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一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:10682520閱讀:592來源:國知局
一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:主要由控制芯片U3,二極管D2,檢測探頭Q1,檢測探頭Q2,串接在檢測探頭Q1和二極管D2的P極之間的電阻R2,與控制芯片U3的VIN管腳相連接的保護(hù)電路,串接在檢測探頭Q1和保護(hù)電路之間的電阻R1等組成。本發(fā)明可以對輸出控制芯片的電流信號進(jìn)行放大處理,使控制芯片更好的對信號進(jìn)行識別,并輸出準(zhǔn)確的控制信號,因此可以極大的提高本發(fā)明對水泵的控制精度。
【專利說明】
一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及自動控制領(lǐng)域,具體是指一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代農(nóng)業(yè)技術(shù)的應(yīng)用為社會帶來了巨大的經(jīng)濟(jì)、社會、以及生態(tài)效益。隨著社會的發(fā)展,人們節(jié)水的意識逐漸增強,為了達(dá)到節(jié)水的目的,人們通常采用自動灌溉控制系統(tǒng)來控制水栗對農(nóng)作物進(jìn)行灌溉,以提高灌溉用水效率。然而,目前農(nóng)業(yè)灌溉還存在一定的問題,即其采用的自動灌溉控制系統(tǒng)的控制精度較低,無法準(zhǔn)確的控制水栗工作,達(dá)不到人們的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于解決目前自動灌溉控制系統(tǒng)的控制精度低的缺陷,提供一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案現(xiàn)實:一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),主要由控制芯片U3,二極管D2,檢測探頭Ql,檢測探頭Q2,串接在檢測探頭Ql和二極管D2的P極之間的電阻R2,與控制芯片U3的VIN管腳相連接的保護(hù)電路,串接在檢測探頭Ql和保護(hù)電路之間的電阻Rl,N極與檢測探頭Ql相連接、P極與控制芯片U3的TON管腳相連接的二極管Dl,正極與控制芯片U3的BOOT管腳相連接、負(fù)極與控制芯片U3的LX管腳相連接的電容C4,串接在控制芯片U3的NC管腳和GND管腳之間的電阻R3,與控制芯片U3的ISEN管腳相連接的信號放大電路,與二極管D2的N極相連接的電源電路,以及串接在電源電路和控制芯片U3的LX管腳之間的開關(guān)電路組成;所述控制芯片U3的ISEN管腳與檢測探頭Q2相連接、其GND管腳接地;所述信號放大電路與檢測探頭Q2相連接。
[0005]進(jìn)一步的,所述信號放大電路由場效應(yīng)管M0S,三極管VT6,三極管VT7,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極作為該信號放大電路的輸入端的電容C9,串接在電容C9的負(fù)極和三極管VT7的發(fā)射極之間的電阻R13,一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端與三極管VT7的發(fā)射極相連接的同時接地的電位器R14,正極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、負(fù)極與三極管VT6的基極相連接的電容ClO,正極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R15后與三極管VT7的發(fā)射極相連接的電容Cll,串接在場效應(yīng)管MOS的漏極和三極管VT6的集電極之間的電阻Rl 6,N極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、P極與三極管VT6的發(fā)射極相連接的二極管D6,串接在場效應(yīng)管MOS的漏極和三極管VT7的集電極之間的電阻Rl 7,正極與三極管VT7的集電極相連接、負(fù)極作為該信號放大電路的輸出端的電容C12,負(fù)極與電位器R14的控制端相連接、正極經(jīng)電阻R18后與電容C12的負(fù)極相連接的電容C14,以及正極與三極管VT7的基極相連接、負(fù)極與電容C14的正極相連接的電容C13組成;所述三極管VT6的基極與電容Cll的負(fù)極相連接;所述信號放大電路的輸入端與檢測探頭Q2相連接、其輸出端則與控制芯片U3的ISEN管腳相連接。
[0006]所述保護(hù)電路由三極管VT3,三極管VT4,三極管VT5,負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、正極經(jīng)電阻RI后與檢測探頭QI相連接的電容C6,串接在三極管VT3的發(fā)射極和集電極之間的電阻R8,P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極接地的二極管D3,串接在三極管VT3的發(fā)射極和二極管03的~極之間的電阻R7,正極與三極管VT4的基極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的集電極相連接的電容C7,串接在電容C7的負(fù)極與二極管D3的~極之間的電阻R10,P極與電容C7的負(fù)極相連接、N極與三極管VT5的基極相連接的二極管D4,N極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、P極接地的穩(wěn)壓二極管D5,串接在三極管VT5的基極和穩(wěn)壓二極管D5的P極之間的電阻Rl I,正極經(jīng)電感L后與三極管VT3的集電極相連接、負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接的電容C8,以及與電容C8相并聯(lián)的電阻R12組成;所述三極管VT5的基極與電容C8的正極相連接;所述三極管VT3的基極與三極管VT4的集電極相連接;所述電容C8的正極與控制芯片U3的VIN管腳相連接。
[0007]所述電源電路由變壓器T,二極管整流器U,穩(wěn)壓芯片Ul,穩(wěn)壓芯片U2,正極與穩(wěn)壓芯片Ul的IN管腳相連接、負(fù)極與二極管整流器U的正極輸出端相連接的電容Cl,正極與穩(wěn)壓芯片Ul的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的電容C2,以及正極與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的電容C3組成;所述穩(wěn)壓芯片Ul的OUT管腳還與二極管02的_及相連接、其GND管腳接地;所述穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳還與開關(guān)電路相連接、其GND管腳接地、其IN管腳則與二極管整流器U的正極輸出端相連接;所述二極管整流器U的負(fù)極輸出端接地;所述二極管整流器U的輸入端分別與變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接;所述變壓器T的原邊電感線圈作為電源輸入端。
[0008]所述開關(guān)電路由與非門Al,與非門A2,三極管VTl,三極管VT2,水栗M,串接在與非門Al的輸出端和三極管VTl的基極之間的電阻R6,串接在與非門Al的負(fù)極和與非門A2的輸出端之間的電阻R5,一端與與非門A2的負(fù)極相連接、另一端接地的電阻R4,串接在三極管VTl的集電極和穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳之間的繼電器K,以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極與三極管VT2的集電極相連接的電容C5組成;所述與非門A2的正極與控制芯片U3的LX管腳相連接、其輸出端與三極管VT2的基極相連接;所述三極管VT2的發(fā)射極接地;所述與非門Al的正極接地、其輸出端與與非門A2的正極相連接;所述繼電器K的常開觸點K-1則串接在水栗的供電主線路上。
[0009]所述穩(wěn)壓芯片Ul和穩(wěn)壓芯片U2均為7809穩(wěn)壓芯片,所述控制芯片U3為A6210集成芯片。
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0011](I)本發(fā)明采用A6210集成芯片作為控制芯片,并結(jié)合邏輯門對水栗進(jìn)行控制,相比傳統(tǒng)的控制系統(tǒng)采用機械式開關(guān)來控制,本發(fā)明的誤動作率更低,能夠更準(zhǔn)確的控制水栗工作。
[0012](2)本發(fā)明擁有穩(wěn)定的工作電源,極大的提高本發(fā)明的穩(wěn)定性。
[0013](3)本發(fā)明具有過壓保護(hù)功能,當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)過電壓時,本發(fā)明會自動斷開電路,從而使本發(fā)明不被過電壓損壞。
[0014](4)本發(fā)明可以對輸出控制芯片的電流信號進(jìn)行放大處理,使控制芯片更好的對信號進(jìn)行識別,并輸出準(zhǔn)確的控制信號,因此可以極大的提高本發(fā)明對水栗的控制精度。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明的保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)圖。
[0017]圖3為本發(fā)明的信號放大電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本發(fā)明的實施方式并不限于此。
[0019]實施例
[0020]如圖1所示,本發(fā)明主要由控制芯片U3,二極管D2,檢測探頭Ql,檢測探頭Q2,串接在檢測探頭Ql和二極管D2的P極之間的電阻R2,與控制芯片U3的VIN管腳相連接的保護(hù)電路,串接在檢測探頭Ql和保護(hù)電路之間的電阻Rl,N極與檢測探頭Ql相連接、P極與控制芯片U3的TON管腳相連接的二極管Dl,正極與控制芯片U3的BOOT管腳相連接、負(fù)極與控制芯片U3的LX管腳相連接的電容C4,串接在控制芯片U3的NC管腳和GND管腳之間的電阻R3,與控制芯片U3的ISEN管腳相連接的信號放大電路,與二極管D2的N極相連接的電源電路,以及串接在電源電路和控制芯片U3的LX管腳之間的開關(guān)電路組成;所述控制芯片U3的ISEN管腳與檢測探頭Q2相連接、其GND管腳接地;所述信號放大電路與檢測探頭Q2相連接。為了更好的實施本發(fā)明,所述控制芯片U3優(yōu)選A6210集成芯片來實現(xiàn)。
[0021 ] 其中,該電源電路由變壓器T,二極管整流器U,穩(wěn)壓芯片Ul,穩(wěn)壓芯片U2,電容Cl,電容C2以及電容C3組成。
[0022]連接時,電容Cl的正極與穩(wěn)壓芯片Ul的IN管腳相連接、其負(fù)極與二極管整流器U的正極輸出端相連接。電容C2的正極與穩(wěn)壓芯片Ul的OUT管腳相連接、其負(fù)極接地。電容C3的正極與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、其負(fù)極接地。
[0023]同時,所述穩(wěn)壓芯片Ul的OUT管腳還與二極管02的_及相連接、其GND管腳接地。所述穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳還與開關(guān)電路相連接、其GND管腳接地、其IN管腳則與二極管整流器U的正極輸出端相連接。所述二極管整流器U的負(fù)極輸出端接地。所述二極管整流器U的輸入端分別與變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接。所述變壓器T的原邊電感線圈作為電源輸入端并接220V市電。為了更好的實施本發(fā)明,所述穩(wěn)壓芯片Ul和穩(wěn)壓芯片U2均采用7809穩(wěn)壓芯片來實現(xiàn)。
[0024]另外,所述開關(guān)電路由與非門Al,與非門A2,三極管VTl,三極管VT2,水栗M,電阻R4,電阻R5,電阻R6,電容C5以及繼電器K組成。
[0025]連接時,電阻R6串接在與非門Al的輸出端和三極管VTl的基極之間。電阻R5串接在與非門Al的負(fù)極和與非門A2的輸出端之間。電阻R4的一端與與非門A2的負(fù)極相連接、其另一端接地。繼電器K串接在三極管VTI的集電極和穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳之間。電容C5的正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其負(fù)極與三極管VT2的集電極相連接。
[0026]所述與非門A2的正極與控制芯片U3的LX管腳相連接、其輸出端與三極管VT2的基極相連接。所述三極管VT2的發(fā)射極接地;所述與非門AI的正極接地、其輸出端與與非門A2的正極相連接。所述繼電器K的常開觸點K-1則串接在水栗M的供電主線路上。
[0027]如圖2所示,所述保護(hù)電路由三極管VT3,三極管VT4,三極管VT5,電阻R7,電阻R8,電阻R9,電阻R10,電阻R11,電阻R12,電容C6,電容C7,電容C8,電感L,二極管D3,二極管D4以及穩(wěn)壓二極管D5組成。
[0028]連接時,電容C6的負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、其正極經(jīng)電阻Rl后與檢測探頭Ql相連接。電阻R8串接在三極管VT3的發(fā)射極和集電極之間。二極管D3的P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其N極接地。電阻R7串接在三極管VT3的發(fā)射極和二極管03的~極之間。電容C7的正極與三極管VT4的基極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的集電極相連接。電阻RlO串接在電容C7的負(fù)極與二極管03的~極之間。二極管D4的P極與電容C7的負(fù)極相連接、其N極與三極管VT5的基極相連接。穩(wěn)壓二極管05的~極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、其P極接地。電阻Rl I串接在三極管VT5的基極和穩(wěn)壓二極管D5的P極之間。電容C8的正極經(jīng)電感L后與三極管VT3的集電極相連接、其負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接。電阻R12與電容C8相并聯(lián)。所述三極管VT5的基極與電容C8的正極相連接。所述三極管VT3的基極與三極管VT4的集電極相連接。所述電容C8的正極與控制芯片U3的VIN管腳相連接。
[0029]如圖3所示,所述信號放大電路由場效應(yīng)管MOS,三極管VT6,三極管VT7,電阻Rl3,電位器R14,電阻R15,電阻R16,電阻R17,電阻R18,二極管D6,電容C9,電容C10,電容C11,電容C12,電容C13以及電容C14組成。
[0030]連接時,電容C9的負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、其正極作為該信號放大電路的輸入端并與檢測探頭Q2相連接。電阻R13串接在電容C9的負(fù)極和三極管VT7的發(fā)射極之間。電位器R14的一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、其另一端與三極管VT7的發(fā)射極相連接的同時接地。電容ClO的正極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其負(fù)極與三極管VT6的基極相連接。電容Cll的正極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R15后與三極管VT7的發(fā)射極相連接。電阻R16串接在場效應(yīng)管MOS的漏極和三極管VT6的集電極之間。二極管D6的N極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、其P極與三極管VT6的發(fā)射極相連接。電阻R17串接在場效應(yīng)管MOS的漏極和三極管VT7的集電極之間。電容C12的正極與三極管VT7的集電極相連接、其負(fù)極作為該信號放大電路的輸出端并與控制芯片U3的ISEN管腳相連接。電容C14的負(fù)極與電位器R14的控制端相連接、其正極經(jīng)電阻R18后與電容C12的負(fù)極相連接。電容C13的正極與三極管VT7的基極相連接、其負(fù)極與電容C14的正極相連接。所述三極管VT6的基極與電容Cl I的負(fù)極相連接。
[0031]工作時,檢測探頭Ql和檢測探頭Q2插入土壤中,并使檢測探頭Ql和檢測探頭Q2相距I?2mm。在土壤濕度達(dá)到設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)時,檢測探頭Ql和檢測探頭Q2之間的電阻阻值變小,控制芯片U3的LX管腳輸出高電平,與非門AI和與非門A2則輸出低電平,三極管VTI和三極管VT2截止,這時繼電器K不得電其常開觸點保持繼開,水栗M不工作。當(dāng)土壤濕度減小時,檢測探頭Ql和檢測探頭Q2之間的阻值增大,控制芯片U3的LX管腳輸出低電平,與非門Al和與非門A2則輸出高電平使三極管VTI和三極管VT2導(dǎo)通,這時繼電器K得電其常開觸點閉合,水栗M開始工作。
[0032]本發(fā)明采用A6210集成芯片作為控制芯片,并結(jié)合邏輯門對水栗進(jìn)行控制,相比傳統(tǒng)的控制系統(tǒng)采用機械式開關(guān)來控制,本發(fā)明的誤動作率更低,能夠更準(zhǔn)確的控制水栗工作。本發(fā)明具有過壓保護(hù)功能,當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)過電壓時,本發(fā)明會自動斷開電路,從而使本發(fā)明不被過電壓損壞。本發(fā)明可以對輸出控制芯片的電流信號進(jìn)行放大處理,使控制芯片更好的對信號進(jìn)行識別,并輸出準(zhǔn)確的控制信號,因此極大的提高本發(fā)明對水栗的控制精度。
[0033]如上所述,便可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項】
1.一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:主要由控制芯片U3,二極管D2,檢測探頭Ql,檢測探頭Q2,串接在檢測探頭Ql和二極管D2的P極之間的電阻R2,與控制芯片U3的VIN管腳相連接的保護(hù)電路,串接在檢測探頭Ql和保護(hù)電路之間的電阻Rl,N極與檢測探頭Ql相連接、P極與控制芯片U3的TON管腳相連接的二極管Dl,正極與控制芯片U3的BOOT管腳相連接、負(fù)極與控制芯片U3的LX管腳相連接的電容C4,串接在控制芯片U3的NC管腳和GND管腳之間的電阻R3,與控制芯片U3的ISEN管腳相連接的信號放大電路,與二極管D2的N極相連接的電源電路,以及串接在電源電路和控制芯片U3的LX管腳之間的開關(guān)電路組成;所述控制芯片U3的ISEN管腳與檢測探頭Q2相連接、其GND管腳接地;所述信號放大電路與檢測探頭Q2相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:所述信號放大電路由場效應(yīng)管M0S,三極管VT6,三極管VT7,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極作為該信號放大電路的輸入端的電容C9,串接在電容C9的負(fù)極和三極管VT7的發(fā)射極之間的電阻R13,一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端與三極管VT7的發(fā)射極相連接的同時接地的電位器R14,正極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、負(fù)極與三極管VT6的基極相連接的電容ClO,正極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R15后與三極管VT7的發(fā)射極相連接的電容C11,串接在場效應(yīng)管MOS的漏極和三極管VT6的集電極之間的電阻R16,N極與三極管VT7的發(fā)射極相連接、P極與三極管VT6的發(fā)射極相連接的二極管D6,串接在場效應(yīng)管MOS的漏極和三極管VT7的集電極之間的電阻R17,正極與三極管VT7的集電極相連接、負(fù)極作為該信號放大電路的輸出端的電容C12,負(fù)極與電位器R14的控制端相連接、正極經(jīng)電阻R18后與電容C12的負(fù)極相連接的電容C14,以及正極與三極管VT7的基極相連接、負(fù)極與電容C14的正極相連接的電容C13組成;所述三極管VT6的基極與電容Cll的負(fù)極相連接;所述信號放大電路的輸入端與檢測探頭Q2相連接、其輸出端則與控制芯片U3的ISEN管腳相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:所述保護(hù)電路由三極管VT3,三極管VT4,三極管VT5,負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接、正極經(jīng)電阻Rl后與檢測探頭Ql相連接的電容C6,串接在三極管VT3的發(fā)射極和集電極之間的電阻R8,P極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極接地的二極管D3,串接在三極管VT3的發(fā)射極和二極管03的~極之間的電阻R7,正極與三極管VT4的基極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R9后與三極管VT3的集電極相連接的電容C7,串接在電容C7的負(fù)極與二極管D3的~極之間的電阻R10,P極與電容C7的負(fù)極相連接、N極與三極管VT5的基極相連接的二極管D4,N極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、P極接地的穩(wěn)壓二極管D5,串接在三極管VT5的基極和穩(wěn)壓二極管D5的P極之間的電阻Rl I,正極經(jīng)電感L后與三極管VT3的集電極相連接、負(fù)極與三極管VT5的集電極相連接的電容C8,以及與電容C8相并聯(lián)的電阻R12組成;所述三極管VT5的基極與電容C8的正極相連接;所述三極管VT3的基極與三極管VT4的集電極相連接;所述電容C8的正極與控制芯片U3的VIN管腳相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:所述電源電路由變壓器T,二極管整流器U,穩(wěn)壓芯片Ul,穩(wěn)壓芯片U2,正極與穩(wěn)壓芯片Ul的IN管腳相連接、負(fù)極與二極管整流器U的正極輸出端相連接的電容Cl,正極與穩(wěn)壓芯片Ul的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的電容C2,以及正極與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的電容C3組成;所述穩(wěn)壓芯片Ul的OUT管腳還與二極管02的_及相連接、其GND管腳接地;所述穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳還與開關(guān)電路相連接、其GND管腳接地、其IN管腳則與二極管整流器U的正極輸出端相連接;所述二極管整流器U的負(fù)極輸出端接地;所述二極管整流器U的輸入端分別與變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端相連接;所述變壓器T的原邊電感線圈作為電源輸入端。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:所述開關(guān)電路由與非門Al,與非門A2,三極管VTl,三極管VT2,水栗M,串接在與非門Al的輸出端和三極管VTl的基極之間的電阻R6,串接在與非門Al的負(fù)極和與非門A2的輸出端之間的電阻R5,一端與與非門A2的負(fù)極相連接、另一端接地的電阻R4,串接在三極管VTl的集電極和穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳之間的繼電器K,以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極與三極管VT2的集電極相連接的電容C5組成;所述與非門A2的正極與控制芯片U3的LX管腳相連接、其輸出端與三極管VT2的基極相連接;所述三極管VT2的發(fā)射極接地;所述與非門AI的正極接地、其輸出端與與非門A2的正極相連接;所述繼電器K的常開觸點K-1則串接在水栗的供電主線路上。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于保護(hù)電路的信號放大型自動灌溉控制系統(tǒng),其特征在于:所述穩(wěn)壓芯片Ul和穩(wěn)壓芯片U2均為7809穩(wěn)壓芯片,所述控制芯片U3為A6210集成芯片。
【文檔編號】F04B49/06GK106050629SQ201610528336
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月6日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】成都特普瑞斯節(jié)能環(huán)??萍加邢薰?br>
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