專利名稱：探測檢查裝置、位置偏移修正方法、信息處理裝置、信息處理方法及程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使探針接觸被檢查體的電極焊盤，來測量上述被檢 查體的電特性的探測檢查裝置、在該探測檢查裝置中進(jìn)行位置偏移修正 的方法、用于該探測檢查裝置的信息處理裝置、在該信息處理裝置中進(jìn) 行信息處理的方法及程序。
背景技術(shù)：
迄今，眾所共知探針檢查裝置是用于檢查形成于例如半導(dǎo)體晶片 (以下簡稱為晶片)上的半導(dǎo)體芯片(以下簡稱為芯片)等電子器件的
電特性的。在上述探測檢查裝置中，使設(shè)置于探測卡(probe card)上 的探針接觸芯片上的電極焊盤，借助與探測卡連接的測試器，施加預(yù)定 的電壓測量其輸出，并與期望值比較，由此來判斷芯片是否合格。
在上述探測檢查中，重要在于使探針準(zhǔn)確地接觸電極焊盤的目標(biāo)位 置。如果探針接觸了偏移電極焊盤中心的周緣部或電極焊盤以外的位 置，就會(huì)造成誤檢查。此外，有時(shí)為了對(duì)一個(gè)芯片進(jìn)行多次測量而在多 次測量的每一次使用電極焊盤上的不同區(qū)域，探針如果偏移該每次測量 時(shí)不同的區(qū)域進(jìn)行接觸，則難以進(jìn)行多次測量。
作為用于修正這種探針位置偏移的技術(shù)，下述專利文獻(xiàn)l中公開了 如下方法用彩色照相機(jī)觀察探測卡的探針的針痕，判斷上述針痕是否 在電極焊盤上的恰當(dāng)?shù)奈恢?例如電極焊盤的中心)上，當(dāng)上述針痕的 位置偏移了恰當(dāng)?shù)奈恢脮r(shí)，例如使載物臺(tái)進(jìn)行微小的移動(dòng)從而消除針痕 中心與電極焊盤中心的位置偏移。除此之外，下述專利文獻(xiàn)2 5中也記 載了與探針的位置調(diào)整相關(guān)的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-63877號(hào)公報(bào)(段落0006等)
專利文獻(xiàn)2:日本特>^平06-0056卯號(hào)公才艮專利文獻(xiàn)3:日本特公平07-0139%號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:日本特許第2575072號(hào)>^才艮 專利文獻(xiàn)5:日本特許第2984541號(hào)公才艮
不過，在上述探測檢查中存在對(duì)一個(gè)電極焊盤按照各種電氣條件的 每一種進(jìn)行多次測量的情況，這種情況下在一個(gè)電極焊盤上就會(huì)產(chǎn)生多 個(gè)針痕。但是，在上述各專利文獻(xiàn)的技術(shù)中，雖然拍攝了這種有多個(gè)針 痕的電極焊盤，但是由于不能判斷哪個(gè)針痕是最新的針痕，因而不能算 出當(dāng)前的位置偏移量，從而無法對(duì)位置偏移進(jìn)行修正。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的是提供一種探測檢查裝置、在該探測 檢查裝置中進(jìn)行位置偏移修正的方法、用于該探測檢查裝置的信息處理 裝置、在該信息處理裝置中進(jìn)行信息處理的方法及程序，即使在探針多 次接觸一個(gè)電極焊盤的情況下，通過適當(dāng)?shù)匦拚结樈佑|位置的位置偏 移，也能夠使得探針總是保持在最合適的接觸位置。
為了解決上述問題，作為本發(fā)明一個(gè)方面的探測檢查裝置是一種使 探針接觸被檢查體的電極焊盤、檢查上述被檢查體的電特性的探測檢查 裝置，其具有拍攝單元，其分別拍攝上述探針與上述被檢查體接觸前 的上述電極焊盤和上述探針接觸后的上述電極焊盤；存儲(chǔ)單元，其將上 述拍攝的接觸前的上述電極焊盤的圖像作為第1圖像存儲(chǔ)，將上述拍攝 的接觸后的上述電極焊盤的圖像作為第2圖像存儲(chǔ)；差分提取單元，其 將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2圖像的差分作為差分圖像提取出來； 計(jì)算單元，其計(jì)算用于對(duì)在上述所提取出的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針 的針痕位置、與使上述探針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位 置偏移進(jìn)行修正的修正量；及修正單元，其根據(jù)上述計(jì)算出的修正量改 變上述被檢查體與上述探針的相對(duì)位置來修正上述位置偏移。
這里所說的被檢查體例如是，形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片 或其他電子器件。根據(jù)這種構(gòu)成，即使探針多次接觸被檢查體，由于通
過提取上述差分圖像而能夠總是只提取出最新的針痕，因此，在探針每 次接觸時(shí)對(duì)位置偏移進(jìn)行修正，就能夠使接觸狀態(tài)總是保持最適位置。由此，可以防止由接觸不良引起的被檢查體電特性的測量失敗，其結(jié)果 是，能夠提高被檢查體的成品率。此外，用上述修正單元改變相對(duì)位置 例如通過在相對(duì)上述探針的接觸方向垂直的平面上使上述被檢查體向
X方向或Y方向移動(dòng)而進(jìn)行。此外，當(dāng)上述被檢查體為具有多個(gè)半導(dǎo)體 芯片的半導(dǎo)體晶片、所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置有多個(gè)電極焊盤時(shí)，還可以將 就作為當(dāng)前檢查對(duì)象的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的各電極焊盤而計(jì)算出的修正 量反映在作為下一個(gè)檢查對(duì)象的其他半導(dǎo)體芯片的各電極焊盤的測量 中。
上述探測檢查裝置中，還具有限制單元，該限制單元在通過上述探 針多次接觸上述電極焊盤來進(jìn)行上述電特性的檢查時(shí)，在一次檢查后的 下一次檢查中對(duì)由上述拍攝單元所進(jìn)行的上述第1圖像的拍攝進(jìn)行限 制，上述存儲(chǔ)單元將在上述一次檢查中作為上述第2圖像存儲(chǔ)的圖4象作 為在上述下一次檢查中的上述第1圖像進(jìn)行存儲(chǔ)。
由此，因?yàn)榭梢詫⒃谇耙淮螜z查時(shí)拍攝的第2圖像在下一次檢查時(shí) 作為第1圖像使用，所以能夠節(jié)省每次檢查時(shí)拍攝第1圖像的時(shí)間，此 外還能夠減少存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)容量。
在上述探測檢查裝置中，上述存儲(chǔ)單元可以具有在上述差分提取后 刪除上述第1圖像的單元。由此可以進(jìn)一步減少上述存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)容 量。
在上述探測檢查裝置中，上述被檢查體為具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半 導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置有多個(gè)上述電極焊盤，上述探針存在多個(gè)， 可以一并接觸上述各半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的上述各電極焊 盤，上述拍攝單元可以分別連續(xù)拍攝上述一個(gè)半導(dǎo)體芯片的上述各電極 焊盤的上述第l及第2圖像，上述存儲(chǔ)單元，將上述各電極焊盤的上述 第2圖像與識(shí)別上述一個(gè)半導(dǎo)體芯片的第1識(shí)別信息及識(shí)別該一個(gè)半導(dǎo) 體芯片的上述各電極焊盤的第2識(shí)別信息對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)，上述計(jì)算單 元計(jì)算出用于對(duì)上述各探針的針痕位置、與上述各電極焊盤上的各目標(biāo) 位置之間的各位置偏移進(jìn)行一并修正的修正量。
由此，可以連續(xù)拍攝各電極焊盤的各第l及第2圖像并能夠一并地 修正各電極焊盤的位置偏移，從而能夠提高修正的處理效率。此外，由于分別對(duì)應(yīng)上述第1及第2識(shí)別信息來存儲(chǔ)上述各電極焊盤的第1及第 2圖像，所以當(dāng)一邊對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體芯片的各電極焊盤進(jìn)行檢查、 一邊對(duì) 一個(gè)半導(dǎo)體芯片的各電極焊盤進(jìn)行多次檢查時(shí)，也能夠參照上述各識(shí)別
信息、容易地調(diào)出前一次的第2圖像作為后一次的第1圖像。由此，可 以省略第1圖像的上述連續(xù)拍攝處理，減輕拍攝單元的處理負(fù)擔(dān)及存儲(chǔ) 單元的使用容量，從而能夠高效率地修正位置偏移。此外，這種情況下 計(jì)算出的修正量不僅考慮了 X方向及Y方向，還考慮了上述平面上的 旋轉(zhuǎn)(6 )方向的移動(dòng)，上述修正單元根據(jù)該修正量，通過使被檢查體 在上述平面的X方向、Y方向及6方向中的至少一方向移動(dòng)來^務(wù)正位置 偏移。
在上述探測檢查裝置中，上述被檢查體為具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半 導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置有多個(gè)上述電極焊盤，上述探針，相對(duì)于
上述各，導(dǎo)體芯片中的至少2'個(gè)半，體芯片分別存，多個(gè):、以使上述探
電極焊盤，上述拍攝單元分別對(duì)上述至少2個(gè)半導(dǎo)體芯片各自的上述各 電極焊盤可以連續(xù)拍攝上述第l及第2圖像，上述存儲(chǔ)單元將上述各電 極焊盤的上述第2圖像與分別識(shí)別上述至少2個(gè)半導(dǎo)體芯片的第1識(shí)別 信息及分別識(shí)別該至少2個(gè)半導(dǎo)體芯片的上述各電極焊盤的第2識(shí)別信 息對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)，上述計(jì)算單元計(jì)算出用于在上述至少2個(gè)半導(dǎo)體芯 片中對(duì)上述各探針的針痕位置與上述各電極焊盤上的各目標(biāo)位置之間 的各位置偏移進(jìn)行一并修正的修正量。
由此，能夠一并地修正多個(gè)半導(dǎo)體芯片的各電極焊盤的位置偏移， 進(jìn)一步提高修正的處理效率。此外，即使在對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行 多次檢查時(shí)，也能夠參照上述第l及第2識(shí)別信息、容易地調(diào)出前一次 的第2圖像作為后一次的第1圖像，從而能夠省略第1圖像的拍攝處理， 高效率地修正位置偏移。
作為本發(fā)明又一方面的探測檢查裝置中的位置偏移修正方法，該探 測檢查裝置使探針接觸被檢查體的電極焊盤，檢查上述被檢查體的電特 性，其中，包括分別對(duì)上述探針與上述被檢查體接觸前的上述電極焊 盤和上述探針的接觸后的上述電極焊盤進(jìn)行拍攝的步驟；將上述拍攝的 接觸前的上述電極焊盤的圖像作為第1圖像存儲(chǔ)，將上述拍攝的接觸后
9的上述電極焊盤的圖像作為第2圖像存儲(chǔ)的步驟，將上述存儲(chǔ)的第1圖 像和上述第2圖像的差分作為差分圖像提取出來的步驟，計(jì)算出用于對(duì) 在上述提取的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕位置與使上述探針在 上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn)行修正的修正量的 步驟，根據(jù)上述計(jì)算出的修正量改變上述被檢查體與上述探針的相對(duì)位 置，修正上述位置偏移的步驟。
作為本發(fā)明又一方面的信息處理裝置，其用于探測檢查裝置，該探 測檢查裝置使探針接觸被檢查體的電極焊盤、檢查上述被檢查體電特 性，其中，具有存儲(chǔ)單元，其對(duì)所拍攝的上述探針與上述被檢查體接 觸前的上述電極焊盤的第1圖像、和上述探針接觸后的上述電極焊盤的 第2圖像分別進(jìn)行存儲(chǔ)；差分提取單元，其將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上 述第2圖像的差分作為差分圖像提取出來；及計(jì)算單元，其計(jì)算出用于 對(duì)在上述所提取的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕位置、與使上述探 針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn)行修正的修正 量。
作為本發(fā)明又一方面的信息處理裝置中的信息處理方法，其用于探 測檢查裝置，該探測檢查裝置使探針接觸被檢查體的電極焊盤，檢查上 述被檢查體的電特性，其中，具有對(duì)所拍攝的上述探針與上述被檢查 體接觸前的上述電極焊盤的第1圖像、和上述探針接觸后的上述電極焊 盤的第2圖像分別進(jìn)行存儲(chǔ)的步驟；將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2 圖像的差分作為差分圖像提取出來的步驟；計(jì)算出用于對(duì)在上述所提取 的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕位置、與使上述探針在上述電極焊 盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn)行修正的修正量的步驟。
作為本發(fā)明又一方面的程序是用于使信息處理裝置執(zhí)行以下步驟， 所述信息處理裝置使用于使探針接觸被檢查體的電極焊盤來檢查上述 被檢查體的電特性的探測檢查裝置中對(duì)所拍攝的上述探針與上述被檢 查體接觸前的上述電極焊盤的第1圖像、和上述探針接觸后的上述電極 焊盤的第2圖像分別進(jìn)行存儲(chǔ)的步驟；將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第 2圖像的差分作為差分圖像提取出來的步驟；計(jì)算出用于對(duì)在上述所提 取的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕位置、與使上述探針在上述電極 焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn)行修正的修正量的步驟。此外，記錄了該程序的記錄介質(zhì)也可以構(gòu)成本發(fā)明。這里所i兌的記
錄介質(zhì)是例如CD ( Compact Disc )、 DVD ( Digital Versatile Disk )、 BD (Blu-ray Disc )、 HDD ( Hard Disk Drive )、閃速存儲(chǔ)器等。
發(fā)明效果
如上所述，利用本發(fā)明，即使探針多次接觸一個(gè)電極焊盤的情況下， 也能夠通過恰當(dāng)?shù)匦拚结樀慕佑|位置的位置偏移，使得探針總是保持 在最適的接觸位置。


圖l是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的探測檢查裝置的構(gòu)成的圖。
圖2是表示本發(fā)明一實(shí)施方式中的圖像處理用PC的構(gòu)成的框圖。
圖3是本發(fā)明一實(shí)施方式中的晶片的俯視圖。
圖4是本發(fā)明一實(shí)施方式中的晶片的各芯片的放大俯視圖。
圖5是表示本發(fā)明一實(shí)施方式中檢查各芯片的電特性時(shí)的動(dòng)作流程 的流程圖。
圖6是表示本發(fā)明一實(shí)施方式中一芯片上的CCD照相機(jī)的拍攝軌 跡的圖。
圖7是示意地表示本發(fā)明一實(shí)施方式中提取差分圖像的情形的圖。
圖8是示意地表示本發(fā)明一實(shí)施方式中對(duì)位置偏移量進(jìn)行計(jì)算處理 的圖。
圖9是表示本發(fā)明一實(shí)施方式中最新針痕形成在芯片的多個(gè)焊盤上 的情形的圖。
圖10是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式中將一個(gè)焊盤分成多個(gè)區(qū)域并在 各區(qū)域的每一個(gè)中設(shè)定接觸的目標(biāo)位置時(shí)的接觸前圖像、接觸后圖像及 差分圖像的圖。
ii圖中符號(hào)說明
3…載物臺(tái)；4…電動(dòng)機(jī)；5…編碼器；6…CCD照相機(jī)；7…光源； 8…探測卡；8a…探針；9…測試器；10…圖像處理用PC; 14…鏡頭； 21…CPU; 23…RAM; 25…HDD; 30…半導(dǎo)體芯片(芯片(chip )、棵 片(die)); 40…電極焊盤(焊盤)；41…針痕；51…接觸前圖像；52… 接觸后圖像；53…差分圖像；100…探測檢查裝置。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖l是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的探測檢查裝置的構(gòu)成的圖。
如該圖所示，探測檢查裝置100具有保持例如硅制半導(dǎo)體晶片l(以 下，簡稱為晶片1)的晶片載置臺(tái)2、用于使該晶片載置臺(tái)2向該圖的 X、 Y、 Z及6方向移動(dòng)的載物臺(tái)3、從上方拍攝晶片1的CCD照相機(jī) 6、在用該CCD照相機(jī)6進(jìn)行攝影時(shí)對(duì)晶片l進(jìn)行照明的光源7、設(shè)置 有多個(gè)探針8a的探測卡8、控制上述各部件的動(dòng)作并進(jìn)行后述圖像處理 的圖寸象處理用PC ( Personal Computer ) 10。
晶片l借助未圖示的傳送臂等傳送到晶片載置臺(tái)2上，被例如未圖 示的真空泵等吸附裝置吸附并固定于晶片載置臺(tái)2上。此外，可以不使 晶片1直接吸附于晶片載置臺(tái)2,而是例如另外準(zhǔn)備可以保持晶片1的 托盤(圖中未示出)，在晶片l保持于該托盤的狀態(tài)下吸附并固定托盤。 由于存在當(dāng)晶片1上形成有孔等情況下難以使晶片直接真空吸附的情 況，所以使用上述托盤的吸附方法是有效的。
圖3是晶片1的俯視圖。如該圖所示，晶片l上形成有例如呈柵格 狀的88個(gè)半導(dǎo)體芯片(棵片)30 (以下，簡稱為芯片30)。當(dāng)然，芯片 30的數(shù)量不限于88個(gè)。
圖4是晶片1的各芯片30的放大俯視圖。如該圖所示，各芯片30 (30a 30e)中例如沿周緣部設(shè)置有凸塊狀的多個(gè)電極焊盤40 (以下， 簡稱為焊盤)。在本實(shí)施方式中，各焊盤40在芯片30的各邊上設(shè)置有 12個(gè)，合計(jì)48個(gè)，然而焊盤40的數(shù)量不限于此。此外，焊盤40的布局也不限于在各芯片30的周緣部進(jìn)行設(shè)置的形式，還可以遍及各芯片 30的整個(gè)表面進(jìn)行設(shè)置。各電極焊盤40用例如金、銀、銅、錫、鎳、 鋁等金屬制成，連接于形成在各芯片30內(nèi)部的集成電路。
上述探測卡8通過將與上述各芯片30的電極焊盤的數(shù)量及布局對(duì) 應(yīng)的多個(gè)探針8a固定在基板上而構(gòu)成。例如在本實(shí)施方式中，根據(jù)上 述各芯片30的布局，設(shè)置有48根探針8a。各探測卡8與測試器9連接， 使各探針8a與各焊盤40接觸，從測試器9通過上述各探針8a根據(jù)各 種條件對(duì)各焊盤40施加電壓，測量其輸出值，通過與規(guī)定的期望值進(jìn) 行比較等，可以檢查出各芯片30的電特性。
再次參照圖1, CCD照相機(jī)6固定于晶片l上方的規(guī)定位置，內(nèi)置 有鏡頭及快門(圖中未示出)等。CCD照相機(jī)6根據(jù)從圖像處理用PC10 輸出的觸發(fā)信號(hào)，在由光源7發(fā)出的閃光下，對(duì)被內(nèi)置的鏡頭放大后的 各芯片30上的各焊盤40的圖像(在各焊盤40上形成的針痕的圖像) 進(jìn)行拍攝，將拍攝圖像轉(zhuǎn)送到圖像處理用PCIO。具體地說，CCD照相 機(jī)6在對(duì)一個(gè)芯片30的電特性的檢查中，拍攝各探針8a接觸各焊盤40 之前的圖像(以下，稱為接觸前圖像)和接觸之后的圖像(以下，稱為 接觸后圖像)。此外，還可以使用內(nèi)置有CMOS傳感器等其他拍攝元件 的照相機(jī)代替CCD照相才/L 6。
光源7固定于晶片1上方的規(guī)定位置，具有由例如高亮度的白色 LED、氛燈等構(gòu)成的閃光燈以及控制該閃光燈的點(diǎn)燈的閃光燈點(diǎn)燈電路 等。光源7根據(jù)從圖像處理用PC10輸出的閃光信號(hào)，通過產(chǎn)生例如數(shù) ji秒左右的規(guī)定時(shí)間的、高亮度的閃光，對(duì)各芯片30的各焊盤40進(jìn)行 照明。
載物臺(tái)3具有用于使X載物臺(tái)ll及Y載物臺(tái)12沿著移動(dòng)軸13分 別(或一起)向X方向、Y方向、Z方向及6方向移動(dòng)的電動(dòng)機(jī)4、和 用于判斷所述X載物臺(tái)ll及Y載物臺(tái)12向各方向移動(dòng)的距離的編碼 器5。電動(dòng)機(jī)4是例如AC伺服電動(dòng)機(jī)、DC伺服電動(dòng)機(jī)、步進(jìn)電動(dòng)機(jī)、 線性電動(dòng)機(jī)等，編碼器5是例如各種電動(dòng)機(jī)編碼器及線性標(biāo)尺等。X載 物臺(tái)11及Y載物臺(tái)12向X、 Y、 Z及6方向每移動(dòng)了單位距離，編碼 器5就會(huì)生成作為其移動(dòng)信息(坐標(biāo)信息)的編碼器信號(hào)，并將該編碼 器信號(hào)輸入到圖像處理用PCIO。當(dāng)對(duì)各芯片30進(jìn)行電特性檢查時(shí)，首先，使載物臺(tái)3在XY平面上 移動(dòng)，使檢查對(duì)象的芯片30位于探測卡8的各探針8a的正下方，然后， 通過載物臺(tái)3向正上方(Z1方向)移動(dòng)，以使探針8a接觸到各焊盤40， 在這種狀態(tài)下從測試器9施加電壓。檢查結(jié)束時(shí)，再使載物臺(tái)3向正下 方(Z2)移動(dòng)，恢復(fù)至原來的狀態(tài)。將檢查對(duì)象的芯片30變更為其他 芯片30時(shí)，使載物臺(tái)3在XY平面上僅移動(dòng)與那些芯片之間的距離相 同的距離，重復(fù)同樣的動(dòng)作。
此外，用CCD照相機(jī)6拍攝各芯片30的各焊盤40時(shí)，使載物臺(tái)3 在XY平面上移動(dòng)，使CCD照相機(jī)6位于拍攝對(duì)象的焊盤40的正上方， 在從上述光源7發(fā)出的閃光下進(jìn)行拍攝。此夕卜，用探測卡8進(jìn)行檢查時(shí)， 為了避免晶片l與CCD照相機(jī)6因載物臺(tái)3上升而接觸，將CCD照相 機(jī)6退避到其他位置上，只在拍攝時(shí)如圖所示設(shè)置在晶片l的上方。
圖像處理用PC10從編碼器5輸入上述編碼信號(hào)，根據(jù)該編碼信號(hào) 對(duì)光源7輸出閃光信號(hào)，另一方面對(duì)CCD照相機(jī)6輸出觸發(fā)信號(hào)。此 外，圖像處理用PC10根據(jù)從編碼器5輸入的編碼器信號(hào)，在檢查各芯 片30時(shí)及拍才聶各焊盤40時(shí)，向電動(dòng)機(jī)4輸出控制電動(dòng)機(jī)4的驅(qū)動(dòng)的電 動(dòng)機(jī)控制信號(hào)。
圖2是表示該圖像處理用PC10的構(gòu)成的框圖。
如該圖所示，圖4象處理用PC10具有CUP( Central Processing Unit) 21、 ROM ( Read Only Memory ) 22、 RAM ( Random Access Memory) 23、輸入輸出接口 24、 HDD25、顯示部26及操作輸入部27，各部分用 內(nèi)部總線28相互電連接。
CUP21統(tǒng)一控制圖像處理用PC10的各部分，進(jìn)行后述的圖像處理 等的各種演算。ROM22是存儲(chǔ)起動(dòng)圖像處理用PC10時(shí)必需的程序和 其他不需要改寫的程序及數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。RAM23是作為 CPU21的工作區(qū)域使用、從HDD25、 ROM22讀取各種數(shù)據(jù)、程序并 臨時(shí)保存的揮發(fā)性存儲(chǔ)器。
輸入輸出接口 24是用于將操作輸入部27、上述電動(dòng)機(jī)4、編碼器5、 光源7以及CCD照相機(jī)6與內(nèi)部總線28連接、輸入來自操作輸入部
1427的操作輸入信號(hào)和與電動(dòng)機(jī)4、編碼器5、光源7、 CCD照相機(jī)6進(jìn) 行各種信號(hào)交換的接口。
HDD25將OS (Operating System,操作系統(tǒng))與進(jìn)行后述的拍攝 處理及圖像處理的各種程序、其他各種應(yīng)用程序、用上述CCD照相機(jī) 6拍攝的各焊盤40的圖像及顯示各探針8a在各焊盤40上接觸的目標(biāo)位 置的數(shù)據(jù)、其他各種數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)到內(nèi)置的硬盤。此外，用于進(jìn)行上述拍 攝處理及圖像處理的各種程序可以從記錄了這些程序的例如CD 、 DVD 、 BD、閃存存儲(chǔ)器等記錄介質(zhì)安裝。
顯示部26例如由LCD( Liquid Crystal Display )、CRT( Cathode Ray Tube)等構(gòu)成，表示用上述CCD照相機(jī)6拍攝的圖像及圖像處理用的 各種操作畫面等。操作輸入部27例如由鍵盤、鼠標(biāo)等構(gòu)成，在后述圖 像處理等中輸入來自客戶的操作。
下面，對(duì)本實(shí)施方式中的探測檢查裝置100的動(dòng)作進(jìn)行說明。上述 探測檢查裝置100在檢查各芯片30的電特性時(shí)，當(dāng)與各焊盤40相對(duì)的 各探針8a的接觸位置與事先設(shè)定的目標(biāo)位置有偏移時(shí)，可以修正上述 位置偏移。以下，以與上述位置偏移的修正相關(guān)的動(dòng)作為中心進(jìn)行說明。
圖5是檢查各芯片30的電特性時(shí)的動(dòng)作流程的流程圖。在本實(shí)施 方式中，依次對(duì)上述圖3中示出的88個(gè)芯片30逐個(gè)進(jìn)行檢查。例如， 在由圖3示出的各芯片30中，從最上面一行(Y坐標(biāo)最大)的左端的 芯片30開始，依次地例如逐行地進(jìn)行檢查。此外，即使在將各芯片30 全部檢查完畢的情況下，有時(shí)也會(huì)改變電氣條件，對(duì)同一芯片30進(jìn)行 多次檢查。因此，還存在當(dāng)檢查各芯片30時(shí)，各芯片30的各焊盤40 已經(jīng)有由探針8a形成的針痕的情況。在該圖中，以將各芯片30中的一 芯片30 (例如圖4的芯片30a)作為檢查對(duì)象進(jìn)行檢查的情況并且在該 檢查前已對(duì)另一芯片30 (例如圖4的芯片30e)進(jìn)行了同樣的檢查為前 提，進(jìn)行說明。
如該圖所示，首先，探測檢查裝置IOO根據(jù)本次檢查之前一次的成 為檢查對(duì)象的另一芯片30的檢查中計(jì)算出的修正量，修正探針8a的接 觸位置的位置偏移(步驟101)。后面會(huì)對(duì)該動(dòng)作進(jìn)行詳細(xì)描述。接著，探測檢查裝置100的圖像處理用PC10的CPU21判斷在與本 次檢查對(duì)象的芯片30相同的芯片30中，前一次檢查時(shí)的接觸后圖像是 否存儲(chǔ)在HDD25中(步驟102)。當(dāng)存儲(chǔ)了前一次的接觸后的圖像(步 驟102之"是")時(shí)，為了將該接觸后圖像作為本次檢查中的接觸前圖 像使用，將該接觸后圖像從HDD25讀取出來(步驟103 )。
當(dāng)未存儲(chǔ)前一次的接觸后的圖像(即，對(duì)該一個(gè)芯片30的各焊盤 40初次進(jìn)行接觸時(shí))時(shí)，CPU21使晶片1的檢查對(duì)象的芯片30移動(dòng)到 CCD照相機(jī)6的下方，令CCD照相機(jī)6拍攝各焊盤40的接觸前圖像 (步驟104 )。
圖6是表示一個(gè)芯片30上的CCD照相機(jī)6的拍攝軌跡的圖。如該 圖所示，CPU21對(duì)電動(dòng)機(jī)4輸出電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，使CCD照相機(jī)6以 芯片30的各焊盤40中例如左邊最上部的焊盤40為起點(diǎn)，在芯片30上 方按照逆時(shí)針方向的拍攝軌跡移動(dòng)拍攝位置，連續(xù)拍攝全部焊盤40的 接觸前圖像。此外，由于拍攝時(shí)CCD照相機(jī)6的位置本身是固定的， 所以這種情況下載物臺(tái)3就朝與該圖所示的軌跡相反的方向(順時(shí)針方 向)移動(dòng)。CCD照相機(jī)6才艮據(jù)配合上述移動(dòng)而從CPU21輸出的觸發(fā)信 號(hào)，在從光源7發(fā)出的閃光下，連續(xù)地閃光拍攝各焊盤40。所拍攝的各 接觸前圖4象保存在例如RAM23的緩存區(qū)域。
接著，CPU21使CCD照相機(jī)6從檢查對(duì)象芯片30的上方退避開， 向電動(dòng)機(jī)4發(fā)出將載物臺(tái)3向Zl方向移動(dòng)的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，使探測 卡8的各探針8a接觸檢查對(duì)象的芯片30的各焊盤40 (步驟105)。然 后，在該狀態(tài)下，從測試器9通過探針8a對(duì)各焊盤40施加電壓，測量 來自各焊盤40的輸出值。
一旦接觸及測試完畢，CPU21就令檢查對(duì)象的芯片30再次移動(dòng)到 CCD照相機(jī)6的下方，拍攝各焊盤40的接觸后圖像(步驟106)。即， 與上述接觸前圖像的拍攝一樣，CPU21將電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出到電動(dòng) 機(jī)4，使CCD照相機(jī)6—邊如上圖6所示進(jìn)行移動(dòng)， 一邊連續(xù)地拍攝 各探針8a的接觸后的各焊盤40，與此同時(shí)，CPU21將觸發(fā)信號(hào)輸出到 CCD照相機(jī)6。所拍攝的各焊盤40的各接觸后圖像保存在RAM23的 緩存區(qū)域等。然后，CPU21提取各焊盤40的接觸前圖像與接觸后圖像的差分作 為差分圖像(步驟107)。圖7是示意地表示在各焊盤40中的一個(gè)焊盤 40上提取上述差分圖像的情形的圖。
如該圖所示，接觸前圖像51中出現(xiàn)了在焊盤40上形成一個(gè)針痕4a 的情形。上述針痕41a是由針對(duì)該檢查對(duì)象芯片30的前一次檢查中的 接觸產(chǎn)生的針痕。此外，在接觸后圖像52中出現(xiàn)在電極焊盤40上除上 述針痕41a以外還有一個(gè)針痕41b的情形。上述針痕41b是由在本次檢 查中由于接觸(上述步驟105)產(chǎn)生的針痕。
CPU21通過進(jìn)行從該接觸后圖像52取出接觸前圖像51的差分的圖 像處理，提取出差分圖像53。上述差分圖像53中僅出現(xiàn)接觸后圖像52 中的針痕41b。即，通過上述差分圖像53的提取處理，即使在多次接 觸芯片30的情況下，也可以只提取最新的針痕，從而可以在本次檢查 中確定作為位置偏移的修正對(duì)象的針痕。上述差分圖像53的提取處理 是就本次檢查對(duì)象的芯片30上的所有焊盤40進(jìn)行的。
然后，CPU21就本次檢查對(duì)象的芯片30上的所有焊盤40，識(shí)別出 在上述提取出的差分圖像53中出現(xiàn)的針痕41b，計(jì)算出上述針痕41b 與事先設(shè)定的針痕的目標(biāo)位置的位置偏移量(步驟108 )。上述位置偏移 起因于例如由各探針8a的接觸數(shù)的增加而造成的隨時(shí)間老化等。另夕卜， 探測檢查裝置100還會(huì)有例如從測試器9通過探針8a對(duì)焊盤40加熱并 進(jìn)行檢查(所謂的熱應(yīng)力檢查)的情況，因?yàn)橛缮鲜黾訜嵩斐傻奶结?a 的變異等，也會(huì)產(chǎn)生位置偏移。
圖8是示意地表示對(duì)各焊盤40中的一個(gè)焊盤40進(jìn)行計(jì)算上述位置 偏移量的處理的圖。在本實(shí)施方式的探測檢查裝置100中，將例如焊盤 40的中心設(shè)定為接觸的目標(biāo)位置，將上述目標(biāo)位置數(shù)據(jù)(坐標(biāo)數(shù)據(jù))存 儲(chǔ)到HDD25等中。另一方面，如該圖所示，在差分圖像53中，本次檢 查中的針痕41b以焊盤40的中心為原點(diǎn)時(shí)，則會(huì)在X坐標(biāo)中出現(xiàn)在向 +方向偏移的位置，在Y坐標(biāo)軸中出現(xiàn)在向-方向偏移的位置。因此，在 針痕41b與目標(biāo)位置之間存在著相當(dāng)于該圖中的矢量a的位置偏移量。 CPU21利用例如二值化處理等圖像處理，從差分圖像53中識(shí)別出針痕 41b,通過對(duì)上述目標(biāo)位置數(shù)據(jù)與針痕41b的中心坐標(biāo)進(jìn)行比較而計(jì)算 出上述位置偏移量。CPU21對(duì)本次檢查對(duì)象的芯片30的所有焊盤40
17進(jìn)行上述處理。
然后,CPU21根據(jù)上述計(jì)算出的各焊盤40的各位置偏移量，計(jì)算 出探測卡8整體的修正量(步驟109 )。圖9是表示最新針痕41b形成 在芯片30的多個(gè)焊盤40上的情形的圖。此外，在該圖中，為了便于進(jìn) 行說明，未表示出前一次檢查中的針痕41a。如該圖所示，各焊盤40 中的各針痕41b的位置偏移量有時(shí)會(huì)在每個(gè)焊盤40中各不相同。這種 情況有的是由探測卡8的設(shè)計(jì)上的誤差而產(chǎn)生的，有的是因每個(gè)探針8a 的隨時(shí)間老化等的進(jìn)程不同而產(chǎn)生的。CPU21計(jì)算出探測卡8整體的移 動(dòng)量的修正量，使得在上述焊盤40的每一個(gè)中各不相同的位置偏移量 分別最趨近于0，即各針痕41b的坐標(biāo)與各目標(biāo)位置的坐標(biāo)極力近似。 上述計(jì)算是通過使用例如最小二乘法等公知的方法進(jìn)行的。上述修正量 的計(jì)算不僅考慮了探測卡8向XY方向的移動(dòng)，還考慮了向6方向的移 動(dòng)。計(jì)算出的修正量數(shù)據(jù)保存到HDD25。
接著，CPU21從RAM23的緩存區(qū)域刪除上述接觸前圖像51的數(shù) 據(jù)(步驟IIO)。因?yàn)榻佑|前圖像51僅在提取上述差分圖像53時(shí)需要， 所以提取差分圖像53后刪除上述接觸前圖像51，可以減少RAM23的 使用容量。當(dāng)然，上述刪除處理可以在上述各位置偏移量及修正量的計(jì) 算處理之前進(jìn)行。
然后，CPU21將上述各接觸后圖像52的數(shù)據(jù)從RAM23的緩存區(qū) 域?qū)懭氲紿DD25 (步驟111)。這時(shí)，CPU21將上述各接觸后圖4象52 與識(shí)別本次檢查對(duì)象的芯片30的芯片ID及識(shí)別上述芯片30的各焊盤 40的焊盤ID對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)到HDD25中。由此，當(dāng)作為本次檢查對(duì)象的 芯片30在之后再次成為檢查對(duì)象時(shí)，參照上述芯片ID及焊盤ID讀取 存儲(chǔ)于HDD25的接觸后圖像52，可以作為其再次檢查中的接觸前圖像 51利用。因此，不需要上述步驟106中的接觸前圖像的拍攝處理，大幅 減輕與拍攝處理相關(guān)的處理負(fù)擔(dān)，從而可以減少RAM23、 HDD25等的 存儲(chǔ)容量。
此外，各接觸后圖像例如以單色的BMP (BitMaP)的數(shù)據(jù)格式保 存。通過做成非彩色的、單色的圖像，盡量抑制HDD25的使用容量， 同時(shí)又通過做成非壓縮格式，縮短寫入HDD25的時(shí)間。當(dāng)然，也可以 是彩色圖像，可以是JPEG (Joint Photographic Experts Group )、 GIF(Graphic Interchange Format)等壓縮格式的圖像。
并且，在本次檢查對(duì)象的芯片30 (例如圖4的芯片30a)的檢查結(jié) 束，移動(dòng)載物臺(tái)3，以使探測卡8能夠?qū)Τ蔀橄乱粋€(gè)檢查對(duì)象的另一芯 片30 (例如圖4的芯片30b)進(jìn)行檢查時(shí)，作為該檢查的前處理，與上 述步驟101的處理一樣，CPU21根據(jù)在上述步驟109中計(jì)算出的修正量 使載物臺(tái)3移動(dòng)，修正位置偏移(步驟112 )。這種情況下，以焊盤40 為單位進(jìn)行觀察，則例如位于圖4所示的本次檢查對(duì)象的芯片30上的 規(guī)定位置(例如左列從上數(shù)第3個(gè)位置)的焊盤40a的位置偏移量，在 位于下一個(gè)檢查對(duì)象的芯片30b上的、與焊盤40a同一位置的焊盤40b 中被修正。此外，所說的作為下一個(gè)檢查對(duì)象的另一芯片30通常是指 與作為本次檢查對(duì)象的芯片30鄰接的芯片，然而，也可以不是鄰接的 芯片。
CPU21對(duì)成為檢查對(duì)象的所有芯片30反復(fù)進(jìn)行上述處理。由此， 可以使在作為前一個(gè)檢查對(duì)象的芯片30的檢查中計(jì)算出的修正量在下 一個(gè)芯片30的檢查中通過反饋控制的形式反映出來。此外，在對(duì)一晶 片1的所有芯片30的檢查結(jié)束時(shí)，CPU21還可以對(duì)成為下一個(gè)檢查對(duì) 象的不同的晶片1的各芯片30進(jìn)行同樣的處理。
如上所述，在本實(shí)施方式中，即使在對(duì)各芯片30的各焊盤40進(jìn)行 多次探測檢查、形成有多個(gè)針痕的情況下，通過根據(jù)上述接觸前圖像51 及接觸后圖像52提取出差分圖像53、對(duì)每個(gè)焊盤40逐個(gè)計(jì)算上述差分 圖像53中的最新針痕41b的位置與目標(biāo)位置的位置偏移量，根據(jù)上述 各位置偏移量計(jì)算出作為探測卡8整體的修正量，將上述修正量反映在 下一個(gè)檢查對(duì)象的芯片30的檢查中，可以使探針8a的接觸位置總是保 持在目標(biāo)位置上。
本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明要點(diǎn)的范圍內(nèi)，當(dāng) 然可以進(jìn)行各種變更。
在上述實(shí)施方式中，是以焊盤40的中心位置作為探針8a的目標(biāo)位 置的，然而，并不限于上述位置。例如，有時(shí)也會(huì)將一個(gè)焊盤40劃分 成多個(gè)區(qū)域，在不同電氣條件下的檢查中分別用于多次接觸。圖10是 表示上述情況的檢查中的接觸前圖像51、接觸后圖像52及差分圖像53的圖。
如該圖(a)所示，在接觸前圖像51中，在焊盤40的被分成4份 的區(qū)域80a 80d中，在區(qū)域80a上有針痕41a。這是在對(duì)上述芯片30 進(jìn)行前一次檢查時(shí)產(chǎn)生的針痕。在上述前一次的檢查時(shí)，區(qū)域80a的中 心位置被作為目標(biāo)位置。
如該圖(b)所示，在接觸后圖像52中，在區(qū)域80b與區(qū)域80c的 邊界附近有針痕41b。但是，在上述檢查中，由于區(qū)域80b的中心位置 為目標(biāo)位置，所以在上述目標(biāo)位置與針痕41b之間產(chǎn)生位置偏移。
為此，如該圖(c)所示，在作為上述芯片30的下一個(gè)檢查對(duì)象的 另一芯片30的各焊盤40中，CPU21算出使針痕41b成為區(qū)域80b的 中心位置的位置偏移量，根據(jù)各焊盤40的位置偏移量計(jì)算出修正量。
在上述的實(shí)施方式中，探測卡8具有探針8a，該探針8a與一個(gè)芯 片的各焊盤40的接觸對(duì)應(yīng)，但是，在利用具有能與多個(gè)芯片30的各焊 盤40 —并接觸所對(duì)應(yīng)的探針8a的探測卡8進(jìn)行檢查的情況下，也可以 應(yīng)用本發(fā)明。這種情況下，CCD照相機(jī)6連續(xù)拍攝各芯片30中每個(gè)芯 片的各焊盤40, CPU21計(jì)算出各芯片30中每個(gè)芯片的各焊盤40中的 位置偏移量，并計(jì)算出能夠使得多個(gè)芯片30的各焊盤40的各位置偏移 量最趨近于0的作為探測卡8整體的修正量。
在上述的實(shí)施方式中，是將接觸后圖像52保存到HDD25中，然而， 在RAM23的容量充足的情況下，也可以不將接觸后圖像52保存到 HDD25而存儲(chǔ)到RAM23。由此，可以縮短接觸后圖像52的寫入時(shí)間 及讀取時(shí)間，提高處理效率。
在上述的實(shí)施方式中，是將芯片ID及焊盤ID保存到圖像處理用 PC10的HDD25中的，然而，也可以另外準(zhǔn)備將上述芯片ID及焊盤ID 與識(shí)別各晶片1的晶片ID—起管理的ID管理用服務(wù)器。
在上述的實(shí)施方式中，準(zhǔn)備了檢查對(duì)象的芯片30的所有焊盤40的 接觸前后圖像，根據(jù)在所有焊盤40上的位置偏移量計(jì)算出修正量，然 而，也可以不是對(duì)所有焊盤40,而只對(duì)任意數(shù)量(例如4個(gè))個(gè)的焊盤 40拍攝接觸前后圖像，并根據(jù)在該任意數(shù)量個(gè)的焊盤40上的位置偏移
20量計(jì)算出修正量。由此，可以減輕與拍攝處理、差分圖像提取處理及修 正量計(jì)算處理等相關(guān)的處理負(fù)荷，縮短處理時(shí)間。此外，也可設(shè)置成能
夠使得客戶通過上述操作輸入部27等任意地設(shè)定作為修正量計(jì)算處理 對(duì)象的焊盤40的數(shù)量。然而，優(yōu)選將所有焊盤40作為處理對(duì)象以提高 位置偏移量的修正精度。此外，即使這樣處理，通過用上述CCD照相 機(jī)6連續(xù)地高速掃描拍攝各焊盤40,也能夠縮短處理時(shí)間。
在上述的實(shí)施方式中，通過拍攝在探針8a接觸各芯片30的各焊盤 40的情況下的接觸前后的圖像，由兩圖像提取出差分圖像來檢查出最新 的針痕，然而，也可以例如用另外設(shè)置的照相機(jī)來拍攝探針8a接觸瞬 間的各焊盤40的情形。由此，即使在此之前，焊盤40上已有針痕，只 要有其拍攝圖像，也可以確定最新的接觸位置、算出位置偏移量，這樣， 就減輕了接觸前后拍攝2次的工夫和負(fù)擔(dān)。
權(quán)利要求
1.一種探測檢查裝置，其使探針接觸到被檢查體的電極焊盤來檢查上述被檢查體的電特性，其特征在于，具有拍攝單元，其分別拍攝上述探針與上述被檢查體接觸前的上述電極焊盤和上述探針接觸后的上述電極焊盤；存儲(chǔ)單元，其將上述拍攝的接觸前的上述電極焊盤的圖像作為第1圖像存儲(chǔ)，將上述拍攝的接觸后的上述電極焊盤的圖像作為第2圖像存儲(chǔ)；差分提取單元，其將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2圖像的差分作為差分圖像提取出來；計(jì)算單元，其計(jì)算用于對(duì)在上述所提取出的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕位置、與使上述探針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn)行修正的修正量；及修正單元，其根據(jù)上述計(jì)算出的修正量改變上述被檢查體與上述探針的相對(duì)位置來修正上述位置偏移。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測檢查裝置，其特征在于，還具有限 制單元，該限制單元在通過上述探針多次接觸上述電極焊盤來進(jìn)行上述 電特性的檢查時(shí)，在一次檢查后的下一次檢查中對(duì)由上述拍攝單元所進(jìn) 行的上述第1圖像的拍攝進(jìn)行限制，上述存儲(chǔ)單元將在上述一次檢查中作為上述第2圖像存儲(chǔ)的圖像作 為在上述下一次檢查中的上述第1圖像進(jìn)行存儲(chǔ)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的探測檢查裝置，其特征在于，上述存儲(chǔ) 單元具有在上述差分提取后刪除上述第1圖像的單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的探測檢查裝置，其特征在于，上述被檢 查體為具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置有多個(gè)上 述電極焊盤，上述探針存在多個(gè)，可以一并接觸上述各半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)半導(dǎo) 體芯片的上述各電極焊盤，上述拍攝單元可以分別連續(xù)拍攝上述一個(gè)半導(dǎo)體芯片的上述各電極焊盤的上述第1及第2圖像，上述存儲(chǔ)單元，將上述各電極焊盤的上述第2圖像與識(shí)別上述一個(gè) 半導(dǎo)體芯片的第l識(shí)別信息及識(shí)別該一個(gè)半導(dǎo)體芯片的上述各電極焊盤 的第2識(shí)別信息對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)，上述計(jì)算單元計(jì)算出用于對(duì)上述各探針的針痕位置、與上述各電極 焊盤上的各目標(biāo)位置之間的各位置偏移進(jìn)行一并修正的修正量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測檢查裝置，其特征在于，上述被檢 查體為具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體芯片^:置有多個(gè)上述電極焊盤，上述探針，相對(duì)于上述各半導(dǎo)體芯片中的至少2個(gè)半導(dǎo)體芯片分別 存在多個(gè)，以使上述探針一并可以接觸上述各半導(dǎo)體芯片中至少2個(gè)半 導(dǎo)體芯片各自的上述各電極焊盤，上述拍攝單元對(duì)上述至少2個(gè)半導(dǎo)體芯片各自的上述各電極焊盤可 以分別連續(xù)拍攝上述第1及笫2圖像，上述存儲(chǔ)單元將上述各電極焊盤的上述第2圖像與分別識(shí)別上述至 少2個(gè)半導(dǎo)體芯片的笫1識(shí)別信息及分別識(shí)別該至少2個(gè)半導(dǎo)體芯片的 上述各電極焊盤的第2識(shí)別信息對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)，針的針痕位置與上述各電極焊盤上的各目標(biāo)位置之間的各位置偏移進(jìn) 行一并修正的修正量。
6. —種探測檢查裝置中的位置偏移修正方法，該探測檢查裝置使 探針接觸被檢查體的電極焊盤來檢查上述被檢查體的電特性，該位置偏 移修正方法特征在于，包括分別對(duì)上述探針與上述被檢查體接觸前的上述電極焊盤和上述探 針接觸后的上述電極焊盤進(jìn)行拍攝的步驟；將上述拍攝的接觸前的上述電極焊盤的圖像作為第1圖像存儲(chǔ)，將 上述拍攝的接觸后的上述電極焊盤的圖像作為第2圖像存儲(chǔ)的步驟，將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2圖像的差分作為差分圖像提取出 來的步驟，計(jì)算出用于對(duì)在上述提取的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕位 置與使上述探針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn) 行修正的修正量的步驟，根據(jù)上述計(jì)算出的修正量改變上述被檢查體與上述探針的相對(duì)位 置，修正上述位置偏移的步驟。
7. —種信息處理裝置，其用于探測檢查裝置，該探測檢查裝置使 探針接觸被檢查體的電極焊盤來檢查上述被檢查體的電特性，該信息處 理裝置特征在于，具有存儲(chǔ)單元，其對(duì)所拍攝的上述探針與上述被檢查體接觸前的上述電 極焊盤的第1圖像、和上述探針接觸后的上述電極焊盤的第2圖像分別 進(jìn)行存儲(chǔ)；差分提取單元，其將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2圖像的差分作 為差分圖像提取出來；及計(jì)算單元，其計(jì)算出用于對(duì)在上述所提取的差分圖像中出現(xiàn)的上述 探針的針痕位置、與使上述探針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置 的位置偏移進(jìn)行修正的修正量。
8. —種信息處理裝置中的信息處理方法，其用于探測檢查裝置， 該探測檢查裝置使探針接觸被檢查體的電極焊盤來檢查上述被檢查體 的電特性，該信息處理裝置中的信息處理方法特征在于，具有對(duì)所拍攝的上述探針與上述被檢查體接觸前的上述電極焊盤的第1 圖像、和上述探針接觸后的上述電極焊盤的第2圖像分別進(jìn)行存儲(chǔ)的步 級(jí).將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2圖像的差分作為差分圖像提取出來的步驟；計(jì)算出用于對(duì)在上述所提取的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕 位置、與使上述探針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移進(jìn)行修正的修正量的步驟。
9. 一種程序，用于使信息處理裝置執(zhí)行以下步驟，所述信息處理 裝置使用于使探針接觸被檢查體的電極焊盤來檢查上述被檢查體的電 特性的探測檢查裝置中對(duì)所拍攝的上述探針與上述被檢查體接觸前的上述電極焊盤的第1 圖像、和上述探針接觸后的上述電極焊盤的第2圖像分別進(jìn)行存儲(chǔ)的步 驟；將上述存儲(chǔ)的第1圖像和上述第2圖像的差分作為差分圖像提取出 來的步驟；計(jì)算出用于對(duì)在上述所提取的差分圖像中出現(xiàn)的上述探針的針痕 位置、與使上述探針在上述電極焊盤上應(yīng)當(dāng)接觸的目標(biāo)位置的位置偏移 進(jìn)行修正的修正量的步驟。
全文摘要
即使是探針與電極焊盤多次接觸的情況下，通過適當(dāng)?shù)匦拚结樈佑|位置的位置偏移，就能夠使得探針總是保持最合適的接觸位置。在探測檢查裝置(100)中，用CCD照相機(jī)(6)拍攝探針(8a)與芯片(30)的各焊盤(40)接觸前圖像(51)和接觸后圖像(52)，用圖像處理用PC(10)提取兩圖像的差分圖像(53)，算出每個(gè)焊盤(30)的該差分圖像(53)中的最新的針痕(41b)的位置與目標(biāo)位置的位置偏移量，根據(jù)該各位置偏移量算出探測卡(8)整體的修正量，使該修正量反映在下一檢查對(duì)象芯片(30)的各焊盤(40)的檢查中，來修正位置偏移。
文檔編號(hào)G01R31/28GK101568844SQ20078004800
公開日2009年10月28日 申請日期2007年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月26日
發(fā)明者河原木浩 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社