專利名稱：氣體純化結(jié)構(gòu)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的領(lǐng)域是從進(jìn)料氣去除酸氣體，特別涉及從具有高C02和H2S含量的高壓氣體去除酸氣體和生產(chǎn)管道品質(zhì)產(chǎn)品氣體和用于重新注入的濃C02流。
背景技術(shù)：
由于低硫天然氣田正在耗盡，從酸氣田生產(chǎn)氣體正變得越來越普遍，以滿足當(dāng)今的能量需求。從這些酸氣田去除酸氣體，尤其從高酸氣田去除，需要相當(dāng)大資本投資和操作成本。雖然這些設(shè)備必須顯示它們的經(jīng)濟(jì)性，但它們也必須符合當(dāng)今的氣體管道規(guī)范，所述規(guī) 范對能量效率和排放標(biāo)準(zhǔn)的要求越來越嚴(yán)格。與這些挑戰(zhàn)相結(jié)合的是，這些氣田的酸氣體含量經(jīng)常隨時(shí)間增加，這經(jīng)常使常規(guī)酸氣體去除設(shè)備不能有效地生產(chǎn)符合目前用戶氣體管道規(guī)范的產(chǎn)品。酸氣體可用常規(guī)胺方法去除，然而，這些方法一般不經(jīng)濟(jì)，因?yàn)榘啡軇┭h(huán)必須與進(jìn)料氣酸氣體含量成比例増加，從而在溶劑再生中需要較高蒸汽加熱負(fù)荷，并因此有較高溫室氣體排放。另外，酸氣體負(fù)荷能力也有上限(即，酸氣體摩爾數(shù)/摩爾胺)，這主要由胺和酸氣體之間的化學(xué)平衡控制。為了克服這些問題的至少ー些，可利用在亨利定律的原理上操作的物理溶劑，其中溶劑的酸氣體負(fù)荷隨酸氣體含量和分壓而增加。因此且至少在概念上酸氣體的物理溶劑吸收對高酸氣田相對具有吸引力。可通過閃蒸再生至少在一定程度上完成溶劑再生，這排除加熱需要，并因此減少溫室氣體排放。然而，不用外部加熱，可只部分再生物理溶劑，因此，常常不適用于處理酸氣以產(chǎn)生滿足管道氣體規(guī)范(例如，Imo 1% C02,4ppmv H2S)的產(chǎn)物。例如，在常規(guī)物理溶劑方法用于處理具有高H2S含量(例如，彡IOOppmv)的進(jìn)料氣時(shí)，它們一般超過對于經(jīng)處理的氣體的H2S限度。為了改善氣體品質(zhì)，可用硫清除劑床吸附進(jìn)料氣或產(chǎn)物中的H2S。然而，這種解決方法是臨時(shí)的，在大多數(shù)情況下，需要硫設(shè)備的存在。另外，處置和處理廢硫污染床通常在環(huán)境上不可接受。因此，雖然已知不同結(jié)構(gòu)和方法從進(jìn)料氣去除酸氣體，但它們?nèi)炕驇缀跞坑些`個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)。除別的以外，經(jīng)處理的氣體中的H2S含量通常高，不施熱而使用物理溶劑不適用于產(chǎn)生滿足氣體管道規(guī)范的經(jīng)處理的氣體。因此，仍需要提供用于酸氣體去除的改進(jìn)的方法和結(jié)構(gòu)。發(fā)明概述
本發(fā)明的主題接近于從進(jìn)料氣去除酸氣體的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)和方法，其中用物理溶劑吸收方法來產(chǎn)生經(jīng)處理的氣體和富C02流。H2S用ー個(gè)或多個(gè)分子篩從經(jīng)處理的氣體去除，分子篩然后用富C02流再生，以因此產(chǎn)生富H2S的C02產(chǎn)物，優(yōu)選將其脫水并重新注入。在本發(fā)明主題尤其優(yōu)選的方面，處理含有C02和H2S的進(jìn)料氣的方法包括ー個(gè)在吸收器中用經(jīng)閃蒸的貧物理溶劑從進(jìn)料氣去除C02，以形成經(jīng)處理的氣體和富溶劑的步驟。在另ー個(gè)步驟，H2S用分子篩床從經(jīng)處理的氣體去除，以形成負(fù)荷H2S的分子篩床，在另ー個(gè)步驟，將富溶劑閃蒸，以產(chǎn)生經(jīng)閃蒸的貧溶劑(重新引入吸收器)，并進(jìn)ー步產(chǎn)生富C02流。然后用富C02流再生負(fù)荷H2S的分子篩，從而形成富H2S的C02產(chǎn)物。最一般在用另外的分子篩床再生負(fù)荷H2S的分子篩的步驟之前從富C02流去除H2S，和/或從富H2S的C02產(chǎn)物去除水。一般更優(yōu)選將富H2S的C02產(chǎn)物壓縮，并重新注入用于隔離或強(qiáng)化石油回收的地層(formation)或其它適合位置。另外，對于再生負(fù)荷H2S的分子篩床的步驟，優(yōu)選加熱富C02流。在預(yù)期的方法中，一般優(yōu)選閃蒸富溶劑的步驟包括真空閃蒸的步驟，和/或閃蒸富溶劑的步驟在多個(gè)閃蒸階段進(jìn)行，其中多個(gè)閃蒸階段的至少ー個(gè)階段產(chǎn)生富烴的蒸氣，最優(yōu)選將其壓縮并且與進(jìn)料氣組合。雖然不限于本發(fā)明的主題，一般優(yōu)選基本所有(即，至少80%，更一般至少90%，最一般至少95%)富C02流從富溶劑不用加熱富溶劑而形成。類似地，優(yōu)選使進(jìn)料氣脫水并冷卻，以從進(jìn)料氣冷凝并去除C5+烴。因此，從不同觀點(diǎn)看，預(yù)期ー種再生負(fù)荷H2S的分子篩床的方法，其中在一個(gè)步驟中，使分子篩床與已從中去除C02的經(jīng)處理的進(jìn)料氣接觸，以因此形成負(fù)荷H2S的分子篩 床。在另ー個(gè)步驟中，使負(fù)荷H2S的分子篩床與C02接觸，從而再生分子篩床，并形成富H2S的C02產(chǎn)物。在此方法中，一般優(yōu)選在使負(fù)荷H2S的分子篩床與C02接觸的步驟之前已用另外的分子篩床從C02去除H2S，和/或從富H2S的C02產(chǎn)物使水冷凝并去除。期望時(shí)，將富H2S的C02產(chǎn)物重新注入地層或其它適合位置。鑒于前述，發(fā)明人也預(yù)期ー種酸氣體處理設(shè)備，所述設(shè)備包括吸收器，其中經(jīng)閃蒸的貧物理溶劑從進(jìn)料氣吸附C02和H2S，以產(chǎn)生經(jīng)處理的氣體和富溶剤。包含分子篩床的第一容器偶合到吸收器，以允許從經(jīng)處理的氣體吸附H2S和水，同時(shí)使閃蒸器偶合到吸收器，并配置成接收富溶剤，并且產(chǎn)生富C02流和經(jīng)閃蒸的貧溶剤。包含負(fù)荷H2S的分子篩床的第二容器流體偶合到閃蒸器，以接收富C02流，從而產(chǎn)生富H2S的C02產(chǎn)物和經(jīng)再生的分子篩床。預(yù)期的設(shè)備優(yōu)選進(jìn)一歩包括在閃蒸器和第二容器之間流體偶合并加熱富C02流的加熱器，和/或在吸收器和閃蒸器之間流體偶合以產(chǎn)生烴再循環(huán)流的中等壓カ閃蒸器。更優(yōu)選提供再循環(huán)導(dǎo)管，以允許烴再循環(huán)流與進(jìn)料氣組合。最一般地，預(yù)期的設(shè)備也包括具有另外的分子篩床并且從富C02流去除H2S的第三容器。在期望或需要時(shí)，在吸收器上游流體偶合冷卻器，以使進(jìn)料氣冷卻到從進(jìn)料氣冷凝和去除水和C5+烴的溫度。從以下本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述，本發(fā)明的不同目的、特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見。附圖
簡述
圖I為對于本發(fā)明主題的設(shè)備用物理溶劑去除酸氣體的示意圖。發(fā)明詳述
本發(fā)明涉及用ニ階段去除方法從進(jìn)料氣去除C02和H2S的結(jié)構(gòu)和方法，其中在第一歩驟用常規(guī)物理溶劑吸收方法去除酸氣體，其中在第二步驟用ー個(gè)或多個(gè)分子篩床從經(jīng)處理的氣體去除殘余酸氣體，特別是H2S和水。最優(yōu)選用從第一去除步驟產(chǎn)生的富C02流再生負(fù)荷H2S的分子篩床。因此，應(yīng)意識到，可從進(jìn)料氣去除兩種不同的污染物，其中一種污染物在分子篩床中吸附，另ー種污染物用于再生分子篩床，從而形成具有兩種污染物的廢氣和具有期望特征的經(jīng)處理氣體(例如，經(jīng)處理氣體符合管道規(guī)范)。在本發(fā)明主題的ー個(gè)特別優(yōu)選方面，用物理溶劑裝置從進(jìn)料氣去除大量酸氣體，因此形成的富物理溶劑優(yōu)選在多階段閃蒸再生分離器中再生，同時(shí)回收和再循環(huán)烴內(nèi)容物。優(yōu)選烴損失由再循環(huán)回路減少到小于5%，更優(yōu)選小于4%，最優(yōu)選小于2%，同時(shí)允許從最后閃蒸階段產(chǎn)生酸氣體用于再生分子篩床。來自最后閃蒸階段的酸氣體最優(yōu)選經(jīng)過H2S去除步驟，一般使用另外的分子篩床。在尤其優(yōu)選的方面，分子篩吸附階段包括至少兩個(gè)吸附床，優(yōu)選四個(gè)，甚至更多個(gè)吸附床，這些床吸附來自物理溶劑吸收步驟的經(jīng)處理的氣體的殘余H2S內(nèi)容物，從而產(chǎn)生具有小于4ppmv (更優(yōu)選小于2ppmv)的H2S和/或水含量的經(jīng)處理的氣體。如上提到,來自閃再生階段的至少一部分富C02流通過ー個(gè)或多個(gè)分子篩床，以產(chǎn)生貧H2S的C02流，該流然后用于再生負(fù)荷H2S的分子篩床，一般使用冷卻和加熱循環(huán)(例如，在400至600 T和
400 至 600psig)。根據(jù)本發(fā)明的主題的ー種示例性設(shè)備結(jié)構(gòu)顯示于圖I中。進(jìn)料氣流1，一般在約100 °F和約1200psig具有12mol%C02和約IOOppmv H2S，在裝置90中干燥和冷卻，產(chǎn)生C5+液體流91。在本文中與數(shù)字結(jié)合使用的術(shù)語“約”是指該數(shù)字的+/-10%(含)范圍。為了避免在C02吸收器51中生成水合物，干燥步驟一般是必要的。另外，干燥和冷卻步驟也允許回收C5+烴產(chǎn)物。然后使經(jīng)干燥的氣體與再循環(huán)氣流9混合，形成流5，在約-15 T通過經(jīng)閃蒸的貧溶劑流2逆流洗滌，產(chǎn)生約-10 T的經(jīng)處理的氣流3，和約-I T的富溶劑流4。最一般地，吸收器含有接觸裝置，包括填料或塔盤，或用于酸氣體吸收的其它適合介質(zhì)。經(jīng)處理的氣流3含有約2mol%C02和約6至IOppmv H2S (或甚至更高)，并進(jìn)料至分子篩床63和64，以使其H2S含量進(jìn)ー步減小到低于4ppmv (優(yōu)選低于Ippmv)，水含量減小到低于2ppmv，以滿足作為產(chǎn)物流6的銷售氣體管道規(guī)范。使富溶劑流4通過水輪機(jī)52壓カ下降到約350至750psig,形成_8 0F的流7。然后在分離器53中分離下降的流，產(chǎn)生經(jīng)閃蒸的富烴的蒸氣流8和經(jīng)閃蒸的液體流10。富烴的蒸氣流8通過再循環(huán)氣體壓縮機(jī)62壓縮到進(jìn)料氣。富C02的流20然后在用于H2S吸附的另外的分子篩床67中處理，產(chǎn)生貧H2S的富C02流21，流21用于冷卻分子篩床66，產(chǎn)生經(jīng)加熱的富C02流22，流22進(jìn)ー步在加熱器71中加熱到約500至600 T，以因此形成流23，然后流23用于再生負(fù)荷H2S的分子篩床65。富H2S的C02產(chǎn)物流24在冷卻器70中冷卻到約90 0F，形成流25。流25的水冷凝物在分離器68中分離和去除，而蒸氣26在脫水裝置69中干燥，產(chǎn)生經(jīng)干燥氣體27，氣體27進(jìn)ー步通過HP C02壓縮機(jī)72壓縮到約4000psig，形成流28用于C02重新注入。因此，應(yīng)理解，預(yù)期處理含有C02和H2S的進(jìn)料氣的方法，其中在吸收器中用經(jīng)閃蒸的貧物理溶劑從進(jìn)料氣去除C02，以因此形成經(jīng)處理的氣體和富溶剤。然后用分子篩床從經(jīng)處理的氣體去除H2S，從而形成負(fù)荷H2S的分子篩床，該分子篩床用至少一部分富C02流再生，從而形成富H2S的C02產(chǎn)物，其中富C02流通過閃蒸富溶劑產(chǎn)生。當(dāng)然，應(yīng)理解，可在不脫離本文提出的發(fā)明概念的情況下實(shí)施圖I的示例性設(shè)備的很多變體。例如，雖然圖I中的所有分子篩床作為固定裝置描繪，但應(yīng)注意到，預(yù)期其中分子篩床的輸入和輸出可以完全自動(dòng)化方式用適合的控制裝置、閥和導(dǎo)管切換的結(jié)構(gòu)和方法。因此，可以連續(xù)方式從經(jīng)處理的氣流去除H2S，使得ー個(gè)床流體偶合到吸收器，以接收經(jīng)處理的氣體，而另ー個(gè)床流體偶合到另外的分子篩床的出口。因此，尤其優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，其中吸附部分中的至少ー個(gè)分子篩床(例如，并聯(lián)或串聯(lián)更換63或64)可流體偶合到再生部分中的至少ー個(gè)位置(例如，并聯(lián)或串聯(lián)更換65、66或67)。因此，優(yōu)選布置并偶合多余的分子篩床，以允許經(jīng)處理的氣體和/或富H2S的C02產(chǎn)物(未顯示)連續(xù)流動(dòng)，同時(shí)將負(fù)荷H2S的分子篩床變?yōu)榻?jīng)再生的分子篩床?；蛘?，可手動(dòng)使流在不同容器之間切換。在更進(jìn)ー步預(yù)期的結(jié)構(gòu)中，可物理交換ー個(gè)或多個(gè)容器，以更換再生和/或飽和的容器。關(guān)于適合的進(jìn)料氣，應(yīng)理解，這些氣體的壓カ可顯著變化，并且氣體的性質(zhì)至少部分決定壓力。然而，特別優(yōu)選進(jìn)料氣具有至少400psig的壓力，更一般至少IOOOpsig,最ー 般至少1200psig。類似地，相信很多進(jìn)料氣組合物適合與本文提出的教導(dǎo)結(jié)合使用。然而，尤其優(yōu)選進(jìn)料氣包含至少10mol%(最優(yōu)選30mol%和更高)C02和至少IOOppmv (最優(yōu)選至少IOOOppmv) H2S，而來自物理溶劑裝置的經(jīng)處理的氣體一般含有2% C02和IOppmv或更高H2S。在使經(jīng)處理的氣體通過H2S清除劑床后,優(yōu)選H2S濃度等于或小于5ppmv,更優(yōu)選等于或小于3ppmv,最優(yōu)選等于或小于lppmv。也應(yīng)認(rèn)識到，溶劑的性質(zhì)可顯著變化，相信所有物理溶劑及其混合物在本文中適用。本領(lǐng)域已知很多物理溶剤，示例性優(yōu)選的物理溶劑包括FLUOR SOLVENT (丙烯碳酸酷)、NMP (正甲基吡咯烷酮)、SELEXOL (聚こニ醇的ニ甲基醚)和TBP (磷酸三丁酯)和/或不同的聚こニ醇ニ烷基醚?；蛘?，可用具有類型性質(zhì)的其它溶劑作為物理溶劑，包括增強(qiáng)的叔胺(例如，哌嗪)或其它溶劑或溶劑的混合物。閃蒸富溶劑可用很多裝置進(jìn)行，一般預(yù)期所有減壓裝置適用于本文。然而，與減壓量相關(guān)，一般優(yōu)選富溶劑(在提供功和/或冷卻后)首先壓カ下降到足以釋放具有約20至70%的甲烷含量的經(jīng)閃蒸的蒸氣的壓力。這些蒸氣最優(yōu)選再循環(huán)到吸收器，使甲烷損失最小化到小于5%，最優(yōu)選小于1%。在這樣的減壓后，然后優(yōu)選使溶劑的壓力降低到大氣壓或亞大氣壓，最一般在至少兩個(gè)階段中。如此從(真空)閃蒸階段產(chǎn)生的C02流一般含有小于5mol%(更一般小于2. 5mol%)C4+烴，這使這些富H2S的C02產(chǎn)物適用于E0R。期望時(shí)，用冷凝和/或已知的脫水裝置從富H2S的C02產(chǎn)物去除水。應(yīng)注意到，在預(yù)期的結(jié)構(gòu)和方法中，在通過膨脹和閃蒸酸氣體內(nèi)容物產(chǎn)生制冷冷卻時(shí)，水輪機(jī)起能量有效裝置的作用，同時(shí)提供軸功以提供功(例如，驅(qū)動(dòng)溶劑循環(huán)泵或產(chǎn)生電力)。還應(yīng)認(rèn)識到，多級分離器可用于進(jìn)一歩提高效率，并且可配置成堆疊的分離器，以使規(guī)劃空間覆蓋區(qū)和設(shè)備成本最小化，得到甚至更有效的設(shè)計(jì)。因此預(yù)期與包括胺或其它物理溶劑或膜的常規(guī)酸氣體去除方法比較，本發(fā)明主題的結(jié)構(gòu)將顯著減小去除高酸氣體的總能量消耗和資本成本。另外，預(yù)期的結(jié)構(gòu)和方法一般不需要外部熱源，并且如果需要，由進(jìn)料氣或來自制冷和/或進(jìn)料氣壓縮系統(tǒng)的壓縮熱提供熱，以因此進(jìn)ー步減小能耗和對環(huán)境的不利影響。另外，強(qiáng)化石油回收項(xiàng)目通常遇到在進(jìn)料氣中酸氣體濃度增加，一般從10%直至高達(dá)60%。預(yù)期的結(jié)構(gòu)和方法可以基本相同的溶劑循環(huán)適應(yīng)這些變化。預(yù)期的方法和結(jié)構(gòu)的另ー個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它們需要較少支持性裝置外和功用系統(tǒng)(例如，常規(guī)硫清除劑床的廢固體廢物的處理)的簡單性，從而極大減小環(huán)境影響。適用于本文的其他方面、方法和結(jié)構(gòu)描述于我們共同擁有的美國專利號7，192，468 (作為美國專利申請?zhí)?005/0172807公開的共同待審美國專利申請)和序列號為PCT/US10/49058的我們的國際專利申請，所有這些專利通過引用結(jié)合到本文中。因此，已公開了具體的酸氣體去除的組成和方法。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)顯而易見，在不脫離本文的發(fā)明概念的情況下，除已經(jīng)描述的那些之外的更多修改是可能的。因此，除了附加權(quán)利要求的精神外，本發(fā)明的主題不受限制。另外，在解釋說明書和權(quán)利要求兩者時(shí)，所有術(shù)語應(yīng)以與上下文一致的最寬可能方式解釋。具體地講，術(shù)語“包含”應(yīng)解釋為以非排他性方式指元素、組件或步驟，表示所引用的元素、組件或步驟可與未明確引用的 其他元素、組件或步驟一起存在、或利用或組合。另外，在通過引用結(jié)合到本文的參考文獻(xiàn)中術(shù)語的定義或使用與本文提供的術(shù)語的定義不一致或相反時(shí)，本文提供的術(shù)語的定義適用，而在參考文獻(xiàn)中術(shù)語的定義不適用。
權(quán)利要求
1.一種處理包含C02和H2S的進(jìn)料氣的方法，所述方法包含 在吸收器中用經(jīng)閃蒸的貧物理溶劑從進(jìn)料氣去除C02，以因此形成經(jīng)處理的氣體和富溶劑； 用分子篩床從經(jīng)處理的氣體去除H2S，從而形成負(fù)荷H2S的分子篩床； 閃蒸富溶剤，以產(chǎn)生經(jīng)閃蒸的貧溶劑和富C02流；并且 用富C02流再生負(fù)荷H2S的分子篩床，從而形成富H2S的C02產(chǎn)物。
2.權(quán)利要求I的方法，其中在用另外的分子篩床再生負(fù)荷H2S的分子篩床的步驟之前從富C02流去除H2S。
3.權(quán)利要求I的方法，所述方法進(jìn)ー步包含從富H2S的C02產(chǎn)物去除水的步驟。
4.權(quán)利要求3的方法，所述方法進(jìn)ー步包含壓縮和重新注入富H2S的C02產(chǎn)物的步驟。
5.權(quán)利要求I的方法，所述方法進(jìn)ー步包含加熱用于再生負(fù)荷H2S的分子篩床的步驟的富C02流的步驟。
6.權(quán)利要求I的方法，其中閃蒸富溶劑的步驟包含真空閃蒸的步驟。
7.權(quán)利要求I的方法，其中閃蒸富溶劑的步驟在多個(gè)閃蒸階段進(jìn)行，其中所述多個(gè)閃蒸階段的至少ー個(gè)階段產(chǎn)生富烴的蒸氣。
8.權(quán)利要求7的方法，所述方法進(jìn)ー步包含壓縮富烴的蒸氣和使經(jīng)壓縮的富烴的蒸氣與進(jìn)料氣組合的步驟。
9.權(quán)利要求I的方法，其中基本全部富C02流從富溶劑不用加熱富溶劑而形成。
10.權(quán)利要求I的方法，其中使進(jìn)料氣脫水并冷卻，以從進(jìn)料氣冷凝并去除C5+烴。
11.ー種再生負(fù)荷H2S的分子篩床的方法，所述方法包含 使分子篩床與已從中去除C02的經(jīng)處理的進(jìn)料氣接觸，以因此形成負(fù)荷H2S的分子篩床；并且 使負(fù)荷H2S的分子篩床與C02接觸，從而再生分子篩床，并形成富H2S的C02產(chǎn)物。
12.權(quán)利要求11的方法，其中在使負(fù)荷H2S的分子篩床與C02接觸的步驟之前H2S已用另外的分子篩床從C02去除。
13.權(quán)利要求11的方法，所述方法進(jìn)ー步包含從富H2S的C02產(chǎn)物冷凝并去除水的步驟。
14.權(quán)利要求11的方法,所述方法進(jìn)ー步包含重新注入富H2S的C02產(chǎn)物的步驟。
15.ー種酸氣體處理設(shè)備,所述設(shè)備包含 吸收器，所述吸收器配置成允許用經(jīng)閃蒸的貧物理溶劑從進(jìn)料氣吸收C02和H2S，以因此允許產(chǎn)生經(jīng)處理的氣體和富溶劑； 第一容器，所述第一容器包含分子篩床，并偶合到吸收器，以允許從經(jīng)處理的氣體吸附H2S和水； 閃蒸器，所述閃蒸器偶合到吸收器并配置成接收富溶劑，并產(chǎn)生富C02流和經(jīng)閃蒸的貧溶劑；和 第二容器，所述第二容器包含負(fù)荷H2S的分子篩床，并流體偶合到閃蒸器，以接收富C02流，從而產(chǎn)生富H2S的C02產(chǎn)物和經(jīng)再生的分子篩床。
16.權(quán)利要求15的酸氣體處理設(shè)備，所述設(shè)備進(jìn)ー步包含在閃蒸器和第二容器之間流體偶合并配置成允許加熱富C02流的加熱器。
17.權(quán)利要求15的酸氣體處理設(shè)備，所述設(shè)備進(jìn)ー步包含在吸收器和閃蒸器之間流體偶合并配置成產(chǎn)生烴再循環(huán)流的中等壓カ閃蒸器。
18.權(quán)利要求17的酸氣體處理設(shè)備，所述設(shè)備進(jìn)ー步包含配置成允許烴再循環(huán)流與進(jìn)料氣組合的再循環(huán)導(dǎo)管。
19.權(quán)利要求15的酸氣體處理設(shè)備，所述設(shè)備進(jìn)ー步包含包括另外的分子篩床并且配置成從富C02流去除H2S的第三容器。
20.權(quán)利要求15的酸氣體處理設(shè)備，所述設(shè)備進(jìn)ー步包含流體偶合吸收器上游并配置成使進(jìn)料氣冷卻到允許從進(jìn)料氣冷凝和去除水和C5+烴的溫度的冷卻器。
全文摘要
在吸收器中從進(jìn)料氣去除酸氣體，所述吸收器產(chǎn)生經(jīng)處理的進(jìn)料氣和富溶劑。使經(jīng)處理的進(jìn)料氣通過H2S清除劑床，H2S清除劑床用從富溶劑閃蒸的貧H2S酸氣體再生。最優(yōu)選將來自再生床的廢氣注入地層中。
文檔編號B01D53/14GK102665861SQ201080053779
公開日2012年9月12日 申請日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者J.馬克, R.B.尼爾森 申請人:氟石科技公司