專利名稱：附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種作為磁性傳感器而使用在電磁線圈上的磁鐵·阻抗·傳感器元件(以下稱為MI元件)，以及對它進行小型化、高靈敏度化，還有其在汽車領(lǐng)域被廣泛利用的可能性。
背景技術(shù)：
圖3顯示了原有MI元件(特開2000-81471號、2001-296127號)的構(gòu)造。
MI元件，其中心部將非結(jié)晶合金磁性線來組成的感應(yīng)磁體固定在電極板上，此電極板的周圍纏繞著電磁線圈。電磁線圈的直徑范圍為1mm至5mm。而MI元件的大小一般為，寬3mm、高2mm、長4mm等。
上述原有的MI元件，作為磁性傳感器使用時，能達到一定程度的高靈敏度、小型化、低耗電，但是，作為高性能磁性傳感器的小型化來說還存在不太充分的問題。
現(xiàn)在，在本領(lǐng)域中使用這種MI元件的高性能磁性傳感器(以下稱為MI元件)時要求更加小型化。而原有的MI元件，因為電磁線圈是從外側(cè)繞電極板的構(gòu)造，造成尺寸較大。為此，需要更進一步對MI元件進行小型化。
發(fā)明啟示本發(fā)明者，針對MI元件的小型化進行了深入的研討，將本發(fā)明的技術(shù)著眼點定在將電磁線圈配置在沿某方向進行延伸的由延伸溝所形成的電極配線板內(nèi)。既在該電極配線基板內(nèi)的上述延伸溝內(nèi)配置線圈的下半部分，將其上端接點與該線圈的上半部的相應(yīng)點相接形成呈螺旋狀的電磁線圈，當對上述電極配線板中的上述延伸溝內(nèi)插置的絕緣體內(nèi)的感應(yīng)磁體施加高頻或脈沖電流時，上述電磁線圈上就產(chǎn)生出相應(yīng)于外部施加磁場強度的電壓。
本發(fā)明就是根據(jù)以上技術(shù)著眼點，進行更進一步的研究開發(fā)后得到的。
同樣也達到了小型，薄型化、小容積化、低消費電力化、高靈敏度化以及廣泛應(yīng)用化的各項發(fā)明目的。
本發(fā)明所述(權(quán)利要求1上所述的第1發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為由沿某方向進行延伸的延伸溝所形成的電極配線基板和，在該電極配線基板內(nèi)的上述延伸溝內(nèi)配置線圈的下半部分，將其上端接點與該線圈的上半部的相應(yīng)點相接形成呈螺旋狀的電磁線圈和上述電極配線基板的延伸溝內(nèi)插置的絕緣體和，該絕緣體內(nèi)插設(shè)的，能通高頻或脈沖電流的感應(yīng)磁體來構(gòu)成的，當施加高頻或脈沖電流時，上述電磁線圈輸出相對應(yīng)外部施加磁場強度的電壓。
本發(fā)明(權(quán)利要求2上所述的第2發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第1發(fā)明中的，上述感應(yīng)磁體，是由非結(jié)晶合金的導電性的磁性線來組成。
本發(fā)明(權(quán)利要求3上所述的第3發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第2發(fā)明中的，上述電磁線圈，其繞線內(nèi)徑為200μm以下。
本發(fā)明(權(quán)利要求4上所述的第4發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第3發(fā)明中的，上述電磁線圈，其相對于一圈的繞線間隔為100μm/圈以下。
本發(fā)明(權(quán)利要求5上所述的第5發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第2發(fā)明中的，上述感應(yīng)磁體，長度設(shè)定在3mm以下。
本發(fā)明(權(quán)利要求6上所述的第6發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第2發(fā)明中的，上述感應(yīng)磁體，相對于磁線直徑的長度比之高寬比設(shè)定為10至100。
本發(fā)明(權(quán)利要求7上所述的第7發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第6發(fā)明中的，上述電磁線圈的繞線內(nèi)徑，相對于上述感應(yīng)磁體的磁線直徑的比設(shè)定為1.005至10倍。
本發(fā)明(權(quán)利要求8上所述的第8發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第2發(fā)明中的，上述電磁線圈，其繞線內(nèi)徑為100μm以下。
本發(fā)明(權(quán)利要求9上所述的第9發(fā)明)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為上述第3發(fā)明中的，上述電磁線圈，相對于一圈的繞線間隔為50μm/圈以下。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第1發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，由于當對插介在上述電極配線基板的上述延伸溝內(nèi)插置的絕緣體內(nèi)的感應(yīng)磁體，施加高頻或脈沖電流時，將對上述電極配線及板內(nèi)形成的延伸溝內(nèi)的為螺旋狀的線圈和與該線圈的各上端向接續(xù)的另一線圈來構(gòu)成的電磁線圈上所產(chǎn)生并輸出對應(yīng)于外部施加磁場強度的電壓，所以才可以取得小型薄型化、低消費電力的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第2發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，由于上述第1發(fā)明中的感應(yīng)磁體，是由非結(jié)晶合金的導電性的磁性線來組成，所以才能實現(xiàn)高靈敏度的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第3發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為上述第2發(fā)明中的上述電磁線圈，其繞線內(nèi)徑為200μm以下，所以能達到實現(xiàn)小型薄型化的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第4發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因上述第3發(fā)明中的電磁線圈，其相對于一圈的繞線間隔為100μm/圈以下，實現(xiàn)了高密度的上述電磁線圈，所以才能實現(xiàn)高靈敏度的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第5發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為上述第2發(fā)明中的感應(yīng)磁體，長度設(shè)定在3mm以下，所以能實現(xiàn)小型化的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第6發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為上述第2發(fā)明中的上述感應(yīng)磁體，相對于磁線直徑的長度比的高寬比設(shè)定為10至150，維持了線形性，使其能夠進行測量的測量磁場范圍變廣，所以能實現(xiàn)在汽車領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第7發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為上述第6發(fā)明中的上述電磁線圈的繞線內(nèi)徑，相對于上述感應(yīng)磁體的磁線直徑的比值設(shè)定為1.005至10倍，所以才能實現(xiàn)高靈敏度的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第8發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為上述第2發(fā)明中的上述電磁線圈，其繞線內(nèi)徑為100μm以下，所以才能實現(xiàn)小型薄型化的效果。
由上述結(jié)構(gòu)所組成的第9發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為上述第3發(fā)明中的上述電磁線圈，相對于一圈的繞線間隔為50μm/圈以下，實現(xiàn)了高密度的上述電磁線圈，所以才能實現(xiàn)高靈敏度的效果。
圖面的間單說明

圖1所示為本發(fā)明第一實施形態(tài)及第一實施例的實施例的MI元件的正視圖。
圖2所示為圖1所示的本第1實施形態(tài)及第1實施例的MI元件的沿A-A’線的截面圖。
圖3所示為本第1實施形態(tài)及第1實施例的糟溝內(nèi)線圈配置形態(tài)的部分斜視圖。
圖4所示為本第1實施形態(tài)及第1實施例的糟溝內(nèi)線圈配置形態(tài)的部分平面圖。
圖5所示為本第1實施形態(tài)及第1實施例的糟溝內(nèi)線圈配置形態(tài)的部分平面圖。
圖6所示為本第1實施形態(tài)及第1實施例的MI傳感器的電子回路集成電路圖。
圖7所示為本第1實施形態(tài)及第1實施例的使用MI元件的MI傳感器的傳感器輸出電壓對外部磁場的特性圖。
圖8所示為本第1實施例的傳感器和繞線筒型的傳感器的外部磁場和輸出電壓之間的特性圖。
圖9所示為了比較本第2實施例的MI元件的為感應(yīng)磁體的各種長度的非結(jié)晶合金磁線的量程所示的外部磁場和輸出電壓之間的特性圖。
圖10所示為本第2實施例的MI元件的為感應(yīng)磁體的各種長度的非結(jié)晶合金磁線的飽和磁場(G)和磁線全長即尺寸比之間的特性圖。
圖11所示為本發(fā)明的其它實施形態(tài)及實施例的糟溝內(nèi)線圈配置形態(tài)的部分平面圖。
圖12所示為本發(fā)明的其它實施形態(tài)及實施例的糟溝形狀例的部分平面圖。
圖13所示為比較例及原來例的MI元件的正視圖。
發(fā)明的最佳實施形態(tài)以下，對本發(fā)明的實施形態(tài)，用圖面進行說明。
(第1實施形態(tài))本第1實施形態(tài)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，如圖1及圖2所示的MI元件，是在電極配線基板1上配置檢測磁場用的感應(yīng)磁體2，和在感應(yīng)磁體2與電磁線圈3之間用于固定感應(yīng)磁體2的不存在基板的狀態(tài)下對感應(yīng)磁體的周圍只介入絕緣物，配置內(nèi)徑為200μm以下的電磁線圈3，將感應(yīng)磁體2和線圈3的端子與基板1上的各個電極51、52相連接，給感應(yīng)磁體2通高頻率及脈沖電流，來輸出此時在電磁線圈3上產(chǎn)生的對應(yīng)外部磁場的強度的電壓的元件。
本MI元件，因為感應(yīng)磁體2的周圍只介入絕緣物來設(shè)置電磁線圈3，能使其內(nèi)徑在200μm以下，從整體上能達到MI元件的小型化。
并且，本實施形態(tài)，對上述的MI元件，上述感應(yīng)磁體2是直徑為1～150μm的導電性的磁性線，上述電極配線板1有深度為5～200μm的槽構(gòu)11，上述電磁線圈3，其電磁線圈的一側(cè)31沿上述糟溝面111配置，上基板12的下面配置的電磁線圈的另一側(cè)32配置在糟溝上面，糟溝面的線圈一側(cè)31和糟溝上面的線圈另一側(cè)32的2層構(gòu)造來形成。
上述感應(yīng)磁體2，通過采用直徑為1～150μm的導電性的磁性線，能使線圈直徑在200μm以下。
而且，上述感應(yīng)磁體2采用磁性線時，因磁性線的磁感應(yīng)性能優(yōu)越，電磁線圈相對于1卷的輸出電壓增加，因為可以減少繞線數(shù)，所以能使MI元件的長度縮短。
而且，上述電極配線板1上采用了形成糟溝11的糟溝形二.發(fā)明說明(9)構(gòu)造，通過在電極配線板1上配置電磁線圈3使MI元件更加小型化，并且，防止了電磁線圈3與外部的接觸，實現(xiàn)了機械性安定的MI元件。
而且，本實施形態(tài)，對上述MI元件，上述導電性的磁性線為非結(jié)晶合金。
磁性線的材質(zhì)特定為非結(jié)晶合金時，因非結(jié)晶合金的磁感應(yīng)性能優(yōu)越，電磁線圈相對于1卷的輸出電壓增加，因為可以減少繞線數(shù)，所以能使MI元件的長度縮短。
本實施形態(tài)，對上述MI元件，上述電磁線圈3的相對于單位長度的繞線間隔為100μm/圈以下。
通過減小上述電磁線圈3相對于1卷(單位長度)的繞線間隔，增加相當于1卷(單位長度)的繞線數(shù)，能增加輸出電壓。實用上希望為100μm/卷以下。為同樣輸出電壓時，能使MI元件的長度縮短。
本實施形態(tài)，對上述MI元件，其上述電極配線板1的大小是以，寬從20μm至1mm以下，厚度從20μm至1mm以下，長度從200μm至4mm以下為特征的MI元件。
由于電磁線圈3的相當于園的直徑的寬度，高度最大為200μm，上述大小的尺寸可以在電極配線板1上形成，所以能實現(xiàn)元件整體的大幅度的小型化及小容積化。
(第2實施形態(tài))對本第2實施形態(tài)的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，以下加與敘述。
一般的高靈敏度磁性傳感器，因為相對于檢出輸入的變化來說檢出輸出的變化大，其靈敏度非常高，相反很快就能達到至飽和磁場的滿刻度，所以檢測量程狹窄。擴大量成，可以通過縮小相對于感應(yīng)磁元件直徑的為長度比的縱橫比，利用反磁場的方法。
但是，針對上述原來的如圖13所示構(gòu)造的高靈敏度磁性傳感器(MI，F(xiàn)G傳感器)，小型化方面有限制，在實現(xiàn)寬量程同時進行小型化非常困難，相反縮小長度時會引起靈敏度的極度下降。
本第2實施形態(tài)中，通過縮小相對于非結(jié)晶合金磁性線直徑的為長度比的縱橫比，謨求廣量程的同時，在非結(jié)晶合金磁性線的周圍纏繞超高密度的線圈，來提高靈敏度，因線圈形狀小電感L極端小，對線圈的誘導振動會高，通過采用模擬開關(guān)在不會失去靈敏度的同時能檢測磁場信號。
即，從廣量程化的觀點出發(fā)，對非結(jié)晶合金磁性線的直徑Φ10μm～100μm，非結(jié)晶合金磁性線的長度設(shè)定為100μm～10000μm，縱橫比設(shè)定在10～150時，檢測量程為原來的1.5～20倍，縱橫比設(shè)定在10～100時，檢測量程為原來的3～20倍。
希望的是，縱橫比設(shè)定在10～50時，檢測量程，為原來的5～20倍。
而且，從高靈敏度化的觀點出發(fā)，對非結(jié)晶合金磁性線的直徑Φ10μm～100μm，電磁線圈的直徑設(shè)定在10.05μm～1000μm，設(shè)定為1.005～10倍為佳。
作為檢測方法，通過采用模擬開關(guān)，在不失去靈敏度的同時能檢測磁場信號成為可能。
(第1實施例)
對本第1實施例的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，以下用圖1及圖2加于說明。
電極配線板1的大小為，寬0.5mm、高0.5mm、長1.5mm。感應(yīng)磁體，使用的是為CoFeSiB系合金的直徑為30μm或20μm的非結(jié)晶合金磁性線2。電極配線板上的糟溝11其深度為50μm、寬度為70μm、長度為1.5mm。電磁線圈3，由糟溝面111上形成的線圈的一側(cè)31，和糟溝上面112(樹脂4的上面41)上形成的另一側(cè)線圈32的2層構(gòu)造來形成。
上述糟溝面111上形成的線圈一側(cè)31，如圖3至圖5所示，是在電極配線板1的長方向上形成的糟溝11的糟溝面111的全面及電極配線板1上面的上述糟溝11的相近接部上，通過鍍氣方法來形成構(gòu)成線圈的導電性的磁性金屬薄膜，為了使所形成的導電性磁性金屬薄膜為螺旋狀，對構(gòu)成間隙部的導電性金屬薄膜部進行選擇，通過腐蝕方法對所選擇的間隙部分進行除去。
即，上述糟溝11的糟溝側(cè)面113上通過壓延形成上下方向垂直的線圈部311，上述糟溝11的糟溝底面110上的領(lǐng)接上下方向的線圈部上通過壓延形成連續(xù)的與寬度方向相傾斜的線圈部312。
上述糟溝上面112(樹脂4的上面41)上形成的另一側(cè)線圈32，是在與上述糟溝上面112(樹脂4的上面41)的上述電極配線板1的長方向上形成的糟溝11相對的分部上，通過鍍氣方法在廣的范圍內(nèi)來形成構(gòu)成線圈的導電性的磁性金屬薄膜，為了使所形成的導電性磁性金屬薄膜以一定的距離、比上述糟溝11的寬度方向的長度長、沿寬度方向壓延為短冊形，對應(yīng)該構(gòu)成一定距離的間隙部的磁性金屬薄膜進行選擇，通過腐蝕方法對所選擇的間隙部分進行除去。上述線圈的上面，根據(jù)要求也可以形成保護膜。
上述電磁線圈3的繞線內(nèi)徑，相當于園的內(nèi)徑(與由高度和寬度所形成的糟溝截面面積相同的園的直徑)，為66μm。電磁線圈3的相對于一圈(單位長度)的繞線間隔為50μm/圈。
非結(jié)晶合金磁性線2和電磁線圈3之間，配置了具于絕緣性的樹脂4，得到了導電性磁性非結(jié)晶合金磁性線和電磁線圈的絕緣。電極5在基板上面燒焊了電磁線圈端子51和感應(yīng)磁體的端子52共計4個端子。這個電極5上先連接著非結(jié)晶合金磁性線2的兩端和電磁線圈3的兩端。具有上述構(gòu)成的是本發(fā)明的附有電磁線圈的MI元件10。即，本MI元件的大小，和電極配線板的大小相同。
下面，用圖6所示的上述MI元件10的特性對MI傳感器進行評價。
用于評價的MI傳感器的電子回路，由信號發(fā)生器6和上述MI元件10和型號處理器7來組成。信號為，相當于200MHz的170mA的強脈沖信號，信號間隔為1μsec。脈沖信號輸入到非結(jié)晶合金磁性線2，在其輸入時間中，電磁線圈3上產(chǎn)生與外部磁場成比例的電壓。
信號處理回路7，通過介入與脈沖信號的輸入進行連續(xù)進行開閉的同步檢波71，來取出電磁線圈3上產(chǎn)生的電壓，經(jīng)過增幅器72以所定的比例進行放大輸出。
由上述回路所取得的傳感器輸出如圖7所示。
圖7的橫軸表示外部磁場的大小，縱軸表示傳感器的輸出電壓。傳感器的輸出在±10G之間顯示為良好的直線性。而且，其靈敏度為20mV/G。這表示作為高靈敏度磁性傳感器具有充分使用的余地。
一方面，作為比較例的如圖13所示的原來的MI元件9的尺寸如以下所示。固定非結(jié)晶合金磁性線的基板91的尺寸為，寬0.7mm、高0.5mm、長3.5mm。感應(yīng)磁體使用的是為CoFeSiB系合金的直徑為30μm的非結(jié)晶合金磁性線92。非結(jié)晶合金磁性線92和電磁線圈93之間，配置了具于絕緣性的繞線框94，得到了導電性磁性非結(jié)晶合金磁性線與電磁線圈的絕緣。
繞線框94的由樹脂模型所形成的芯部，寬度為1mm，高度為1mm，長度為3mm。這時，電磁線圈93的內(nèi)徑為1.5mm。電極95在繞線框94上配置了電磁線圈端子和感應(yīng)磁體的端子共計4個端子。這個電極95上非結(jié)晶合金磁性線92的兩端和電磁線圈93的兩端相連接。具有上述構(gòu)成的是原來的MI元件91。即，這時的MI元件91的尺寸為，寬3mm，高2mm，長4mm。原來的MI元件，如上所述尺寸大，對設(shè)置空間有限制的傳感器來說不能使用。
針對這個問題，本發(fā)明的第1實施例為非常的小薄型，能應(yīng)用攜帶電話用的傳感器，手表用的傳感器等小型電子器件用的超小型磁性傳感器。
本第1實施例中，通過在電極配線板1的長方向上形成的糟溝11的糟溝面111以及上基板12的下面112上，經(jīng)過鍍氣方法來形成構(gòu)成線圈的導電性的磁性金屬薄膜，為了使所形成的導電性磁性金屬薄膜為螺旋狀，對構(gòu)成間隙部的導電性金屬薄膜部進行選擇，經(jīng)過腐蝕方法對所選擇的間隙部分進行除去，來形成電磁線圈，達到了以高的密度制造小型薄型的MI元件的效果。
使用本第1實施例的MI元件10的結(jié)果，如圖3至圖5所示，與使用原來的MI元件的MI傳感器相比，不僅達到約為50分的1(48分的1)的小型化，而且，得到了在±10G的磁場領(lǐng)域中為良好的直線性。
精細和粗糙等級在短期和長期測試中沒有問題。推薦的乳膠含量是中等等級2.9±0.25％，精細等級3.2±0.25％，粗糙等級3.0±0.25％。在現(xiàn)場中基于覆蓋層和其他可見因素，容許公差為±0.25％。
下列是普通鏈輪系(train)的設(shè)備約12.5英尺寬的銑刨機；包含有混合器(shaker)的篩網(wǎng)，粉碎機和攪拌機；6,000加侖的罐子；拾取裝置；帶有磁軌的鋪路機；在前方外延帶有切割板的刮板(screed)(12英尺)。
對成品的第一，第二，第四天對普通鏈輪/鋪路機處理和本發(fā)明處理過程的CIR材料進行等級的檢查。為了快速獲得結(jié)果，在測試之前，材料沒有完全干燥而使其暴露在空氣中。結(jié)果如表15所示。
非結(jié)晶合金磁性線的直徑為Φ10μm時，電磁線圈3的繞線內(nèi)徑為11μm至70μm(1.1～7倍)，非結(jié)晶合金磁性線的直徑為Φ100μm時，電磁線圈3的繞線內(nèi)徑為200μm至300μm(2～3倍)。
相對非結(jié)晶合金磁性線的直徑為100μm，非結(jié)晶合金磁性線的長度設(shè)定為100μm～10000μm，縱橫比設(shè)定在10～100時，檢測量程為原來的3～20倍，可以適用于要求廣量程的汽車領(lǐng)域中。
作為感應(yīng)磁體2的非結(jié)晶合金磁性線的長度采用0.6mm、0.7mm、0.9mm、1.5mm的4種類，對非結(jié)晶合金磁性線用比如7所示的第1實施例高的驅(qū)動電壓進行驅(qū)動時，對各個量程進行比較的結(jié)果表示在圖9上。圖9的橫軸表示外部磁場，縱軸表示輸出電壓。
從圖9可以得到，非結(jié)晶合金磁性線的長度為最短的0.6mm的量程，為±45G的最寬量程，隨著非結(jié)晶合金磁性線的長度的變長，量程變狹窄，與1.5mm的磁性線相比具有約為9倍的廣度。
而且，針對所采用的作為感應(yīng)磁體2的非結(jié)晶合金磁性線的長度為0.6mm、0.7mm、0.9mm、1.5mm的4種類，當磁性線直徑為Φ30μm時，對決定測定可能范圍的飽和磁場(G)，測定的結(jié)果表示在圖10上，圖10的橫軸表示磁性線的全長即縱橫比，縱軸為測定可能范圍(飽和磁場(G))。從圖10可以得到，針對非結(jié)晶合金磁性線的長度0.6mm、0.7mm、0.9mm、1.5mm的4種類，飽和磁場(G)，相對于磁性線的全長即縱橫比表示為線形關(guān)系。
而且，對非結(jié)晶合金磁性線的長度為0.4mm時，對上述的量程也進行了確認，與上述的0.6mm的磁性線相比，更廣的量程成為測定可能范圍。
本第2實施例的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，在不損失傳感器靈敏度的前提下能擴大檢測量程，如上所述，因為元件形狀為小，空間分解能提高的同時，元件全長(L)小，具有提高頻率應(yīng)答性的利點。
上述實施形態(tài)，是為了說明而舉例的實施形態(tài)，本發(fā)明部限定于這些，從權(quán)利要求范圍，發(fā)明的詳細說明及圖面的記載，本產(chǎn)業(yè)能認識在不反本發(fā)明的技術(shù)想法的情況下，變更及附加是為可能的。
上述第1實施例中，作為一例，對上述糟溝11的糟溝底面110上的領(lǐng)接上下方向的線圈部上通過壓延形成連續(xù)的與寬度方向相傾斜的線圈部312的同時，上基板12的下面112上與在電極配線板1的長方向上形成的糟溝11相直交的上述電極配線板1的寬度方向上形成另一側(cè)線圈32的例子進行了說明，本發(fā)明不限制于這個，如圖11(A)所示，把線圈部312進行傾斜壓延形成的同時，另一側(cè)線圈32也進行傾斜壓延形成的例子，如圖11(B)所示，可以采用將線圈部312在與電極配線板1的長方向上形成的糟溝11相直交的寬度方向上形成的同時，對另一側(cè)線圈32也進行傾斜壓延形成的例。
而且，上述第1實施例中，作為一例，對如圖2所示的在上述電極配線板1上形成矩形的糟溝11的糟溝構(gòu)造進行了說明，本發(fā)明不限制于這個，可以采用如圖12(A)至(C)所示的把上述電極配線板1通過腐蝕方法除去形成糟溝11的時候，從斜上方進行腐蝕的時候的U字形、從上方進行腐蝕的時候的逆臺形狀及V字形，臺形狀及V字形的糟溝的實施形態(tài)。
而且，上述第1實施例中，作為一例，對在上述電極配電線板1上所形成的糟溝11的內(nèi)側(cè)壁面上配置線圈的例進行了說明，本發(fā)明不限制于這個，可以采用對部分材料的表面通過鍍氣形成導電性的磁性金屬薄膜后，經(jīng)過選擇腐蝕進行除去，形成為螺旋狀的電磁線圈，也可以采用在由園形，矩形及多角形的截面形狀的絕緣材料所形成的線狀部材的外側(cè)壁全面上，通過鍍氣形成導電性的磁性金屬薄膜，旋轉(zhuǎn)該線狀部材，以一定的速度進行旋轉(zhuǎn)的同時，選擇應(yīng)該形成間隙部的外側(cè)壁的磁性金屬薄膜部，用腐蝕方法除去，來形成螺旋狀的電磁線圈，切成所定的長度，來插入非結(jié)晶合金磁性線的實施形態(tài)。
6.產(chǎn)業(yè)上的利用可能性綜上所述，本發(fā)明的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，因為非常小型且靈敏度高，能應(yīng)用在攜帶電話用的傳感器，手表用的傳感器等小型電子器件用的超小型磁性傳感器的同時，因為實現(xiàn)了小型化、廣量程化，也可以應(yīng)用在汽車領(lǐng)域上。
權(quán)利要求
1.一種附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，由沿某方向進行延伸的延伸溝所形成的電極配線基板和；該電極配線基板內(nèi)的上述延伸溝內(nèi)配置的為螺旋狀的線圈和與該線圈的各上端相接續(xù)的另一線圈來構(gòu)成的電磁線圈和；上述電極配線基板的上述延伸溝內(nèi)插置的絕緣體和，在該絕緣體內(nèi)插設(shè)的，加通有高頻或脈沖電流的感磁體來構(gòu)成的，當施加高頻或脈沖電流時，該感磁體會輸出上述電磁線圈上所產(chǎn)生的對應(yīng)外部磁場強度的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述感磁體由具有非結(jié)晶合金和導電性的磁性線來組成。
3.如權(quán)利要求2所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述電磁線圈的繞線內(nèi)徑為200μm以下。
4.如權(quán)利要求3所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述電磁線圈相對于一圈的繞線間隔為100μm/圈以下。
5.如權(quán)利要求2所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，感磁體長度設(shè)定在3mm以下。
6.如權(quán)利要求2所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述感應(yīng)磁體，其長度相對于磁線直徑之比值設(shè)定在10至100。
7.如權(quán)利要求6所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述電磁線圈的繞線內(nèi)徑，相對于上述感應(yīng)磁體的磁線直徑的比值設(shè)定為1.005至10之間。
8.如權(quán)利要求2所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述電磁線圈，其繞線內(nèi)徑為100μm以下。
9.如權(quán)利要求3所述的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征在于，上述電磁線圈，相對于一圈的繞線間隔為50μm/圈以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件，其特征為，沿某方向進行延伸的由延伸溝(11)所形成的電極配線基板(1)和，該電極配線基板(1)內(nèi)沿延伸溝(11)內(nèi)配置的呈螺旋狀的線圈下方(31)和與該線圈下方的各上端相接續(xù)的線圈上方(32)來形成的電磁線圈(3)和，上述電極配線基板(1)的上述延伸溝(11)內(nèi)插置的絕緣體(4)和，該絕緣體(4)內(nèi)插設(shè)的，可通高頻或脈沖電流的感應(yīng)磁體(2)來構(gòu)成的，當施加高頻或脈沖電流時輸出上述電磁線圈上所產(chǎn)生的對應(yīng)外部磁場強度的電壓的附有電磁線圈的磁鐵·阻抗·傳感器元件。
文檔編號G01R33/02GK1533506SQ0380071
公開日2004年9月29日 申請日期2003年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月19日
發(fā)明者本藏義信, 山本道治, 森正樹, 幸谷吉晃, 晃, 治 申請人:愛知制鋼株式會社