專利名稱：熱擴散壓阻式mems壓力傳感器芯片級老化方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種熱擴散壓阻式MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，微電子機械系統(tǒng))壓力傳感器芯片級老化方法。
背景技術：
目前國際上對芯片的老化已經越來越重視，出現了一些專業(yè)芯片級老化方法。近十年來，特別是美國、臺灣等國家和地區(qū)傳感器技術相對成熟，芯片級老化方法發(fā)展也相當迅猛。與國外利用九十年代先進技術開發(fā)的產品相比，近些年國內擴散硅傳感器管芯一直未能有效地解決可靠性等技術問題。目前國內絕大多數傳感器生產廠商都采取在管芯壓焊封裝后進行老化篩選以剔除早期失效器件的方法來提高器件的可靠性。該方法固然能起到提高器件可靠性的目的，但效率低下且成本較高，不利于傳感器的大規(guī)模生產。

發(fā)明內容
針對上述現有熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法所存在的問題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種成本較低、簡便、高效、可靠性高的熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法。
本發(fā)明是這樣實現的一種熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法，包括以下步驟1)光刻淀積了金屬的硅片，形成管芯電極及老化所需引線；2)為老化引線接電極，并將所述硅片整體放入老化設備中進行老化；3)老化完成后將所述老化引線刻蝕掉。
優(yōu)選地，該方法的步驟3)之后還包括終測篩選出合格管芯，剔除不合格管芯。
優(yōu)選地，所述硅片上管芯的老化引線是互相連接的，管芯通過該互相連接的老化引線整體連接于老化電極中。
優(yōu)選地，所述管芯連接于老化電極中具體為并聯連接方式。
本發(fā)明利用管芯在硅片上有規(guī)律分布的特點，通過巧妙的引線設計在硅片上一次完成所有管芯的互連，在老化時大圓片上所有的管芯都得到電老化，使早期失效管芯在終測時一并被剔除，從而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相對于現在管芯在壓焊封裝后再進行老化篩選，簡化了老化方法，減少了所需使用的老化設備，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生產成本。


下面結合附圖對本發(fā)明進一步詳細地說明圖1是本發(fā)明電極形成前管芯分布示意圖；圖2是本發(fā)明電極形成后帶互連引線的管芯分布示意圖；圖3是本發(fā)明老化后去掉互連引線后帶電極的管芯分布示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明主要針對的是利用了“損耗金屬”進行擴散硅壓阻壓力傳感器大圓片級老化方法。主要包括以下步驟1、準備好淀積了金屬厚度為1um的大圓硅片1，如圖1所示。
2、光刻大圓硅片形成管芯電極4、大圓片級老化所需的引線3，該引線與管芯2連接，使各管芯串聯，互連引線3和各管芯2連接良好；如圖2所示。互連引線3線寬設計為15um。這里，管芯電極4和互連引線通過光刻同時形成，各管芯正負電極分別通過如圖所示的兩組互連引線3連接起來后最終會聚到焊盤上，然后通過焊盤外接老化電源。
3、將上述刻蝕過的大圓片1放入85攝氏度恒溫條件同時通入氮氣的老化箱中，根據所需的老化條件供給大圓片10V的穩(wěn)定電壓對大圓片進行老化，老化時間為96小時。這里，氮氣也可以氬氣、氖氣等惰性氣體替代。
4、老化完成之后通過光刻將金屬互連引線刻蝕掉而只留下管芯電極；如圖3所示。
5、終測篩選出合格管芯，剔除包括早期失效在內的不合格管芯。
權利要求
1.一種熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法，其特征在于，該方法包括以下步驟1)光刻淀積了金屬的硅片，形成管芯電極及老化所需引線；2)為老化引線接電極，并將所述硅片整體放入老化設備中進行老化；3)老化完成后將所述老化引線刻蝕掉。
2.如權利要求1所述的熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法，其特征在于，該方法的步驟3)之后還包括終測篩選出合格管芯，剔除不合格管芯。
3.如權利要求1所述的熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法，其特征在于，所述硅片上管芯的老化引線是互相連接的，管芯通過該互相連接的老化引線整體連接于老化電極中。
4.如權利要求3所述的熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法，其特征在于，所述管芯連接于老化電極中具體為并聯連接方式。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法，包括以下步驟1)光刻淀積了金屬的硅片，形成管芯電極及老化所需引線；2)為老化引線接電極，并將所述硅片整體放入老化設備中進行老化；3)老化完成后將所述老化引線刻蝕掉。本發(fā)明利用管芯在硅片上有規(guī)律分布的特點，通過巧妙的引線設計在硅片上一次完成所有管芯的互連，在老化時大圓片上所有的管芯都得到電老化，使早期失效管芯在終測時一并被剔除，從而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相對于現在管芯在壓焊封裝后再進行老化篩選，簡化了老化方法，減少了所需使用的老化設備，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生產成本。
文檔編號G01L1/18GK1657892SQ20051001146
公開日2005年8月24日 申請日期2005年3月23日 優(yōu)先權日2005年3月23日
發(fā)明者張威, 吳健昌, 張大成 申請人:北京青鳥元芯微系統(tǒng)科技有限責任公司