一種磁軸承的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種磁軸承，它是由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被設(shè)置在上盤環(huán)套組件外徑一側(cè)的筒形壁的內(nèi)壁上，另一個設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述的下盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個設(shè)置在下盤環(huán)套組件的外側(cè)側(cè)面上，另一個設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的環(huán)形凹槽當中。
【專利說明】一種磁軸承

【技術(shù)領(lǐng)域】
:
[0001]本發(fā)明涉及一種磁軸承。

【背景技術(shù)】
:
[0002]本發(fā)明是一種新型的具有徑軸向穩(wěn)定約束力的磁軸承，它包含全永磁和混合兩種磁軸承，每種磁軸承當中又分為單邊型和雙邊型兩種結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

:
[0003]下面提供全永磁和混合兩種磁軸承的技術(shù)方案:
[0004](I)、一種磁軸承，由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，并使上、下盤環(huán)套組件構(gòu)成上下有交叉的內(nèi)外圈環(huán)套結(jié)構(gòu)，所述上盤環(huán)套組件的外徑大于下盤環(huán)套組件的外徑；所述下盤環(huán)套組件的孔徑小于上盤環(huán)套組件的內(nèi)孔；在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件外徑一側(cè)軸向延伸的筒形壁的內(nèi)壁上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述環(huán)形凹槽位于上、下盤環(huán)套組件靠近內(nèi)孔的部位上，在所述的下盤環(huán)套組件上也設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在下盤環(huán)套組件的外側(cè)側(cè)面上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述上盤環(huán)套組件筒形外壁內(nèi)側(cè)上的環(huán)形永磁體與下盤環(huán)套組件外側(cè)側(cè)面上的環(huán)形永磁體等高，且保持了兩者高度中位線之間的軸向錯位；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相向端環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體相互正對；所述上盤環(huán)套組件外壁內(nèi)側(cè)環(huán)形永磁體的內(nèi)徑大于下盤環(huán)套組件外側(cè)側(cè)面環(huán)形永磁體的外徑；并使上、下盤環(huán)套組件上的環(huán)形永磁體的內(nèi)部磁通方向相同；所述上、下盤環(huán)套組件的基材采用非導(dǎo)磁或低導(dǎo)磁的材料制作；所述上盤環(huán)套組件的大直徑環(huán)形永磁體至少在外一側(cè)和上端面與盤環(huán)套組件的基材有接觸，所述下盤環(huán)套組件的大直徑環(huán)形永磁體至少在內(nèi)側(cè)面和下端面盤環(huán)套組件的基材有接觸而被固定；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相對面上的環(huán)形凹槽也可以是各自的沉孔所替代，所述沉孔的內(nèi)壁與環(huán)形永磁體緊密接觸。
[0005](I)、一種磁軸承，由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，并使上、下盤環(huán)套組件構(gòu)成上下有交叉的內(nèi)外圈環(huán)套結(jié)構(gòu)，所述上盤環(huán)套組件的外徑大于下盤環(huán)套組件的外徑；所述下盤環(huán)套組件的孔徑小于上盤環(huán)套組件的內(nèi)孔；在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件內(nèi)徑一側(cè)的沉孔當中，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面上的環(huán)形凹槽當中；在所述的下盤環(huán)套組件上也設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在下盤環(huán)套組件內(nèi)孔一側(cè)的筒形軸向延伸壁的外側(cè)面上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述環(huán)形凹槽位于上、下盤環(huán)套組件靠近外側(cè)的部位上，所述下盤環(huán)套組件筒形內(nèi)壁外側(cè)上的環(huán)形永磁體與上盤環(huán)套組件沉孔內(nèi)側(cè)面上的環(huán)形永磁體等高，且保持了兩者高度中位線之間的軸向錯位；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相向端環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體相互正對；所述上盤環(huán)套組件沉孔內(nèi)側(cè)環(huán)形永磁體的內(nèi)徑大于下盤環(huán)套組件筒形內(nèi)壁外側(cè)環(huán)形永磁體的外徑；并使上、下盤環(huán)套組件上的環(huán)形永磁體的內(nèi)部磁通方向相同；所述上、下盤環(huán)套組件的基材采用非導(dǎo)磁或低導(dǎo)磁的材料制作。
[0006]在本發(fā)明當中，可以將結(jié)構(gòu)相同大小一致的兩個磁軸承背靠背地復(fù)合成具有雙邊型結(jié)構(gòu)特征的磁軸承，當所述直徑較小的盤形組件組合成一體時，可以給兩端的兩個直徑相對較大的盤形組件增加一個外套使他們連接為一個整體，所述雙邊型磁軸承在軸向位置度上顯示全對稱。
[0007]在本發(fā)明當中，在所述的上下盤環(huán)套組件上徑向相對的環(huán)形永磁體當中，可選擇位于磁軸承應(yīng)用裝置定子部上的環(huán)形永磁體被電磁線圈所替代，并保留氣隙兩側(cè)磁場的相互排斥狀態(tài)。
具體實施例:
[0008]下面用具體的實施例，對本發(fā)明的自然力轉(zhuǎn)換利用裝置進行進一步的描述:
[0009](I)、一種磁軸承，由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，并使上、下盤環(huán)套組件構(gòu)成上下有交叉的內(nèi)外圈環(huán)套結(jié)構(gòu)，所述上盤環(huán)套組件的外徑大于下盤環(huán)套組件的外徑；所述下盤環(huán)套組件的孔徑小于上盤環(huán)套組件的內(nèi)孔；在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件外徑一側(cè)軸向延伸的筒形壁的內(nèi)壁上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述環(huán)形凹槽位于上、下盤環(huán)套組件靠近內(nèi)孔的部位上，在所述的下盤環(huán)套組件上也設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在下盤環(huán)套組件的外側(cè)側(cè)面上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述上盤環(huán)套組件筒形外壁內(nèi)側(cè)上的環(huán)形永磁體與下盤環(huán)套組件外側(cè)側(cè)面上的環(huán)形永磁體等高，且保持了兩者高度中位線之間的軸向錯位；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相向端環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體相互正對；所述上盤環(huán)套組件外壁內(nèi)側(cè)環(huán)形永磁體的內(nèi)徑大于下盤環(huán)套組件外側(cè)側(cè)面環(huán)形永磁體的外徑；并使上、下盤環(huán)套組件上的環(huán)形永磁體的內(nèi)部磁通方向相同；所述上、下盤環(huán)套組件的基材采用非導(dǎo)磁或低導(dǎo)磁的材料制作；所述上盤環(huán)套組件的大直徑環(huán)形永磁體至少在外一側(cè)和上端面與盤環(huán)套組件的基材有接觸，所述下盤環(huán)套組件的大直徑環(huán)形永磁體至少在內(nèi)側(cè)面和下端面盤環(huán)套組件的基材有接觸而被固定；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相對面上的環(huán)形凹槽也可以是各自的沉孔所替代，所述沉孔的內(nèi)壁與環(huán)形永磁體緊密接觸。
[0010](I)、一種磁軸承，由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，并使上、下盤環(huán)套組件構(gòu)成上下有交叉的內(nèi)外圈環(huán)套結(jié)構(gòu)，所述上盤環(huán)套組件的外徑大于下盤環(huán)套組件的外徑；所述下盤環(huán)套組件的孔徑小于上盤環(huán)套組件的內(nèi)孔；在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件內(nèi)徑一側(cè)的沉孔當中，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面上的環(huán)形凹槽當中；在所述的下盤環(huán)套組件上也設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在下盤環(huán)套組件內(nèi)孔一側(cè)的筒形軸向延伸壁的外側(cè)面上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述環(huán)形凹槽位于上、下盤環(huán)套組件靠近外側(cè)的部位上，所述下盤環(huán)套組件筒形內(nèi)壁外側(cè)上的環(huán)形永磁體與上盤環(huán)套組件沉孔內(nèi)側(cè)面上的環(huán)形永磁體等高，且保持了兩者高度中位線之間的軸向錯位；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相向端環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體相互正對；所述上盤環(huán)套組件沉孔內(nèi)側(cè)環(huán)形永磁體的內(nèi)徑大于下盤環(huán)套組件筒形內(nèi)壁外側(cè)環(huán)形永磁體的外徑；并使上、下盤環(huán)套組件上的環(huán)形永磁體的內(nèi)部磁通方向相同；所述上、下盤環(huán)套組件的基材采用非導(dǎo)磁或低導(dǎo)磁的材料制作。
[0011]綜上所述，在本發(fā)明當中，也可以將結(jié)構(gòu)相同大小一致的兩個磁軸承背靠背地復(fù)合成具有雙邊型結(jié)構(gòu)特征的磁軸承，當所述直徑較小的盤形組件組合成一體時，可以給兩端的兩個直徑相對較大的盤形組件增加一個外套使他們連接為一個整體，所述雙邊型磁軸承在軸向位置度上顯示全對稱；也可以在所述上下盤環(huán)套組件上徑向相對的環(huán)形永磁體當中，可選擇位于磁軸承應(yīng)用裝置定子部上的環(huán)形永磁體被電磁線圈所替代，并保留氣隙兩側(cè)磁場的相互排斥狀態(tài)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁軸承，由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，并使上、下盤環(huán)套組件構(gòu)成上下有交叉的內(nèi)外圈環(huán)套結(jié)構(gòu)，所述上盤環(huán)套組件的外徑大于下盤環(huán)套組件的外徑；所述下盤環(huán)套組件的孔徑小于上盤環(huán)套組件的內(nèi)孔；在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件外徑一側(cè)軸向延伸的筒形壁的內(nèi)壁上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述環(huán)形凹槽位于上、下盤環(huán)套組件靠近內(nèi)孔的部位上，在所述的下盤環(huán)套組件上也設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在下盤環(huán)套組件的外側(cè)側(cè)面上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述上盤環(huán)套組件筒形外壁內(nèi)側(cè)上的環(huán)形永磁體與下盤環(huán)套組件外側(cè)側(cè)面上的環(huán)形永磁體等高，且保持了兩者高度中位線之間的軸向錯位；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相向端環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體相互正對；所述上盤環(huán)套組件外壁內(nèi)側(cè)環(huán)形永磁體的內(nèi)徑大于下盤環(huán)套組件外側(cè)側(cè)面環(huán)形永磁體的外徑；并使上、下盤環(huán)套組件上的環(huán)形永磁體的內(nèi)部磁通方向相同；所述上、下盤環(huán)套組件的基材采用非導(dǎo)磁或低導(dǎo)磁的材料制作；所述上盤環(huán)套組件的大直徑環(huán)形永磁體至少在外一側(cè)和上端面與盤環(huán)套組件的基材有接觸，所述下盤環(huán)套組件的大直徑環(huán)形永磁體至少在內(nèi)側(cè)面和下端面盤環(huán)套組件的基材有接觸而被固定；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相對面上的環(huán)形凹槽也可以是各自的沉孔所替代，所述沉孔的內(nèi)壁與環(huán)形永磁體緊密接觸。
2.一種磁軸承，由中空式圓柱形的上盤環(huán)套組件和中空式圓柱形的下盤環(huán)套組件通過氣隙軸向相對，并使上、下盤環(huán)套組件構(gòu)成上下有交叉的內(nèi)外圈環(huán)套結(jié)構(gòu)，所述上盤環(huán)套組件的外徑大于下盤環(huán)套組件的外徑；所述下盤環(huán)套組件的孔徑小于上盤環(huán)套組件的內(nèi)孔；在所述的上盤環(huán)套組件上設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件內(nèi)徑一側(cè)的沉孔當中，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在上盤環(huán)套組件與下盤環(huán)套組件相向的軸向端面上的環(huán)形凹槽當中；在所述的下盤環(huán)套組件上也設(shè)有兩個被軸向充磁的環(huán)形永磁體，一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在下盤環(huán)套組件內(nèi)孔一側(cè)的筒形軸向延伸壁的外側(cè)面上，另一個被軸向充磁的環(huán)形永磁體設(shè)置在與上盤環(huán)套組件相向的軸向端面的上的環(huán)形凹槽當中；所述環(huán)形凹槽位于上、下盤環(huán)套組件靠近外側(cè)的部位上，所述下盤環(huán)套組件筒形內(nèi)壁外側(cè)上的環(huán)形永磁體與上盤環(huán)套組件沉孔內(nèi)側(cè)面上的環(huán)形永磁體等高，且保持了兩者高度中位線之間的軸向錯位；所述上、下盤環(huán)套組件軸向相向端環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體相互正對；所述上盤環(huán)套組件沉孔內(nèi)側(cè)環(huán)形永磁體的內(nèi)徑大于下盤環(huán)套組件筒形內(nèi)壁外側(cè)環(huán)形永磁體的外徑；并使上、下盤環(huán)套組件上的環(huán)形永磁體的內(nèi)部磁通方向相同；所述上、下盤環(huán)套組件的基材采用非導(dǎo)磁或低導(dǎo)磁的材料制作。
3.按照權(quán)利要求1、2所述的任一磁軸承，還在于:將結(jié)構(gòu)相同大小一致的兩個磁軸承背靠背地復(fù)合成具有雙邊型結(jié)構(gòu)特征的磁軸承，當所述直徑較小的盤形組件組合成一體時，可以給兩端的兩個直徑相對較大的盤形組件增加一個外套使他們連接為一個整體，所述雙邊型磁軸承在軸向位置度上顯示全對稱。
4.按照權(quán)利要求1、2所述的任一磁軸承，還在于:在所述上下盤環(huán)套組件上徑向相對的環(huán)形永磁體當中，可選擇位于磁軸承應(yīng)用裝置定子部上的環(huán)形永磁體被電磁線圈所替代，并保留氣隙兩側(cè)磁場的相互排斥狀態(tài)。
5.按照權(quán)利要求1、2所述的任一磁軸承，還在于:所述環(huán)形凹槽當中的環(huán)形永磁體也可以在環(huán)形凹槽內(nèi)側(cè)設(shè)導(dǎo)磁軛至少使環(huán)形永磁體的兩側(cè)被導(dǎo)磁材料所包圍，但在工作氣隙一側(cè)是不允許被被覆蓋的。
【文檔編號】F16C32/04GK104235182SQ201310269855
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】張玉寶 申請人:張玉寶