石墨烯缺陷檢測(cè)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明總體描述了與經(jīng)配置可有效檢測(cè)包含石墨烯的樣品中的缺陷的方法和系統(tǒng)有關(guān)的技術(shù)。示例性方法可以包括接收樣品，其中，所述樣品可以包含至少一些石墨烯和該石墨烯中的至少一些缺陷。所述方法還可以包括使所述樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品可以包含與至少一些缺陷鍵合的標(biāo)記物。所述方法還可以包括將所述標(biāo)記的樣品置于檢測(cè)器系統(tǒng)中。所述方法還可以包括用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)至少一些所述標(biāo)記物。
【專利說明】石墨烯缺陷檢測(cè)
[0001]對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)涉及下列申請(qǐng):PCT專利申請(qǐng)PCT/US2011/xxxxx(律師案號(hào)1574-0040)，名稱為“石墨烯缺陷改造”，發(fā)明人為Seth Miller，申請(qǐng)日為年/月/日，目前為共同待決；和PCT/US2011/xxxxx(律師案號(hào)1574-0042)，名稱為“石墨烯缺陷的改造”，發(fā)明人為SethMiller和Thomas Yager,申請(qǐng)日為年/月/日，目前為共同待決。
【背景技術(shù)】
[0003]除非在本文中另外指明，本部分所描述的資料并非本申請(qǐng)權(quán)利要求的現(xiàn)有技術(shù)，將這些資料包含在本部分中并非表示承認(rèn)其是現(xiàn)有技術(shù)。
[0004]石墨烯是一種通?？梢园粚渔I合在一起的碳原子(該碳原子層的厚度為一個(gè)原子)的材料。石墨烯可以通過使碳原子在另一種材料(例如銅)上生長來形成。可以將銅插入石英管中，加熱并退火。隨后可以使014和&的混合氣體流入管中，而后可以使銅在流動(dòng)的H2下冷卻，從而形成石墨烯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在一些實(shí)例中，對(duì)一種檢測(cè)樣品中的缺陷的方法進(jìn)行了 一般性說明。所述方法可以包括接收樣品，其中，所述樣品可以包含至少一些石墨烯和該石墨烯中的至少一些缺陷。所述方法還可以包括使所述樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品可以包含與至少一些缺陷鍵合的標(biāo)記物。所述方法還可以包括將所述標(biāo)記的樣品置于檢測(cè)器系統(tǒng)中。所述方法還可以包括用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)至少一些所述標(biāo)記物。
[0006]在一些實(shí)例中，對(duì)一種可有效檢測(cè)樣品中的缺陷的系統(tǒng)進(jìn)行了一般性說明。所述系統(tǒng)可以包括艙室和被配置成與所述艙室具有操作性關(guān)系的檢測(cè)器系統(tǒng)。所述艙室可以配置成可有效地接收樣品，其中，所述樣品可以包含至少一些石墨烯和該石墨烯中的至少一些缺陷。所述艙室還可以配置成可有效地使所述樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品可以包含與至少一些缺陷鍵合的標(biāo)記物。所述檢測(cè)器系統(tǒng)可以配置成可有效地接收所述標(biāo)記的樣品并檢測(cè)至少一些所述標(biāo)記物。
[0007]在一些實(shí)例中，對(duì)一種樣品進(jìn)行了一般性說明，其中，所述樣品可以包含至少一些石墨烯和該石墨烯中的至少一些缺陷。所述樣品可以包含與至少一個(gè)所述缺陷鍵合的至少一個(gè)標(biāo)記物。所述標(biāo)記物可以包含分子，并且所述分子可以包含至少一種原子量大于約40的原子。
[0008]前述
【發(fā)明內(nèi)容】
僅是說明性的，并不意在做出任何限制。除了上述的說明性方面、實(shí)施方式和特征以外，其他方面、實(shí)施方式和特征將參照附圖和下文的詳細(xì)說明而變得顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】[0009]憑借以下說明和所附的權(quán)利要求并結(jié)合附圖，本發(fā)明的前述特征和其他特征將而變得更加明顯可見。應(yīng)理解的是，附圖僅繪出了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，因此不應(yīng)認(rèn)為附圖是對(duì)本發(fā)明范圍的限制，在此情況下，通過使用附圖來更具體、更詳細(xì)地描述本發(fā)明；在附圖中:
[0010]圖1圖示了可用來執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的示例系統(tǒng)；
[0011]圖2繪出了執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的示例方法的流程圖；
[0012]圖3圖示了可用來執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品；和
[0013]圖4是圖示了經(jīng)設(shè)置用來執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的示例計(jì)算設(shè)備的方框圖；
[0014]所有附圖內(nèi)容都根據(jù)本文所述的至少一些實(shí)施方式來設(shè)置。
【具體實(shí)施方式】
[0015]在以下的詳細(xì)說明中將參照附圖，附圖構(gòu)成了以下說明的一部分。在附圖中，除非上下文另有指明，相似的符號(hào)通常指示相似的組成部分。在詳細(xì)的說明、附圖和權(quán)利要求中所描述的說明性實(shí)施方式并不意在進(jìn)行限制。在不脫離本文所呈現(xiàn)的主題的主旨或范圍的情況下，可以使用其他實(shí)施方式，并可以做出其他修改。容易理解的是，本文所一般性描述的以及附圖中所圖示的本發(fā)明的各方面可以以多種不同的配置來設(shè)置、替換、組合、分離和設(shè)計(jì)，這些都明確地涵蓋在本文中。
[0016]本發(fā)明總體上特別涉及與石墨烯缺陷檢測(cè)有關(guān)的系統(tǒng)、方法、材料和裝置。
[0017]簡言之，總體上描述了與經(jīng)配置可有效檢測(cè)包含石墨烯的樣品中的缺陷的方法和系統(tǒng)有關(guān)的技術(shù)。示例性方法可以包括接收樣品，其中，所述樣品可以包含至少一些石墨烯和該石墨烯中的至少一些缺陷。所述方法還可以包括使所述樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品可以包含與至少一些缺陷鍵合的標(biāo)記物。所述方法還可以包括將所述標(biāo)記的樣品置于檢測(cè)器系統(tǒng)中。所述方法還可以包括用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)至少一些所述標(biāo)記物。
[0018]應(yīng)理解的是，在本說明書所明確或隱含公開的內(nèi)容中和/或在權(quán)利要求的記載中屬于在結(jié)構(gòu)、組成和/或功能上相關(guān)的一組化合物、材料或物質(zhì)的任何化合物、材料或物質(zhì)都包括該組中的個(gè)體代表物及其全部組合形式。
[0019]圖1圖示了本文所述的至少一些實(shí)施方式的可用來執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的示例系統(tǒng)。示例石墨烯缺陷檢測(cè)系統(tǒng)100可以包括艙室112、檢測(cè)器系統(tǒng)131和/或艙室144，這些都被配置為彼此之間具有操作性關(guān)系。缺陷檢測(cè)系統(tǒng)100的至少一些元件可以設(shè)置成通過通信連接156與處理器154通信。在一些實(shí)例中，處理器154可以適配成與存儲(chǔ)器158通信，存儲(chǔ)器158可以包括儲(chǔ)存在其中的指令160。可以用例如指令160來配置處理器154，從而控制下文所述的至少一些操作/行為/功能。
[0020]如下文所更詳細(xì)討論的，樣品102可以包含一個(gè)或多個(gè)缺陷104、106、108和/或110，并且可以例如手動(dòng)或利用機(jī)器將樣品102置于艙室112中。如下文所更詳細(xì)討論的，艙室112可以配置成可有效地使樣品102暴露于氣體120從而產(chǎn)生標(biāo)記的樣品105。標(biāo)記的樣品105可以包含鍵合在缺陷104、106、108和/或110上的標(biāo)記物122、124、126和/或128?？梢岳缡謩?dòng)或用機(jī)器將帶有標(biāo)記物122、124、126和/或128的樣品105置于包括源130和/或檢測(cè)器132的檢測(cè)器系統(tǒng)131中。檢測(cè)器系統(tǒng)131可以配置成可有效地檢測(cè)標(biāo)記物122、124、126和/或128。隨后，可以將樣品105送入另一艙室144中并使其暴露于另一氣體136、液體138或熱，從而至少部分地除去標(biāo)記物122、124、126和/或128。
[0021]在實(shí)例中，樣品102可以包含石墨烯103以及一個(gè)或多個(gè)缺陷104、106、108和/或110。例如，石墨烯形成過程中的化學(xué)雜質(zhì)可以形成缺陷104、106、108和/或110。缺陷來源的其他實(shí)例可以是在化學(xué)氣相沉積過程中形成石墨烯的結(jié)果，在該化學(xué)氣相沉積過程中，在蒸氣中使碳原子沉積在基底上。一些碳原子核可能會(huì)在基底表面上解離，從而在石墨烯晶核的晶體之間形成空隙或邊界。缺陷的其他實(shí)例包括共價(jià)缺陷或Stone-Wales型缺陷，其中，碳原子鍵合成具有不同碳原子數(shù)(例如5個(gè)碳或7個(gè)碳，而不是6個(gè)碳)的環(huán)。在此類實(shí)例中，這種結(jié)構(gòu)可能具有與無此類缺陷的石墨烯略微不同的電子特性。表面供石墨烯生長的基底可以具有可形成缺陷104、106、108和/或110的拓?fù)鋵W(xué)畸變。缺陷的另外一些實(shí)例包括與碳原子鍵合的其他類型的化學(xué)形式，例如環(huán)氧化物、酮、醇和/或羧酸。
[0022]如圖所示，可以將包含石墨烯103和缺陷104、106、108和/或110的樣品102置于艙室112中。艙室112可以包含開口 114、開口 116、泵170和/或加熱器174。容器118可以調(diào)整為與艙室112流體連通。容器118可以包含氣體120。閥182與容器118和/或艙室112流體連通，并可以被處理器154選擇性地激活，從而使艙室112中的環(huán)境充滿來自容器118的氣體120。氣體120可以包含帶有至少一種相對(duì)重的原子的分子。例如，氣體120中的至少一種原子可以具有大于約40的原子量。在一些實(shí)例中，氣體120中的至少一種原子可以是金屬。在實(shí)例中，氣體120可以包含其中至少一個(gè)原子可以是硒(Se)、碲(Te)和/或錫(Sn)的分子。
[0023]例如，氣體120可以包含其中至少一個(gè)原子是碘(I)的分子。例如，氣體120可以包含碘類分子，例如碘、亞硫酰碘、碘化有機(jī)胺(例如4-碘代苯胺)、3_碘代丙基三甲氧基硅烷、碘化氫和/或二碘乙烷。在這些實(shí)例中，由于碘原子可以與樣品103中的缺陷104、106、108和/或110化學(xué)鍵合以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品105，因此可以在樣品103中形成標(biāo)記物122、124、126和/或128。隨后可以利用檢測(cè)器系統(tǒng)標(biāo)131來檢測(cè)標(biāo)記物122、124、126和/ 或 128。
[0024]例如，氣體120可以包含三碘化硼(BI3)、三碘化鋁(AlI3)、三溴化硼(BBr3)、碲化氫(H2Te)、硒化氫(H2Se)、氯化錫(SnCl2)、SnBr2和SnBr4等。其他實(shí)例包括帶有重原子的揮發(fā)性金屬，例如四(乙基甲基氨基)鉿、叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)、叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)等。
[0025]可以例如手動(dòng)或用機(jī)器將標(biāo)記的樣品105放置在檢測(cè)器系統(tǒng)131中。在實(shí)例中，源130可以包括光譜光源，例如X射線源。源130和檢測(cè)器132可以組合形成X射線熒光(XRF)系統(tǒng)或全X射線熒光(TXRF)系統(tǒng)。在TXRF系統(tǒng)中，可以將X射線束曝射到標(biāo)記的樣品105上，標(biāo)記物122、124、126和/或128中的重原子可以吸收X射線并發(fā)出熒光。該熒光可以被檢測(cè)器132檢測(cè)到。檢測(cè)器132的輸出結(jié)果可以指示標(biāo)記的樣品105表面上的原子類型的濃度。例如，檢測(cè)器132可以檢測(cè)到標(biāo)記的樣品105表面上的原子強(qiáng)度。在一些實(shí)例中，利用檢測(cè)器132可以進(jìn)行制造過程中的樣品線上監(jiān)視。檢測(cè)器系統(tǒng)131的輸出結(jié)果可以是指示樣品102中的石墨烯品質(zhì)水平的度量，例如，來自氣體120的產(chǎn)生標(biāo)記物122、124、126和/或128的原子的量。
[0026]在一些實(shí)例中，檢測(cè)器系統(tǒng)131可以包含背散射掃描電子顯微鏡(SEM)系統(tǒng)或一些其他類型的背散射電子成像(BEI)系統(tǒng)。檢測(cè)器系統(tǒng)131的輸出結(jié)果可以包括與標(biāo)記的樣品105所帶的缺陷的圖譜相關(guān)的數(shù)據(jù)。示例圖譜可以由包括X，Y坐標(biāo)和與樣品102中指定的X-Y坐標(biāo)處的缺陷相關(guān)的強(qiáng)度/濃度水平的數(shù)據(jù)構(gòu)成。在一些實(shí)例中，檢測(cè)器系統(tǒng)131可以配置成可有效地對(duì)標(biāo)記的樣品105中的多種重原子(例如碘)定量。
[0027]在一些實(shí)例中，氣體120可以經(jīng)選擇而與樣品102反應(yīng)，從而有效地產(chǎn)生與樣品102中的特定缺陷有關(guān)的標(biāo)記物，由此產(chǎn)生標(biāo)記的樣品105。在一些實(shí)例中，氣體120可以用來標(biāo)記多種不同類型的缺陷。例如，具有氯化錫原子的氣體可以有效地標(biāo)記樣品102中的酚缺陷，而具有碘原子的氣體可以有效地標(biāo)記樣品102中的醇缺陷。
[0028]在一些實(shí)例中，具有三碘化硼(BI3)分子的氣體可以有效地標(biāo)記樣品102中的多個(gè)不同的氧缺陷。BI3可以對(duì)包括醚、酮、醇、酸、環(huán)氧化物等在內(nèi)的大多數(shù)氧基團(tuán)具有強(qiáng)親和力。由于BI3是相對(duì)強(qiáng)的電子受體，BI3可以對(duì)富電子缺陷(例如Stone-Wales缺陷)具有相對(duì)高的親和力。在實(shí)例中，氣體120可以包括帶有BI3的分子和帶有碘代苯胺的分子。在該特定實(shí)例中，可以檢測(cè)到含石墨烯樣品中的常見的化學(xué)缺陷、拓?fù)鋵W(xué)缺陷和/或地形學(xué)缺陷。
[0029]具有二碘乙烷分子的氣體可以有效地標(biāo)記樣品102中的酚型缺陷。包含亞硫酰碘分子的氣體可以與羧基反應(yīng)形成?；?，并且能夠有效地標(biāo)記樣品102中的羧基型缺陷。氣體102可以包含多于一種的本文所列的示例原子。例如，氣體120可以包含:包括二碘乙烷的分子和包括亞硫酰碘的分子，包括二碘乙烷和三碘化硼的分子，或包括碘和三碘化硼的分子，等等。
[0030]在實(shí)例中，當(dāng)氣體120包含氯化錫(Sn4Cl)分子時(shí)，可以用例如加熱器174將艙室112加熱至約100°C?約200°C?？梢杂美绫?70將艙室112內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)至約0.5豪托?10豪托。可以從容器118將氣體120供應(yīng)至艙室112，并供應(yīng)約2分鐘?約10分鐘的時(shí)間。蒸氣120中的分子可以沉積在樣品103上并與樣品102反應(yīng)，從而有效地在樣品103所帶的缺陷位點(diǎn)處產(chǎn)生標(biāo)記物122、124、126和/或128，由此產(chǎn)生標(biāo)記的樣品105。隨后可以在泵170的控制下通過例如真空或氣體掃除將氣體120從艙室112中除去。殘留在艙室112中的來自氣體120的原子可以是與缺陷位點(diǎn)104、106、108和/或110鍵合從而產(chǎn)生標(biāo)記物122、124、126和/或128的原子。如本文中所述，可以用檢測(cè)器系統(tǒng)標(biāo)131來檢測(cè)標(biāo)記的樣品105上的標(biāo)記物122、124、126和/或128。
[0031]在用檢測(cè)器系統(tǒng)131進(jìn)行了檢測(cè)后，可以例如手動(dòng)或用機(jī)器將標(biāo)記的樣品105放置在艙室144中。艙室144可以包含開口 140、開口 142、泵172和/或加熱器176。容器134可以調(diào)整為與艙室144流體連通。容器134可以包含氣體136、液體138或其混合物。閥184與容器134和/或艙室144流體連通，并可以被處理器154選擇性地激活，從而使艙室144中的環(huán)境充滿來自容器134的氣體136和/或液體138。容器134可以配置成可有效地將氣體136和/或液體138 (例如水、水蒸氣、氫氣、肼、氨等)供應(yīng)至標(biāo)記的樣品105。加熱器176可以有效地將艙室144加熱至約250°C?約500°C。液體138、氣體136和/或熱可以將氣體102中的原子從標(biāo)記的樣品105中除去，從而重建基本沒有標(biāo)記物122、124、126、128的樣品102，如顯示出帶有缺陷104、106和標(biāo)記物126、128但無標(biāo)記物122、124的樣品102的圖所示。在氣體120包含碘原子的實(shí)例中，碘-碳鍵在例如超過250°C的相對(duì)高的溫度容易變得熱力學(xué)不穩(wěn)定。如本文中所討論的，在加熱時(shí)這些鍵可以斷裂。[0032]在其他潛在益處中，按照本發(fā)明設(shè)置的系統(tǒng)可以用來監(jiān)測(cè)缺陷而不毀壞樣品(即，非破壞性的缺陷檢測(cè))?？梢栽跇悠飞闲纬蓸?biāo)記物，隨后可以除去該標(biāo)記物，從而產(chǎn)生可逆過程。由于可以使用多種類型的檢測(cè)器系統(tǒng)，例如提供高通量(如晶片規(guī)模檢測(cè)系統(tǒng))和/或聞靈敏度的系統(tǒng)，因此可以獲得相對(duì)聞通量和相對(duì)聞靈敏度的系統(tǒng)。由于可以標(biāo)記基底本身，因此系統(tǒng)可以能夠檢測(cè)基底上的石墨烯不連續(xù)的區(qū)域。
[0033]例如，可以使樣品在3-碘代丙基三甲氧基硅烷下暴露相對(duì)短的時(shí)間(例如約I分鐘?約5分鐘)。在使用XRF作為測(cè)量手段的實(shí)例中，常用的數(shù)據(jù)采集時(shí)間可以是約I分鐘。在加熱樣品的實(shí)例中，加熱也可以是相對(duì)短暫的，例如約30秒?約3分鐘。因此，整個(gè)過程可以在數(shù)分鐘內(nèi)完成。
[0034]圖2繪出了按照本文所述的至少一些實(shí)施方式設(shè)置的用于執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的示例過程200。圖2中的過程可以使用例如上文公開的系統(tǒng)100來執(zhí)行。示例過程可以包括由一個(gè)或多個(gè)區(qū)塊S2、S4、S6、S8和/或SlO顯示的一個(gè)或多個(gè)操作、行為或功能。雖然用不連續(xù)的區(qū)塊來進(jìn)行圖示，但根據(jù)所需的實(shí)施情況，多個(gè)區(qū)塊可以被分割成額外的區(qū)塊、合并成更少的區(qū)塊或消除。
[0035]過程200可以始于區(qū)塊S2，“接收包含石墨烯和至少一些缺陷的樣品”。在區(qū)塊S2階段，艙室可以配置成可有效接收包含石墨烯和該石墨烯中的至少一些缺陷的樣品。
[0036]處理可以從區(qū)塊S2繼續(xù)進(jìn)行至區(qū)塊S4，“使所述樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品可以包含與至少一些缺陷鍵合的標(biāo)記物”。在區(qū)塊S4階段，艙室可以配置成可有效地使樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品。例如，所述氣體可以包含具有至少一種分子量超過約40的原子的分子。在實(shí)例中，所述氣體可以包含碘分子。在實(shí)例中，所述氣體可以包含硒(Se)、碲(Te)、錫(Sn)、三碘化硼(BI3)、三碘化鋁(AlI3)、三溴化硼(BBr3)、碲化氫(H2Te)、硒化氫(H2Se)和/或氯化錫(SnCl2)。上述暴露可以產(chǎn)生包含樣品上的標(biāo)記物的經(jīng)標(biāo)記的樣品。
[0037]處理可以從區(qū)塊S4繼續(xù)進(jìn)行至區(qū)塊S6，“將標(biāo)記的樣品置于檢測(cè)器系統(tǒng)中”。在區(qū)塊S6階段，可以將標(biāo)記的樣品置于檢測(cè)器系統(tǒng)中。例如，如之前所述，檢測(cè)器系統(tǒng)可以包括TXRF或背散射成像系統(tǒng)。
[0038]處理可以從區(qū)塊S6繼續(xù)進(jìn)行至區(qū)塊S8，“用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)至少一些所述標(biāo)記物”。在區(qū)塊S8階段，檢測(cè)器系統(tǒng)可以配置成可有效地檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些標(biāo)記物。例如，TXRF系統(tǒng)可以用來使標(biāo)記的樣品暴露在X射線下，其中，標(biāo)記的樣品上的標(biāo)記物可以吸收X射線，而且作為響應(yīng)所述標(biāo)記物可以發(fā)出熒光。與標(biāo)記的樣品上的標(biāo)記物相關(guān)的熒光可以用檢測(cè)器檢測(cè)到。
[0039]處理可以從區(qū)塊S8繼續(xù)進(jìn)行至區(qū)塊S10，“除去至少一些標(biāo)記物”。在區(qū)塊SlO階段，可以從標(biāo)記的樣品上除去至少一些標(biāo)記物。例如，可以向標(biāo)記的樣品施加水，以至少部分地除去標(biāo)記物。
[0040]圖3圖示了本文所述的至少一些實(shí)施方式的可用來執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。程序產(chǎn)品300可以包括信號(hào)運(yùn)載媒介302。信號(hào)運(yùn)載媒介302可以包含一個(gè)或多個(gè)指令304，當(dāng)由例如處理器來執(zhí)行指令304時(shí)，指令304可以提供關(guān)于圖1?2所述的功能。因此，例如，參照系統(tǒng)100，在響應(yīng)于由媒介302傳達(dá)給系統(tǒng)100的指令304時(shí)，處理器154可以執(zhí)行圖3所示的一個(gè)或多個(gè)區(qū)塊。[0041]在一些實(shí)施方式中，信號(hào)運(yùn)載媒介302可以包括計(jì)算機(jī)可讀媒介306，例如但不限于硬盤驅(qū)動(dòng)器、光盤(CD)、數(shù)字激光視盤(DVD)、數(shù)字磁帶和存儲(chǔ)器等。在一些實(shí)施方式中，信號(hào)運(yùn)載媒介302可以包括記錄媒介308，例如但不限于存儲(chǔ)器、可讀寫(R/W)⑶、R/W-DVD等。在一些實(shí)施方式中，信號(hào)運(yùn)載媒介302可以包括通信媒介310，例如但不限于數(shù)字和/或模擬通信媒介(例如光纖纜、波導(dǎo)管、有線通信連接和無線通信連接等)。因此，例如，可以利用RF信號(hào)運(yùn)載媒介302將程序產(chǎn)品300傳達(dá)給系統(tǒng)100的一個(gè)或多個(gè)模塊，其中，通過無線通信媒介310 (例如，符合IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)的無線通信媒介)來傳達(dá)信號(hào)運(yùn)載媒介302。
[0042]圖4是圖示了本文所述的至少一些實(shí)施方式的經(jīng)設(shè)置用來執(zhí)行石墨烯缺陷檢測(cè)的示例計(jì)算設(shè)備的方框圖。在非?；A(chǔ)的配置402中，計(jì)算設(shè)備400通常包括一個(gè)或多個(gè)處理器404和系統(tǒng)存儲(chǔ)器406。存儲(chǔ)器總線408可以用于在處理器404和系統(tǒng)存儲(chǔ)器406之間進(jìn)行通信。
[0043]根據(jù)所需的配置，處理器404可以是任何類型，包括但不限于微處理器(μ P)、微控制器(μ C)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)或其任意組合。處理器404可以包括一級(jí)或更高級(jí)高速緩存(例如一級(jí)緩存410和二級(jí)緩存412)、處理器核414和寄存器416。示例處理器核414可以包括運(yùn)算邏輯單元(ALU)、浮點(diǎn)單元(FPU)、數(shù)字信號(hào)處理核心(DSP核心)或其任意組合。實(shí)例存儲(chǔ)器控制器418也可以與處理器404 —起使用，或者，在一些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器控制器418可以是處理器404的內(nèi)部部件。
[0044]根據(jù)所需的配置，系統(tǒng)存儲(chǔ)器406可以是任何類型，包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如RAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如ROM、閃存等)或其任意組合。系統(tǒng)存儲(chǔ)器406可以包含操作系統(tǒng)420、一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用422和程序數(shù)據(jù)424。應(yīng)用422可以包含石墨烯缺陷檢測(cè)算法426，該算法經(jīng)設(shè)置能夠執(zhí)行本文所述的多種功能/行為/操作，包括針對(duì)圖1?3的系統(tǒng)100而描述的那些功能/行為/操作中的至少一些。程序數(shù)據(jù)424可以包括石墨烯缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)428，該數(shù)據(jù)可用于執(zhí)行本文所述的石墨烯缺陷檢測(cè)。在一些實(shí)施方式中，應(yīng)用422可以設(shè)置為能夠在操作系統(tǒng)420上操作程序數(shù)據(jù)424，從而可以提供石墨烯的形成。上述基礎(chǔ)配置402由圖4中的內(nèi)層虛線中的組成部分圖示。
[0045]計(jì)算設(shè)備400可以具有額外的特征或功能以及額外的接口以輔助基礎(chǔ)配置402與任何需要的設(shè)備和接口之間的通信。例如，總線/接口控制器430可以用來輔助基礎(chǔ)配置402通過存儲(chǔ)接口總線434與一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備432進(jìn)行通信。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備432可以是移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備436、非移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備438或其組合。僅舉例而言，移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備和非移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)例包括磁盤設(shè)備(例如軟盤驅(qū)動(dòng)器和硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD))、光學(xué)碟片驅(qū)動(dòng)器(例如光盤(CD)驅(qū)動(dòng)器或數(shù)字多功能光碟(DVD)驅(qū)動(dòng)器)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)和磁帶驅(qū)動(dòng)器。實(shí)例計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介可以包括在任何信息(例如計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或其他數(shù)據(jù))存儲(chǔ)方法或技術(shù)中使用的易失性和非易失性、移動(dòng)式或非移動(dòng)式的媒介。
[0046]系統(tǒng)存儲(chǔ)器406、移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備436和非移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備438是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介的實(shí)例。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介包括但不限于:RAM、R0M、EEPR0M、閃存或其他存儲(chǔ)器技術(shù)，CD-ROM、數(shù)字多功能光碟(DVD)或其他光學(xué)存儲(chǔ)，盒式磁帶、磁帶、磁盤存儲(chǔ)或其他磁性存儲(chǔ)設(shè)備，或可用于存儲(chǔ)所需的信息并且可以被計(jì)算設(shè)備400訪問的其他任何媒介。任何此類計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介都可以是計(jì)算設(shè)備400的一部分。
[0047]計(jì)算設(shè)備400還可以包括接口總線400，用于輔助各種接口設(shè)備(例如，輸出設(shè)備442、外部接口 444和通信設(shè)備446)通過總線/接口控制器430與基礎(chǔ)配置402通信。示例輸出設(shè)備442包括圖形處理單元448和音頻處理單元450，它們可以配置成通過一個(gè)或多個(gè)A/V端口 452與多個(gè)外部設(shè)備(例如顯示器或揚(yáng)聲器)通信。示例外部接口 444包括串行接口控制器454或并行接口控制器456，它們可以配置成通過一個(gè)或多個(gè)I/O端口 458與諸如輸入設(shè)備(例如鍵盤、鼠標(biāo)、手寫筆、語音輸入設(shè)備、接觸式輸入設(shè)備等)或其它外部設(shè)備(例如，打印機(jī)、掃描儀等)等外部設(shè)備通信。示例通信設(shè)備446包括網(wǎng)絡(luò)控制器460，網(wǎng)絡(luò)控制器460可以設(shè)置成輔助與在網(wǎng)絡(luò)通信連接另一端的一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算設(shè)備462通過一個(gè)或多個(gè)通信端口 464進(jìn)行通信。
[0048]網(wǎng)絡(luò)通信連接可以是通信媒介的一個(gè)實(shí)例。通信媒介通常可以通過計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或調(diào)制數(shù)據(jù)信號(hào)中的其他數(shù)據(jù)來具體實(shí)現(xiàn)，例如載波或其他傳輸機(jī)制，并且可以包括任何信息傳遞媒介?！罢{(diào)制數(shù)據(jù)信號(hào)”可以是以使其對(duì)信號(hào)中的信息進(jìn)行編碼的方式設(shè)定或改變了其一個(gè)或多個(gè)特征的信號(hào)。舉例而言，但并非進(jìn)行限制，通信媒介可以包括有線媒介(例如有線網(wǎng)絡(luò)或直接有線連接)和無線媒介(例如聲學(xué)、射頻(RF)、微波、紅外(IR)和其他無線媒介)。本文所用的術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀媒介”可以包括存儲(chǔ)媒介和通信媒介。
[0049]計(jì)算設(shè)備400可以作為小尺寸規(guī)格的便攜(或移動(dòng))電子設(shè)備(例如手機(jī)、個(gè)人數(shù)據(jù)助手(PDA)、個(gè)人媒體播放設(shè)備、無線網(wǎng)觀看設(shè)備、個(gè)人頭戴式設(shè)備、應(yīng)用專用設(shè)備或包括任何上述功能的混合式設(shè)備)來使用。計(jì)算設(shè)備400還可以作為個(gè)人計(jì)算機(jī)(包括手提式計(jì)算機(jī)和非手提式計(jì)算機(jī)配置)來使用。
[0050]本發(fā)明不限于本申請(qǐng)中描述的意在闡明多個(gè)方面的特定實(shí)施方式。將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以進(jìn)行多種修改和變形而不脫離本發(fā)明的主旨和范圍。根據(jù)前述說明，除了本文所列舉的方法和裝置外，本發(fā)明范圍內(nèi)的功能等價(jià)方法和裝置將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。意在將這些修改和變形都包含在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明僅會(huì)受到所附權(quán)利要求的條款以及這些權(quán)利要求所應(yīng)有的等價(jià)物的完整范圍的限制。應(yīng)理解的是，本發(fā)明不限于特定的方法、試劑、化合物組成或生物系統(tǒng)，這些自然可以發(fā)生變化。還應(yīng)當(dāng)理解的是，本文所用的術(shù)語僅是出于描述特定實(shí)施方式的目的，而不試圖進(jìn)行限制。
[0051]對(duì)于本文中基本上任何復(fù)數(shù)和/或單數(shù)術(shù)語的使用，本領(lǐng)域技術(shù)人員都可以在對(duì)上下文和/或應(yīng)用適當(dāng)?shù)那闆r下將其從復(fù)數(shù)形式轉(zhuǎn)化為單數(shù)形式或從單數(shù)形式轉(zhuǎn)化成復(fù)數(shù)形式。為了清楚，本文中可以明確地說明各種單數(shù)/復(fù)數(shù)變換。
[0052]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，通常，本文所用的術(shù)語，尤其是所附權(quán)利要求(例如，所附權(quán)利要求的主體)中所用的術(shù)語，通常意在表示“開放式”術(shù)語(例如，術(shù)語“包括”應(yīng)理解為“包括但不限于”，術(shù)語“具有”應(yīng)理解為“至少具有”，術(shù)語“包含”應(yīng)理解為“包含但不限于”，等等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解的是，如果意圖表示特定數(shù)量的所引入的權(quán)利要求敘述事項(xiàng)，則這種意圖將明確記載在權(quán)利要求中，而在沒有這種記載時(shí)，就不存在這種意圖。例如，為了幫助理解，以下所附的權(quán)利要求可能包含引導(dǎo)性短語“至少一個(gè)(種)”和“一個(gè)(種)或多個(gè)(種)”的用法，用來引入權(quán)利要求敘述事項(xiàng)。然而，即使同一權(quán)利要求包含了引導(dǎo)性短語“一個(gè)(種)或多個(gè)(種)”或“至少一個(gè)(種)”和諸如“一個(gè)”或“一種”等不定冠詞，對(duì)此類短語的使用也不應(yīng)解讀為是以下含義:由不定冠詞“一個(gè)”或“一種”引入權(quán)利要求敘述事項(xiàng)，會(huì)將包含這些引入的權(quán)利要求敘述事項(xiàng)的特定權(quán)利要求限定為包含僅一個(gè)(種)這樣的敘述事項(xiàng)的實(shí)施方式(例如“一個(gè)”和/或“一種”應(yīng)理解為是表示“至少一個(gè)(種)”或“一個(gè)(種)或多個(gè)(種)”)；對(duì)于使用定冠詞來引入權(quán)利要求敘述事項(xiàng)的情況也同樣如此。此外，即使明確記載了特定數(shù)量的所引入的權(quán)利要求敘述事項(xiàng),本領(lǐng)域技術(shù)人員也會(huì)認(rèn)識(shí)到應(yīng)當(dāng)將此類記載解釋為是表示至少所述數(shù)量(例如，如果僅記載了“兩種敘述事項(xiàng)”而無其他修飾，其含義是至少兩種敘述事項(xiàng)或兩種以上敘述事項(xiàng))。此夕卜，在使用與“A、B和C等中的至少一種”類似的限定時(shí)，通常，此類表述意在具有使本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解此類限定的含義(例如，“具有A、B和C中至少一種的系統(tǒng)”應(yīng)包括但不限于僅具有A、僅具有B、僅具有C、具有AB、具有AC、具有BC、和/或具有ABC等的系統(tǒng))。在使用與“A、B或C等中的至少一種”類似的限定時(shí)，通常，此類表述意在具有使本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解此類限定的含義(例如，“具有A、B或C中至少一種的系統(tǒng)”應(yīng)包括但不限于僅具有A、僅具有B、僅具有C、具有AB、具有AC、具有BC、和/或具有ABC等的系統(tǒng))。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解的是，不論在說明書、權(quán)利要求書還是附圖中，表示兩種以上擇一性事項(xiàng)的任何選言性詞語實(shí)際上都應(yīng)理解為涵蓋了包括這些事項(xiàng)中的某一項(xiàng)、任一項(xiàng)或全部兩項(xiàng)在內(nèi)的可能性。例如，短語“A或B”將理解為包括了 “A”或“B”或“A和B”的可能性。
[0053]此外，如果以馬庫什組的方式描述了本發(fā)明的特征和方面，則本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到還藉此以馬庫什組中的任何單獨(dú)成員或成員子組的方式描述了本發(fā)明。
[0054]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，出于任何目的和所有目的，例如在提供書面說明方面，本文公開的所有范圍還包括這些范圍的任何或全部可能的子范圍和子范圍的組合。對(duì)于任何列出的范圍，都應(yīng)容易地認(rèn)識(shí)到充分地描述了并能夠得到被分割為至少兩等份、三等份、四等份、五等份、十等份等的同一范圍。作為非限制性實(shí)例，本文所述的每個(gè)范圍都可以容易地分割為下三分之一、中三分之一和上三分之一，等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解的是，所有例如“至多”、“至少”、“大于”、“小于”等用語都包括了所述的數(shù)字，并且指可以繼續(xù)分割為上述子范圍的范圍。最后，本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解，范圍包括每個(gè)單獨(dú)的成員。因此，例如，具有I?3個(gè)單元的組是指具有1、2或3個(gè)單元的組。類似的,具有I?5個(gè)單元的組是指具有1、2、3、4或5個(gè)單元的組，以此類推。
[0055]雖然本文已公開了多個(gè)方面和實(shí)施方式，但對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言其他方面和實(shí)施方式將變得顯而易見。本文公開的多個(gè)方面和實(shí)施方式是為了進(jìn)行說明而非意在進(jìn)行限制，且由以下權(quán)利要求來說明真正的范圍和主旨。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測(cè)樣品中的缺陷的方法，其中，所述樣品包含石墨烯，所述方法包括: 接收樣品，其中，所述樣品包含所述石墨烯中的至少一些缺陷； 使所述樣品在充足的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品包含與至少一些所述缺陷鍵合的標(biāo)記物； 將所述標(biāo)記的樣品置于檢測(cè)器系統(tǒng)中；和 用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包含至少一種原子量大于約40的原子。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括使所述標(biāo)記的樣品在充分的反應(yīng)條件下暴露于液體或氣體，以至少部分地從所述標(biāo)記的樣品的所述缺陷中除去所述標(biāo)記物。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括使所述標(biāo)記的樣品在充分的反應(yīng)條件下暴露于熱，以至少部分地從所述標(biāo)記的樣品的所述缺陷中除去所述標(biāo)記物。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括使所述標(biāo)記的樣品暴露在約100°C~約200°C的溫度和約0.5毫托~約10毫托的壓力，以至少部分地從所述標(biāo)記的樣品的所述缺陷中除去所述標(biāo)記物。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包含碘原子。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包括碘、亞硫酰碘、碘化有機(jī)胺、碘化氫或二碘乙烷中的至少一種。`
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包含硒(Se)、碲(Te)或錫(Sn)中的至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包括三碘化硼(BI3)、三碘化鋁(AlI3)、三溴化硼(BBr3)、碲化氫(H2Te)、硒化氫(H2Se)、氯化錫(SnCl2)、SnBr2, SnBr4,四(乙基甲基氨基)鉿、叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)或叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包括三碘化硼B(yǎng)I3和碘代苯胺。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括使所述樣品暴露于包含分子的氣體，其中，所述分子包括二碘乙烷與亞硫酰碘、二碘乙烷與三碘化硼、或者碘與三碘化硼中的至少一種。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括:在使所述樣品暴露于所述氣體后，將所述氣體的至少一部分泵出艙室。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物的步驟還包括用全X射線熒光系統(tǒng)檢測(cè)至少一些所述標(biāo)記物。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物的步驟還包括用背散射系統(tǒng)檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物的步驟還包括用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物，從而生成指示與所述缺陷鍵合的多種原子的輸出結(jié)果。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物的步驟還包括用所述檢測(cè)器系統(tǒng)檢測(cè)所述標(biāo)記的樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物，從而生成指示與所述標(biāo)記的樣品所帶的所述缺陷的圖譜有關(guān)的數(shù)據(jù)。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述樣品暴露于氣體的步驟還包括在使所述樣品暴露于所述氣體的同時(shí)將所述樣品加熱至約100°c~約200°C。
18.一種有效地執(zhí)行權(quán)利要求1所述的方法的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 艙室，所述艙室被配置成可有效地接收樣品，其中所述樣品包含至少一些石墨烯和所述石墨烯中的至少一些缺陷，所述艙室可有效地使所述樣品在充分的反應(yīng)條件下暴露于氣體以產(chǎn)生標(biāo)記的樣品，其中，所述標(biāo)記的樣品包含與所述樣品所帶的至少一些缺陷鍵合的標(biāo)記物；和 檢測(cè)器系統(tǒng)，所述檢測(cè)器系統(tǒng)被配置成與所述艙室具有操作性關(guān)系，其中，所述檢測(cè)器系統(tǒng)被配置成可有效地接收標(biāo)記的樣品且可有效地檢測(cè)所述樣品所帶的至少一些所述標(biāo)記物。
19.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含分子，且所述分子包含至少一種原子量大于約40的原子。
20.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述艙室是第一艙室，且所述系統(tǒng)還包括: 第二艙室，所述第二艙室被配置成與所述檢測(cè)器系統(tǒng)具有操作性關(guān)系，其中，所述第二艙室被配置成可有效地使所述標(biāo)記的樣品在充分的反應(yīng)條件下暴露于液體或氣體，以至少部分地從所述標(biāo)記的樣品的所述缺陷中除去所述標(biāo)記物。
21.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述艙室是第一艙室，且所述系統(tǒng)還包括: 第二艙室，所述第二艙室被配置成與所述檢測(cè)器系統(tǒng)具有操作性關(guān)系，其中，所述第二艙室被配置成可有效地使所述標(biāo)記的樣品在充分的反應(yīng)條件下暴露于熱，以至少部分地從所述標(biāo)記的樣品的所述缺陷中除去所述標(biāo)記物。
22.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含碘分子。
23.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含碘、亞硫酰碘、碘化有機(jī)胺、碘化氫或二碘乙烷分子中的至少一種。
24.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含硒(Se)、碲(Te)或錫(Sn)分子中的至少一種。
25.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含包括三碘化硼(BI3)、三碘化鋁(AlI3)、三溴化硼(Bfc3)、碲化氫(H2Te)、硒化氫(H2Se)、氯化錫(SnCl2)、SnBr2, SnBr4'四(乙基甲基氨基)鉿、叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)或叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)分子中的至少一種。
26.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含分子，所述分子包括三碘化硼B(yǎng)I3和碘代苯胺。
27.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述氣體包含分子，所述分子包括二碘乙烷與亞硫酰碘、二碘乙烷與三碘化硼、或者碘與三碘化硼中的至少一種。
28.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括:泵，所述泵被配置成與所述艙室具有操作性關(guān)系，其中，所述泵被配置成可有效地將所述氣體的至少一部分泵出所述艙室。
29.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述檢測(cè)器系統(tǒng)包括全X射線熒光系統(tǒng)。
30.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述檢測(cè)器系統(tǒng)包括背散射系統(tǒng)。
31.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括加熱器，所述加熱器被配置成與所述艙室具有操作性關(guān)系，其中，在所述艙室被配置成可有效地使所述樣品暴露于氣體時(shí)，所述加熱器可有效地將所述樣品加熱至約100°C~約200°C。
32.一種使用權(quán)利要求1所述的方法制得的樣品，所述樣品包括: 至少一些石墨烯； 所述石墨烯中的至少一個(gè)缺陷；和 與至少一個(gè)所述缺陷鍵合的至少一個(gè)標(biāo)記物，所述標(biāo)記物包含分子，并且所述分子包含至少一種原子量大于約40的原子。
33.如權(quán)利要求32所述的樣品，其中，所述分子包含碘原子。
34.如權(quán)利要求32所述的樣品，其中，所述分子包括碘、亞硫酰碘、碘化有機(jī)胺、碘化氫或二碘乙烷中的至少一種。
35.如權(quán)利要求32所 述的樣品，其中，所述分子包含硒(Se)、碲(Te)或錫(Sn)中的至少一種。
36.如權(quán)利要求32所述的樣品，其中，所述分子包含三碘化硼(BI3)、三碘化鋁(AlI3)、三溴化硼(Bfc3)、碲化氫(H2Te)、硒化氫(H2Se)、氯化錫(SnCl2)、SnBr2, SnBr4, 0 (乙基甲基氨基)鉿、叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)或叔丁基酰亞氨基三(乙基甲基氨基)鉭(V)中的至少一種。
37.如權(quán)利要求32所述的樣品，其中，所述分子包括三碘化硼B(yǎng)I3和碘代苯胺。
38.如權(quán)利要求32所述的樣品，其中，所述分子包括二碘乙烷和亞硫酰碘。
【文檔編號(hào)】B82Y35/00GK103733051SQ201180072755
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月16日
【發(fā)明者】塞思·米勒 申請(qǐng)人:英派爾科技開發(fā)有限公司