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耐高溫腐蝕隔膜電磁閥的制作方法

文檔序號:5631154閱讀:443來源:國知局
專利名稱:耐高溫腐蝕隔膜電磁閥的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電磁閥。
在檢測設(shè)備中,腐蝕性很強(qiáng)的污水、氣體和酸性、堿性液體會腐蝕內(nèi)部電磁閥,現(xiàn)有的電磁閥密封性能不能滿足需要,不耐高溫和腐蝕,成本昂貴。
本實(shí)用新型的目的是提供一種成本低的耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,使耐高溫、耐腐蝕、密封效果更好。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的該閥包括閥體、閥座、桿狀銜鐵、銜鐵導(dǎo)管和閥座上的隔膜,銜鐵導(dǎo)管外周套有塑封電磁線包,塑封電磁線包與電源線連接,其特征是與聚四氟乙烯閥座配合的隔膜呈傘狀,傘狀隔膜中心薄、邊緣厚,其中部與閥口接觸處呈凸起狀,反面凹進(jìn)處與裝在銜鐵導(dǎo)管內(nèi)的桿狀銜鐵連接,桿狀銜鐵另一端芯部有彈簧孔,彈簧位于彈簧孔內(nèi)。
上述傘狀隔膜中心部位呈錐狀凸起,隔膜的邊緣呈半圓環(huán)形。
上述與隔膜連接的桿狀銜鐵端部嵌入隔膜凹進(jìn)處內(nèi),呈卡頭狀。
上述桿狀銜鐵端部與隔膜凹進(jìn)處也可以螺紋連接。
上述隔膜是用聚四氟乙烯材料制作。
本實(shí)用新型的工作原理當(dāng)電源接通后,電磁線包產(chǎn)生磁力,克服彈簧的彈力,將銜鐵提起,銜鐵下端連帶傘狀聚四氟乙烯隔膜向上打開,進(jìn)出口導(dǎo)通;當(dāng)切斷電源時(shí),電磁線包所產(chǎn)生的磁力消失,銜鐵連同隔膜在彈簧的作用下復(fù)位,將中心孔封死,進(jìn)出口隔開。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)閥座和隔膜均采用優(yōu)質(zhì)聚四氟乙烯制成,耐高溫、耐強(qiáng)酸、強(qiáng)堿和部分有毒氣體腐蝕。隔膜邊緣部分為半圓環(huán)狀,導(dǎo)管與閥座螺紋連接后將其壓緊,從而使閥室空間與外部隔離,避免了介質(zhì)對導(dǎo)管、銜鐵的腐蝕??蓮V泛用于各種液態(tài)、氣態(tài)介質(zhì)的分析檢測設(shè)備。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作詳細(xì)描述


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
實(shí)施例一耐高溫腐蝕隔膜電磁閥如
圖1,包括閥體、閥座、桿狀銜鐵、銜鐵導(dǎo)管和閥座上的隔膜,銜鐵導(dǎo)管外周套有塑封電磁線包2,塑封電磁線包與電源線8連接,與聚四氟乙烯閥座7配合的隔膜5呈傘狀,傘狀隔膜用聚四氟乙烯材料制作,中心薄、邊緣厚,其邊緣呈半圓環(huán)形。隔膜中心部位與閥口接觸處呈圓錐形凸起狀,桿狀銜鐵端部嵌入隔膜凹進(jìn)處內(nèi),用卡頭狀連接。桿狀銜鐵4另一端芯部有彈簧孔,彈簧6位于彈簧孔內(nèi)。壓緊螺釘1固定在導(dǎo)管3端部,導(dǎo)管粗大端與閥座7螺紋連接。
權(quán)利要求1.一種耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,包括閥體、閥座、桿狀銜鐵、銜鐵導(dǎo)管和閥座上的隔膜,銜鐵導(dǎo)管外周套有塑封電磁線包,塑封電磁線包與電源線連接,其特征在于與聚四氟乙烯閥座配合的隔膜呈傘狀,傘狀隔膜中心薄、邊緣厚,其中部與閥口接觸處呈凸起狀,反面凹進(jìn)處與裝在銜鐵導(dǎo)管內(nèi)的桿狀銜鐵連接,桿狀銜鐵另一端芯部有彈簧孔,彈簧位于彈簧孔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,其特征在于所述傘狀隔膜中心部位呈錐狀凸起,隔膜的邊緣呈半圓環(huán)形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,其特征在于所述與隔膜連接的桿狀銜鐵端部嵌入隔膜凹進(jìn)處內(nèi),呈卡頭狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,其特征在于所述桿狀銜鐵端部與隔膜凹進(jìn)處螺紋連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,其特征在于所述隔膜是用聚四氟乙烯材料制作。
專利摘要一種耐高溫腐蝕隔膜電磁閥,包括閥體、閥座、桿狀銜鐵、銜鐵導(dǎo)管和閥座上的隔膜,銜鐵導(dǎo)管外周套有塑封電磁線包,塑封電磁線包與電源線連接,與聚四氟乙烯閥座配合的隔膜呈傘狀,傘狀隔膜中心薄、邊緣厚,隔膜中部與閥口接觸處呈凸起狀,反面凹進(jìn)處與桿狀銜鐵連接,桿狀銜鐵另一端芯部有彈簧孔,彈簧位于彈簧孔內(nèi)。該閥成本低,耐高溫、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿和部分有毒氣體腐蝕??蓮V泛用于各種流態(tài)介質(zhì)的分析檢測設(shè)備。
文檔編號F16K7/12GK2430587SQ0020951
公開日2001年5月16日 申請日期2000年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月19日
發(fā)明者董立群, 李豐 申請人:董立群, 王元強(qiáng)
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