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一種MEMS慣性傳感器及其集成制作方法與流程

文檔序號:39726545發(fā)布日期:2024-10-22 13:26閱讀:49來源:國知局
一種MEMS慣性傳感器及其集成制作方法與流程

本發(fā)明涉及慣性傳感器,具體涉及一種mems慣性傳感器及其集成制作方法,可廣泛應(yīng)用于慣性導(dǎo)航、無人機(jī)、自動(dòng)駕駛、智能制造及高端工業(yè)領(lǐng)域。


背景技術(shù):

1、慣性傳感器包含加速度計(jì)和陀螺儀以及它們單、雙、三軸組合,其中加速度計(jì)用來測量物體的加速度,陀螺儀用來測量物體的角速度,加速度和角速度的綜合測試可以清楚的描述物體的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。單個(gè)的集成mems慣性器件需匹配對應(yīng)的電路進(jìn)行信號的輸出,集成mems慣性器件與配套電路的集成將影響慣性傳感器的最終狀態(tài)。

2、現(xiàn)有mems慣性表頭單元和asic單元的封裝方式均采用單獨(dú)制備后進(jìn)行分散式封裝。分散式封裝的慣性傳感器的整體體積較大,空間利用率不高;且分散式的封裝,效率偏低,不同批次之間的工藝一致性不同。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種mems慣性傳感器及其集成制作方法,能夠簡化工藝,效降低傳感器的尺寸與體積,同時(shí)有效提高同一批次不同mems慣性傳感器之間的一致性。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案為一種mems慣性傳感器的集成制作方法,包括如下步驟:

3、s1、在asic晶圓上進(jìn)行二次布線,形成二次布線金屬層;

4、s2、制作集成mems慣性器件,所述集成mems慣性器件包括依次層設(shè)的器件上蓋、器件絕緣層、器件結(jié)構(gòu)層和器件金屬層;

5、s3、將所述集成mems慣性器件與二次布線后的asic晶圓進(jìn)行對位,并將所述二次布線金屬層與所述器件金屬層鍵合,形成具有多個(gè)mems慣性傳感器的晶圓結(jié)構(gòu);

6、s4、對所述晶圓結(jié)構(gòu)進(jìn)行劃片,得到多個(gè)mems慣性傳感器。

7、作為實(shí)施方式之一,所述asic晶圓包括晶圓基底、晶圓氧化層和電學(xué)走線,所述電學(xué)走線沿所述晶圓基底和所述晶圓氧化層布設(shè)。

8、作為實(shí)施方式之一,步驟s1在所述asic晶圓上進(jìn)行二次布線的具體過程為:先在所述晶圓氧化層上制作二次布線絕緣層,然后在所述二次布線絕緣層上制作二次布線金屬層,所述二次布線金屬層與所述電學(xué)走線電連接。

9、作為實(shí)施方式之一,步驟s1在asic晶圓上進(jìn)行二次布線之前,刻蝕所述晶圓氧化層,裸露出所述晶圓氧化層中的電學(xué)走線。

10、作為實(shí)施方式之一,在所述二次布線絕緣層上對應(yīng)裸露出所述電學(xué)走線的位置開設(shè)凹槽,所述二次布線金屬層通過所述凹槽與所述電學(xué)走線電連接。

11、作為實(shí)施方式之一,步驟s4之后還包括如下步驟:在所述二次布線金屬層上制作金屬引線。

12、作為實(shí)施方式之一,步驟s1在asic晶圓上進(jìn)行二次布線之前,先在所述晶圓基底上制作通孔,所述通孔自所述晶圓基底的背面延伸正面,然后在所述通孔的內(nèi)壁上沉積通孔絕緣層,再在所述通孔中填充金屬形成導(dǎo)電柱。

13、作為實(shí)施方式之一,所述導(dǎo)電柱的一端與所述電學(xué)走線連接,另一端延伸至所述晶圓基底的背面。

14、作為實(shí)施方式之一,步驟s4之后還包括如下步驟:在所述mems慣性傳感器背面的導(dǎo)電柱處制作焊料球。

15、本發(fā)明還提供一種mems慣性傳感器,采用以上任一項(xiàng)所述的mems慣性傳感器的集成制作方法制作。

16、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:

17、(1)本發(fā)明在制作好的asic晶圓上進(jìn)行二次布線,利用asic作為mems慣性傳感器的下蓋,無需單獨(dú)制備下蓋結(jié)構(gòu),能夠有效簡化工藝,還能降低傳感器的尺寸與體積;

18、(2)本發(fā)明將制備好的集成mems慣性器件與二次布線后的asic晶圓進(jìn)行晶圓級鍵合,通過劃片可以一次得到多個(gè)mems慣性傳感器,有效提高同一批次不同傳感器之間的一致性;

19、(3)本發(fā)明通過二次布線金屬層與器件金屬層直接進(jìn)行互聯(lián),實(shí)現(xiàn)mems器件與asic晶圓之間的電學(xué)導(dǎo)通,減少了集成mems慣性器件與asic電路之間的互聯(lián)引線距離,有效減小芯片面積,同時(shí)金屬層直接互聯(lián)具有更高的可靠性;

20、(4)本發(fā)明在asic晶圓上進(jìn)行二次布線與加工,可以采用縱向互聯(lián),亦可采用橫向互聯(lián),信號引出方式靈活。



技術(shù)特征:

1.一種mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于,包括如下步驟:

2.如權(quán)利要求1所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:所述asic晶圓包括晶圓基底、晶圓氧化層和電學(xué)走線,所述電學(xué)走線沿所述晶圓基底和所述晶圓氧化層布設(shè)。

3.如權(quán)利要求2所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于,步驟s1在所述asic晶圓上進(jìn)行二次布線的具體過程為:先在所述晶圓氧化層上制作二次布線絕緣層,然后在所述二次布線絕緣層上制作二次布線金屬層,所述二次布線金屬層與所述電學(xué)走線電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:步驟s1在asic晶圓上進(jìn)行二次布線之前,刻蝕所述晶圓氧化層,裸露出所述晶圓氧化層中的電學(xué)走線。

5.如權(quán)利要求4所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:在所述二次布線絕緣層上對應(yīng)裸露出所述電學(xué)走線的位置開設(shè)凹槽,所述二次布線金屬層通過所述凹槽與所述電學(xué)走線電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:步驟s4之后還包括如下步驟:在所述二次布線金屬層上制作金屬引線。

7.如權(quán)利要求2所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:步驟s1在asic晶圓上進(jìn)行二次布線之前,先在所述晶圓基底上制作通孔,所述通孔自所述晶圓基底的背面延伸正面,然后在所述通孔的內(nèi)壁上沉積通孔絕緣層,再在所述通孔中填充金屬形成導(dǎo)電柱。

8.如權(quán)利要求7所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:所述導(dǎo)電柱的一端與所述電學(xué)走線連接,另一端延伸至所述晶圓基底的背面。

9.如權(quán)利要求8所述的mems慣性傳感器的集成制作方法,其特征在于:步驟s4之后還包括如下步驟:在所述mems慣性傳感器背面的導(dǎo)電柱處制作焊料球。

10.一種mems慣性傳感器,其特征在于,采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的mems慣性傳感器的集成制作方法制作。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及慣性傳感器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種MEMS慣性傳感器及其集成制作方法,包括如下步驟:S1、在ASIC晶圓上進(jìn)行二次布線,形成二次布線金屬層;S2、制作集成MEMS慣性器件,集成MEMS慣性器件包括依次層設(shè)的器件上蓋、器件絕緣層、器件結(jié)構(gòu)層和器件金屬層;S3、將集成MEMS慣性器件與二次布線后的ASIC晶圓進(jìn)行對位,并將二次布線金屬層與器件金屬層鍵合,形成具有多個(gè)MEMS慣性傳感器的晶圓結(jié)構(gòu);S4、對所述晶圓結(jié)構(gòu)進(jìn)行劃片,得到多個(gè)MEMS慣性傳感器。本發(fā)明在制作好的ASIC晶圓上進(jìn)行二次布線,然后與制備好的集成MEMS慣性器件進(jìn)行晶圓級鍵合,利用ASIC作為MEMS慣性傳感器的下蓋,無需單獨(dú)制備下蓋結(jié)構(gòu),能夠有效簡化工藝,還能降低傳感器的尺寸與體積,有效提高同一批次不同傳感器之間的一致性。

技術(shù)研發(fā)人員:黃晟,魏曉莉,周宇,劉玉,沈金龍,劉華啟,姚少罕,閆凱榮,金振陽,楊瑾翔,聶育健
受保護(hù)的技術(shù)使用者:武漢衡慣科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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