專利名稱：肖特基器件的耐壓不良的檢測(cè)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，是ー種用于雙芯片、共引腳封裝的肖特基器件的耐壓不良的檢測(cè)電路。
背景技術(shù)：
肖特基ニ極管是肖特基勢(shì)魚ニ極管(Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD)的簡稱，它是以貴金屬(金、銀、鋁、鉬等)為正極，以N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因此，SBD也稱為金屬一半導(dǎo)體ニ極管或表面勢(shì)壘ニ極管，它是ー種熱載流子ニ極管。肖特基ニ極管具有反向恢復(fù)時(shí)間(Reverse Recovery Time,縮寫成Trr)短、正向?qū)▔航档汀⒊惺茈娏髂芰Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用于高頻、大電流、低電壓整流電路以及 微波電子混頻電路、檢波電路、高頻數(shù)字邏輯電路等。為節(jié)約生產(chǎn)成本和方便應(yīng)用，對(duì)于應(yīng)用需求電流較大時(shí)，習(xí)慣于把兩顆芯片封裝于同一管殼內(nèi)并共用ー個(gè)引腳，這樣可以節(jié)約生產(chǎn)成本，同時(shí)兩顆管芯既可以作為獨(dú)立的肖特基器件単獨(dú)使用，又可以并聯(lián)后作為ー顆肖特基器件應(yīng)用，非常方便。在半導(dǎo)體封裝測(cè)試エ廠，一般要求對(duì)封裝成品進(jìn)行100%的電參數(shù)篩選，即使在芯片制造廠，也會(huì)要求對(duì)成品芯片按一定比例進(jìn)行電參數(shù)抽查測(cè)試。目前對(duì)于芯片和成品電參數(shù)篩選方式是把兩顆芯片當(dāng)成単獨(dú)的、沒有關(guān)聯(lián)的兩顆獨(dú)立器件來進(jìn)行的，這樣的篩選方法能把每顆特性不良的管芯篩選出來，但是，如上所述，當(dāng)把兩顆管芯封裝與同一管殼內(nèi)時(shí)，其實(shí)兩顆芯片已經(jīng)發(fā)生關(guān)聯(lián)，把兩顆芯片當(dāng)成単獨(dú)的器件來測(cè)試，那么當(dāng)兩顆器件之間存在缺陷時(shí)，上面的篩選方法就失去作用，產(chǎn)品被當(dāng)成良品流出到客戶端，當(dāng)客戶端應(yīng)用時(shí)有可能造成失效。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型為解決了關(guān)于雙芯片共引腳封裝的肖特基特性不良的篩選問題，提供了肖特基器件的耐壓不良的檢測(cè)電路，通過該電路可快速、準(zhǔn)確篩選出特性不良的肖特基器件，同時(shí)不會(huì)造成產(chǎn)品的損壞和影響其它參數(shù)的檢測(cè)。肖特基器件的耐壓不良的檢測(cè)電路，對(duì)于雙芯片共引腳的肖特基器件，有兩個(gè)引腳極性是一祥的，另外ー個(gè)為共用引腳，其特征在干將所述共用引腳懸空，在相同極性的兩個(gè)引腳之間串接一個(gè)電流表；同時(shí)，在相同極性的兩個(gè)引腳之間連接一個(gè)可施加正向的額定電壓和反向的額定電壓的電壓源。當(dāng)在相同極性的兩個(gè)引腳之間分別施加一個(gè)正向的額定電壓和ー個(gè)反向的額定電壓時(shí)，電流表用于測(cè)試分別施加正向的額定電壓和反向的額定電壓時(shí)流過相同極性的兩個(gè)引腳之間的電流；當(dāng)肖特基器件為正常吋，電流表所測(cè)得的電流值應(yīng)為肖特基器件ニ極管的漏電流值，如果電流表所測(cè)得的電流值很大，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出肖特基器件的漏電流值，則說明測(cè)試的肖特基器件已經(jīng)損壞。[0008]測(cè)試完相同極性的兩個(gè)引腳之間的特性后，斷開電壓源和電流表，再通過半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)對(duì)肖特基器件的雙芯片進(jìn)行單顆芯片的參數(shù)測(cè)試。只要選用半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)中合適的測(cè)試項(xiàng)目，就能方便、快速的實(shí)現(xiàn)以上的特性篩選。本實(shí)用新型的有益效果如下本實(shí)用新型可快速、準(zhǔn)確地篩選出特性不良的肖特基器件，同時(shí)不會(huì)造成產(chǎn)品的損壞和影響其它參數(shù)的檢測(cè)；可以將本實(shí)用新型寫入測(cè)試程序中，通過測(cè)試機(jī)與自動(dòng)分選機(jī)連接能夠快速、準(zhǔn)確的篩選出耐壓不良的肖特基器件或芯片；通過本實(shí)用新型篩選后的肖特基器件，產(chǎn)品質(zhì)量能夠得到更好的保證，可減少客戶端應(yīng)用失效的機(jī)率；在芯片制造廠，通過該檢測(cè)電路的特性篩選，能及時(shí)了解芯片制程エ藝是否異常，減少因エ藝異常造成的損失。

圖I為本實(shí)用新型測(cè)試的雙芯片共引腳的肖特基器件的封裝結(jié)構(gòu)示意圖 圖2為本實(shí)用新型的測(cè)試電路結(jié)構(gòu)示意圖其中，附圖標(biāo)記為1陽極，2陰極，3肖特基器件的框架，4肖特基器件的芯片，5引線，D1、D2為肖特基器件的ニ極管，Al為電流表，Vl為電壓源，S為繼電器開關(guān)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖來說明如何實(shí)現(xiàn)共陰極肖特基ニ極管特性不良的篩選。如圖1-2所示，為共陰極的肖特基封裝，下面實(shí)施方式以最大電流值為20A，耐壓值為150V的肖特基品為例。將檢測(cè)電壓設(shè)定為150V，控制電流上限設(shè)定為10 uA，控制電流下限設(shè)定為-10uA。閉合開關(guān)S，在Dl陽極與D2陽極之間施加ニ極管的額定反向耐壓值150V, Dl陽極接電壓源正扱，D2陽極接電壓源負(fù)極；通過串接在Dl與D2之間的電流表測(cè)試出此時(shí)的電流值，正常測(cè)試值應(yīng)在5uA以下，如果測(cè)試值大于IOuA,則說明此器件兩個(gè)陽極之間耐壓不良，斷開開關(guān)，終止測(cè)試，將器件分類到不良品中；如果第2步通過，則將電壓源極性進(jìn)行反接，即Dl陽極接電壓源負(fù)極，D2陽極接電壓源正極，再次施加150V額定耐壓值，通過串接在Dl與D2之間電流表讀取電流值，此時(shí)讀出的電流值應(yīng)在_5uA以上，如果小于-10uA，則將器件分類到不良品桶中。若取5顆陽極與陽極之間耐壓不足的共陰極肖特基ニ極管進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試機(jī)返回最大量程電流值，如表I所示表I
權(quán)利要求1.肖特基器件的耐壓不良的檢測(cè)電路，對(duì)于雙芯片共引腳的肖特基器件，有兩個(gè)引腳極性是一祥的，另外ー個(gè)為共用引腳，其特征在于將所述共用引腳懸空，在相同極性的兩個(gè)引腳之間串接一個(gè)用于檢測(cè)測(cè)試流過相同極性的兩個(gè)引腳之間電流的電流表；同時(shí)，在相同極性的兩個(gè)引腳之間連接一個(gè)可施加正向的額定電壓和反向的額定電壓的電壓源。
專利摘要本實(shí)用新型提供了肖特基器件的耐壓不良的檢測(cè)電路，對(duì)于雙芯片共引腳的肖特基器件，有兩個(gè)引腳極性是一樣的，另外一個(gè)為共用引腳，其特征在于將所述共用引腳懸空，在相同極性的兩個(gè)引腳之間串接一個(gè)用于檢測(cè)測(cè)試流過相同極性的兩個(gè)引腳之間電流的電流表；同時(shí)，在相同極性的兩個(gè)引腳之間連接一個(gè)可施加正向的額定電壓和反向的額定電壓的電壓源；當(dāng)肖特基器件正常時(shí)，電流表測(cè)得的電流值應(yīng)為肖特基器件的漏電流值，如果測(cè)得的電流值很大，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出漏電流值，說明肖特基器件已損壞；本實(shí)用新型可快速、準(zhǔn)確地篩選出特性不良的肖特基器件，同時(shí)不會(huì)造成產(chǎn)品的損壞和影響其它參數(shù)的檢測(cè)；通過本實(shí)用新型篩選后的肖特基器件，質(zhì)量好。
文檔編號(hào)B07C5/00GK202471905SQ20122005234
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月17日
發(fā)明者彭堅(jiān), 李升樺 申請(qǐng)人:四川大雁微電子有限公司