專利名稱：利用光熱效應制作應用基板的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有特定表面結(jié)構基板的制作方法，尤其涉及一種利用光 熱效應制作應用基板的方法。
背景技術：
目前在制作較為精密或規(guī)則性的表面微/納米結(jié)構的主要方式有光學微影
技術(photolithography)及納米壓印技術(nano-imprinting lithography; NIL)
等。雖然光學微影技術目前已經(jīng)廣泛應用在半導體工藝上，但是其具有蝕刻非 等向性(anisotropy)及選擇性(selectivity)等問題，并且于工藝過程中需考 慮許多重要工藝參數(shù)，例如光掩模的精確性、蝕刻速率(etching rate)及均 勻性(uniformity)等，整體而言，工藝過程較為復雜，再者，其成本也相對 較高。就納米壓印技術來說，雖然利用納米壓印技術可制作到納米級結(jié)構，且 已存在有不需光刻膠直接壓印的技術，但是其具有模具價格昂貴、不易制作大 面積、脫模時易損害微結(jié)構等問題。
在印刷電路板(PCB)的工藝其中有一道工藝為金手指(gold fmger，或 稱edge connector)其設計的目的，在于通過與連接器的插接作為板對外連絡 的出口，因此，須要金手指工藝，之所以選擇金是因為它優(yōu)越的導電度及抗氧 化性。但因為金的成本極高所以只應用于金手指的局部鍍金，如結(jié)合墊 (bondingpad)等，但是在電鍍的過程當中需要有良好的參數(shù)調(diào)控，否則易產(chǎn) 生其它金屬的污染、附著力不佳等狀況。
再者，以導體結(jié)構的制作來說，可分為減成法(subtractive process) 與加成法(additive process)。減成法工藝具有蝕刻液的配方與蝕刻角 度的誤差會有殘銅等問題，所以其無法適用于細微的線路的制作。而 加成法工藝則需要使用光掩模先來定義線路，再以諸如等離子濺鍍、 電解電鍍或無電解電鍍等銅披覆工藝制作出電路。整體而言，加成法 工藝所需工藝流程繁復且成本較高。因此，進一步衍生出結(jié)合噴墨技術的導線制作方法。
目前結(jié)合噴墨技術的導線制作方法已經(jīng)應用于制作軟性電路板上。 傳統(tǒng)上是利用噴墨技術將低熔點導電油墨噴涂于有機板材上，以快速且低成本 制作出具有導線的軟性電路板。但是，導電油墨需要利用高溫燒結(jié)成膜來形成
導線并提高其導電度。于高溫燒結(jié)成膜的過程中，需使用約200。C的燒結(jié)溫度， 并且燒結(jié)時間約30分鐘以上；于此過程中，容易造成板材與形成的導線間殘 留熱應力。除了熱處理方法之外，另一方式則是利用紫外光(ultraviolet; UV) 激光進行燒結(jié)，但此方式容易對有機板材造成損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種利用光熱效應制作應用基板的 方法，借以解決現(xiàn)有技術所存在工藝復雜、成本較高且無法大面積及大量制作 的問題。
本發(fā)明所揭露的利用光熱效應制作應用基板的方法，包括提供一板材； 分布多個納米粒子于板材上；以特定波長的光線照射納米粒子使納米粒子產(chǎn)生 等離子共振效應而將光能轉(zhuǎn)換成熱能；以及通過納米粒子所產(chǎn)生的熱能于板材 上形成相應于納米粒子的表面結(jié)構。
于此，可通過納米粒子所產(chǎn)生的熱能于板材上形成對應于納米粒子的多個 細微孔洞，并且于移除板材上的納米粒子后即可獲得具有細微孔洞的應用基 板。
其中，納米粒子可直接分布于板材上。也可先將納米粒子固定于透明基板 上，再通過透明基板將納米粒子置于板材上。
再者，可通過受該光線激發(fā)的該納米粒子所產(chǎn)生的該熱能，使受激發(fā)的該 納米粒子與鄰近該納米粒子融合成呈現(xiàn)既定圖案的納米粒子材料薄層，以獲得 具有既定圖案的應用基板。其中，當既定圖案為至少一導線的圖案時，可獲得 具有導線的應用基板。而當既定圖案為至少一導體結(jié)構的圖案時，則可獲得具 有導體結(jié)構的應用基板。
于此，納米粒子可直接依照既定圖案分布于板材上。然而，也可先整層遍 布于板材上，而再將光線依照既定圖案于納米粒子上行走以照射并激發(fā)納米粒 子，致使其與鄰近納米粒子形成表面融合，然后將未融合的納米粒子移除以得
6到呈現(xiàn)既定圖案的納米粒子材料薄層。
綜上所述，利用根據(jù)本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法，制作應 用基板，其不需光掩模、整體流程較為簡單、成本低、且易于大面積及大量制 作。并且，于大面積或大量制作時，可避開特定工藝步驟所需的設備機臺及其 技術，以降低工藝成本。其中，于具有既定圖案的應用基板的制作上，更可以 減低殘留應力、增加與基板的附著性，并且降低熱功率，進而降低能源的損耗。


圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的利用光熱效應制作應用基板的方法的概
要流程圖2為不同材質(zhì)的納米粒子的光-熱轉(zhuǎn)換效率對光源波長的關系圖； 圖3為顯示不同粒徑的單顆金納米粒子于水中的光熱效應的現(xiàn)象； 圖4為金納米粒子的粒徑對熔點的關系圖5A至圖5E為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的利用光熱效應制作應用基板的 方法的概要流程圖6A至圖6D為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的利用光熱效應制作應用基板的 方法的概要流程圖7A至圖7B為于根據(jù)本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法中， 一實施例的板材形成的概要流程圖 ，
圖8為于根據(jù)本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法中， 一實施例的 分布納米粒子的截面示意圖9A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基板 時，在第一實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡(AFM)觀 察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖9B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基板 時，在第一實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的表 面而得到的表面結(jié)構顯微圖10A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，第一實例的板材于分布納米粒子前，以原子力顯微鏡所觀察得的表面結(jié) 構顯微圖；圖10B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，第二實例的板材于分布納米粒子前，以原子力顯微鏡所觀察得的表面結(jié) 構顯微圖10C為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，第三實例的板材于分布納米粒子前，以原子力顯微鏡所觀察得的表面結(jié) 構顯微圖11A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第二實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖11B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第二實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖12A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第三實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖12B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第三實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖13A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第四實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖13B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第四實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖14A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第五實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖14B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第五實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖；圖15A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第六實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖15B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第六實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖16A至圖16D為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的利用光熱效應制作應用基板 的方法的概要流程圖17為對應圖16D的俯視示意圖18A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第七實例的應用基板中，于照射激光前，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖18B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，在第七實例的應用基板中，于照射激光后，以原子力顯微鏡觀察板材的 表面而得到的表面結(jié)構顯微圖19A至圖19D為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的利用光熱效應制作應用基板 的方法的概要流程圖20為對應圖19B的概要截面圖； 圖21為對應圖19C的概要截面圖22A為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，相應于第八、九和十實例的應用基板，于照射激光前，以電子顯微鏡觀 察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖22B為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，于第八實例的應用基板中，于照射1.8W的激光后，以電子顯微鏡觀察
板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖22C為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，于第九實例的應用基板中，于照射1.5W的激光后，以電子顯微鏡觀察 板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖22D為于基于本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法制作應用基 板時，于第十實例的應用基板中，于照射L2W的激光后，以電子顯微鏡觀察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖23A為于基于本發(fā)明的利用光熱轉(zhuǎn)換效應制作應用基板的方法制作應 用基板時，于第十一實例的應用基板中，25nm的銀納米粒子薄膜照激光之前， 以電子顯微鏡觀察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖23B為于基于本發(fā)明的利用光熱轉(zhuǎn)換效應制作應用基板的方法制作應 用基板時，于第十一實例的應用基板中，25nm的銀納米粒子薄膜照激光之后， 以電子顯微鏡觀察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖24A為于基于本發(fā)明的利用光熱轉(zhuǎn)換效應制作應用基板的方法制作應 用基板時，于第十二實例的應用基板中，40nm與120nm的銀納米粒子薄膜照 激光之前，以電子顯微鏡觀察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖；以及
圖24B為于基于本發(fā)明的利用光熱轉(zhuǎn)換效應制作應用基板的方法制作應 用基板時，于第十二實例的應用基板中，40nm與120nm的納米銀粒子薄膜照 激光之后，以電子顯微鏡觀察板材的表面而得到的表面結(jié)構顯微圖。
其中，附圖標記
102透明基板
110應用基板
112板材
113基底
114低融點材料層
116細微孔洞
130納米粒子
132已融合的納米粒子
150光線
170既定圖案
具體實施例方式
本發(fā)明主要是利用表面等離子共振(surface plasmon resonance; SPR)的 原理，使納米粒子因光照而被激發(fā)，并且被激發(fā)的納米粒子會將照射光線所提 供的光能轉(zhuǎn)換為熱能，進而通過產(chǎn)生的熱能形成表面結(jié)構，以產(chǎn)生具有特定表 面結(jié)構(例如但不局限于此，細微孔洞、既定圖案的薄層)的應用基板。其
10中，表面等離子共振的原理為當貴金屬(preciousmetal)粒子粒徑遠小于入射 光波長時，表面電子因受到入射光的激發(fā)，引發(fā)集體式的偶極振蕩，造成表面 電子偏極化現(xiàn)象，并且讓粒子表面自由電子產(chǎn)生共振的現(xiàn)象。因此，表面等離 子共振效應可使貴金屬粒子所吸收的光能快速轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮堋?br> 于本案中所定義的光熱效應為納米粒子受到特定波長光源照射之后，由于 表面等離子共振效應而將吸收的光能轉(zhuǎn)為熱能。
參照圖1，顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的利用光熱效應制作應用基板的方法。
提供一板材(步驟10)。其中，板材的材質(zhì)可為(但非本發(fā)明的限制) 有機材料、無機材料(例如玻璃、金屬、或陶瓷等)、或復合材料等材質(zhì)。
然后，于板材上分布多個納米粒子(步驟30)。其中，此些納米粒子為 會產(chǎn)生表面等離子共振并引發(fā)光熱效應的材料。其中，納米粒子可為金屬納米 粒子，即其材質(zhì)包括諸如(但非本發(fā)明的限制)金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)、 鎘(Cd)、碲(Te)、硒化鎘(CdSe)或其組合等金屬材料。于此，納米粒 子可以下列形態(tài)呈現(xiàn)由不同材質(zhì)或相同材質(zhì)的金屬小粒子所聚集而成的大粒 子、由不同粒徑的金屬小粒子所聚集而成的大粒子、或通過表面修飾將金屬納
米粒子鍵結(jié)于粒徑較大的粒子的表面而形成的大尺寸的粒子結(jié)構(例如納米
或微米等級的金屬粒子表面鍵結(jié)較小的納米粒子、納米或微米等級的二氧化硅
(Si02)的表面鍵結(jié)有納米粒子、碳管表面鍵結(jié)有納米粒子等)。于此，所使 用的納米粒子的粒徑可遠小于用以激發(fā)的光線的波長。并且，納米粒子的粒徑 可小于500 nm (納米)。此外，納米粒子的形狀并不受限制，其可為諸如球 狀、橢圓狀、三角狀、長條狀、棒狀、星狀或其它不規(guī)則形狀等各種立體幾何 形狀。
于此，所使用的納米粒子可為相同粒徑，也可將不同粒徑的納米粒子混合 使用。再者，所使用的納米粒子可為相同材質(zhì)，也可將不同材質(zhì)的納米粒子混 合使用。此外，所使用的納米粒子可為相同形狀，也可將不同形狀的納米粒子 混合使用。
以特定波長的光線照射納米粒子致使納米粒子將光線的光能轉(zhuǎn)換成熱能 (步驟50)。于此，納米粒子照射光線的既定時間可依據(jù)諸如板材的表面材 料(即接觸納米粒子的表面的材質(zhì))、納米粒子的材料、納米粒子的粒徑、照射光線的種類(例如但不局限于此，光線類別和波長等)和照射光線的強度 (例如但不局限于此，功率等)等工藝參數(shù)而決定。
進而通過產(chǎn)生的熱能于板材上形成相應于納米粒子的表面結(jié)構(步驟 70)。
如此，即可獲得具有特定表面結(jié)構(例如但不局限于此，細微孔洞、既 定圖案的薄層等)的應用基板。
圖2顯示不同材質(zhì)的納米粒子在不同波長光源照射下會在特定波段產(chǎn)生 表面等離子共振，進而轉(zhuǎn)成熱能輸出的現(xiàn)象。其中，縱軸為總吸收率與熱產(chǎn)生
量的比值，橫軸為波長，納米粒子的粒徑(Rnp)為60 nm，且光源能量密度 (Io)為5xl(^W/cm2。于此，金納米粒子周圍介質(zhì)的介電常數(shù)(e0)等同于 水的介電常數(shù)(e water)，即為1.8。
參照圖2，相對于CdSe納米粒子和CdTe納米粒子，Ag納米粒子和Au 納米粒子會在特定波長(即，SPR吸收波段)有較大熱量產(chǎn)生。
光熱效應的強弱與表面等離子共振的吸收強度有關，而表面等離子共振效 應則會與粒子尺寸、形狀甚至是不同粒子間彼此的作用程度有關。
圖3顯示不同粒徑的單顆金納米粒子于水中的光熱效應的現(xiàn)象。其中，縱 軸為升溫量，橫軸為光源能量密度，線條L1-L6依序分別表示粒徑為100 nm、 50 nm、 40 nm、 30 nm、 20 nm和10 nm的金納米粒子，且激發(fā)光源的波長 "excitation)為520 nm。
參照圖3，若固定其光源能量密度時，越大粒徑的納米粒子會有越佳的升
溫效果。
另外，在不同形式的納米材料(例如納米粒子、納米線、納米管等)都
可觀察到融點降低的現(xiàn)象。 一般而言，相同材料的物質(zhì)，其熔點在納米尺度時 會比巨觀下的塊材低許多。融點的改變主要是由于納米尺度下可擁有較大的比 表面積，使得它們的熱力學與熱學性質(zhì)產(chǎn)生巨大的改變。
參照圖4，以金納米粒子而言，其粒徑小于5納米時，融點即會急劇地下
因此，在利用納米粒子的光熱效應形成微細孔洞時要考慮板材的融點溫度 以及裂解溫度來選擇適當?shù)募{米粒徑。
再者，于利用納米粒子的光熱效應形成既定圖案的薄層上，由于小粒徑的納米粒子的發(fā)熱量較低，而大粒徑的納米粒子的融點由較高，因此，為了增加 納米粒子的融合效果(g卩，有效地融合成既定圖案)，可摻混大粒徑的納米粒 子與小粒徑的納米粒子來使用，以通過小粒徑的納米粒子融合并連接大粒徑的 納米粒子而形成既定圖案的導體，并且可通過融熔的納米粒子與板材之間形成 有較佳的附著力。
參照圖5A至圖5E，顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的利用光熱效應制作應用基 板的方法。
首先，提供一板材112,如圖5A所示。其中，所用的板材可為(但非本 發(fā)明的限制)有機材料、無機材料(例如玻璃、金屬、陶瓷等)、或復合材 料等材質(zhì)。
于板材112上分布多個納米粒子130，如圖5B所示。其中，納米粒子可 為金屬納米粒子，即其材質(zhì)包括諸如(但非本發(fā)明的限制)金(Au)、銅(Cu)、 銀(Ag)、鎘(Cd)、碲(Te)、硒化鎘(CdSe)或其組合等金屬材料。于 此，納米粒子的形態(tài)可為由不同材質(zhì)或相同材質(zhì)的金屬小粒子所聚集而成的大 粒子、由不同粒徑的金屬小粒子所聚集而成的大粒子、或是可通過表面修飾將 金屬納米粒子鍵結(jié)于粒徑較大的粒子的表面而形成的大尺寸的粒子結(jié)構(例 如納米或微米等級的金屬粒子表面鍵結(jié)較小的納米粒子、納米或微米等級的 Si02表面鍵結(jié)有納米粒子、碳管表面鍵結(jié)有納米粒子等)。
于此，所使用的納米粒子可為相同粒徑，也可將不同粒徑的納米粒子混合 使用。再者，所使用的納米粒子可為相同材質(zhì)，也可將不同材質(zhì)的納米粒子混 合使用。此外，所使用的納米粒子可為相同形狀，也可將不同形狀的納米粒子 混合使用。
然后，以特定波長的光線150照射板材112上的納米粒子130，以激發(fā)納 米粒子130使納米粒子130將光線150所提供的光能轉(zhuǎn)換成熱能，如圖5C所 示。此時，可將光線持續(xù)照射納米粒子一既定時間。舉例來說，但不局限于此， 使特定波長的光線照射納米粒子約5秒以上。
通過納米粒子130因光線照射而所產(chǎn)生的熱能于板材112上形成對應于納 米粒子130的多個細微孔洞116，如圖5D所示。
最后，將板材112上的納米粒子130移除，即得到具有細微孔洞116的應 用基板110，如圖5E所示。此外，納米粒子130不限于如圖5B所示的直接散布在板材112上，也可 先將納米粒子130固定于一透明基板102上，如圖6A所示。此透明基板102 的材質(zhì)可為可固定納米粒子的任意透明材質(zhì)，例如玻璃或石英等。于此，所 使用的納米粒子可為相同粒徑，也可將不同粒徑的納米粒子混合使用。再者， 所使用的納米粒子可為相同材質(zhì)，也可將不同材質(zhì)的納米粒子混合使用。此外， 所使用的納米粒子可為相同形狀，也可將不同形狀的納米粒子混合使用。其中， 可利用噴印、旋布、或涂布等方式將納米粒子130分布于透明基板102上?？?依據(jù)透明基板的材質(zhì)(例如金屬材料、無機材料、有機材料、復合材料)， 針對透明基板的特性利用物理方式或化學方式將納米粒子130固定于透明基 板102上。物理方式可利用靜電吸附、離子吸附、或范德華力使納米粒子130 固定于透明基板102的表面。在化學方式上，可于透明基板102的表面上形成 自組裝單分子膜(self-assemblymonolayer)，借以固定納米粒子130。再者， 抑可通過進行納米粒子130和/或透明基板102的表面改質(zhì)借以利用化學鍵(例 如離子鍵或共價鍵等)鍵結(jié)的方式將納米粒子130固定于透明基板102上。 而于納米粒子的表面改質(zhì)和/或是透明基板102的表面改質(zhì)后，于其表面所形 成的官能基可為N-羥基丁二硫亞氨基(N-hydroxysuccinimide(NHS) group)、 胺基(amino group)、醛基(aldehyde guoup)、環(huán)氧基(epoxy group)、羰 基(carboxyl group)、羥基(hydroxyl group)、酰基(acyl group)、乙?；?(acetyl group)、亞肼基(hydrazono)、疏水基(hydrophobic group)、硫醇 基(thiol group)、光敏基(photoreactive group)、半胱氨酸基(cysteine group)、 二硫l基(disulfide group)、卣化烷基(alkyl halide group)、卣4七酰基(acyl halide group)、迭氮基(azide group)、磷酸基(phosphate group)、或其組合等。
再將透明基板102固定有納米粒子130的一側(cè)與板材112欲形成細微孔洞 的表面接觸，致使納米粒子130分布于板材112上，換言之，納米粒子130 會夾于透明基板102和板材112之間，如圖6B所示。
然后，以特定波長的光線150通過透明基板102照射納米粒子130，以激 發(fā)納米粒子130致使納米粒子130將光線150所提供的光能轉(zhuǎn)換成熱能，如圖 6C所示。此時，可以特定波長的光線照射納米粒子一既定時間。舉例來說， 但不局限于此，可以特定波長的光線照射納米粒子約5秒以上。
通過納米粒子130因光線照射而產(chǎn)生的熱能于板材112上形成對應于納米粒子130的多個細微孔洞116，如圖6D所示。
最后，將板材112上的透明基板102移除，即得到具有細微孔洞116的應 用基板110，如圖5E所示。于透明基板102移除時，由于納米粒子130固定 于透明基板102，因此，納米粒子130會與透明基板102—并移除。此外，于 透明基板102移除后，還可進一步通過諸如溶液(例如但不局限于此，水或 清潔液等)清洗或風吹等方式清潔板材112的表面，以將殘留的納米粒子130 和/或沾于其上的灰塵等雜質(zhì)清除掉，以利后續(xù)使用。
其中，板材112可通過下列步驟形成。先提供一基底113，如圖7A所示。 再利用融點低于或等于納米粒子130所產(chǎn)生的熱能的材料于基底113上形成一 層低融點材料層114，如圖7B所示。此時，則將納米粒子130分布于低融點 材料層114的表面上，如圖8所示。其中，基底113的材質(zhì)可為有機材料、無 機材料(例如玻璃、金屬、陶瓷等)或復合材料等材質(zhì)。低融點材料層114 可由融點低于或等于納米粒子130所產(chǎn)生的熱能(即低于或等于納米粒子因產(chǎn) 生熱能而致使本身溫度上升后而形成的溫度)的材料所制成。其中低融點材料 層114的材質(zhì)可為有機材料、無機材料、或復合材料等材質(zhì)?？墒褂玫挠袡C材 料諸如有(但非本發(fā)明的限制)聚氨酯(polyurethane; PU)、或聚甲基丙烯 酸甲酯(polymethylmethacrylate; PMMA)等聚合物?？墒褂玫臒o機材料諸如 有(但非本發(fā)明的限制)聚二甲基硅氧垸(polydimethylsiloxane; PDMS)等 聚合物。
換言之，板材112至少于其接觸納米粒子130的表面的材料會具有低于或 等于納米粒子130所產(chǎn)生的熱能的融點。換言之，板材的表面融點可低于或等 于納米粒子所形成的溫度。
實例一
以金納米粒子為例，將粒徑約20nm的金納米粒子固定透明基板上，然后 置于高分子材料的板材的表面上。其中金納米粒子會接觸板材的表面。將波長 532 nm的綠光激光通過透明基板照射金納米粒子約15秒(照射時間與納米粒 子的材料、納米粒子的尺寸、納米粒子的濃度、激光種類、激光強度等因素有 關)，以激發(fā)板材上的金納米粒子。此時，金納米粒子于綠光激光照射的15 秒內(nèi)可產(chǎn)生高達約200。C的熱能。于綠光激光照射完成后，將板材上的透明基 板和金納米粒子移除以獲得具有細微孔洞的應用基板。于此，利用原子力顯微鏡(atomic force microscopy; AFM)觀察照射綠光激光前的具有金納米粒子的 板材表面，可觀察到如圖9A所示的表面結(jié)構。同樣地，利用原子力顯微鏡觀 察獲得的應用基板，可觀察到如圖9B所示的表面結(jié)構。并且，由圖9A和圖 9B可發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法所獲得的應用基 板，其表面具有許多細微孔洞。
再者，提供三種板材(為方便說明，以下分別稱為板材l、板材2和板材 3)。板材1維由玻璃材質(zhì)的基底和PU材質(zhì)的低融點材料層所構成，板材2 由玻璃材質(zhì)的基底和PMMA/乙醇(ethanol)材質(zhì)的低融點材料層所構成，且 板材3為由玻璃材質(zhì)的基底和PDMS材質(zhì)的低融點材料層所構成。于此，先 利用原子力顯微鏡觀察板材1、板材2和板材3的低融點材料層表面，可分別 觀察到如圖IOA、圖IOB和10C圖所示的表面結(jié)構。
于此，將粒徑約20nm的金納米粒子固定于透明基板，并且將金納米粒子 置于板材的低融點材料層表面上。然后分別依據(jù)下述參數(shù)制作3種具有細微孔 洞的應用基板(為方便說明，以下分別稱為應用基板l、應用基板2和應用基 板3)，并以原子力顯微鏡觀察之。
實例二
以波長532 nm且功率100mW (毫瓦)的綠光激光通過透明基板照射置于 板材1上的金納米粒子約10分鐘左右(照射時間與納米粒子的材料、納米粒 子的尺寸、納米粒子的濃度、激光種類、激光強度等因素有關)，并且于照射 完成后將透明基板和金納米粒子移除以獲得應用基板l。于此，利用原子力顯 微鏡觀察于照射綠光激光前具有金納米粒子的板材與激光照射后所得到的應 用基板1，可分別觀察到如圖IIA和圖IIB所示的表面狀態(tài)。
實例三
以波長514.5 nm且功率1W(瓦)的綠光激光通過透明基板照射板材2上 的金納米粒子約20分鐘，并且于照射完成后將透明基板和金納米粒子移除以 獲得應用基板2。于此，利用原子力顯微鏡觀察于照射綠光激光前具有金納米 粒子的板材與激光照射后所得到的應用基板2,可分別觀察到如圖12A和圖 12B所示的表面狀態(tài)。
實例四
以波長514.5 nm且功率2W的綠光激光通過透明基板照射置于板材3上
1于照射完成后將透明基板和金納米粒子移除以 獲得應用基板3。于此，利用原子力顯微鏡觀察于照射綠光激光前具有金納米 粒子的板材與激光照射后所得到的應用基板3，可分別觀察到如圖13A和圖 13B所示的表面狀態(tài)。
再者，將粒徑約60nm的金納米粒子固定于透明基板，并且將金納米粒子 置于板材的低融點材料層表面上。然后分別依據(jù)下述參數(shù)制作2種具有細微孔 洞的應用基板(為方便說明，以下分別稱為應用基板4和應用基板5)，并以 原子力顯微鏡觀察之。
實例五
以波長514.5 nm且功率2W的綠光激光通過透明基板照射置于板材1上 的金納米粒子約40分鐘，并且于照射完成后將透明基板和金納米粒子移除以 獲得應用基板4。于此，利用原子力顯微鏡觀察于照射綠光激光前具有金納米 粒子的板材與激光照射后所得到的應用基板4，可分別觀察到如圖14A和圖 14B所示的表面狀態(tài)。
實例六
以波長514.5 nm且功率2W的綠光激光通過透明基板照射置于板材3上 的金納米粒子約40分鐘，并且于照射完成后將透明基板和金納米粒子移除以 獲得應用基板5。于此，利用原子力顯微鏡觀察于照射綠光激光前具有金納米 粒子的板材與激光照射后所得到的應用基板5，可分別觀察到如圖15A和圖 15B所示的表面狀態(tài)。
參照圖16A至16D，顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的利用光熱效應制作應用 基板的方法。
首先，提供一板材112，如圖16A所示。
根據(jù)至少一既定圖案170于板材112上分布多個納米粒子130，如圖16B 所示。其中，此些納米粒子可為會產(chǎn)生表面等離子共振并引發(fā)光熱效應的材料， 例如(但非本發(fā)明的限制)金、銅、銀、鎘、碲、硒化鎘或其組合等金屬。
于此，納米粒子的形態(tài)可為由不同材質(zhì)或相同材質(zhì)的金屬小粒子所聚集而成的 大粒子、由不同粒徑的金屬小粒子所聚集而成的大粒子、或是通過表面修飾將 金屬納米粒子鍵結(jié)于粒徑較大的粒子的表面而形成的大尺寸的粒子結(jié)構(例 如納米或微米等級的金屬粒子表面鍵結(jié)較小的納米粒子、納米或微米等級的Si02表面鍵結(jié)有納米粒子、碳管表面鍵結(jié)有納米粒子等)。
于此，所使用的納米粒子可為相同粒徑，也可將不同粒徑的納米粒子混合 使用。再者，所使用的納米粒子可為相同材質(zhì)，也可將不同材質(zhì)的納米粒子混 合使用。此外，所使用的納米粒子可為相同形狀，也可將不同形狀的納米粒子 混合使用。
并且，可通過(但非本發(fā)明的限制)噴印、旋布、涂布、共價鍵結(jié)等方式
將納米粒子130固定于板材112上。其中，可依據(jù)板材的材質(zhì)(例如金屬材
料、無機材料、有機材料、復合材料)，針對板材的特性利用物理方式或化學 方式將納米粒子固定于板材上。舉例來說，在物理方式上，可利用等離子
(Plasma)處理，在電子的沖擊下使板材的表面粗糙化借以固定納米粒子；在 化學方式上，可于板材需要形成既定圖案的表面形成自組裝單分子膜，借以利 用自組裝單分子膜來固定納米粒子。再者，抑可通過實施納米粒子或是板材欲 形成既定圖案的表面的表面改質(zhì)，借以利用化學鍵(例如離子鍵或共價鍵等) 鍵結(jié)的方式將納米粒子予以固定于板材上。而于納米粒子的表面改質(zhì)或是板材 欲形成既定圖案的表面的表面改質(zhì)后，其表面所形成的官能基可為N-羥基丁 二硫亞氨基、胺基、醛基、環(huán)氧基、羰基、羥基、?；⒁阴；?、亞肼基、疏 水基、硫醇基、光敏基、半胱氨酸基、二硫基、鹵化烷基、鹵化?；?、迭氮基、 磷酸基、或其組合等。
然后，以特定波長的光線150照射板材112上的納米粒子130，以激發(fā)納 米粒子130，致使納米粒子130將光線150所提供的光能轉(zhuǎn)換成熱能，如圖16C 所示。此時，可將光線持續(xù)照射納米粒子一既定時間。舉例來說，但不局限于 此，可以特定波長的光線照射納米粒子約5秒以上。
通過受該光線激發(fā)的該納米粒子130所產(chǎn)生的該熱能，將板材上受激發(fā)的 該納米粒子與鄰近該納米粒子融合成呈現(xiàn)既定圖案170的納米粒子材料薄層， 即獲得具有既定圖案的應用基板110，如圖16D和圖17所示。
于此，納米粒子130的材質(zhì)可包括金屬材料(即金屬納米粒子)。此時， 呈現(xiàn)的既定圖案的己融合的納米粒子132即可作為導線和/或?qū)w結(jié)構，即納 米粒子材料薄層可為導線和/或?qū)w結(jié)構等圖案。
并且，在適當?shù)剡x擇板材的材料下，即可將所得到的具有既定圖案的導線 或?qū)w結(jié)構的應用基板作為電路板使用。換言之，納米粒子的材料具有低于或等于其所產(chǎn)生的熱能的融點。
此外，所獲得的應用基板在后續(xù)使用前可先經(jīng)過一道清潔步驟，以將未固 定的納米粒子、未固定的已融合的納米粒子、和/或應用基板表面上的雜質(zhì)移 除掉。于此，可通過諸如溶液(例如但不局限于此，水或清潔液等)清洗或 風吹等方式來清潔應用基板。
實例七
以金納米粒子為例，將粒徑約20 nm的金納米粒子依據(jù)既定圖案分布于有 機材料(但不局限于此)的板材上。然后，經(jīng)由波長532 nm的綠光激光照射 板材上的金納米粒子約15秒，此時，金納米粒子于綠光激光照射的15秒內(nèi)可 產(chǎn)生高達約200。C的熱能，以造成金納米粒子的表面相互融合且固定于板材 上。于綠光激光照射完成后，即可獲得具有既定圖案的應用基板。于此，利用 原子力顯微鏡觀察照射綠光激光前的其上具有金納米粒子的板材表面，可觀察 到如圖18A所示的表面結(jié)構。同樣地，利用原子力顯微鏡察獲得的應用基板， 可觀察到如圖18B所示的表面結(jié)構。并且，由圖18A和圖18B可發(fā)現(xiàn)，根據(jù) 本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法所獲得的應用基板，于其表面上的 納米粒子已相互融合在一起。
在另一實施例中，也可遍布一整層的納米粒子130于板材112欲形成表面 結(jié)構的表面上，如圖19A所示。其中，此些納米粒子可為會產(chǎn)生表面等離子 共振并引發(fā)光熱效應的材料，例如(但非本發(fā)明的限制)金、銅、銀、鎘、 碲、硒化鎘或其組合等金屬。于此，納米粒子的形態(tài)可為由不同材質(zhì)或相同材 質(zhì)的金屬小粒子所聚集而成的大粒子、由不同粒徑的金屬小粒子所聚集而成的 大粒子、或是通過表面修飾將金屬納米粒子鍵結(jié)于粒徑較大的粒子的表面而形 成的大尺寸的粒子結(jié)構(例如納米或微米等級的金屬粒子表面鍵結(jié)較小的納 米粒子、納米或微米等級的Si02表面鍵結(jié)有納米粒子、碳管表面鍵結(jié)有納米 粒子等)。
于此，所使用的納米粒子可為相同粒徑，也可將不同粒徑的納米粒子混合 使用。再者，所使用的納米粒子可為相同材質(zhì)，也可將不同材質(zhì)的納米粒子混 合使用。此外，所使用的納米粒子可為相同形狀，也可將不同形狀的納米粒子 混合使用。
并且，可通過(但非本發(fā)明的限制)噴印、旋布、涂布等方式將納米粒子130分布于板材112上。其中，可以溶液狀態(tài)將納米粒子130分布于板材112 的表面上。
然后，以特定波長的一束光線150照射板材112上的納米粒子130，并且 依照所欲形成的既定圖案移動產(chǎn)生光線150的光源，使光線150于納米粒子 130上行走，以激發(fā)欲形成既定圖案的位置上的納米粒子130,如圖19B和圖 20所示。于此，受激發(fā)的納米粒子130會將光線150所提供的光能轉(zhuǎn)換成熱 能。其中，可將光線持續(xù)照射納米粒子一既定時間。舉例來說，但不局限于此， 可以特定波長的光線照射納米粒子約5秒以上。
通過受激發(fā)的納米粒子130所產(chǎn)生的熱能將板材112上受激發(fā)的納米粒子 130與鄰近的納米粒子130相互融合，并且固定于板材112上，如圖19C和圖 21所示。換言之，受激發(fā)的納米粒子130與鄰近的納米粒子130形成表面融 合，即板材112會具有未融合的納米粒子130和已融合的納米粒子132。
最后，將表面未與鄰近納米粒子130融合的納米粒子130移除，以形成呈 現(xiàn)既定圖案170的納米粒子材料薄層，即獲得具有既定圖案的應用基板110， 如圖19D所示。換言之，當未融合的納米粒子130移除后，板材112的表面 上即剩下已融合的納米粒子132，并且，由此些已融合的納米粒子132呈現(xiàn)出 既定圖案。于此，可通過諸如溶液(例如但不局限于此，水或清潔液等)清 洗或風吹等方式來將未融合的納米粒子130自板材112上移除。
于此，納米粒子130可使用金屬材料。此時，呈現(xiàn)的既定圖案的已融合的 納米粒子132即可作為導線和/或?qū)w結(jié)構，即納米粒子材料薄層可為導線和/ 或?qū)w結(jié)構等圖案；換言之，即可得到具有導線和/或?qū)w結(jié)構的應用基板。
舉例來說，當欲形成的表面結(jié)構(即既定圖案)為導線時，光線相應欲形 成導線的位置而移動，以使板材上欲形成導線的位置上的納米粒子受到光線的 激發(fā)而相互融合，并且固定于板材上。將未融合的納米粒子自板材上移除后， 板材上則會具有成導線狀的已融合的納米粒子(即上述的呈現(xiàn)既定圖案的納米 粒子材料薄層)，如此，即得到由板材和己融合的納米粒子所構成的具有既定 圖案的應用基板。
同樣地，當欲形成的表面結(jié)構(即既定圖案)為導體結(jié)構時，光線相應欲 形成導體結(jié)構的位置而移動，以使板材上欲形成導體結(jié)構的位置上的納米粒子 均受到光線的激發(fā)而相互融合，并且固定于板材上。將未融合的納米粒子自板材上移除后，板材上則會具有成導體結(jié)構狀的已融合的納米粒子(即上述的呈 現(xiàn)既定圖案的納米粒子材料薄層)，如此即得到由板材和已融合的納米粒子所 構成的具有既定圖案的應用基板。
并且，在適當?shù)剡x擇板材的材料下，即可將所得到的具有導線或?qū)w結(jié)構 的應用基板做為電路板使用。換言之，納米粒子的材料可具有低于或等于其所 產(chǎn)生的熱能的融點。
實例八、九、十
以金納米粒子(即納米粒子的材質(zhì)為金)為例，將溶液狀態(tài)的粒徑約8nm 至9mn的金納米粒子涂布于玻璃材質(zhì)的板材上。然后，以不同功率的綠光激 光(波長514 nm)照射板材上的金納米粒子，以激發(fā)金納米粒子致使其與相 鄰的金納米粒子融合。在導電度測試上，1.8W的激光，照射速率為1.25 mm/sec 照射后1.25mm/sec，板材表面的已融合的金納米粒子的片電阻為約1.55H/sq; 1.5W的激光照射后，板材表面的已融合的金納米粒子的片電阻為約5.21Q/sq; 以及，1.2W的激光照射后，板材表面的已融合的金納米粒子的片電阻為約 9.02H/sq。并且，利用電子顯微鏡于22萬倍且9.7mm (公厘)的工作距離下 觀察激光照射前，表面具有金納米粒子130的板材的二次電子影像(secondary electron image; SEI)，如圖22A所示；利用電子顯微鏡于20萬倍且9.7mm 的工作距離下觀察1.8W的激光照射后，表面具有已融合的納米粒子132的板 材的二次電子影像，如圖22B所示；利用電子顯微鏡于6萬5千倍且9.9mm 的工作距離下觀察1.5W的激光照射后，表面具有已融合的納米粒子132的板 材的二次電子影像，如圖22C所示；以及，利用電子顯微鏡于14萬倍且9.9mm 的工作距離下觀察1.2W的激光照射后，表面具有已融合的納米粒子132的板 材的二次電子影像，如圖22D所示。由此可見，根據(jù)本發(fā)明的利用光熱效應 制作應用基板的方法所獲得的應用基板，于其表面上的納米粒子已相互融合在 一起，并且已融合的納米粒子可具有良好的導電度。
實施例十一
將粒徑分布約在25nm的銀納米粒子薄膜施以能量密度為159.2 W/mm2的 激光(功率50mW、波長408nm、光徑(beamsize) 20拜)退火。其中，利 用電子顯微鏡于8萬倍且10mm (公厘)的工作距離下觀察激光照射前，表面 具有銀納米粒子130的板材的二次電子影像(secondary electron image; SEI),如圖23A所示。經(jīng)激光退火后，銀納米粒子明顯融熔并聚成較大的顆粒，其 表面形態(tài)如圖23B所示。并且，電阻率(resistivity)也從退火前阻值過大無法 量測，經(jīng)激光退火后可降低至1.48xl(T6Qm。
實施例十二
將粒徑分布分別在40nm與120nm的銀納米粒子薄膜施以能量密度為0.52 W/mn^的激光(功率50mW、波長408 nm、光徑350pm)退火。其中，利用 電子顯微鏡于IO萬倍且10.1 mm (公厘)的工作距離下觀察激光照射前，表 面具有銀納米粒子130的板材的二次電子影像(secondary electron image; SEI)， 如圖24A所示。經(jīng)激光退火后，小粒徑(40nm)的銀納米粒子明顯融熔并填 補于大粒徑(120nm)的納米銀粒子間的空隙，其表面形態(tài)如圖24B所示。而 電阻率(resistivity)也從退火前9.21xl(T5(Qm)，經(jīng)激光退火后可降低至 3.04xlO々(Qm)。
綜上所述，利用根據(jù)本發(fā)明的利用光熱效應制作應用基板的方法，制作應 用基板，其不需光掩模、整體流程較為簡單、成本低、且易于大面積及大量制 作。并且，于大面積或大量制作時，可避開特定工藝步驟所需的設備機臺及其
技術，以降低工藝成本。例如于具有細微孔洞的應用基板的制作上，能有效 率的提供熱源(納米粒子與相對應的波長)，并且可不需使用昂貴的微米/納 米級模具，進而降低工藝成本；于具有既定圖案的應用基板的制作上，可避免
局部制作電路或?qū)w區(qū)塊時參數(shù)的調(diào)控限制(如電路制作選擇蝕刻方式等)， 以避免在制作局部制作電路或?qū)w區(qū)塊時對鄰近的組件造成受損，再者可以局
部退火導線或?qū)w區(qū)塊，以避免對整體的集成電路(IC)加熱而造成組件的受 損，另一方面還可以降低對基材的耐熱限制，進而降低工藝成本。其中，于具 有既定圖案的應用基板的制作上，更可以減低殘留應力、增加與基板的附著性， 并且降低熱功率，進而降低能源的損耗。
當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但 這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1. 一種利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在于，包括提供一板材；分布多個納米粒子于該板材上；以特定波長的光線照射該納米粒子致使該納米粒子將該光線的光能轉(zhuǎn)換成一熱能；以及通過該熱能于該板材上形成相應于該納米粒子的一表面結(jié)構。
2. 根據(jù)權利要求1所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，形成相應于該納米粒子的該表面結(jié)構的步驟，包括-通過該熱能于該板材上形成相應于該納米粒子的多個細微孔洞；以及 將于該板材上的該納米粒子移除以得到具有該細微孔洞的一應用基板。
3. 根據(jù)權利要求2所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，該板材的表面融點低于或等于該納米粒子所形成的溫度。
4. 根據(jù)權利要求2所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，提供該板材的步驟包括提供一基底；以及形成一低融點材料層于該基底上以獲得該板材，其中該低融點材料層的融 點低于或等于該納米粒子所形成的溫度。
5. 根據(jù)權利要求4所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，提供該基底的材質(zhì)為有機材料、無機材料和復合材料中之一。
6. 根據(jù)權利要求4所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，該低融點材料層的材質(zhì)為有機材料、無機材料和復合材料中之一。
7. 根據(jù)權利要求1所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，分布該納米粒子于該板材上的步驟，包括提供一透明基板；將該納米粒子固定于該透明基板上；以及將該透明基板置于該板材上并以該透明基板具有該納米粒子的一側(cè)接觸 該板材。
8. 根據(jù)權利要求7所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在于，形成相應于該納米粒子的該表面結(jié)構的步驟，包括通過該熱能于該板材上形成相應于該納米粒子的多個細微孔洞；以及 將該透明基板自該板材上移除以得到具有該細微孔洞的一應用基板。
9. 根據(jù)權利要求7所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征在 于，該板材的表面融點具有低于或等于該納米粒子所形成的溫度。
10. 根據(jù)權利要求7所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，提供該板材的步驟包括-提供一基底；以及形成一低融點材料層于該基底上以獲得該板材，其中該低融點材料層的融 點低于或等于該納米粒子所形成的溫度。
11. 根據(jù)權利要求10所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該基底的材質(zhì)為有機材料、無機材料和復合材料中之一。
12. 根據(jù)權利要求10所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該低融點材料層的材質(zhì)為有機材料、無機材料和復合材料中之一。
13. 根據(jù)權利要求1所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，分布該納米粒子于該板材上的步驟，包括根據(jù)一既定圖案分布多個納 米粒子于該板材上；以及其中形成相應于該納米粒子的該表面結(jié)構的步驟，包 括通過受該光線激發(fā)的該納米粒子所產(chǎn)生的該熱能，將受激發(fā)的該納米粒子 與鄰近該納米粒子融合，以得到具有該既定圖案的一應用基板。
14. 根據(jù)權利要求13所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該既定圖案為至少一導線的圖案和至少一導體結(jié)構的圖案中的至少一個 圖案。
15. 根據(jù)權利要求1所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，分布該納米粒子于該板材上的步驟，包括分布多個納米粒子于該板材 上以形成一層該納米粒子；其中以該光線照射該納米粒子的步驟，包括以一 束該光線照射該板材上的該納米粒子；以及依照所欲形成的一既定圖案移動光 線，以使該光線欲形成該既定圖案的位置上的該納米粒子上行走；以及其中形 成相應于該納米粒子的該表面結(jié)構的步驟，包括通過受該光線激發(fā)的該納米 粒子所產(chǎn)生的該熱能，將受激發(fā)的該納米粒子與鄰近該納米粒子融合；以及將 該板材上未融合的該納米粒子移除以形成表面具有呈現(xiàn)該既定圖案的一納米粒子材料薄層的該板材，即得到具有該既定圖案的一應用基板。
16. 根據(jù)權利要求15所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該既定圖案為至少一導線的圖案和至少一導體結(jié)構的圖案中的至少一個 圖案。
17. 根據(jù)權利要求1所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該板材的材質(zhì)為有機材料、無機材料和復合材料中之一。
18. 根據(jù)權利要求1所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該納米粒子的材質(zhì)包括金屬材料。
19. 根據(jù)權利要求18所述的利用光熱效應制作應用基板的方法，其特征 在于，該金屬材料為金、銅、銀、鎘、碲、硒化鎘和其組合中之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種利用光熱效應制作應用基板的方法，利用納米粒子受光激發(fā)后，而將照射光線所提供的光能轉(zhuǎn)換為熱能，進而通過產(chǎn)生的熱能形成結(jié)構，借以產(chǎn)生具有特定表面結(jié)構的應用基板。
文檔編號B82B3/00GK101519184SQ20091000119
公開日2009年9月2日 申請日期2009年1月23日 優(yōu)先權日2008年2月29日
發(fā)明者李宗銘, 汪若蕙, 王裕銘, 邱國展, 鄭伊廷 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院