專利名稱：：從含氯硅烷尾氣中回收氫氣的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于氣體分離
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種從多晶硅或三氯氫硅等含氯硅烷的尾氣中回收氫氣的方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)今社會大力發(fā)展新能源取代傳統(tǒng)能源的背景下，多晶硅、三氯氫硅行業(yè)逐漸被大眾和社會認識，并迅速成為關(guān)注熱點。但在其生產(chǎn)過程中將產(chǎn)生主要含氫氣、氯化氫、三氯氫硅等組分的過程尾氣。其尾氣組分如下述表1所示表1多晶硅、三氯氫硅尾氣組分組分H2HC1SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2N2組成(v%)7996317.8412.9700.19由于其中含有氯硅烷成分，而氯硅烷屬于重污染物，不經(jīng)過處理不能直接排放或?qū)錃饣厥绽?。要除去尾氣中的氯化氫、氯硅烷等成分達到回收氫氣的目的，過去通常采用水吸收的方法，讓尾氣通過堿性水，氯化氫、氯硅烷等雜質(zhì)成分與堿水反應(yīng)而被除去，氫氣通過堿水后被回收，但此方法帶來大量的污水且無法處理。現(xiàn)在多采用變溫吸附+精餾冷凍法分離多晶硅或三氯氫硅中的氫氣與氯化氫、氯硅烷成分，但此方法除了需要變溫吸附塔外，還增加了吸收塔，精餾塔和冷凍系統(tǒng)等設(shè)備，一次型投資成本較高；而且由于設(shè)備較多，工藝路線復(fù)雜控制點增多，操作費用也相應(yīng)增加；另外由于變溫、精餾及冷凍等操作單元的存在，增加了過程的能耗。因而，目前該方法已較少被采用。變壓吸附(PressureSwingAdsorption,PSA)是一種通過吸附劑與吸附質(zhì)之間的分子力(包括范德華力和電磁力)進行吸附的物理吸附過程，其特點是在吸附過程中沒有化學反應(yīng)，吸附過程進行得極快，參與吸附的各相物質(zhì)間的動態(tài)平衡在瞬時即可完成，并且吸附是可逆的。因此，變壓吸附的基本過程中均包含在高壓條件下的吸附和低壓條件下的解吸等步驟。目前變壓吸附的應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛，已經(jīng)成功運用于H2、CH4、02、N2、C02和其他烴類等氣體分離、回收和精制領(lǐng)域。該技術(shù)具有投資和操作費用低、無環(huán)境污染和設(shè)備腐蝕、工藝簡單、吸附劑壽命長、操作彈性大、啟停操作方便、自動化程度高、適用氣源廣、產(chǎn)品純度高和節(jié)能降耗等諸多顯著特點。由多晶硅或三氯氫硅尾氣中回收氫氣所利用的吸附劑的物理特性是吸附劑對氫氣與雜質(zhì)組分的吸附能力不同，且雜質(zhì)組分在吸附劑上的吸附容量隨分壓上升而增加，隨吸附溫度上升而下降。前者可以使含氫氣的原料氣中的雜質(zhì)優(yōu)先吸附，使氫氣得以提純，后者則可使吸附劑在低溫或高壓下吸附，而在高溫或低壓下解吸得以再生。從而實現(xiàn)吸附劑的吸附與再生，達到連續(xù)提純分離提純的目的。例如中國專利ZL97105007.4公開了一種采用原料氫氣(>99.00%)經(jīng)變壓吸3附法制取高純度氫氣(可>99.999%)的方法；申請?zhí)枮?8105937.4的中國專利申請公開了一種從合成甲醇馳放氣中回收氫氣的變壓吸附法；中國專利ZL200510060453.4公開了一種從草苷膦酸生產(chǎn)廢氣中氫氣的回收提純方法；中國專利ZL97107640.5公開了一種從合成氨馳放氣、甲醇馳放氣等富氫廢氣中提取氫的改進變壓吸附法；申請?zhí)枮?7107735.5的中國專利申請公開了一種從含氫混合氣中提取氫的多床真空變壓吸附法。由于多晶硅或三氯氫硅尾氣中含有氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)成分，而吸附劑對氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)成分在常溫條件下易吸附難解吸，所以采用常溫條件操作的回收裝置在吸附劑充分吸收后，無法徹底解吸。同時，由于氯化氫為酸性氣體，容易對吸附劑及設(shè)備造成腐蝕；氯硅烷容易與水反應(yīng)生成二氧化硅固體，從而堵塞吸附劑的孔隙，造成吸附劑性能下降甚至失效。因此，傳統(tǒng)的吸附裝置及其吸附流程安排、吸附劑裝填量設(shè)計等方面均不能滿足多晶硅或三氯氫硅尾氣中氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)成分的分離。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，尤其是針對普通的變壓吸附方法無法滿足脫除氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)的要求致產(chǎn)品氫氣純度較低、雜質(zhì)含量偏高、氫氣回收率低，而采用變溫吸附+精餾冷凍法分離又成本較高、工藝復(fù)雜、能耗也高等不足之處，提供一種新的以變壓吸附方式從多晶硅或三氯氫硅等含氯硅烷的尾氣中分離回收氫氣的方法。該方法可有效的從含有氫氣、氯化氫及氯硅烷等成分的氣體中分離、回收純凈氫氣，氫氣的回收率高，得到的產(chǎn)品中殘留的氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)含量低，氫氣純度高，且設(shè)備成本更為低廉、工藝更為簡單、同時也更節(jié)約能耗。為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下從含氯硅烷尾氣中回收氫氣的方法，采用變壓吸附法，使原料氣(即指含氫氣、氯硅烷等組份的尾氣，如多晶硅或三氯氫硅等含氫氣、氯硅烷和氯化氫等組分的尾氣)在包括至少三個(可優(yōu)選為320個)吸附塔的變壓吸附系統(tǒng)的各吸附塔中依次經(jīng)過吸附和解吸的變壓吸附過程，得到純化的氫氣；各吸附塔內(nèi)分別按照常規(guī)的變壓吸附過程進行循環(huán)操作。為了滿足脫除氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)的要求，提高氫氣回收率和產(chǎn)品氣中氫氣的純度，降低產(chǎn)品氣中雜質(zhì)的含量，上述變壓吸附過程中，吸附劑的種類選擇及適當搭配等是關(guān)鍵。通過大量、反復(fù)的試驗研究和對比分析，發(fā)明人最終確定了可優(yōu)選適用于從含氯硅烷尾氣中回收氫氣工藝的吸附劑至少包括活性炭、硅膠、分子篩。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)實際需要，還可以進一步選用氧化鋁等吸附劑。氧化鋁的選用與否以及裝填量可視被處理混合氣中氯化氫和氯硅烷雜質(zhì)的含量和/或氣量負荷而定，雜質(zhì)含量和/或氣量大，則裝填比例可適當增加。上述各吸附劑可根據(jù)吸附順序裝填于同一吸附塔的不同部位，也可根據(jù)吸附順序裝填于不同的吸附塔內(nèi)?；钚蕴?、硅膠、分子篩、氧化鋁等吸附劑的裝填量可根據(jù)原料氣的量適當增減。所說的分子篩吸附劑特別可以優(yōu)選為5A分子篩。各吸附塔內(nèi)，常規(guī)的變壓吸附過程通常包括吸附(A)、均壓降(EnD)、逆放(D)、沖CN101732945A洗(P)和/或抽空(V)、均壓升(EnR)、和最終升壓(FR)等步驟；當"沖洗和/或抽空"包括"沖洗"操作時，在均壓降之后、逆放之前，還可進行順放(PP)操作。各步驟的增減選擇及步驟順序的安排，可根據(jù)具體的工藝處理要求的壓力、純度等參數(shù)進行合理選擇和/或調(diào)整。變壓吸附過程中，"吸附"將原料氣或來自前一吸附塔的氣體中的相應(yīng)雜質(zhì)吸附于吸附劑中，使雜質(zhì)從中得到分離；"均壓降、(順放、)逆放、沖洗或抽空"的連續(xù)運行，使吸附于吸附劑中的雜質(zhì)被解吸分離出來，使吸附劑得到再生，即為吸附劑的再生過程。上述變壓吸附過程一般可在包括320個吸附塔的變壓吸附系統(tǒng)中進行，其中每一吸附塔內(nèi)均分別按照常規(guī)的的變壓吸附過程進行循環(huán)操作，只是各吸附塔在時序上相互錯開，以保證吸附、解吸等回收過程連續(xù)進行。為保證工藝的連續(xù)性，在實際使用過程中還可增加26個不裝填吸附劑的空罐作為均壓罐使用；為了保證產(chǎn)品氣更加穩(wěn)定地輸出，在設(shè)計中也可以增加13個產(chǎn)品氣緩沖罐。其中，對PSA處理過程中吸附塔的吸附壓力的選擇，主要取決于被處理的含氫氣體的三氯氫硅或多晶硅的放空廢氣壓力。在本發(fā)明上述PSA系統(tǒng)的分離回收處理過程中，只要能克服系統(tǒng)阻力的壓力均為可行的吸附壓力。試驗顯示，一般在表壓0.043.0MPa條件下吸附過程均可以順利完成。在回收工藝的解吸過程中可以根據(jù)對產(chǎn)品氫氣的不同要求靈活選擇和(或)調(diào)整抽空和/或沖洗步驟。根據(jù)實際需要，所說的沖洗和/或抽空操作的具體選擇，既可以只單獨采用沖洗步驟或抽空步驟，也可以采用適當組合的方式同時或順序進行所說的沖洗和抽空的操作。具體的組合方式中，例如可以采用先進行沖洗操作，然后再采用抽空步驟的組合，也可以采用先進行抽空步驟再采用沖洗步驟，還可以在抽空步驟的全過程中或部分時間中同時進行沖洗步驟，或是在沖洗步驟的全過程或部分時間中同時進行抽空步驟等多種形式。例如，當對產(chǎn)品氫氣的純度要求不太高，則可只采用單一的沖洗步驟；當需要生產(chǎn)純度較高的氫氣時，可配合采用抽空步驟，甚至需要同時采用抽空和沖洗步驟，才能使飽和吸附雜質(zhì)的吸附劑再生更加徹底，從而保證干凈的吸附前沿能吸附控制雜質(zhì)并得到高純度氫氣產(chǎn)品。若對氫氣的回收率要求較高(如>90%)，則對吸附劑的再生需采用抽空步驟；若對回收率要求較低時，可采用沖洗步驟。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是采用本發(fā)明方法，可以有效處理含有氫氣、氯化氫和氯硅烷的多晶硅、三氯氫硅等尾氣。混合氣(尾氣)中的氯化氫及氯硅烷雜質(zhì)，通過吸附塔時被吸附在吸附劑床層中，由變壓吸附系統(tǒng)出口端獲得高純度的凈化氫氣，使氫氣得到滿意的回收利用，同時還可進一步將其中的氯化氫及氯硅烷等組分進行解吸，從而使之得到有效的分離回收。通過大量試驗顯示，經(jīng)本發(fā)明發(fā)法處理后所得到的高濃度產(chǎn)品氫氣的純度可以達到99.99999%(mol)，其中氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)的濃度可分別低于1X10—6，對氫氣組分的回收率通常可達到為85%95%。回收氫氣作為產(chǎn)品氣可輸送至氣體工序作為多晶硅或三氯氫硅生產(chǎn)原料氣。吸附結(jié)束后由逆放和沖洗/或抽空得到的解吸氣可經(jīng)冷凝器冷凝分離氯化氫和氯硅烷，氯化氫可作為三氯氫硅的原料氣進行重復(fù)利用，而氯硅烷則做為粗品待精餾。在回收工藝的解吸過程中可以靈活選擇和(或)調(diào)整抽空和/或沖洗步驟，最大限度上滿足實際生產(chǎn)情況需要，滿足不同的氫氣純度要求；達到不同氫氣純度的回收率；適應(yīng)不同的多晶硅、三氯氫硅尾氣中雜質(zhì)氣體組分含量條件。和其它工藝比較，本工藝對原料尾氣的壓力要5求降低，對氫氣的回收率可以達到更理想的水平，適用氫氣濃度和壓力更廣，經(jīng)濟效益和環(huán)保效益也更為理想。圖1是實施例1的變壓吸附系統(tǒng)各段流程示意圖；圖2是實施例2的變壓吸附系統(tǒng)各段流程示意圖；圖3是實施例3的變壓吸附系統(tǒng)各段流程示意圖。具體實施例方式下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明的上述
發(fā)明內(nèi)容作進一步的詳細描述。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于下述實施例。在不脫離本發(fā)明上述技術(shù)思想情況下，根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)知識和慣用手段，做出各種替換和變更，均應(yīng)包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。實施例1本實施例為從三氯氫硅尾氣(原料尾氣)中回收氫氣的9塔變壓吸附法，原料尾氣流量約為200NmVHr，吸附壓力約為0.6MpaG;原料尾氣的組成如下述表2所示表2實施例1原料尾氣的組成<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>本實施例中變壓吸附系統(tǒng)分3段(串聯(lián))，由共9個吸附塔、3臺真空泵以及相應(yīng)的程控閥、管道等連接而成。各段的工藝流程如圖1所示，，其中T201A/B/C為吸附塔，V201為緩沖罐，P201為真空泵，1A/B/C、2A/B/C、3A/B/C/D、4A/B/C/D、5A/B/C/E、6A/B/C等為程控閥。每段分別包括3個吸附塔；其中，將氧化鋁、硅膠、活性炭三種吸附劑按1:1:l(質(zhì)量比)混合后裝于第一段和第二段的各吸附塔，分子篩裝于第三段的各吸附塔。各段采用相同時序流程(如下述表3所示)，吸附壓力約為0.6MPaG;每次同時處于吸附狀態(tài)的吸附塔為3個，每段1個。各吸附塔內(nèi)的循環(huán)操作過程相同，但時間上均勻錯開；如下述表3所示，各段中吸附塔的循環(huán)操作過程為A—E1D—D—V—E1R—FR。表3實施例1各吸附塔的循環(huán)時序表<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>系統(tǒng)運行時，各個程控閥由設(shè)定的計算機程序控制開關(guān)。約0.6MPaG的三氯氫硅尾氣(原料尾氣)經(jīng)原料氣管線進入變壓吸附系統(tǒng)。原料尾氣先經(jīng)過加熱器加熱到40°C后進入吸附塔，在吸附塔中，其中的大部分氯化氫、氯硅烷停留在一段。以一個塔為例，吸附塔依次經(jīng)過吸附(A)、一次降壓(E1D)、逆向放壓(D)、抽真空(V)、一次升壓(E1R)及最終升壓步驟(FR)。這樣完成一個塔的一個工作周期，多臺吸附塔輪流吸附，保證吸附穩(wěn)定進行。部分氯化氫、氯硅烷停留在二段，氮等其它少量雜質(zhì)停留在三段。二段和三段的操作流程與一段相同。微量的雜質(zhì)隨氫氣由三段吸附塔頂端收集得到，作為產(chǎn)品氣輸出。吸附于吸附塔中的氯化氫和氯硅烷成分經(jīng)降壓、逆放及抽空等步驟后由塔底部收集得到。本實施例對氫氣純度的要求為氫氣純度99.0%，并對氫氣回收率要求在>95%。由于對產(chǎn)品氫氣的回收率要求高，所以在吸附塔再生的過程中采用了抽真空的方式。經(jīng)上述處理后，得到的產(chǎn)品氣中，氫氣含量^99.0%。實施例2本實施例為從三氯氫硅尾氣(原料尾氣)中回收氫氣的12塔變壓吸附法，原料尾氣流量約為600NmVHr，吸附壓力約為0.5MpaG;原料尾氣的組成如下述表4所示表4實施例2原料尾氣的組成<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>本實施例中變壓吸附系統(tǒng)分3段(串聯(lián))，由共12個吸附塔、3臺真空泵以及相應(yīng)的程控閥、管道等連接而成。各段的工藝流程如圖2所示，其中T201A/B/C/D為吸附塔，V201為緩沖罐，P201A為真空泵，1A/B/C/D、2A/B/C/D、3A/B/C/D/F、4A/B/C/D/F、5A/B/C/D、6A/B/C/D等為程控閥。每段分別包括4個吸附塔；其中，將氧化鋁、硅膠、活性炭三種吸附劑按1:1:l(質(zhì)量比)混合后裝于第一段和第二段的各吸附塔，分子篩裝于第三段的各吸附塔。各吸附塔內(nèi)的循環(huán)操作過程相同，但時間上均勻錯開；如下述表5所示，各段中吸附塔的循環(huán)操作過程為A—E1D—E2D—D—V—E2R—E1R—FR。表5實施例2各吸附塔的循環(huán)時序表<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>系統(tǒng)運行時，各個程控閥由設(shè)定的計算機程序控制開關(guān)。約0.5MPaG的三氯氫硅尾氣(原料尾氣)經(jīng)原料氣管線進入變壓吸附系統(tǒng)。原料尾氣先經(jīng)過加熱器加熱到4(TC后進入吸附塔，在吸附塔中，其中的大部分氯化氫、氯硅烷停留在一段。以一個塔為例，吸附塔依次經(jīng)過吸附(A)、一次降壓(E1D)、二次降壓(E2D)、逆向放壓(D)、抽真空(V)、二次升壓(E2R)、一次升壓(E1R)及最終升壓步驟(FR)。這樣完成一個塔的一個工作周期，多臺吸附塔輪流吸附，保證吸附穩(wěn)定進行。部分氯化氫、氯硅烷停留在二段，氮等其它少量雜質(zhì)停留在三段。二段和三段的操作流程與一段相同。微量的雜質(zhì)隨氫氣由三段吸附塔頂端收集得到，作為產(chǎn)品氣輸出。吸附于吸附塔中的氯化氫和氯硅烷成分經(jīng)降壓、逆放及抽空等步驟后由塔底部收集得到。本實施例對氫氣純度的要求為氫氣純度99.0%，并對氫氣回收率要求在>95%。由于對產(chǎn)品氫氣的回收率要求高，所以在吸附塔再生的過程中采用了抽真空的方式。經(jīng)上述處理后，得到的產(chǎn)品氣中，氫氣含量^99.0%。實施例3本實施例為從三氯氫硅尾氣(原料尾氣)中回收氫氣的18塔變壓吸附法，原料尾氣流量約為600NmVHr，吸附壓力約為0.7MpaG;原料尾氣的組成如下述表6所示表6實施例3原料尾氣的組成組分H2HC1SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2N2組成(v%)79.0017.842.970.19本實施例中變壓吸附系統(tǒng)分3段(串聯(lián))，由共18個吸附塔、3臺真空泵以及相應(yīng)的程控閥、管道等連接而成。各段的工藝流程如圖3所示，其中T101AF為吸附塔，VlOl、V102為緩沖罐、P101A為真空泵，1AF、2AF、3AF、4AF/H、5AF/H、6AF/H、7AF等為程控閥。每段分別包括6個吸附塔；其中，將氧化鋁、硅膠、活性炭三種吸附劑按1:1:l(質(zhì)量比)混合后裝于第一段和第二段的各吸附塔，分子篩裝于第三段的各吸附塔。各各吸附塔內(nèi)的循環(huán)操作過程相同，但時間上均勻錯開；如下述表7所示，各段中吸附塔的循環(huán)操作過程為A—ID—2D—3D—4D—5D—D—V—5R—4R—3R—2R—1R—FR。表7實施例3各吸附塔的循環(huán)時序表1234554321FFF1AAAADVVVVRRDDDDDRRRRRRRR1FFF1234554322AAAADVVVVRRRRRRDDDDDRRRR8<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>系統(tǒng)運行時，各個程控閥由設(shè)定的計算機程序控制開關(guān)。約0.7MPaG的三氯氫硅尾氣(原料尾氣)經(jīng)原料氣管線進入變壓吸附系統(tǒng)。原料尾氣先經(jīng)過加熱器加熱到4(TC后進入吸附塔，在吸附塔中，其中的大部分氯化氫、氯硅烷停留在一段。以一個塔為例，吸附塔依次經(jīng)過吸附(A)、一次降壓(1D)、二次降壓(2D)、三次降壓(3D)、四次降壓(4D)、五次降壓(5D)、逆向放壓(D)、抽真空(V)、五次升壓(5R)、四次升壓(4R)、三次升壓(3R)、二次升壓(2R)、一次升壓(1R)及最終升壓步驟(FR)。這樣完成一個塔的一個工作周期，多臺吸附塔輪流吸附，保證吸附穩(wěn)定進行。部分氯化氫、氯硅烷停留在二段，氮等其它少量雜質(zhì)停留在三段。二段和三段的操作流程與一段相同。微量的雜質(zhì)隨氫氣由三段吸附塔頂端收集得到，作為產(chǎn)品氣輸出。吸附于吸附塔中的氯化氫和氯硅烷成分經(jīng)降壓、逆放及抽空等步驟后由塔底部收集得到。本實施例對氫氣純度的要求為氫氣純度99.0%，并對氫氣回收率要求在>95%。由于對產(chǎn)品氫氣的回收率要求高，所以在吸附塔再生的過程中采用了抽真空的方式。經(jīng)上述處理后，得到的產(chǎn)品氣中，氫氣含量^99.0%。權(quán)利要求從含氯硅烷尾氣中回收氫氣的方法，采用變壓吸附法，使原料氣在包括至少三個吸附塔的變壓吸附系統(tǒng)的各吸附塔中依次經(jīng)過吸附和解吸的變壓吸附過程，得到純化的氫氣，各吸附塔內(nèi)分別按照常規(guī)的變壓吸附過程進行循環(huán)操作；其特征在于在吸附塔中裝填的吸附劑包括硅膠、活性炭和分子篩。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的吸附劑分子篩為5A分子篩。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述的吸附劑硅膠、活性炭、分子篩，裝填于同一吸附塔的不同部位，或者裝填于不同的吸附塔內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的變壓吸附系統(tǒng)包括320個吸附塔。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其特征在于所述的各吸附塔進行吸附時的吸附壓力為表壓0.043.0MPa。6.根據(jù)權(quán)利要求l-4中任一項所述的方法，其特征在于所述的變壓吸附過程包括吸附、均壓降、逆放、沖洗和/或抽空、均壓升、最終升壓。7.根據(jù)權(quán)利要求l-4中任一項所述的方法，其特征在于所述的變壓吸附過程包括吸附、均壓降、順放、逆放、沖洗、均壓升、最終升壓。8.根據(jù)權(quán)利要求l-4中任一項所述的方法，其特征在于所述的變壓吸附過程包括吸附、均壓降、順放、逆放、沖洗和抽空、均壓升、最終升壓。9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法，其特征在于所述的原料氣為多晶硅或三氯氫硅的尾氣。全文摘要本發(fā)明公開了一種從含氯硅烷尾氣中回收氫氣的方法，采用變壓吸附法，使原料氣在包括至少三個吸附塔組成的變壓吸附系統(tǒng)的各吸附塔中依次經(jīng)過吸附和解吸的變壓吸附過程，得到純化的氫氣，各吸附塔內(nèi)分別按照常規(guī)的變壓吸附過程進行循環(huán)操作；在吸附塔中裝填的吸附劑包括氧化鋁、硅膠、活性炭和分子篩。該方法可有效地從含有氫氣、氯化氫及氯硅烷等成分的氣體中分離、回收純凈氫氣，氫氣的回收率高，得到的產(chǎn)品中殘留的氯化氫和氯硅烷等雜質(zhì)含量低，氫氣純度高，同時還可將其中的氯化氫及氯硅烷等組分進行分離回收，且設(shè)備成本更為低廉、工藝更為簡單、同時也更節(jié)約能耗。文檔編號B01D53/047GK101732945SQ20091026358公開日2010年6月16日申請日期2009年12月25日優(yōu)先權(quán)日2009年12月25日發(fā)明者張驚濤申請人:成都賽普瑞興科技有限公司