專利名稱：等離子體處理容器的陽極氧化處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及相對于對例如平板顯示器(FPD)用的玻璃基板等被處 理體進行等離子體處理時使用的等離子體處理容器進行陽極氧化處理 (防蝕鋁處理alumite)的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法。
背景技術(shù)：
在以液晶顯示器(LCD)為代表的FPD的制造過程中，在真空下 對玻璃基板等被處理體實施蝕刻、成膜等各種處理。為了利用等離子 體進行上述處理，使用具有能夠抽真空的處理容器的等離子體處理裝 置。作為等離子體處理容器的材料，通常使用鋁。
在進行等離子體處理時，存在由于等離子體、腐蝕性氣體的作用 導(dǎo)致主要是等離子體處理容器的內(nèi)表面受到損傷的可能性。因此，對 鋁制的等離子體處理容器的表面實施陽極氧化處理，提高耐腐蝕性。 陽極氧化處理通常通過將接受處理的部件浸漬在包含硫酸、草酸的電 解液中而進行。
但是，近年來，越來越要求FPD用的基板的大型化，與此相對應(yīng)， 等離子體處理容器也存在大型化的傾向。于是，為了對大型的等離子 體處理容器實施陽極氧化處理，需要準(zhǔn)備更大型的電解液槽。最近， 以一邊超過2m的巨大的基板作為處理對象的等離子體處理容器也被 制造出來，現(xiàn)有的浸漬方式的陽極氧化處理逐漸到達極限。
作為對大型的處理對象進行陽極氧化處理的技術(shù)，例如在專利文 獻1中提案有以下方法，沿著將要進行陽極氧化處理的筒狀體(插入 內(nèi)燃機的氣缸體(cylinderblock)的套筒(sleeve))的內(nèi)面插入棒狀的 電極，將筒狀體作為陽極，將棒狀的電極作為陰極，向筒狀體的內(nèi)部 流入電解液，進行陽極氧化處理。
專利文獻l:日本特開2000-26999號(圖2等)
在上述專利文獻1的技術(shù)中，因為在作為陽極氧化處理的處理對
5象的筒狀體的內(nèi)部使電解液循環(huán)，所以不需要將整個筒狀體浸漬在電解液中。因此，能夠不使用大型的電解液槽地對大型的筒狀體的內(nèi)表面進行陽極氧化處理。
但是，專利文獻1的處理對象是安裝在氣缸體上的縱長的筒狀體的內(nèi)表面，根據(jù)其形狀，是比較容易在內(nèi)部充滿電解液并使其循環(huán)的結(jié)構(gòu)。另一方面，對FPD用基板進行等離子體處理的等離子體處理容器為上部開口的箱形，在側(cè)壁和底壁上形成有基板的搬入搬出口、觀察用的窗口、和用于排氣、供電的開口部。因為電解液含有硫酸等有害成分，所以為了將等離子體處理容器本身作為電解液槽進行陽極氧化處理，必須使得電解液不漏出到外部，并在等離子體處理容器內(nèi)部使電解液循環(huán)，從而實施陽極氧化處理。因此，必須可靠地密封上述開口部。
但是，等離子體處理通常在令等離子體處理容器內(nèi)部為真空狀態(tài)后進行。因此，在等離子體處理容器的外壁面的上述開口部的周圍設(shè)置O形環(huán)等密封部件，從而維持處理容器內(nèi)的氣密性。在等離子體處理中，等離子體、腐蝕性氣體可能通過上述開口部進入外壁面的該密封部件的配置位置。從而，在對等離子體處理容器實施陽極氧化處理的情況下，不僅需要在該容器的內(nèi)壁面上，而且在上述開口部的周圍也需要形成直至外側(cè)(外壁面)的氧化覆膜。
如上所述，為了安全地進行陽極氧化處理，需要可靠地密封開口部，但是為了在開口部的周圍的外壁面上也形成氧化覆膜，必須使該部位也浸漬在電解液中。因為難以同時滿足這兩個必要性，所以沒有以等離子體處理容器本身作為電解液槽進行陽極氧化處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其第一目的是對大型且具有開口部的等離子體處理容器安全且可靠地進行陽極氧化處理，其第二目的是在等離子體處理容器的貫通開口部的周圍的外壁面上，也與等離子體處理容器的內(nèi)壁面同樣地進行陽極氧化處理。
本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法是對呈上部開口的箱形且在壁面上具有貫通開口部的等離子體處理容器的表面進行陽極氧化處理的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其特征在于
在上述等離子體處理容器的上述貫通開口部安裝有蓋部件的狀態(tài) 下，向上述等離子體處理容器內(nèi)填充電解液，
在上述等離子體處理容器的內(nèi)部配置作為陰極的電極，并將上述 等離子體處理容器作為陽極，從而進行陽極氧化處理。
在本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法中，也可以采 用以下方式，在上述貫通開口部的周圍的壁面上，設(shè)置有為了將上述 等離子體處理容器的內(nèi)部維持為真空狀態(tài)而配置的第一密封部件的配 置預(yù)定部位，在將該配置預(yù)定部位浸在上述電解液中的狀態(tài)下進行陽 極氧化處理。在此情況下，也可以以包圍至少一個上述貫通開口部的 方式，使用于防止上述電解液的泄漏的第二密封部件與上述等離子體 處理容器的外壁面抵接，隔著該第二密封部件將上述蓋部件安裝在上 述等離子體處理容器的外側(cè)。進一步，也可以采用以下方式，上述第 一密封部件的配置預(yù)定部位設(shè)置在上述貫通開口部的周圍的外壁面 上，以上述第二密封部件包圍上述第一密封部件的配置預(yù)定部位的周 圍的方式安裝上述蓋部件。
此外，在本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法中，也 可以以包圍至少一個上述貫通開口部的方式，使用于防止上述電解液 的泄漏的第二密封部件與上述等離子體處理容器的內(nèi)壁面抵接，隔著 該第二密封部件將上述蓋部件安裝在上述等離子體處理容器的內(nèi)部。 在此情況下，也可以使上述第二密封部件抵接在上述貫通開口部與上 述第一密封部件的配置預(yù)定部位之間。
此外，本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法也可以是， 通過在至少一個上述貫通開口部從外側(cè)安裝上述蓋部件，在上述等離 子體處理容器的外部形成與內(nèi)部連通的電解液流入部，通過使上述電 解液流入該電解液流入部，在將上述等離子體處理容器的上述貫通開 口部的周圍的外壁面浸在上述電解液中的狀態(tài)下進行陽極氧化處理。 在此情況下，上述蓋部件也可以為截面為〕字形的結(jié)構(gòu)。
此外，在本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法中，也 可以以包圍上述等離子體處理容器的上部的上述開口的方式在上述等 離子體處理容器的上端部設(shè)置輔助壁，并填充上述電解液直至上述電解液的水位到達該輔助壁，從而進行陽極氧化處理。
在此情況下，在上述等離子體處理容器的上端部設(shè)置有為了將上 述等離子體處理容器的內(nèi)部維持為真空狀態(tài)而配置的第三密封部件的 配置預(yù)定部位，上述輔助壁也可以以包圍上述第三密封部件的配置預(yù) 定部位的方式配置在外側(cè)。
此外，在本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法中，上 述電極也可以由多個平板狀的電極形成，將該平板狀的電極以相對于 上述等離子體處理容器的側(cè)壁和底壁的內(nèi)表面分別平行的方式配置。 在此情況下，也可以配置從上述等離子體處理容器的貫通開口部插入 上述電解液流入部的輔助電極作為陰極，從而進行陽極氧化處理。進 一步，上述輔助電極也可以具有與上述等離子體處理容器的外壁面平 行地形成的相對部。
在本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法中，采用以下 結(jié)構(gòu)，即，在等離子體處理容器的貫通開口部安裝有蓋部件的狀態(tài)下， 向等離子體處理容器內(nèi)填充電解液，進行陽極氧化處理。因此，不需 要使用電解液槽，并且能夠在可靠地防止從貫通開口部的電解液的泄 漏的同時實施陽極氧化處理。從而，能夠達到相對于大型的等離子體 處理容器也能夠安全且容易地進行陽極氧化處理的效果。并且，與使 用電解液槽的情況相比，能夠達到大幅節(jié)減使用的電解液的量和與電 解液槽相關(guān)的設(shè)備費用的效果。
此外，在本發(fā)明的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法中，因 為能夠在將上述貫通開口部的周圍的外壁面浸在電解液中的狀態(tài)下進 行陽極氧化處理，所以能夠達到以下效果在進行等離子體處理時， 對于等離子體、腐蝕性氣體容易通過各貫通開口部進入的外壁部分也 能夠?qū)嵤╆枠O氧化處理。


圖1是表示等離子體蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是對本發(fā)明的第一實施方式的陽極氧化處理方法進行說明的圖。
圖3是表示側(cè)壁上的蓋部件和輔助壁的安裝示例的主要部位截面圖。
圖4是放大表示窗口用開口的周圍的圖。
圖5是對本發(fā)明的第二實施方式的陽極氧化處理方法中的輔助電 極的配置例進行說明的圖。
圖6是用于對第一實施方式的陽極氧化處理方法的變形例進行說
明的圖。 符號說明
101處理容器
101a 底壁
101b (101b,、 101b2) 側(cè)壁
101c 蓋體
105 基座
151排氣用開口
161基板搬送用開口
164 窗口用開口
177供電用開口
203、 205、 207、 209、 210 O形環(huán)
211、 211a、 221、 231、 241 蓋部件 251輔助壁
301、 303、 305、 307、 309 O形環(huán)配置用槽
401、 403 陰極板 501吸入部
503 噴出部
505 泵
507 液體循環(huán)機構(gòu)
具體實施例方式
(第一實施方式)
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行詳細的說明。 首先，參照圖1，對具有等離子體處理容器的等離子體蝕刻裝置的 概略結(jié)構(gòu)進行說明，其中，該等離子體處理容器為本發(fā)明的陽極氧化處理方法的處理對象。如圖1所示，等離子體蝕刻裝置200構(gòu)成為對
例如FPD用的玻璃基板(以下，簡單地記為"基板")S進行蝕刻的電 容耦合型的平行平板等離子體蝕刻裝置。其中，作為FPD，能夠例舉 液晶顯示器(LCD)、電致發(fā)光(Electro Luminescence: EL)顯示器、 等離子體顯示面板(PDP)等。
該等離子體蝕刻裝置200具有由表面被陽極氧化處理(防蝕鋁處 理)過的鋁構(gòu)成的形成為角筒形狀的處理容器101。處理容器101的主 體(容器主體)通過底壁101a、 4個側(cè)壁101b (僅圖示101b,、 101b2 這2個)構(gòu)成。并且，在處理容器101的主體的上部接合有蓋體101c。
在處理容器101的側(cè)壁101b、蓋體101c的外壁上以能夠裝卸的方 式安裝有例如不銹鋼(SUS)等材質(zhì)的薄板102。薄板102保護處理容 器101不受到來自外部的沖擊和損傷。在該薄板102受到損傷的情況 下，僅更換薄板102即可，因此能夠使處理容器101的壽命長期化。
蓋體101c構(gòu)成為能夠通過未圖示的開關(guān)機構(gòu)被開關(guān)。在關(guān)閉蓋體 101c的狀態(tài)下，蓋體101c與各側(cè)壁101b的接合部分通過作為第三密 封部件的O形環(huán)103被密封，保持處理容器101內(nèi)的氣密性。
在處理容器101內(nèi)的底部配置有框形狀的絕緣部件104。絕緣部件 104之上設(shè)置有作為能夠載置基板S的載置臺的基座105。也作為下部 電極的基座105具有基材107?；?07由例如鋁、不銹鋼(SUS)等 導(dǎo)電性材料形成?；?07配置在絕緣部件104之上，在兩部件的接 合部分配置有O形環(huán)等密封部件113，用于維持氣密性。在絕緣部件 104與處理容器101的底壁lOla之間也通過O形環(huán)等密封部件114維 持氣密性?；?07的側(cè)部外周被絕緣部件117包圍。由此，能夠確 ?；?05的側(cè)面的絕緣性，防止等離子體處理時的異常放電。
在基座105的上方，設(shè)置有與該基座105平行且相對的作為上部 電極起作用的噴淋頭131。噴淋頭131被處理容器101的上部的蓋體 101c支承。噴淋頭131為中空狀，在其內(nèi)部設(shè)置有氣體擴散空間133。 此外，在噴淋頭131的下表面(與基座105相對的面)上形成有噴出 處理氣體的多個氣體噴出孔135。該噴淋頭131被接地，與基座105 一同構(gòu)成一對平行平板電極。
在噴淋頭131的上部中央附近設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 137。處理氣體供
10給管139連接在該氣體導(dǎo)入口 137上。在該處理氣體供給管139上， 通過2個閥141、 141和質(zhì)量流量控制器143，連接有供給用于蝕刻的 處理氣體的氣體供給源145。作為處理氣體，除了例如鹵素類氣體、 02氣體之外，還能夠使用Ar氣體等稀有氣體等。
在接近上述處理容器101內(nèi)的4角的位置，在底壁101a上形成有 4個作為貫通開口部的排氣用開口 151。在各排氣用開口 151上連接有 排氣管153。排氣管153，在其端部具有凸緣部153a，以在該凸緣部 153a與底壁lOla之間存在O形環(huán)(省略圖示)的狀態(tài)被固定。排氣管 153與排氣裝置155連接。排氣裝置155構(gòu)成為，設(shè)置有例如渦輪分子 泵等真空泵，由此能夠?qū)⑻幚砣萜?01內(nèi)抽真空至規(guī)定的減壓氣氛。
此外，在處理容器101的側(cè)壁101b,上，設(shè)置有作為貫通開口部的 基板搬送用開口 161。該基板搬送用開口 161通過閘閥162開關(guān)，使得 在其與鄰接的搬送室(省略圖示)之間能夠搬送基板S。閘閥162，以 在其與側(cè)壁101b,之間存在作為第一密封部件的O形環(huán)163的狀態(tài)， 使用螺釘?shù)裙潭ú考潭ㄔ趥?cè)壁101b,上。
此外，在處理容器101的側(cè)壁101b2上，設(shè)置有作為貫通開口部的 窗口用開口 164。在該窗口用開口 164上安裝有嵌入窗口框165的透明 的石英板166。窗口框165，以在其與側(cè)壁10化2之間存在作為第一密 封部件的0形環(huán)167的狀態(tài)，使用螺釘?shù)裙潭ú考潭ㄔ趥?cè)壁101b2 上。
在基座105的基材107上連接有供電線171。高頻電源175通過匹 配箱(M.B.) 173連接在該供電線171上。由此，從高頻電源175向作 為下部電極的基座105供給例如13.56MHz的高頻電力。其中，供電線 171通過形成在底壁101a上的作為貫通開口部的供電用開口 177被導(dǎo) 入處理容器101內(nèi)。
接著，對以上述方式構(gòu)成的等離子體蝕刻裝置200中的處理動作 進行說明。首先，在閘閥162被打開的狀態(tài)下，作為被處理體的基板S 利用未圖示的搬送裝置的叉部，通過基板搬送用開口 161被搬入處理 容器101內(nèi)，并被交接給基座105。之后，閘閥162被關(guān)閉，通過排氣 裝置155將處理容器101內(nèi)抽真空至規(guī)定的真空度。
接著，打開閥141，將處理氣體從氣體供給源145通過處理氣體供
ii給管139、氣體導(dǎo)入口 137導(dǎo)入噴淋頭131的氣體擴散空間133。此時， 通過質(zhì)量流量控制器143進行處理氣體的流量控制。被導(dǎo)入氣體擴散 空間133中的處理氣體進一步通過多個噴出孔135相對于載置在基座 105上的基板S被均勻地噴出，處理容器101內(nèi)的壓力被維持在規(guī)定的 值。
在此狀態(tài)下，從高頻電源175通過匹配箱173向基座105施加高 頻電力。由此，在作為下部電極的基座105與作為上部電極的噴淋頭 131之間產(chǎn)生高頻電場，處理氣體離解并等離子體化。利用該等離子體 對基板S實施蝕刻處理。
在實施蝕刻處理后，停止從高頻電源175施加高頻電力，停止氣 體的導(dǎo)入，之后將處理容器101內(nèi)減壓至規(guī)定的壓力。接著，打開閘 閥162，從基座105將基板S交接給未圖示的搬送裝置的叉部，從處理 容器101的基板搬送用開口 161搬出基板S。通過以上的操作，相對于 基板S的等離子體蝕刻處理結(jié)束。
在等離子體蝕刻裝置200內(nèi)進行的等離子體蝕刻處理中，必須保 護處理容器101的內(nèi)表面免受在處理容器101內(nèi)生成的等離子體、從 氣體供給源145供給的鹵素類腐蝕性氣體的影響。因此，對組裝等離 子體蝕刻裝置200之前的處理容器101實施陽極氧化處理，在處理容 器101的內(nèi)表面上形成氧化覆膜。處理容器101是用于對大型的FPD 用的基板S進行處理的大型容器，為了將其整體浸漬在電解液中進行 陽極氧化處理，存在必須使用更大型的電解液槽的問題。
上述問題能夠通過向處理容器101內(nèi)注入電解液，利用處理容器 101本身作為電解液槽而解決。但是，因為處理容器101具有上述的多 個貫通開口部(排氣用開口 151、基板搬送用開口 161、窗口用開口 164、 供電用開口 177)，所以為了使得在陽極氧化處理中使用的電解液不漏 出到外部，必須密封這些貫通開口部，再進行陽極氧化處理。為此， 在本實施方式中，利用以下說明的方法進行陽極氧化處理。
圖2是示意性地對向由底壁101a和4方的側(cè)壁101b (僅圖示側(cè)壁 101b,禾卩101b2這2個)構(gòu)成的處理容器IOI內(nèi)直接注入電解液E進行 陽極氧化處理的狀態(tài)進行說明的圖。如上所述，在底壁101a的中央形 成有供電用開口 177，進一步在其周圍形成有4個排氣用開口 151 (僅圖示2個)。并且，在一個側(cè)壁101b,上形成有基板搬送用開口 161。 在與側(cè)壁101b,相對設(shè)置的另一個側(cè)壁101b2上形成有用于觀察處理容
器101內(nèi)的窗口用開口 164。而且，在各貫通開口部上分別安裝有蓋部 件并且被密封。即，在供電用開口 177上安裝有蓋部件211。在4個排 氣用開口 151上分別安裝有蓋部件221。并且，在基板搬送用開口 161 上安裝有蓋部件231。進一步，在窗口用開口 164上安裝有蓋部件241。 此外，在側(cè)壁101b的上端設(shè)置有輔助壁251。
在處理容器IOI內(nèi)，以與4個側(cè)壁101b的內(nèi)壁面大致平行的方式 配置有陰極板401 (僅圖示3個)。此外，在處理容器101的底壁101a 的附近，以與該底壁101a的內(nèi)壁面平行的方式配置有陰極板403。在 各陰極板401、 403上分別連接有供電線405。供電線405的另一端側(cè) 通過電源407與作為陽極的處理容器101的主體連接。
此外，在處理容器101上配置有具有用于吸入電解液E的吸入部 501、用于噴出電解液E的噴出部503、和泵505的液體循環(huán)機構(gòu)507。 它們構(gòu)成為，通過使該液體循環(huán)機構(gòu)507的泵505工作，能夠使電解 液E循環(huán)，并能夠在處理容器101內(nèi)攪拌。
向配置有陰極板401、 403的處理容器101內(nèi)注入電解液E，在利 用液體循環(huán)機構(gòu)507使電解液E循環(huán)的同時，利用直流電源407在陰 極板401、 403與作為陽極的處理容器101之間以規(guī)定的電流密度流動 電流，由此能夠進行陽極氧化處理。其中，陽極氧化處理中的電解液E 的種類、處理溫度、電流密度等條件能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
接著，以安裝在側(cè)壁101b2上的蓋部件241為例，對蓋部件的結(jié)構(gòu) 和作用進行詳細的說明。圖3表示窗口用開口 164與蓋部件241的接 合部分的放大圖。側(cè)壁101b2的窗口用開口 164通過蓋部件241相對于 處理容器101的外側(cè)密封。蓋部件241例如由鋁、鈦等材料構(gòu)成，由 未圖示的螺釘?shù)裙潭ú考潭ㄔ趥?cè)壁101b2上。
蓋部件241為具有主體241a和相對于該主體241a垂直設(shè)置的框 狀壁241b的較淺的箱形，其截面為〕字形。蓋部件241的框狀壁241b 的端部與窗口用開口 164的形狀相配合，為矩形，并且形成得比窗口 用開口 164大。蓋部件241通過主體241a和框狀壁241b而形成凹部， 該凹部具有比窗口用開口 164的面積大的開口面積。該凹部通過窗口用開口 164與處理容器101的內(nèi)部連通，形成在將蓋部件241安裝在 側(cè)壁101b2上的狀態(tài)下使電解液E流入的電解液流入部243。
蓋部件241的框狀壁241b隔著作為第二密封部件的O形環(huán)203與 側(cè)壁101b2抵接。從而，蓋部件241和側(cè)壁101b2的抵接部位，在電解 液流入部243中充滿電解液E的狀態(tài)下也能夠密封，使得電解液E不 會漏出。其中，作為第二密封部件，并不限定于O形環(huán)，例如還能夠 使用密封帶(其它蓋部件211、 221、 231也同樣)。
在側(cè)壁101b2的窗口用開口 164的周圍設(shè)置有用于配置0形環(huán)167 的0形環(huán)配置用槽301，配置該O形環(huán)167的目的在于在窗口用開口 164上安裝窗口框165 (參照圖1)時保持氣密性。蓋部件241的框狀 壁241b以從外側(cè)包圍該O形環(huán)配置用槽301的方式與其外周側(cè)抵接。
圖4表示側(cè)壁10化2的窗口用開口 164、 0形環(huán)配置用槽301、以 及蓋部件241的框狀壁241b隔著O形環(huán)203與側(cè)壁1011)2抵接的抵接 部位203a的位置關(guān)系。在圖4中，網(wǎng)格所示的區(qū)域R既是處理容器101 的外壁面，也是被暴露在通過窗口用開口 164進入外壁面?zhèn)鹊牡入x子 體、腐蝕性氣體下的區(qū)域。
如圖4所示，在本實施方式中，在比作為第一密封部件的配置預(yù) 定位置的O形環(huán)配置用槽301更靠外側(cè)的位置，形成有蓋部件241的 框狀壁241b的抵接部位203a。由此，在側(cè)壁101b2的外壁上，能夠使 電解液E到達比O形環(huán)配置用槽301的位置更靠外側(cè)的位置。從而， 能夠使以網(wǎng)格表示的區(qū)域R確實地浸在電解液E中。由此，能夠可靠 地對包括以網(wǎng)格表示的區(qū)域R的直至O形環(huán)配置用槽301的位置實施 陽極氧化處理。另外，在圖2 圖4中，以在側(cè)壁101b2上形成有0形 環(huán)配置用槽301的情況為例進行了說明，但也能夠在窗口框165 (參照 圖1)這一側(cè)預(yù)先形成O形環(huán)配置用的槽。在此情況下，也只要將框 狀壁241b配置在O形環(huán)167的抵接預(yù)定位置的外側(cè)即可。
此外，在圖2~圖4中，以在側(cè)壁10比2上安裝有蓋部件241的情 況為例進行了說明，對底壁101a的供電用開口 177、排氣用開口 151、 側(cè)壁101b,的基板搬送用開口 161分別進行密封的蓋部件211、 221、 231的安裝結(jié)構(gòu)及其作用也與上述情況相同。
艮P，如圖2所示，密封供電用開口 177的蓋部件211隔著作為第二密封部件的O形環(huán)205安裝在底壁101a上，防止電解液E的漏出。 在供電用開口 177的周圍，為通過作為第一密封部件的密封部件114 (O形環(huán))，在絕緣部件104與處理容器101的底壁101a的內(nèi)壁面之 間能夠保持氣密性的結(jié)構(gòu)(參照圖1)，因為等離子體、腐蝕性氣體不 會進入供電用開口 177的周圍的外壁面，所以未設(shè)置用于配置第一密 封部件(O形環(huán))的槽。
此外，用于密封排氣用開口 151的蓋部件221隔著作為第二密封 部件的O形環(huán)207安裝在底壁101a上，防止電解液E的漏出。在此情 況下，O形環(huán)207配置在比O形環(huán)配置用槽303更靠外側(cè)的位置，該 0形環(huán)配置用槽303是用于配置位于排氣管153的凸緣部153a與底壁 lOla之間的作為第一密封部件的O形環(huán)(省略圖示)的預(yù)定位置。從 而，能夠使電解液E到達0形環(huán)配置用槽303的位置，能夠可靠地實 施陽極氧化處理。
此外，用于密封基板搬送用開口 161的蓋部件231隔著作為第二 密封部件的O形環(huán)209被安裝在側(cè)壁lOlb,上，防止電解液E的漏出。 在此情況下，O形環(huán)209配置在比O形環(huán)配置用槽305更靠外側(cè)的位 置，該O形環(huán)配置用槽305是用于配置位于閘闊162與側(cè)壁101h之 間的作為第一密封部件的O形環(huán)(省略圖示)的預(yù)定位置。從而，能 夠使電解液E到達0形環(huán)配置用槽305的位置，能夠可靠地實施陽極 氧化處理。
接著，再次參照圖2和圖3，對配置在4個側(cè)壁101b的上端的輔 助壁251的結(jié)構(gòu)和作用進行說明。輔助壁251形成為截面為L字形的 框體。輔助壁251例如由鋁、鈦等材料構(gòu)成，通過未圖示的螺釘?shù)裙?定部件固定在側(cè)壁101b的上端。輔助壁251隔著O形環(huán)253被固定在 側(cè)壁101b的上端。從而，輔助壁251和側(cè)壁101b的抵接部位被密封， 使得電解液E不會漏出。
輔助壁251形成為具有足夠的高度H，使得在超過處理容器101 的側(cè)壁101b的上端地存儲有電解液E的情況下，電解液E不會流出。 通過設(shè)置輔助壁251，能夠向處理容器101內(nèi)注入電解液E直至電解液 E的液面超過側(cè)壁101b的上端的高度位置。通過注入電解液E直至液 面到達輔助壁251的高度，并進行陽極氧化處理，能夠在側(cè)壁101b的頂部也形成氧化覆膜。
在側(cè)壁101b的上端形成有用于配置作為第三密封部件的O形環(huán)
103的O形環(huán)配置用槽307。 O形環(huán)103用于在如上所述的關(guān)閉蓋體 101c的狀態(tài)下維持蓋體101c與各側(cè)壁101b的接合部分的氣密性(參 照圖1)。因為在蓋體101c與側(cè)壁101b的接合邊界上形成有細微的間 隙，所以存在等離子體、腐蝕性氣體進入該縫隙并到達O形環(huán)103的 配置位置，使得側(cè)壁101b的上端面劣化的情況。在本實施方式中，輔 助壁251以包圍該0形環(huán)配置用槽307的方式設(shè)置在其外周側(cè)。艮卩， 輔助壁251配置在比作為0形環(huán)103的配置預(yù)定位置的0形環(huán)配置用 槽307更靠外側(cè)的位置。通過這種配置，能夠直至O形環(huán)配置用槽307 的位置可靠地以電解液E進行浸漬，能夠直至O形環(huán)配置用槽307的 位置可靠地實施陽極氧化處理。這樣，能夠提高蓋體101c與側(cè)壁101b 的接合邊界的耐等離子體侵蝕(plasmaerosion)性和耐腐蝕性。
另外，在圖2和圖3中，以在側(cè)壁101b的上端形成有O形環(huán)配置 用槽307的情況為例進行了說明，但也能夠預(yù)先在蓋體101c這一側(cè)形 成O形環(huán)配置用的槽。在此情況下，將輔助壁251配置在O形環(huán)103 的抵接預(yù)定位置的外側(cè)即可。
在本實施方式的陽極氧化處理方法中，采用以下結(jié)構(gòu)在從貫通 開口部(供電用開口 177、排氣用開口 151、基板搬送用開口 161、窗 口用開口 164)的外側(cè)安裝有密封處理容器101的貫通開口部的蓋部件 211、 221、 231、 241的狀態(tài)下，在處理容器101內(nèi)填充電解液E并進 行陽極氧化處理。因此，不僅不需要使用電解液槽，還能夠在可靠地 防止電解液從貫通開口部漏出的同時實施陽極氧化處理。因此，相對 于大型的處理容器101也能夠安全且容易地進行陽極氧化處理。并且， 與使用電解液槽的情況相比，能夠大幅節(jié)減使用的電解液的量和與電 解液槽相關(guān)的設(shè)備費用。
此外，在本實施方式的陽極氧化處理方法中，以能夠直至各貫通 開口部的周圍的外壁面以電解液E進行浸漬的方式安裝有蓋部件211、 221、 231、 241。因此，在利用等離子體蝕刻裝置200進行等離子體蝕 刻處理的情況下，即使是等離子體、腐蝕性氣體容易通過各貫通開口 部進入的外壁部分，也能夠?qū)ζ鋵嵤╆枠O氧化處理。而且，通過調(diào)節(jié)蓋部件221、 231、 241的大小，能夠直至第一密封部件的配置預(yù)定部 位(0形環(huán)配置用槽303、 305、 301)的位置可靠地進行陽極氧化處理。
此外，在本實施方式的陽極氧化處理方法中，在處理容器101的 側(cè)壁101b的上端配置輔助壁251，注入電解液E直至該輔助壁251的 高度位置，并進行陽極氧化處理。由此，能夠超過側(cè)壁101b的上端的 高度位置地注入電解液E，能夠直至側(cè)壁101b的上端面可靠地進行陽 極氧化處理。并且，輔助壁251以包圍側(cè)壁101b的上端面的O形環(huán)配 置用槽307的方式配置在其外側(cè)。從而，能夠直至可能暴露在等離子 體、腐蝕性氣體中的側(cè)壁101b的上端面的O形環(huán)配置用槽307的位置 可靠地實施陽極氧化處理。
而且，對于與處理容器101的上部接合的蓋體101c，也能夠與以 上所述的方法同樣地進行陽極氧化處理。 (第二實施方式)
接著，參照圖5，對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。圖5是表示 窗口用開口 164附近的陰極的配置例的圖。在本實施方式中，除了作 為陰極的陰極板401、 403之外，還配置有插入窗口用開口 164的內(nèi)部 的小型的輔助電極409。作為陰極的輔助電極409貫通窗口用開口 164， 被插入至電解液流入部243。在圖5中，雖然表示了上下1對輔助電極 409，但同樣也能夠在左右(圖5的紙面的面前側(cè)和進深側(cè))配置輔助 電極409。
輔助電極409的形狀例如能夠形成為板狀、棒狀等適當(dāng)?shù)男螤睿?在本實施方式中，如圖5所示，形成為具有較長部分409a、和從其大 致直角地彎曲并與側(cè)壁101b2的外壁面平行的壁面相對部分40%的截 面為L字狀的板狀。
這樣，在通過安裝在側(cè)壁101b上的蓋部件241形成的電解液流入 部243中插入/配置作為陰極的輔助電極409，由此，能夠在包括窗口 用開口 164的內(nèi)周部分164a的窗口用開口 164的周圍形成氧化覆膜。 特別是，通過使用具有與外壁面平行的壁面相對部分409b的輔助電極 409，對窗口用開口 164的周圍的外壁面也能夠可靠地實施陽極氧化處 理。
另外，雖然省略了圖示和說明，但是，輔助電極409不僅能夠配置于窗口用開口 164，還能夠配置于處理容器101的其它貫通開口部
(排氣用開口 151、基板搬送用開口 161、供電用開口 177)，在此情況 下也能夠獲得與上述情況同樣的效果。
本實施方式的其它結(jié)構(gòu)、作用和效果與第一實施方式相同。 以上對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不受上述實施 方式制約，能夠進行各種變形。例如，本發(fā)明的陽極氧化處理方法不 限于在以FPD用基板為處理對象的處理容器中應(yīng)用，也能夠應(yīng)用于以
例如半導(dǎo)體晶片為處理對象的處理容器。并且，不限于等離子體蝕刻 裝置的處理容器，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于進行例如等離子體灰化處理、 等離子體CVD處理等其它等離子體處理的處理容器。
此外，在上述實施方式中，采用在所有貫通開口部均從外側(cè)安裝 用于密封處理容器101的貫通開口部的蓋部件211、 221、 231、 241的 結(jié)構(gòu)。但是，也存在從貫通開口部的內(nèi)側(cè)安裝蓋部件的情況。例如， 如圖6所示，作為用于密封供電用開口 177的蓋部件，也能夠?qū)⑸w部 件211a安裝在處理容器101的內(nèi)側(cè)。而且，此情況下的蓋部件211a 也可以是圖示那樣的平板狀。在供電用開口 177的周圍，為通過作為 第一密封部件的密封部件114 (O形環(huán))能夠在絕緣部件104與處理容 器101的底壁101a的內(nèi)壁面之間確保氣密性的結(jié)構(gòu)(參照圖1)。因此， 在用于配置密封部件114的O形環(huán)配置用槽309的內(nèi)側(cè)(即，在供電 用開口 177與O形環(huán)配置用槽309之間)，隔著作為第二密封部件的O 形環(huán)210配置蓋部件211a，由此，能夠可靠地對O形環(huán)配置用槽309 實施陽極氧化處理。
18
權(quán)利要求
1. 一種等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其對呈上部開口的箱形且在壁面上具有貫通開口部的等離子體處理容器的表面進行陽極氧化處理，該等離子體處理容器的陽極氧化處理方法的特征在于在所述等離子體處理容器的所述貫通開口部安裝有蓋部件的狀態(tài)下，向所述等離子體處理容器內(nèi)填充電解液，在所述等離子體處理容器的內(nèi)部配置作為陰極的電極，并將所述等離子體處理容器作為陽極，進行陽極氧化處理。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法， 其特征在于在所述貫通開口部的周圍的壁面上，設(shè)置有用于將所述等離子體 處理容器的內(nèi)部維持為真空狀態(tài)而配置的第一密封部件的配置預(yù)定部 位，在將該配置預(yù)定部位浸在所述電解液中的狀態(tài)下進行陽極氧化處 理。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其特征在于以包圍至少一個所述貫通開口部的方式，使用于防止所述電解液 的泄漏的第二密封部件與所述等離子體處理容器的外壁面抵接，隔著 該第二密封部件將所述蓋部件安裝在所述等離子體處理容器的外側(cè)。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其特征在于所述第一密封部件的配置預(yù)定部位設(shè)置在所述貫通開口部的周圍 的外壁面上，以所述第二密封部件包圍所述第一密封部件的配置預(yù)定 部位的周圍的方式安裝所述蓋部件。
5. 如權(quán)利要求2 4中任一項所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其特征在于以包圍至少一個所述貫通開口部的方式，使用于防止所述電解液的泄漏的第二密封部件與所述等離子體處理容器的內(nèi)壁面抵接，隔著 該第二密封部件將所述蓋部件安裝在所述等離子體處理容器的內(nèi)部。
6. 如權(quán)利要求5所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法， 其特征在于使所述第二密封部件抵接在所述貫通開口部與所述第一密封部件 的配置預(yù)定部位之間。
7. 如權(quán)利要求1 4中任一項所述的等離子體處理容器的陽極氧 化處理方法，其特征在于通過在至少一個所述貫通開口部從外側(cè)安裝所述蓋部件，利用該 蓋部件在所述等離子體處理容器的外部形成與內(nèi)部連通的電解液流入 部，通過使所述電解液流入該電解液流入部，在將所述等離子體處理 容器的所述貫通開口部的周圍的外壁面浸在所述電解液中的狀態(tài)下進 行陽極氧化處理。
8. 如權(quán)利要求7所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法， 其特征在于所述蓋部件是截面為〕字形的形狀。
9. 如權(quán)利要求1 4中任一項所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其特征在于以包圍所述等離子體處理容器的上部的所述開口的方式在所述等 離子體處理容器的上端部設(shè)置輔助壁，填充所述電解液直至所述電解 液的水位到達該輔助壁，進行陽極氧化處理。
10. 如權(quán)利要求9所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法， 其特征在于在所述等離子體處理容器的上端部設(shè)置有用于將所述等離子體處 理容器的內(nèi)部維持為真空狀態(tài)而配置的第三密封部件的配置預(yù)定部 位，所述輔助壁以包圍所述第三密封部件的配置預(yù)定部位的方式配置
11. 如權(quán)利要求1 4中任一項所述的等離子體處理容器的陽極氧 化處理方法，其特征在于所述電極由多個平板狀的電極形成，將該平板狀的電極以相對于 所述等離子體處理容器的側(cè)壁和底壁的內(nèi)表面分別平行的方式配置。
12. 如權(quán)利要求11所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法， 其特征在于進一步配置從所述等離子體處理容器的貫通開口部插入所述電解 液流入部的輔助電極作為陰極，進行陽極氧化處理。
13. 如權(quán)利要求12所述的等離子體處理容器的陽極氧化處理方法，其特征在于所述輔助電極具有與所述等離子體處理容器的外壁面平行地形成 的相對部。
全文摘要
本發(fā)明提供等離子體處理容器的陽極氧化處理方法。該方法能夠安全且可靠地對大型且具有開口部的等離子體處理容器進行陽極氧化處理。在通過蓋部件(241)從外側(cè)密封側(cè)壁(101b₂)的窗口用開口(164)的狀態(tài)下進行陽極氧化處理。蓋部件(241)的內(nèi)側(cè)通過窗口用開口(164)與處理容器(101)內(nèi)部連通，形成流入電解液E的電解液流入部(243)。蓋部件(241)的框狀壁(241b)以從外側(cè)包圍O形環(huán)配置用槽(301)的方式與其外周側(cè)抵接。
文檔編號C25D11/02GK101498016SQ20091000851
公開日2009年8月5日 申請日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
發(fā)明者出口新悟, 田中善嗣 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社