專利名稱：超純氨免污染充裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及超高純電子氣體的純化和充裝技術領域，具體涉及超純氨免污染充裝方法。
背景技術：
氨是薄膜制造應用中成膜時被廣泛使用的氮源材料。氨的化學性質能使化學氣相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)工藝中薄膜生長在較低的溫度下進行。發(fā)光二級管(LED，Light Emitting Diode)是一種半導體固體發(fā)光器件，它是利用固體半導體芯片作為電光轉換材料，在二級管兩端加上正向電壓，半導體中的載流子發(fā)生復合激發(fā)光子而實現(xiàn)電光轉換。不同LED可發(fā)出紅、黃、藍、綠、青、橙、紫的光線。他們可以組合發(fā)出白光，或通過激發(fā)熒光粉發(fā)出白光。LED的外延生長是指應用金屬有機化學氣相沉積工藝在一定村底材料上生長出特定的單晶薄膜。它是生產LED芯片的核心材料。被廣泛用作背光光源的高效藍光LED的制備中需要在藍寶石襯底材料上生長GaN單晶膜。其中，( 來自金屬有機源(M0源)如三甲基鎵(TMG) ；N來自氮源如氨。普通的一級品工業(yè)氨(純度99. 8% )不能滿足MOCVD中單晶薄膜生長的需求，氨的純度必需達到99. 9999% (6N)或99. 99999% (7N)以上，才能生產出合格的GaN外延片，我們把它稱作超高純氨。因此，作為氮源的超高純氨，作為金屬有機源高純金屬有機化合物，和供晶體生長的襯底材料一起組成LED外延片的三大核心材料。氨中微量雜質尤其是電子形雜質會嚴重影響單晶薄膜生長，阻止摻雜工藝中形成有效的p-n結，從而影響LED和IC生產制造的品質和良率。作為LED產業(yè)鏈的上游節(jié)點外延片的生產的核心技術包括MOCVD設備的制造技術和工藝，氮源和MO源的大規(guī)模生產制備技術長期為國外掌握，突破7N超高純氨的制取技術有助于促進中國本土的LED行業(yè)的發(fā)展，避免了原材料受限于人。中國是工業(yè)合成氨最大生產國，原料充足，工業(yè)氨經過氨純化裝置生產的超高純氨還必需通過鋼瓶再提供給用戶使用。在鋼瓶的充裝過程中會造成一定的污染。如何避免超高純氨在的充裝過程引入污染，如何保證以鋼瓶形式提供的超高純氨的純度是超高純氨生產和供給的關鍵技術之一。常用的高純氨鋼瓶見表1。表1高純氨鋼瓶參數(shù)表
權利要求
1.超純氨免污染充裝方法，其特征在于它包含產品罐(1)、熱水器O)、溫控儀(3)、充裝鋼瓶G)，產品罐⑴分別與熱水器⑵和充裝鋼瓶⑷連接，溫控儀⑶與熱水器⑵ 連接。
2.根據權利要求1所述的超純氨免污染充裝方法，其特征在于采用熱水器0)，用電加熱或蒸汽加熱的方法把熱水的溫度升高，然后通過熱水器( 把熱水送入盛有超高純液氨的產品罐(1)的水夾套內，使產品罐(1)內的超高純液氨溫度升高，氨壓力提高，可根據需要來設計確定和控制熱水的溫度，以此來提高產品罐內氨壓力，實現(xiàn)無泵充裝。
3.根據權利要求1所述的超純氨免污染充裝方法，其特征在于利用液氨飽和蒸汽壓與溫度的關系，提高產品罐的溫度和壓力或降低鋼瓶的溫度和壓力，使兩者保持一定的壓差， 能順利的把產品罐中超純氨充裝到鋼瓶中去，避免了泵類引入的污染。
全文摘要
超純氨免污染充裝方法，它涉及超高純電子氣體的純化和充裝技術領域。它包含產品罐、熱水器、溫控儀、充裝鋼瓶。產品罐分別與熱水器和充裝鋼瓶連接，溫控儀與熱水器連接；本發(fā)明采用熱水器，用電加熱或蒸汽加熱的方法把熱水的溫度升高，然后通過熱水器把熱水送入盛有超高純液氨的產品罐的水夾套內，使產品罐內的超高純液氨溫度升高，氨壓力提高，可根據需要來設計確定和控制熱水的溫度，以此來提高產品罐內氨壓力，實現(xiàn)無泵充裝。
文檔編號F17C5/00GK102213362SQ20111012950
公開日2011年10月12日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權日2011年5月19日
發(fā)明者吳納新 申請人:吳納新