本發(fā)明是涉及一種轉(zhuǎn)置頭陣列與一種微元件的轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)：

封裝階段所面臨的問題往往是半導(dǎo)體感應(yīng)裝置、半導(dǎo)體雷射陣列、微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical System，MEMS)、發(fā)光二極管顯示系統(tǒng)等微元件在量產(chǎn)時(shí)所遭遇的瓶頸之一。

傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移微元件的方法為通過基板接合(Wafer Bonding)的方式將微元件自承載基板轉(zhuǎn)移至接收基板?；褰雍系钠渲幸环N實(shí)施方法為直接接合(Direct Bonding)，也就是直接將微元件陣列自承載基板接合至接收基板，之后再將承載基板移除?；褰雍系牧硪环N實(shí)施方法為間接接合(Indirect Bonding)，此方法包含兩次接合/剝離的步驟。于間接轉(zhuǎn)移的過程中，首先，轉(zhuǎn)置頭自承載基板提取微元件陣列，接著轉(zhuǎn)置頭再將微元件陣列接合至接收基板，最后再把轉(zhuǎn)置頭移除。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種轉(zhuǎn)置頭陣列與一種微元件的轉(zhuǎn)移方法，以提高相關(guān)的工藝合格率。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種轉(zhuǎn)置頭陣列，包含本體以及多個(gè)轉(zhuǎn)置頭。本體具有基底部與設(shè)置于基底部上的至少一墻垣部。墻垣部定義本體上的多個(gè)凹槽，墻垣部且具有頂面，墻垣部的頂面具有多個(gè)提取區(qū)域，凹槽中的至少兩者被墻垣部隔開。轉(zhuǎn)置頭分別設(shè)置于提取區(qū)域上。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述墻垣部的所述頂面為平面。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述提取區(qū)域凸出于所述墻垣部的所述頂面 的其他區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述提取區(qū)域的寬度大于所述墻垣部的所述頂面的其他區(qū)域的寬度。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述提取區(qū)域的寬度小于所述墻垣部的所述頂面的其他區(qū)域的寬度。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述凹槽的深度相同。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述凹槽的深度不同。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述凹槽的尺寸相同。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述凹槽的尺寸不同。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述墻垣部的所述頂面為長(zhǎng)條狀、方格狀、鋸齒狀或其組合。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述提取區(qū)域?yàn)榛ハ鄬?duì)齊。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述提取區(qū)域?yàn)榻诲e(cuò)設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述轉(zhuǎn)置頭包含：電極，設(shè)置于所述提取區(qū)域上；以及介電層，至少覆蓋所述電極。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述介電層的材質(zhì)為介電材料或鐵電材料的納米粒子與至少一個(gè)高分子材料的混合物。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述轉(zhuǎn)置頭陣列還包含：電極引線，設(shè)置于所述墻垣部的所述頂面上，且電性連接于所述電極。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述轉(zhuǎn)置頭陣列還包含：隔離層，至少覆蓋所述墻垣部，其中所述轉(zhuǎn)置頭至少部分設(shè)置于所述隔離層上；以及屏蔽層，設(shè)置于所述隔離層中，其中屏蔽層在墻垣部的頂面上的正投影與互補(bǔ)于所述提取區(qū)域的區(qū)域至少部分重疊。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述轉(zhuǎn)置頭具有圖案化的黏著層。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述基底部與所述墻垣部的材質(zhì)相同。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述基底部與所述墻垣部的材質(zhì)不同。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，一種微元件的轉(zhuǎn)移方法包含以下步驟。首先，通過轉(zhuǎn)置頭陣列提取至少一個(gè)第一微元件，其中轉(zhuǎn)置頭陣列中具有至少一個(gè) 凹槽。然后，通過轉(zhuǎn)置頭陣列，將第一微元件放置于接收基板上，其中位于接收基板上的至少一個(gè)對(duì)象容置于轉(zhuǎn)置頭陣列的凹槽中。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述第一微元件通過靜電力、黏著力或其組合提取。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，所述第一微元件具有高度A，所述對(duì)象具有高度B，所述凹槽具有深度C，且A+C>B。

當(dāng)?shù)谝晃⒃ㄟ^轉(zhuǎn)置頭陣列自承載基板轉(zhuǎn)移至接收基板時(shí)，可能會(huì)有些對(duì)象，例如第二微元件、凸出結(jié)構(gòu)、凸起結(jié)構(gòu)或粒子，位于接收基板上。為了避免這些對(duì)象可能會(huì)造成的干擾，轉(zhuǎn)置頭陣列具有凹槽以在轉(zhuǎn)置頭上的第一微元件接觸接收基板時(shí)容置這些對(duì)象。

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的仰視示意圖。

圖2繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式中的轉(zhuǎn)置頭陣列的剖面示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列提取的第一微元件被放置于接收基板上。

圖3繪示依照依照本發(fā)明另一實(shí)施方式中的轉(zhuǎn)置頭陣列的局部放大仰視示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列提取的第一微元件被放置于接收基板上。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式中的轉(zhuǎn)置頭陣列的剖面示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列提取的第一微元件被放置于接收基板上。

圖5繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式中的轉(zhuǎn)置頭陣列的局部放大仰視示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列提取的第一微元件被放置于接收基板上。

圖6繪示圖1的局部放大示意圖。

圖7繪示圖6的7-7線段的剖面示意圖。

圖8繪示圖1的另一局部放大示意圖。

圖9繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的剖面示意圖。

圖10繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的仰視示意圖。

圖11繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的剖面示意圖。

圖12繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的剖面示意圖。

圖13繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的仰視示意圖。

圖14繪示圖13的14-14線段的剖面示意圖。

圖15繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的仰視示意圖。

圖16繪示圖15的16-16線段的剖面示意圖。

圖17繪示圖15的17-17線段的剖面示意圖。

圖18繪示圖15的18-18線段的剖面示意圖。

圖19繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的仰視示意圖。

圖20繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列的仰視示意圖。

圖21繪示圖19的21-21線段的剖面示意圖。

圖22繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)移方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下將以圖式說明本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示之。

圖1繪示依照本發(fā)明實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的仰視示意圖。如圖1所繪示，轉(zhuǎn)置頭陣列100包含本體110以及多個(gè)轉(zhuǎn)置頭120。本體110具有至少一墻垣部112。墻垣部112定義本體110上的多個(gè)凹槽111。墻垣部112具有頂面113，墻垣部112的頂面113具有多個(gè)提取區(qū)域114。凹槽111中的至 少兩者被墻垣部112隔開。轉(zhuǎn)置頭120分別設(shè)置于提取區(qū)域114上(在圖1中，轉(zhuǎn)置頭120與提取區(qū)域114的設(shè)置位置重疊)。

圖2繪示依照本發(fā)明實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的剖面示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列100提取的第一微元件400被放置于接收基板500。如圖2所繪示，轉(zhuǎn)置頭120為用以從承載基板(未繪示)提取至少一第一微元件400，而凹槽111為用以在當(dāng)轉(zhuǎn)置頭120上的第一微元件400接觸接收基板500時(shí)，容置位于接收基板500上的至少一對(duì)象。

在本實(shí)施方式中，此對(duì)象為設(shè)置于接收基板500上的第二微元件300，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，對(duì)象可以為設(shè)置于接收基板500上的一些組件或者凸起結(jié)構(gòu)，對(duì)象亦可以為一些位于接收基板500上的粒子，而這些粒子可能會(huì)影響第一微元件400的接合。

因?yàn)榈谝晃⒃?00與第二微元件300可能為不同類型的微元件，它們可能具有不同的高度。因此，當(dāng)?shù)谝晃⒃?00通過轉(zhuǎn)置頭陣列100從承載基板轉(zhuǎn)移至接收基板500時(shí)，第二微元件300可能已經(jīng)位于接收基板500上，且第二微元件300的高度可能會(huì)大于第一微元件400的高度。為了避免第二微元件300可能會(huì)造成的干擾，轉(zhuǎn)置頭陣列100具有凹槽111，以在轉(zhuǎn)置頭120上的第一微元件400接觸接收基板500時(shí)容置第二微元件300。

在其他實(shí)施方式中，凹槽111除了用以容置第二微元件300，更可用以容置位于接收基板500上的其他對(duì)象，以避免可能的干擾。

具體而言，第一微元件400具有高度A，第二微元件300具有高度B，凹槽111中的至少一個(gè)具有深度C，而A+C>B(在此處未考慮轉(zhuǎn)置頭120的厚度，因?yàn)檗D(zhuǎn)置頭120的厚度可能很小因而可以忽略，或者轉(zhuǎn)置頭120可能沒有凸出于頂面113)。

具體而言，凹槽111亦可用以容置至少一個(gè)第三微元件200，且第三微元件200的高度大于第二微元件300的高度。第一微元件400可為相對(duì)較薄的微元件，第二微元件300與第三微元件200可為相對(duì)較厚的微元件。

在本實(shí)施方式中，至少兩個(gè)凹槽111的深度大致相同，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，至少兩個(gè)凹槽111的深度不同。

另外，至少兩個(gè)凹槽111的尺寸大致相同，但并不以此為限。在其他的實(shí)施方式中，至少兩個(gè)凹槽111的尺寸不同。

具體而言，凹槽111的至少一個(gè)具有底面111b與至少一個(gè)側(cè)面111s，側(cè)面111s大致垂直于底面111b，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，凹槽111的至少一個(gè)可以具有底面111b，與大致傾斜地設(shè)置于底面111b與提取區(qū)域114(或是頂面113)之間的側(cè)面111s，此細(xì)節(jié)將在后續(xù)實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。

第一微元件400、第二微元件300與第三微元件200的高度可為約0.5微米至約1毫米。

本體110還具有基底部115，且墻垣部112為設(shè)置于基底部115上。進(jìn)一步來說，凹槽111為通過蝕刻本體110形成，因此基底部115與墻垣部112的材質(zhì)可為相同，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，凹槽111可通過其他方法形成。

如圖1所繪示，提取區(qū)域114的寬度小于墻垣部112的頂面113的其他區(qū)域的寬度，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，提取區(qū)域114的寬度可以大于墻垣部112的頂面113的其他區(qū)域的寬度，此細(xì)節(jié)將在后續(xù)實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。

另外，提取區(qū)域114為互相對(duì)齊，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，提取區(qū)域114可為交錯(cuò)設(shè)置，此細(xì)節(jié)將在后續(xù)實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。

圖3繪示圖1的轉(zhuǎn)置頭陣列100的局部放大仰視示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列100提取的第一微元件400被放置于接收基板500上。如圖3所繪示，轉(zhuǎn)置頭陣列100提取的第一微元件400在頂面113上的正投影為位于提取區(qū)域114中(提取區(qū)域114與第一微元件400的設(shè)置位置重疊)，且第二微元件300與第三微元件200容置于凹槽111。因此，第二微元件300與第三微元件200的正投影為位于凹槽111的底面111b中。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的剖面示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列100提取的第一微元件400被放置于接收基板500上。圖5繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的局部放大仰視示意圖，其中轉(zhuǎn)置頭陣列100提取的第一微元件400被放置于接收基板500上。圖4與圖5所繪示的實(shí)施方式與圖2與圖3的實(shí)施方式類似，兩者的差異在于，在本實(shí)施方式中，僅有第二微元件300’被容置于凹槽111中，且第二微元件300’的橫截面面積大于圖2與圖3的第二微元件300的橫截面面積。換句話說，凹槽111的形狀可以依照第二微元件300’的形狀設(shè)計(jì)，以使在轉(zhuǎn)置頭陣列100提取的第一微元件400被放置于接收基板500上時(shí)，第二微元件300’可以容置于凹槽111中。

另外，墻垣部112的頂面113大致為平面，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，提取區(qū)域114凸出于墻垣部112的頂面113之其他區(qū)域。

本體110的材質(zhì)可為石英、硅、玻璃、塑料、金屬、陶瓷或其組合，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，本體110的材質(zhì)可為其他材料。

圖6繪示圖1的局部放大示意圖。圖7繪示圖6的7-7線段的剖面示意圖。如圖6與圖7所繪示，轉(zhuǎn)置頭120的至少一個(gè)包含有靜電吸盤，且靜電吸盤包含至少一電極121與介電層129。電極121設(shè)置于提取區(qū)域114上。介電層129至少覆蓋電極121。換句話說，第一微元件400為通過靜電力提取。

轉(zhuǎn)置頭陣列100還包含至少一個(gè)電極引線130，電極引線130電性連接于電極121。電極引線130可設(shè)置于頂面113上，或者更具體地說，設(shè)置于互補(bǔ)(Complementary)于頂面113的提取區(qū)域114的一個(gè)區(qū)域上。如此一來，電極引線130可以與電極121設(shè)置于同一高度上，進(jìn)而使形成電極121與電極引線130的工藝變得較為容易，并使電極121與電極引線130之間的連接結(jié)構(gòu)變得更堅(jiān)固。此外，為了使電極121與電極引線130之間的連接結(jié)構(gòu)變得更堅(jiān)固，電極121與電極引線130可以在同一工藝中形成。

電極121的底面可為八角形，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式，電極 121的底面可為其他形狀。

介電層129的厚度可為約0.05微米至1毫米。應(yīng)了解到，以上所舉的介電層129的厚度僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇介電層129的厚度。

電極121的材質(zhì)為導(dǎo)電材料，更具體地說，電極121的材質(zhì)為金屬，如鋁、鈦或銀。應(yīng)了解到，以上所舉的電極121之材質(zhì)僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇電極121的材質(zhì)。

電極引線130的材質(zhì)為導(dǎo)電材料，更具體地說，電極引線130的材質(zhì)為金屬，如鋁、鈦或銀。應(yīng)了解到，以上所舉的電極引線130的材質(zhì)僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇電極引線130的材質(zhì)。

介電層129的材質(zhì)為介電材料，更具體地說，例如二氧化鉿(HfO₂)、二氧化硅(SiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、二氧化鈦(TiO₂)、二氧化鋯(ZrO₂)或氧化鋁(Al₂O₃)?；蛘撸殡妼?29的材質(zhì)可為介電材料或鐵電材料的納米粒子與至少一個(gè)高分子材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯)的混合物，其中納米粒子為散布在高分子材料中。換句話說，介電層129的材質(zhì)為復(fù)合聚合物(Composite Polymer)。

轉(zhuǎn)置頭120通過靜電力提取第一微元件400。具體而言，轉(zhuǎn)置頭120通過庫倫力、約翰森-拉別克效應(yīng)(Johnsen-Rahbek effect)或其組合提取第一微元件400。庫倫力、約翰森-拉別克效應(yīng)皆可以作為提取力的主要部分，端視介電層129的電阻和轉(zhuǎn)置頭120與第一微元件400之間的間隙的電阻而定。轉(zhuǎn)置頭120所產(chǎn)生之靜電力滿足下列關(guān)系式：

在上述關(guān)系式中，P代表每單位面積的靜電力，ε₀代表真空的介電常數(shù)，V₀代表電極121與承載基板之間的電位差，K代表相對(duì)介電常數(shù)，t_D代表介電層129的厚度，δ代表介電層129與第一微元件400之間的間距，t_CL代表介電層129的接觸部位的厚度，α代表轉(zhuǎn)置頭120的接口的非均勻電荷分布的經(jīng)驗(yàn)系數(shù)，R_V代表介電層129的體電阻率，R_CL代表介電層129的接觸部位的電阻。

當(dāng)介電層129的材質(zhì)為介電材料或鐵電材料的納米粒子與至少一高分子材料的混合物時(shí)，納米粒子的崩潰電壓將會(huì)增加。因此，若提取第一微元件400需要極大的吸引力，可以對(duì)于電極121施加大電壓，同時(shí)不必?fù)?dān)心會(huì)達(dá)到納米粒子的崩潰電壓。

兩相鄰的轉(zhuǎn)置頭120的介電層129為互相分離，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，兩相鄰的轉(zhuǎn)置頭120的介電層129可為互相接觸，此細(xì)節(jié)將在后續(xù)實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。

圖8繪示圖1的另一局部放大示意圖。如圖8所繪示，電極121的底面面積大于第一微元件400在電極121的底面上的正投影面積，于是在電極121的底面邊緣與第一微元件400在電極121的底面上的正投影邊緣之間將具有間隔。

圖9繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的剖面示意圖。如圖9所繪示，本實(shí)施方式與前述的實(shí)施方式類似，而兩者的差異在于，在本實(shí)施方式中，聚合物層，如光阻，形成于基底部115，并且聚合物層被圖案化而形成墻垣部112。因此，基底部115與墻垣部112的材質(zhì)不同。

具體而言，聚合物層與墻垣部112的材質(zhì)為例如SU-8的光阻材質(zhì)。應(yīng)了解到，以上所舉的聚合物層與墻垣部112的材質(zhì)僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇聚合物層與墻垣部112的材質(zhì)。

圖10繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的仰視示意圖。如 圖10所繪示，本實(shí)施方式與圖1的實(shí)施方式類似，而兩者的差異在于，在本實(shí)施方式中，提取區(qū)域114為交錯(cuò)設(shè)置。

圖11繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的剖面示意圖。如圖11所繪示，本實(shí)施方式與圖1的實(shí)施方式類似，而兩者的差異在于，在本實(shí)施方式中，凹槽111的至少一個(gè)具有底面111b與大致傾斜設(shè)置于底面111b與提取區(qū)域114(或是頂面113)之間的側(cè)面111s。

圖12繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的剖面示意圖。如圖12所繪示，本實(shí)施方式與圖7的實(shí)施方式類似，而兩者的差異在于，在本實(shí)施方式中，兩相鄰的轉(zhuǎn)置頭120的介電層129為互相接觸，且介電層129更覆蓋凹槽111的側(cè)面111s與底面111b。

圖13繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的仰視示意圖。圖14繪示圖13的14-14線段的剖面示意圖。本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100類似于前述實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100，而本實(shí)施方式與前述實(shí)施方式的差異在于，在本實(shí)施方式中，每一個(gè)凹槽111是在轉(zhuǎn)置頭120上的第一微元件400(見圖2)接觸接收基板500(見圖2)時(shí)，用以容置位于接收基板500上的至少一個(gè)對(duì)象，且轉(zhuǎn)置頭120的至少一個(gè)具有圖案化的黏著層123。換句話說，第一微元件400為通過黏著力提取。另外，在其他實(shí)施方式中，第一微元件400亦可通過靜電力與黏著力的組合而被提取。

類似地，接收基板500(見圖2)上的對(duì)象可為第二微元件300(見圖2)或第三微元件200(見圖2)，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，對(duì)象可以為設(shè)置于接收基板500上的一些組件或者凸起結(jié)構(gòu)，對(duì)象亦可以為一些位于接收基板500上的粒子，而這些粒子可能會(huì)影響第一微元件400的接合(見圖2)。

圖15繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的仰視示意圖。如圖15所繪示，本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100類似于前述實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100，而本實(shí)施方式與前述實(shí)施方式的差異描述如下。

如圖15所繪示，提取區(qū)域114的寬度大于墻垣部112的頂面113的其他 區(qū)域的寬度。電極引線130大致填滿互補(bǔ)于墻垣部112的頂面113的提取區(qū)域114的區(qū)域。

墻垣部112的頂面113為長(zhǎng)條狀。應(yīng)了解到，以上所舉的墻垣部112的具體實(shí)施方式僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇墻垣部112的具體實(shí)施方式。

圖16繪示圖15的16-16線段的剖面示意圖。如圖16所繪示，提取區(qū)域114凸出于墻垣部112的頂面113的其他區(qū)域。換句話說，提取區(qū)域114具有高度h1，互補(bǔ)于墻垣部112的頂面113的提取區(qū)域114的區(qū)域具有高度h2，高度h1大于高度h2。

圖17繪示圖15的17-17線段的剖面示意圖。圖18繪示圖15的18-18線段的剖面示意圖。如圖17與圖18所繪示，凹槽111在互補(bǔ)于頂面113的提取區(qū)域114的區(qū)域之間的部分的寬度大于凹槽111在提取區(qū)域114之間的部分的寬度。

圖19繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的仰視示意圖。如圖19所繪示，本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100類似于圖15的轉(zhuǎn)置頭陣列100，而其差異在于，墻垣部112的頂面113為方格狀，其他可能的差異將在后續(xù)實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。

圖20繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100的仰視示意圖。如圖20所繪示，本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)置頭陣列100類似于圖15的轉(zhuǎn)置頭陣列100，而其差異在于，墻垣部112的頂面113為鋸齒狀，但并不以此為限。在其他實(shí)施方式中，墻垣部112的頂面113可為其他形狀，例如方格狀與長(zhǎng)條狀的組合。

圖21繪示圖19的21-21線段的剖面示意圖。如圖21所繪示，轉(zhuǎn)置頭陣列100還包含隔離層180與屏蔽層190。隔離層180至少覆蓋墻垣部112，其中轉(zhuǎn)置頭120至少部分設(shè)置于隔離層180上。屏蔽層190設(shè)置于隔離層180中，其中屏蔽層190在墻垣部112的頂面113上的正投影與互補(bǔ)于提取區(qū)域 114的一個(gè)區(qū)域至少部分重疊(轉(zhuǎn)置頭120在頂面113上的正投影為位于提取區(qū)域114中)。

通過前述配置，屏蔽層190將可提供電性屏蔽，因而避免在轉(zhuǎn)置頭120以外的區(qū)域產(chǎn)生不必要的吸引力。舉例來說，在本實(shí)施方式中，屏蔽層190提供電性屏蔽，因而避免設(shè)置于屏蔽層190之后的電極引線130產(chǎn)生吸引力。

圖22繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)移方法的流程圖。在步驟700中，通過轉(zhuǎn)置頭陣列100，提取至少一個(gè)第一微元件400，其中轉(zhuǎn)置頭陣列100具有至少一個(gè)凹槽111于其中。在步驟800中，通過轉(zhuǎn)置頭陣列100，將第一微元件400放置于接收基板500上，其中位于接收基板500上的至少一個(gè)對(duì)象容置于轉(zhuǎn)置頭陣列100的凹槽111中。

由于當(dāng)?shù)谝晃⒃?00通過轉(zhuǎn)置頭陣列100自承載基板轉(zhuǎn)移至接收基板500時(shí)，可能會(huì)有些對(duì)象，例如第二微元件300、凸出結(jié)構(gòu)、凸起結(jié)構(gòu)或粒子，位于接收基板500上。為了避免這些對(duì)象可能會(huì)造成的干擾，轉(zhuǎn)置頭陣列100具有凹槽111，以在轉(zhuǎn)置頭120上的第一微元件400接觸接收基板500時(shí)容置這些對(duì)象。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更改與潤(rùn)色，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。