一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體和光化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]所謂光化學(xué)反應(yīng)是指由一個(gè)原子、分子、自由基或離子吸收一個(gè)光子所引發(fā)的化學(xué)反應(yīng)。常用的光化學(xué)反應(yīng)都是利用波長(zhǎng)為400納米之下，800納米之上的光波來(lái)進(jìn)行，也即作為不可見(jiàn)光的紫外線和紅外線。
[0003]氧化銦錫(ΙΤ0)是一種透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，透光性優(yōu)良、導(dǎo)電能力良好，在太陽(yáng)能電池、平板顯示、防霜玻璃、節(jié)能建筑窗、航空領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。
[0004]ITO膜在LED外延片上作為透明導(dǎo)電膜的角色，ITO表面的粗糙度對(duì)于亮度的提升有明顯的幫助。為了實(shí)現(xiàn)該粗糙度，傳統(tǒng)上需要上光阻后蝕刻ΙΤ0，需要經(jīng)過(guò)溫度為100°C至600°C的高含量氧氣> lOOsccm)的熱處理后，ITO表面會(huì)局部聚積成氧化銦及氧化錫的子顆粒，然后與相應(yīng)的溶劑對(duì)氧化銦或/及氧化錫進(jìn)行蝕刻，以達(dá)到粗糙的程度。
[0005]高溫的加熱除了耗能之外，還常常伴隨著加熱后原液揮發(fā)后對(duì)身體的危害，不能滿足現(xiàn)代企業(yè)對(duì)環(huán)保生產(chǎn)的要求，降低了企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)不需要加熱而利用可見(jiàn)光LED進(jìn)行蝕刻、沈積處理，達(dá)到節(jié)能、環(huán)保、純凈的效果，對(duì)人體無(wú)害。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，包括LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、控制單元、反應(yīng)傳感器和反應(yīng)單元，該控制單元與所述LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、反應(yīng)傳感器電性連接，并通過(guò)控制單元控制所述LED光化學(xué)引擎的啟停和調(diào)節(jié)、以及控制所述反應(yīng)單元在所述化學(xué)反應(yīng)容器的流通，通過(guò)所述反應(yīng)傳感器對(duì)所述化學(xué)反應(yīng)容器內(nèi)的蝕刻、沈積程度向所述控制單元進(jìn)行反饋；所述反應(yīng)單元至少包括第一反應(yīng)子和第二反應(yīng)子，該第一反應(yīng)子作為需要進(jìn)行蝕刻、沈積的基材，該第二反應(yīng)子作為蝕刻、沈積所述第一反應(yīng)子的溶劑；所述第一反應(yīng)子浸泡在所述第二反應(yīng)子中。
[0008]上述技術(shù)方案中，所述反應(yīng)傳感器以所述第一反應(yīng)子或第二反應(yīng)子作為對(duì)象，通過(guò)電子顯微鏡、質(zhì)譜儀或光接發(fā)器作為途徑，向所述控制單元進(jìn)行蝕刻、沈積程度的反饋；并且所述反應(yīng)傳感器設(shè)置于所述化學(xué)反應(yīng)容器之外或之內(nèi)。
[0009]上述技術(shù)方案中，所述化學(xué)反應(yīng)容器還連通有輸送管道，該輸送管道與多個(gè)反應(yīng)子容器連通。
[0010]上述技術(shù)方案中，所述LED光化學(xué)引擎所使用的光波波長(zhǎng)為400納米至800納米。
[0011]上述技術(shù)方案中，所述第二反應(yīng)子為酸液，為草酸或磷酸。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:通過(guò)利用LED光化學(xué)引擎對(duì)第一反應(yīng)子進(jìn)行激態(tài)反應(yīng)，并且通過(guò)第二反應(yīng)子與所激態(tài)反應(yīng)產(chǎn)生的元素進(jìn)行反應(yīng)，對(duì)第一反應(yīng)子進(jìn)行蝕刻、沈積。在不需要高溫加熱的作用下進(jìn)行對(duì)半導(dǎo)體的蝕刻、沈積，有利于節(jié)能環(huán)保。并且不要產(chǎn)生對(duì)人體有害的物質(zhì)，安全性有保障。也不會(huì)產(chǎn)生雜志依附在第一反應(yīng)子上，使蝕刻、沈積出來(lái)第一反應(yīng)子比較純凈。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中，1、LED光化學(xué)引擎；2、化學(xué)反應(yīng)容器；3、第一反應(yīng)子；4、第二反應(yīng)子；5、輸送管道；6、閥門(mén)；7、反應(yīng)子容器。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0016]如圖1所示，一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，包括LED光化學(xué)引擎1、化學(xué)反應(yīng)容器2、控制單元、反應(yīng)傳感器和反應(yīng)單元，該控制單元與所述LED光化學(xué)引擎1、化學(xué)反應(yīng)容器2、反應(yīng)傳感器電性連接，并通過(guò)控制單元控制所述LED光化學(xué)引擎I的啟停和調(diào)節(jié)、以及控制所述反應(yīng)單元在所述化學(xué)反應(yīng)容器2的流通，通過(guò)所述反應(yīng)傳感器對(duì)所述化學(xué)反應(yīng)容器2內(nèi)的蝕刻、沈積程度向所述控制單元進(jìn)行反饋；所述反應(yīng)單元至少包括第一反應(yīng)子3和第二反應(yīng)子4，該第一反應(yīng)子3作為需要進(jìn)行蝕刻、沈積的基材，該第二反應(yīng)子4作為蝕刻、沈積所述第一反應(yīng)子3的溶劑；所述第一反應(yīng)子3浸泡在所述第二反應(yīng)子4中。
[0017]其中，LED光化學(xué)引擎1，可以由一個(gè)或多個(gè)LED串聯(lián)或并聯(lián)組成，LED的使用能夠很好地進(jìn)行節(jié)能和增加工作穩(wěn)定性。LED光化學(xué)引擎I的對(duì)第一反應(yīng)子3的照射范圍限于第一反應(yīng)子3所浸泡到的部分。
[0018]其中，化學(xué)反應(yīng)容器2可以是化學(xué)反應(yīng)槽、化學(xué)反應(yīng)室或化學(xué)反應(yīng)腔，由于本實(shí)用新型不需要使用高溫加熱，原液不會(huì)發(fā)生揮發(fā)，可以使用化學(xué)反應(yīng)槽，以方便操作。
[0019]其中，所述反應(yīng)傳感器以所述第一反應(yīng)子3或第二反應(yīng)子4作為對(duì)象，通過(guò)電子顯微鏡、質(zhì)譜儀或光接發(fā)器作為途徑，向所述控制單元進(jìn)行蝕刻、沈積程度的反饋；并且所述反應(yīng)傳感器設(shè)置于所述化學(xué)反應(yīng)容器2之外或之內(nèi)。通過(guò)電子顯微鏡對(duì)基材表面的蝕刻、沈積程度進(jìn)行圖像觀察并反饋給控制單元。通過(guò)光接發(fā)器的光發(fā)射器發(fā)射檢測(cè)光波到基材的表面，再反射到對(duì)應(yīng)的光接收器中，根據(jù)所反射檢測(cè)光波的強(qiáng)弱來(lái)判斷基材表面的蝕刻程度，形成蝕刻，檢測(cè)光波會(huì)在蝕刻、沈積的位置發(fā)生漫反射，使光接收器接收到的檢測(cè)光波減弱，以減弱的程度標(biāo)識(shí)為蝕刻、沈積的程度，當(dāng)光接收器接收到的檢測(cè)光波減弱。質(zhì)譜儀可以測(cè)量第一反應(yīng)子3或第二反應(yīng)子4的成分，傳送到控制單元，并由控制單元分析比較反應(yīng)前的成分?jǐn)?shù)據(jù)，而實(shí)現(xiàn)是否達(dá)到所要求的蝕刻、沈積程度。
[0020]其中，所述化學(xué)反應(yīng)容器2還連通有輸送管道5，該輸送管道5與多個(gè)反應(yīng)子容器7連通。在該多個(gè)反應(yīng)子容器7當(dāng)中，存放有不同的反應(yīng)子，反應(yīng)子容器7與輸送管道5之間設(shè)置有由控制單元控制的閥門(mén)6。
[0021]其中，所述LED光化學(xué)引擎I所使用的光波波長(zhǎng)為400納米至800納米。400納米至800納米的光波波長(zhǎng)為可見(jiàn)光。
[0022]其中，所述第二反應(yīng)子4為酸液，為草酸或磷酸。
[0023]本實(shí)用新型的工作原理，實(shí)施例:第一反應(yīng)子3為ΙΤ0，第二反應(yīng)子4為上述的草酸或磷酸。LED光化學(xué)引擎I豎直設(shè)置于化學(xué)反應(yīng)槽的內(nèi)，第一反應(yīng)子3豎直掛設(shè)于化學(xué)反應(yīng)槽內(nèi)，LED光化學(xué)引擎I上的多個(gè)LED平行照射在第一反應(yīng)子3的表面上，照射的光波波長(zhǎng)使用可見(jiàn)光，當(dāng)光波照射在第一反應(yīng)子3的表面上，將銦和錫元素產(chǎn)生激態(tài)的銦分子或錫分子，銦分子或錫分子從第一反應(yīng)子3的表面離開(kāi)并與第二反應(yīng)子4進(jìn)行反應(yīng)，使第一反應(yīng)子3表面產(chǎn)生蝕刻。再由反應(yīng)傳感器對(duì)第一反應(yīng)子3表面進(jìn)行蝕刻、沈積程度的反饋，控制單元的接收到反饋數(shù)據(jù)后會(huì)控制LED光化學(xué)引擎1、化學(xué)反應(yīng)槽和閥門(mén)6進(jìn)行相應(yīng)的動(dòng)作。例如是將第二反應(yīng)子4進(jìn)行排放并注入清水清洗，清洗后注入不同的反應(yīng)子進(jìn)行連鎖的蝕刻、沈積或后工序等。
[0024]以上的實(shí)施例只是在于說(shuō)明而不是限制本實(shí)用新型，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所述的方法所做的等效變化或修飾，均包括于本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于:包括LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、控制單元、反應(yīng)傳感器和反應(yīng)單元，該控制單元與所述LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、反應(yīng)傳感器電性連接，并通過(guò)控制單元控制所述LED光化學(xué)引擎的啟停和調(diào)節(jié)、以及控制所述反應(yīng)單元在所述化學(xué)反應(yīng)容器的流通，通過(guò)所述反應(yīng)傳感器對(duì)所述化學(xué)反應(yīng)容器內(nèi)的蝕刻、沈積程度向所述控制單元進(jìn)行反饋；所述反應(yīng)單元至少包括第一反應(yīng)子和第二反應(yīng)子，該第一反應(yīng)子作為需要進(jìn)行蝕刻、沈積的基材，該第二反應(yīng)子作為蝕刻、沈積所述第一反應(yīng)子的溶劑；所述第一反應(yīng)子浸泡在所述第二反應(yīng)子中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于:所述反應(yīng)傳感器以所述第一反應(yīng)子或第二反應(yīng)子作為對(duì)象，通過(guò)電子顯微鏡、質(zhì)譜儀或光接發(fā)器作為途徑，向所述控制單元進(jìn)行蝕刻、沈積程度的反饋；并且所述反應(yīng)傳感器設(shè)置于所述化學(xué)反應(yīng)容器之外或之內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于:所述化學(xué)反應(yīng)容器還連通有輸送管道，該輸送管道與多個(gè)反應(yīng)子容器連通。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于:所述LED光化學(xué)引擎所使用的光波波長(zhǎng)為400納米至800納米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于:所述第二反應(yīng)子為酸液，為草酸或磷酸。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，包括LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、控制單元、反應(yīng)傳感器和反應(yīng)單元，該控制單元與所述LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、反應(yīng)傳感器電性連接，并通過(guò)控制單元控制所述LED光化學(xué)引擎的啟停和調(diào)節(jié)、以及控制所述反應(yīng)單元在所述化學(xué)反應(yīng)容器的流通，通過(guò)所述反應(yīng)傳感器對(duì)所述化學(xué)反應(yīng)容器內(nèi)的蝕刻、沈積程度向所述控制單元進(jìn)行反饋；所述反應(yīng)單元至少包括第一反應(yīng)子和第二反應(yīng)子，該第一反應(yīng)子作為需要進(jìn)行蝕刻、沈積的基材，該第二反應(yīng)子作為蝕刻、沈積所述第一反應(yīng)子的溶劑；所述第一反應(yīng)子浸泡在所述第二反應(yīng)子中。
【IPC分類】B01J19/12
【公開(kāi)號(hào)】CN204638185
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520067129
【發(fā)明人】廖宗仁, 余其俊
【申請(qǐng)人】東莞佰鴻電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月16日
【申請(qǐng)日】2015年1月30日