專利名稱：：一種用微弧氧化技術(shù)在NiTi合金表面原位生成TiO<sub>2</sub>氧化膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及微弧氧化
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種用微弧氧化技術(shù)在MTi合金表面原位生成Ti02氧化膜的方法。技術(shù)背景NiTi形狀記憶合金作為一種新型生物醫(yī)用材料，已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用并且發(fā)展十分迅速。但是NiTi記憶合金耐腐蝕性和生物相容性有待進一步提高，對NiTi合金進行表面改性是急需解決和十分重要的課題。在NiTi記憶合金中，元素鈦形成氧化物時釋放出的熱量是元素鎳形成氧化物時的4倍，鈦對氧高的化學(xué)吸附親和力使得在NiTi合金表面的氧化物層主要為'n02。研究表明，NiTi合金良好的生物相容性源自于其合金表面的富鈦氧化物層，經(jīng)適當(dāng)熱處理與鈍化可在NiTi合金表面產(chǎn)生一氧化物層，能有效提高其抗腐蝕性能，根本原因是表面Ni、NiO含量的減少和Ti02含量的增加。微弧氧化技術(shù)在鈦合金表面可以生成具有生物活性的Ti02氧化膜，該氧化膜具有生物相容性好、能阻止血栓的形成、與基體結(jié)合強度高、愈合時間短的特點，具有極高的臨床應(yīng)用價值。能否把微弧氧化技術(shù)應(yīng)用到NiTi合金進行表面改性，以在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜，減少表面Ni元素含量，提高NiTi合金生物相容性，國內(nèi)外在這方面還未見報道。本發(fā)明將微弧氧化技術(shù)用于NiTi合金進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成了Ti02氧化膜，經(jīng)過査詢，未見有相關(guān)專利發(fā)表。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種用微弧氧化技術(shù)在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜的方法。其特征為用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金(其化學(xué)成分為Ni50wt%，Ti50wt%)進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜。其微弧氧化工藝參數(shù)為電流密度為5—12A/cm2，電壓250—500V，頻率為250—450Hz，電解液溫度控制為20°C60°C，微弧氧化時間為20—70min。上述微弧氧化工藝參數(shù)可優(yōu)選為電流密度為9A/cm2,電壓380V，頻率為350Hz，電解液溫度控制為40。C，微弧氧化時間為50min。用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜，對該Ti02氧化膜的檢測主要取決于Ti02氧化膜的厚度和結(jié)合強度，Ti02氧化膜的厚度大、結(jié)合力強，則表明Ti02氧化膜的性能優(yōu)良，在臨床醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、軍用、民用等相關(guān)領(lǐng)域有更大的應(yīng)用空間。具體實施方式實施例1用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金(其化學(xué)成分為Ni50wt%，Ti50wt%)進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜。其微弧氧化工藝參數(shù)為電流密度為5A/cm2，電壓為250V，頻率為250Hz,電解液溫度控制為20°C，微弧氧化時間為20min。試驗結(jié)果見表1。實施例2用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金(其化學(xué)成分為Ni50wt%，Ti50wt%)進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜。其微弧氧化工藝參數(shù)為電流密度為12A/cra2，電壓為500V，頻率為450Hz，電解液溫度控制為60°C，微弧氧化時間為70min。試驗結(jié)果見表l。實施例3用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金(其化學(xué)成分為Ni50wt%，Ti50wt%)進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜。其微弧氧化工藝參數(shù)為電流密度分別為9A/cm2，電壓為380V,頻率為350Hz，電解液溫度控制為4(TC，微弧氧化時間為50min。試驗結(jié)果見表l。表lTi02氧化膜的性能指標(biāo)<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>權(quán)利要求1、一種用微弧氧化技術(shù)在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法，其特征為用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金(其化學(xué)成分為Ni50wt％，Ti50wt％)進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜；其微弧氧化工藝參數(shù)為電流密度為5-12A/cm2，電壓250-500V，頻率為250-450Hz，電解液溫度控制為20℃～60℃，微弧氧化時間為20-70min。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的用微弧氧化技術(shù)在NiTi合金表面原位生成Ti02氧化膜的方法，該微弧氧化工藝參數(shù)可優(yōu)選為電流密度分別為9A/cm2，電壓為380V,頻率為350Hz，電解液溫度控制為4(TC，微弧氧化時間為50min。全文摘要一種用微弧氧化技術(shù)在NiTi合金表面原位生成TiO<sub>2</sub>氧化膜的方法，其特征為用微弧氧化技術(shù)對NiTi合金(其化學(xué)成分為Ni50wt％，Ti50wt％)進行表面改性，在NiTi合金表面原位生成TiO<sub>2</sub>氧化膜。其微弧氧化工藝參數(shù)為電流密度為5-12A/cm<sup>2</sup>，電壓為250-500V，頻率為250-450Hz，電解液溫度控制為20℃～60℃，微弧氧化時間為20-70min。文檔編號C25D11/34GK101294296SQ20081012400公開日2008年10月29日申請日期2008年6月20日優(yōu)先權(quán)日2008年6月20日發(fā)明者司乃潮,司松海申請人:鎮(zhèn)江憶諾唯記憶合金有限公司