對(duì)噴混流浮選機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及納米二氧化硅加工領(lǐng)域，尤其涉及一種二氧化硅浮選提純裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]納米二氧化硅因?yàn)榫哂泻芎玫哪湍バ?，以及可以?qiáng)烈地反射紫外線，當(dāng)加入到樹脂薄膜時(shí)可大大減少紫外線對(duì)薄膜的降解作用，從而達(dá)到延緩材料老化，并提高薄膜的硬度和抗摩擦能力，因此被廣泛的應(yīng)用到了薄膜的合成和添加中。
[0003]因?yàn)榧{米材料對(duì)純度要求很高，因此在加工納米二氧化硅粉末之前需要用各種純化設(shè)備對(duì)石英石進(jìn)行提純，以滿足納米二氧化硅的性能需求；現(xiàn)有的石英石純化工藝通常按照以下流程進(jìn)行；擦洗脫泥_>磁選_>浮選_>酸浸_>微生物浸出；擦洗是指借助機(jī)械力和砂粒間的磨剝力來除去石英砂表面的薄膜鐵、粘結(jié)及泥性雜質(zhì)礦物和進(jìn)一步擦碎未成單體的礦物集合體，再經(jīng)分級(jí)作業(yè)達(dá)到進(jìn)一步提純石英砂的效果；磁選主要用于除去石英砂中的磁性礦物，如可以通過強(qiáng)磁性機(jī)除去赤鐵礦、褐鐵礦、黑云母等弱磁性礦物，而強(qiáng)磁性礦物如磁鐵礦則可以通過弱磁選機(jī)除去；浮選用于除去石英砂中的長(zhǎng)石、云母等一些磁選無(wú)法除去的雜質(zhì)，進(jìn)一步提高其純度；酸浸是利用石英不溶于除HF以外的酸，而其它雜質(zhì)礦物能被酸液溶解的特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)石英的進(jìn)一步提純；微生物浸出是指利用微生物浸除石英砂顆粒表面的薄膜鐵或浸染鐵；通過以上純化工藝后最終得到純度在99.9%以上的二氧化硅原料進(jìn)行加工得到納米級(jí)的二氧化硅粉末。
[0004]現(xiàn)有的磁選設(shè)備奧托庫(kù)姆普聯(lián)合股份公司的中國(guó)專利CN1486220中公開了一種浮選機(jī)，如圖1所示，該浮選機(jī)在浮選槽I的側(cè)壁上具有一個(gè)用于供待浮選的漿料的供料口2，并且在其壁上還固定有一個(gè)用于收集浮選槽I內(nèi)產(chǎn)生泡沫的流槽3，在浮選槽I的底部具有一個(gè)排除尾渣的出料口 4 ;浮選槽I下部設(shè)有定子6包圍的轉(zhuǎn)子5，轉(zhuǎn)軸7帶動(dòng)轉(zhuǎn)子5旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)軸7為空心將空氣供給轉(zhuǎn)子5，使得浮選槽I內(nèi)產(chǎn)生泡沫，泡沫由泡沫移出機(jī)構(gòu)8通過流槽3排出。
[0005]現(xiàn)有的這種浮選裝置雖然通過改進(jìn)使得泡沫移出機(jī)構(gòu)8較為可靠，能有效避免泡沫破裂，但是浮選裝置本身輸送泡沫以及使顆粒泡沫接觸的機(jī)構(gòu)并不合理；現(xiàn)有裝置中的轉(zhuǎn)子5在旋轉(zhuǎn)過程中不斷釋放氣體產(chǎn)生泡沫，因?yàn)榇宿D(zhuǎn)動(dòng)為單向旋轉(zhuǎn)，在此帶動(dòng)下顆粒會(huì)產(chǎn)生一個(gè)漩渦，不會(huì)出現(xiàn)分散，因此泡沫與顆粒的接觸很不充分，許多待浮選的顆粒并沒有接觸到泡沫，因此就算所有的泡沫都不會(huì)破裂，完全被泡沫移出機(jī)構(gòu)8收集排出，仍然無(wú)法保證浮選的效率；這種缺陷當(dāng)被浮選顆粒為有效成份時(shí)，可能只會(huì)降低生產(chǎn)率，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量影響不大；但當(dāng)被浮選的顆粒為雜質(zhì)時(shí)，就無(wú)法保證提純的效果，最終會(huì)得不到滿足純度要求的產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種對(duì)噴混流浮選機(jī)利用設(shè)置在浮選槽底部周向?qū)姷娜舾蓪?duì)噴氣管，提高物料的分散攪動(dòng)程度，使得顆粒與泡沫充分接觸，這樣疏水性顆粒能夠更加徹底的被浮選出來，有力保障了納米級(jí)二氧化硅的純度。
[0007]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種對(duì)噴混流浮選機(jī)，包括浮選槽、流槽和泡沫移出機(jī)構(gòu)，所述泡沫移出機(jī)構(gòu)設(shè)置在浮選槽的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，所述流槽一端與泡沫移出機(jī)構(gòu)相配合，流槽另一端伸出到浮選槽外導(dǎo)出泡沫，所述浮選槽上連接有供料口，浮選槽底部設(shè)置有出料口，所述浮選槽的底部設(shè)置有若干沿周向噴射的噴氣管，所述噴氣管兩兩成對(duì)設(shè)置，每對(duì)噴氣管的噴射方向相反。
[0008]所述的噴氣管共有四個(gè)，分成兩對(duì)中心對(duì)稱設(shè)置在浮選槽的底部。
[0009]所述的供料口設(shè)置在浮選槽的側(cè)壁。
[0010]所述浮選槽的底部為倒圓錐形，所述出料口設(shè)置在倒圓錐形的底部軸心處。
[0011]本實(shí)用新型對(duì)噴混流浮選機(jī)利用設(shè)置在浮選槽底部周向?qū)姷娜舾蓪?duì)噴氣管，提高物料的分散攪動(dòng)程度，使得顆粒與泡沫充分接觸，這樣疏水性顆粒能夠更加徹底的被浮選出來，有力保障了納米級(jí)二氧化硅的純度，提高了薄膜的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0012]圖1為現(xiàn)有的浮選設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本實(shí)用新型對(duì)噴混流浮選機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3為本實(shí)用新型中浮選槽的俯視示意圖，箭頭方向?yàn)閲姎夥较颍?br>[0015]圖中:1浮選槽、2供料口、3流槽、4出料口、5轉(zhuǎn)子、6定子、7轉(zhuǎn)軸、8泡沫移出機(jī)構(gòu)、9噴氣管、10電機(jī)。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實(shí)用新型表述的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
[0017]實(shí)施例1
[0018]如圖2、3所示，一種對(duì)噴混流浮選機(jī)，包括浮選槽1、流槽3和泡沫移出機(jī)構(gòu)8，所述泡沫移出機(jī)構(gòu)8設(shè)置在浮選槽I的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，所述流槽3 —端與泡沫移出機(jī)構(gòu)8相配合，流槽3另一端伸出到浮選槽I外導(dǎo)出泡沫；在本實(shí)施例中，所述泡沫移出機(jī)構(gòu)8使用現(xiàn)有的常規(guī)結(jié)構(gòu)，由電機(jī)10帶動(dòng)的導(dǎo)流盤旋轉(zhuǎn)利用離心力將泡沫甩到流槽3上；所述浮選槽I上連接有供料口 2，浮選槽I底部設(shè)置有出料口 4，所述浮選槽I的底部設(shè)置有若干沿周向噴射的噴氣管9，所述噴氣管9兩兩成對(duì)設(shè)置，每對(duì)噴氣管9的噴射方向相反，即每對(duì)噴氣管9中，一根噴氣管沿順時(shí)針方向噴氣，另一個(gè)則沿逆時(shí)針方向噴氣，通過相對(duì)氣流的擾動(dòng)，攪動(dòng)顆粒，使得泡沫能夠更加充分的與所有顆粒相接觸，能夠更加徹底的浮選出疏水性顆粒，提高二氧化硅的純度。
[0019]考慮到生產(chǎn)的連續(xù)性，已經(jīng)添加原料的便利性，在本實(shí)施例中，所述的供料口 2設(shè)置在浮選槽I的側(cè)壁，所述浮選槽I的底部為倒圓錐形，所述出料口 4設(shè)置在倒圓錐形的底部軸心處，在供料口 2不斷進(jìn)料的同時(shí)，沉淀在底部的二氧化硅顆粒不斷的從出料口 4排出，實(shí)現(xiàn)了連續(xù)生產(chǎn)。
[0020]在本實(shí)施例中，所述的噴氣管9共有四個(gè)，分成兩對(duì)中心對(duì)稱設(shè)置在浮選槽I的底部。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種對(duì)噴混流浮選機(jī)，包括浮選槽(1)、流槽(3)和泡沫移出機(jī)構(gòu)(8)，所述泡沫移出機(jī)構(gòu)(8)設(shè)置在浮選槽(I)的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，所述流槽(3) —端與泡沫移出機(jī)構(gòu)(8)相配合，流槽(3)另一端伸出到浮選槽(I)外導(dǎo)出泡沫，所述浮選槽(I)上連接有供料口(2)，浮選槽(I)底部設(shè)置有出料口(4)，其特征是:所述浮選槽(I)的底部設(shè)置有若干沿周向噴射的噴氣管(9)，所述噴氣管(9)兩兩成對(duì)設(shè)置，每對(duì)噴氣管(9)的噴射方向相反。
2.如權(quán)利要求1所述的對(duì)噴混流浮選機(jī)，其特征是:所述的噴氣管(9)共有四個(gè)，分成兩對(duì)中心對(duì)稱設(shè)置在浮選槽(I)的底部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的對(duì)噴混流浮選機(jī)，其特征是:所述的供料口(2)設(shè)置在浮選槽⑴的側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1或2所述的對(duì)噴混流浮選機(jī)，其特征是:所述浮選槽(I)的底部為倒圓錐形，所述出料口(4)設(shè)置在倒圓錐形的底部軸心處。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及納米二氧化硅加工領(lǐng)域，尤其涉及一種二氧化硅浮選提純裝置。一種對(duì)噴混流浮選機(jī)，包括浮選槽、流槽和泡沫移出機(jī)構(gòu)，所述泡沫移出機(jī)構(gòu)設(shè)置在浮選槽的頂部并至少有一部分浸沒到泡沫中，流槽一端與泡沫移出機(jī)構(gòu)相配合，流槽另一端伸出到浮選槽外導(dǎo)出泡沫，所述浮選槽上連接有供料口，浮選槽底部設(shè)置有出料口，所述浮選槽的底部設(shè)置有若干沿周向噴射的噴氣管，所述噴氣管兩兩成對(duì)設(shè)置，每對(duì)噴氣管的噴射方向相反。本實(shí)用新型對(duì)噴混流浮選機(jī)利用設(shè)置在浮選槽底部周向?qū)姷娜舾蓪?duì)噴氣管，提高物料的分散攪動(dòng)程度，使得顆粒與泡沫充分接觸，這樣疏水性顆粒能夠更加徹底的被浮選出來，有力保障了納米級(jí)二氧化硅的純度，提高了薄膜的質(zhì)量。
【IPC分類】B03D1-14
【公開號(hào)】CN204486042
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520112002
【發(fā)明人】林峰
【申請(qǐng)人】浙江冠旗納米科技有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年2月16日