這由集成電^各110所枱r測(cè)。4企測(cè)出的場(chǎng)包含關(guān)于4侖114 的角位置和角速度的信息。場(chǎng)的波形4妄近正弦曲線并且其幅值由于 氣隙112而劇烈減小。
圖2A是示出了具有提供偏置磁場(chǎng)的永磁鐵206的磁性傳感器 200的圖。萬(wàn)茲性傳感器200包括石茲性傳感器芯片202和永》茲鐵206。 磁性傳感器芯片202包括設(shè)置在其頂表面上的磁靈敏傳感器元件 204。永》茲鐵206被設(shè)置在傳感器芯片202的底表面附近。由永》茲 4失206產(chǎn)生的偏置》茲場(chǎng)由》茲通量線208表示。
圖2A中還示出了一組正交的X-Y-Z軸。X軸和Y軸平行于傳 感器元件204的平面。Z軸垂直于傳感器元件204的平面。典型地， GMR傳感器^L對(duì)于萬(wàn)茲場(chǎng)的一個(gè)分量靈壽文(例如，X分量或Y分量)。 期望永磁鐵206產(chǎn)生垂直于傳感器平面的磁場(chǎng)(即，在傳感器元件 204的位置處具有Z分量的i茲場(chǎng)但是沒(méi)有X和Y分量的^茲場(chǎng))。由 》茲《失206產(chǎn)生的場(chǎng)一皮調(diào)制(例如，由經(jīng)過(guò)的f茲齒4侖)以產(chǎn)生X場(chǎng)或 Y場(chǎng)4言號(hào)。由于GMR元件的特性，該4言號(hào)纟皮4爭(zhēng)4灸成為電阻變^f匕。
圖2B是示出了》茲性傳感器芯片202 (圖2A中所示)的一部分 以及偏置萬(wàn)茲場(chǎng)的分量的圖解。芯片202的圖2B所示部分處的偏置 》茲場(chǎng)由矢量(H) 220表示。如圖2B中所示，位于所示位置處的偏 置》茲場(chǎng)不完全垂直于芯片202和傳感器元4牛204的平面(即，垂直 于X-Y平面)，而矢量220包括垂直分量(Hz)224和水平分量(Hx) 222。
如上所述，在某些應(yīng)用中期望具有基本均勻的偏置》茲場(chǎng)，其垂 直或基本垂直于傳感器元件的平面(即，沿Z方向)，而具有4艮小的水平分量或沒(méi)有水平分量(Lateral components )。某些》茲性傳感 器對(duì)水平分量非常靈敏，并且如果偏置磁場(chǎng)中的水平分量太大，這 些傳感器可能快速地進(jìn)入飽和。用于限制偏置磁場(chǎng)的水平分量的技 術(shù)包括^改變7么石茲4失的形狀和/或4吏用額外的元4牛來(lái)成形(shape或者
說(shuō)調(diào)整)或引導(dǎo)由永磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)。在下面將參考圖3-5進(jìn)一步 詳細(xì)描述這些纟支術(shù)。
圖3是示出了具有永》茲鐵306A的石茲性傳感器300的圖，永磁 鐵內(nèi)形成有凹槽或空腔以提供偏置磁場(chǎng)。磁性傳感器300包括磁性 傳感器芯片302和永》茲4失306A?！菲澬詡鞲衅餍酒?02包括i殳置在 其頂表面上的萬(wàn)茲靈壽丈傳感器元件304。永;茲鐵306A設(shè)置在傳感器 芯片302的底表面附近。由永i茲鐵306A產(chǎn)生的偏置^F茲場(chǎng)由》茲通量 線308表示。如圖3中所示，在永》茲《失306A的頂表面上形成V型 的凹槽或空腔，這有助于改善垂直性并限制傳感器元件304位置處 的偏置》茲場(chǎng)的任何水平分量。
圖4是示出了圖3中所示的永磁鐵306A的可替換形狀的圖解。 如圖4中所示，永》茲4失306B包括在其頂表面中形成的正方形或U 型空腔。永磁鐵的這種成形有助于改善垂直度并且限制傳感器元件 304位置處的偏置磁場(chǎng)的任何水平分量。
使用特定形狀的永磁鐵有一些缺點(diǎn)。在形成特定形狀時(shí)會(huì)產(chǎn)生 附加成本。傳感器元件通常安裝在半導(dǎo)體殼體中，并且傳感器元件 和永^f茲鐵之間的距離受殼體限制。此外，此方法的有效性極大地依 賴于永磁鐵和傳感器元件的相對(duì)位置。小的位置誤差將會(huì)31起偏置
^茲場(chǎng)7]C平分量的增加。
圖5是示出了具有永》茲4失506和不茲場(chǎng)引導(dǎo)元件505的不茲性傳感 器500的圖。箱f性傳感器500包括》茲性傳感器芯片502、 f茲場(chǎng)引導(dǎo) 元件505和永磁鐵506。此磁性傳感器芯片502包括設(shè)置在其頂表面上的磁靈敏傳感器元件504。永磁鐵506和引導(dǎo)元件505設(shè)置在 傳感器芯片502的底表面附近。永磁鐵506產(chǎn)生用于傳感器芯片502 的偏置^茲場(chǎng)。偏置》茲場(chǎng)由引導(dǎo)元件505成形(shaped或者說(shuō)調(diào)整) 或引導(dǎo)。如圖5中所示，V型凹槽或空腔已經(jīng)形成在引導(dǎo)元件505 的頂表面中。可替換地，可在引導(dǎo)元件505中形成例如圖4中所示 的正方形或U型凹槽或空腔。通過(guò)引入引導(dǎo)元件505而作的改變所 產(chǎn)生的偏置磁場(chǎng)由磁通量線508所表示。引導(dǎo)元件505有助于改善 垂直性并且限制傳感器元件504 4立置處的偏置萬(wàn)茲場(chǎng)的<壬4可7&平分 量。
使用特定形狀的磁場(chǎng)引導(dǎo)元件有 一 些缺點(diǎn)。在形成所期望形狀 的引導(dǎo)元件時(shí)會(huì)產(chǎn)生附加成本。傳感器元件通常安裝在半導(dǎo)體殼體 中，并且傳感器元件和永》茲4失之間的距離受殼體限制。此外，此方 法的有效性極大地依賴于永磁鐵、引導(dǎo)元件和傳感器元件的相對(duì)位 置。小的位置誤差將會(huì)引起偏置磁場(chǎng)水平分量的增加。
圖6A-6D是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的傳感器模塊的剖視圖和 制造傳感器模塊的方法。如圖6A中所示，在基底602的頂表面上 形成萬(wàn)茲靈4文傳感器元件604和多個(gè)電4妄觸部606A和606B。在一個(gè) 實(shí)施例中，基底602是半導(dǎo)體基底，例如半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片 (die)。在另一個(gè)實(shí)施例中，基底602是其它類型的基底。在一個(gè) 實(shí)施例中，傳感器元件604是GMR元件或霍爾元件。在另一個(gè)實(shí) 施例中，傳感器元件604是其它類型的傳感器元件。在一個(gè)實(shí)施例 中，傳感器元件604是旋轉(zhuǎn)閥(spin valve)GMR傳感器元件，并且包 括具有固定磁化方向的基準(zhǔn)層和可以才艮據(jù)外部的平面內(nèi)磁場(chǎng)而使 其磁化(magnetization)轉(zhuǎn)動(dòng)的傳感器層。在一個(gè)實(shí)施例中，基底 602包括評(píng)估(evaluation)集成電路(未示出)，用于處理由傳感 器元件604生成的信號(hào)。如圖6B中所示，在傳感器元件604上形成非,茲性結(jié)構(gòu)610。 在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)610是聚合物，例如SU8，其可以使用常規(guī) 的光刻法來(lái)圖案化。SU8是負(fù)性光刻膠或者稱為負(fù)性光致抗蝕劑材 料。未固化的SU8可以是液態(tài)或干膜形式。液態(tài)SU8可以通過(guò)例 如S走涂和噴涂來(lái)涂;f隻在基底上。干SU8膜可以層積在基底上。SU8
通常使用uv和熱固化步驟來(lái)進(jìn)行固化。
在一個(gè)實(shí)施例中，在傳感器元件604上沉積聚合物層，并且隨 后對(duì)聚合物層進(jìn)行刻蝕以產(chǎn)生圖6B中示出的結(jié)構(gòu)610。在一個(gè)實(shí) 施例中，結(jié)構(gòu)610具有圓錐形狀，其橫截面面積隨其與傳感器元件 604的距離的增加而減小。在另一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)610具有凸起 (convex )形狀。
如圖6C中所示，在芯片載體614上i殳置基底602，并且電互 連612A和612B分別連4妄至4妻觸部606A和606B。電互連612A和 612B也連接至芯片載體614。在一個(gè)實(shí)施例中，芯片載體614是引 線框且互連612A和612B是接合線。在另一個(gè)實(shí)施例中，芯片載體 614是印刷電路板(PCB)或其它的芯片載體，并且互連612A和 612B是焊接元件(例如，在倒裝芯片結(jié)構(gòu)中)或其它類型的互連。
如圖6D中所示，在圖6C中示出的器件上方形成》茲性才莫塑結(jié) 構(gòu)616，從而封裝了基底602、接觸部606A和606B、傳感器元件 604、結(jié)構(gòu)610、和接合線(bond wire) 612A和612B,并從而形成 了磁性傳感器模塊620。在一個(gè)實(shí)施例中，模塑結(jié)構(gòu)616使用噴射 造型工藝來(lái)形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，模塑結(jié)構(gòu)616使用壓縮模塑 造型工藝來(lái)形成。在一個(gè)實(shí)施例中，才莫塑結(jié)構(gòu)616 (mold structure) 包括填充有磁性顆粒(例如，微磁鐵)或配置為被磁化的顆粒的熱 固性聚合物。大多數(shù)磁性材料可以被研磨成適合與聚合物模塑料混 合的粉末。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)傳感器才莫塊620施加外部》茲場(chǎng)以不茲化模塑結(jié)構(gòu)616中的顆粒，并因此將模塑結(jié)構(gòu)616構(gòu)造成產(chǎn)生用于 傳感器元4牛604的偏置^茲場(chǎng)。
圖7是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的傳感器模塊620的剖視圖和由 傳感器模塊620產(chǎn)生的偏置磁場(chǎng)的圖解。模塑結(jié)構(gòu)616產(chǎn)生偏置磁 場(chǎng)。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)610 ^t構(gòu)造為》茲場(chǎng)引導(dǎo)元件，其成形 (shape或者說(shuō)調(diào)節(jié))或引導(dǎo)由模塑結(jié)構(gòu)616所產(chǎn)生的偏置磁場(chǎng)。 由于結(jié)構(gòu)616而》務(wù)改的偏置》茲場(chǎng)由i茲通量線622表示。結(jié)構(gòu)610有 助于改善垂直性并限制傳感器元件604位置處的偏置f茲場(chǎng)的水平分
量。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器模塊620被構(gòu)造成測(cè)量》茲性齒輪的齒
aa」志右a: /一罷
口v ^j^/5c 。
圖8是示出了根據(jù)另 一實(shí)施例的傳感器模塊800的剖視圖的圖 解。在示出的實(shí)施例中，除了在芯片載體614的底表面上還形成有 模塑結(jié)構(gòu)802之外，傳感器模塊800與傳感器模塊620 (圖7 )相 同。在一個(gè)實(shí)施例中，才莫塑結(jié)構(gòu)616和802在同一時(shí)間利用同一種 模塑料來(lái)形成，并且形成了連續(xù)的封裝結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，模 塑結(jié)構(gòu)802是》茲性的，并且和結(jié)構(gòu)616 —起對(duì)傳感器元件604施加 偏置磁場(chǎng)。在另一個(gè)實(shí)施例中，模塑結(jié)構(gòu)802是非磁性模塑料。
圖9是示出了根據(jù) 一 個(gè)實(shí)施例的傳感器模塊卯0的剖視圖的圖 解，該傳感器模塊具有兩個(gè)模塑結(jié)構(gòu)卯2和904。在一個(gè)實(shí)施例中， 才莫塑結(jié)構(gòu)904是》茲性才莫塑結(jié)構(gòu)(例如，具有》茲性顆粒的熱固性聚合 物)，其4是供用于傳感器元件604的偏置》茲場(chǎng)并且其以與才莫塑結(jié)構(gòu) 616基本相同的方式(該方式參考圖6D描述)形成。然而，并不 像才莫塑結(jié)構(gòu)616封裝基底602、接觸606A和606B、傳感器元件604、 結(jié)構(gòu)610以及接合線612A-612B那樣，模塑結(jié)構(gòu)卯4僅封裝傳感器 元件604和結(jié)構(gòu)610。在一個(gè)實(shí)施例中，才莫塑結(jié)構(gòu)902是非石茲性熱 固性聚合物，其以與模塑結(jié)構(gòu)616基本相同的方式形成(該方式參 考圖6D描述)。在示出的實(shí)施例中，模塑結(jié)構(gòu)卯2封裝模塑結(jié)構(gòu)904、基底602、 <接觸部606A和606B、傳感器元件604、結(jié)構(gòu)610 和4妄合線612A-612B。
圖IO是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的傳感器模塊1000的剖視圖的 圖解，該傳感器模塊具有多個(gè)磁靈敏傳感器元件。如圖IO中所示， 在基底1002的頂表面上形成》茲靈每丈傳感器元件1004A和1004B、 以及多個(gè)電4妄觸部1006A和1006B。在一個(gè)實(shí)施例中，基底1002 是半導(dǎo)體基底，例如半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片。在另一個(gè)實(shí)施例中， 基底1002是其它類型的基底。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器元件1004A 和1004B是GMR元件或霍爾元件。在另一個(gè)實(shí)施例中，傳感器元 '"f牛1004A牙口 i 0G4B是其*H類型的'個(gè)t<感為^H/i牛。
在傳感器元件1004A和1004B上分別形成非》茲性結(jié)構(gòu)1010A 和IOIOB。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)1010A和1010B中的每一個(gè)都是 聚合物，例如SU8。在一個(gè)實(shí)施例中，在4專感器元4牛1004A和1004B 上沉積聚合物層，然后刻蝕該聚合物層以產(chǎn)生如圖10中所示的結(jié) 構(gòu)1010A和IOIOB。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)1010A和1010B中的 每一個(gè)都可以具有圓錐形狀，而其橫截面面積隨著其與傳感器元件 1004A或1004B的-巨離增加而減小。在另一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)1010A 和1010B中的每一個(gè)都具有呈凸起(convex)的形狀。
基底1002i殳置在芯片載體1014上，且電互連1012A和1012B 分別連沖妻至4妄觸部1006A和1006B。電互連1012A和1012B也連 接至芯片栽體1014。在一個(gè)實(shí)施例中，芯片載體1014是引線框， 而互連1012A和1012B是4妻合線。在另一個(gè)實(shí)施例中，芯片載體 1014是印刷電i 各—反(PCB)或其它的芯片載體，而互連1012A和 1012B是焊接元件(例如，以倒裝芯片結(jié)構(gòu))或其它類型的互連。
磁性模塑結(jié)構(gòu)1016形成在器件周圍，從而封裝基底1002、接 觸1006A和1006B、傳感器元件1004A和1004B、結(jié)構(gòu)1010A和IOIOB、 4妻合線1012A和1012B，以及芯片載體1014。在一個(gè)實(shí)施 例中，^^莫塑結(jié)構(gòu)1016使用噴射造型工藝來(lái)形成。在另一個(gè)實(shí)施例 中，才莫塑結(jié)構(gòu)1016使用壓縮才莫塑造型工藝來(lái)形成。在一個(gè)實(shí)施例 中，模塑結(jié)構(gòu)1016包括填充有磁性顆粒(例如，微磁鐵)或被配 置為要被磁化的顆粒的熱固性聚合物。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)傳感器 沖莫塊1000施加外部》茲場(chǎng)，以》茲化才莫塑結(jié)構(gòu)1016中的顆粒，并因此 將模塑結(jié)構(gòu)1016構(gòu)造成產(chǎn)生用于傳感器元件1004A和1004B的偏 置磁場(chǎng)。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了 一種用于提供偏置磁場(chǎng)的改進(jìn)的且比
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凹槽或空腔，或使用特性形狀的引導(dǎo)元件。在一個(gè)實(shí)施例中，偏置 磁場(chǎng)由磁性傳感器模塊的封裝材料(例如，磁化的模塑化合物)來(lái)產(chǎn) 生，并且消除了傳感器和磁鐵之間的不對(duì)準(zhǔn)或偏差所帶來(lái)的問(wèn)題。
雖然在本文已經(jīng)說(shuō)明和描述了特定的實(shí)施例，但本領(lǐng)域普通4支 術(shù)人員可以意識(shí)到，在不月充離本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以用多種選4奪和 /或等同實(shí)施例代替示出并描述的特定實(shí)施例。本申請(qǐng)的目的在于覆 蓋本文中討論的特定實(shí)施例的任何修改或改變。因此，本發(fā)明旨在 僅由權(quán)利要求及其等同物來(lái)限定。
權(quán)利要求
1. 一種制造傳感器模塊的方法，所述方法包括提供基底，所述基底包括磁靈敏的傳感器元件；以及利用至少一種模塑料來(lái)封裝所述傳感器元件和所述基底，所述至少一種模塑料被構(gòu)造成對(duì)所述傳感器元件施加偏置磁場(chǎng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在封裝之前，在所述傳感器元件上方施加非；茲性結(jié)構(gòu)；并且其中，所述至少一種模塑料封裝所述傳感器元件、所述 非》茲性結(jié)構(gòu)和所述基底。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法， 呈圓^i的形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法， 呈凸起的形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法， 物材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法， 抗蝕劑材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 傳感器元件的平面。其中，所述非^磁性結(jié)構(gòu)具有基本 其中，所述非磁性結(jié)構(gòu)具有基本 其中，所述非磁性結(jié)構(gòu)包括聚合 其中，所述非^t性結(jié)構(gòu)包括光致 其中，所述偏置》茲場(chǎng)垂直于所述
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模塑料包括多個(gè)磁性顆粒。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，封裝由噴射造型工藝或壓縮模塑工藝進(jìn)行。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述傳感器元件是巨磁電 阻(GMR)元件。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述傳感器元件是霍爾元件。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)所述基底施加至少一個(gè)電互連。
13. 4艮據(jù)4又利要求12所述的方法，其中，所述至少一個(gè)電互連包 括至少一條接合線，并且其中，所述至少一種模塑料封裝所述 至少一條接合線。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底包括半導(dǎo)體芯片。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底包括多個(gè)磁靈敏 傳感器元件，并且其中，所述方法還包括在封裝之前，在所述傳感器元件中的每一個(gè)上方施加非 》茲性結(jié)構(gòu)；并且其中，所述至少一種模塑料封裝所述多個(gè)傳感器元件、 所述非》茲性結(jié)構(gòu)以及所述基底。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述基底施加在載體結(jié)構(gòu)上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述載體結(jié)構(gòu)是引線框。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述至少一種模塑料封 裝所述傳感器元件、所述基底和所述栽體結(jié)構(gòu)。
19. 一種傳感器模塊，包括基底，包括》茲靈每t元件；以及至少一個(gè)模塑結(jié)構(gòu)，封裝所述磁靈敏元件和所述基底， 所述至少 一 個(gè)4莫塑結(jié)構(gòu)纟皮構(gòu)造成對(duì)所述》茲靈壽文元件施加偏置磁場(chǎng)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的傳感器模塊，進(jìn)一步包括非磁性結(jié)構(gòu)，位于所述》茲靈敏元件上方；并且其中，所述至少一個(gè)才莫塑結(jié)構(gòu)封裝所述》茲靈壽文元件、所 述非磁性結(jié)構(gòu)和所述基底。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的傳感器模塊，其中，所述非磁性結(jié)構(gòu) 具有基本呈圓錐的形狀和基本呈凸起的形狀中的其中 一種形狀。
22. —種傳感器模塊，包括半導(dǎo)體基底，包括磁靈敏元件；聚合物結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述磁靈敏元件上方；以及具有磁性顆粒的模塑料，用于封裝所述聚合物結(jié)構(gòu)、所 述》茲靈敏元件和所述基底，所述#莫塑料;故構(gòu)造成對(duì)所述》茲靈壽丈 元^f牛施加偏置》茲場(chǎng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有用于施加偏置磁場(chǎng)的模塑封裝的傳感器模塊。還涉及一種制造傳感器模塊的方法，包括提供包括磁靈敏傳感器元件的基底。傳感器元件和基底被至少一種模塑料封裝，該模塑料被構(gòu)造成對(duì)傳感器元件施加偏置磁場(chǎng)。
文檔編號(hào)G01P3/44GK101545914SQ20091013031
公開(kāi)日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月27日
發(fā)明者赫爾穆特·維奇爾克, 霍斯特·托伊斯 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司