專利名稱：基板固定型二氧化鈦納米線及其制造方法，及利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板固定型二氧化鈦納米線及其制造方法，以及利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法。具體涉及到電噴射法和熱壓法將二氧化鈦固定在基板上，從而，進(jìn)行水處理時(shí)不必對(duì)二氧化鈦進(jìn)行分離回收，同時(shí)，能調(diào)節(jié)二氧化鈦晶型比例呈最佳比例，使光催化活性達(dá)到最大限度的基板固定型二氧化鈦納米線及其制造方法，以及利用此基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法。
背景技術(shù)：
光催化劑是光(30(T400nm)照射下引起催化反應(yīng)的物質(zhì)，光催化反應(yīng)源于半導(dǎo)體通過(guò)吸收帶隙能產(chǎn)生電子對(duì)和在界面上的電子躍遷。通過(guò)光催化反應(yīng)，產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的氫氧根自由基和超級(jí)陰氧離子，將有機(jī)污染物質(zhì)最終分解為水和二氧化碳。具有光催化效能的固體氧化物有Zr02、ZnO、SnO2, V2O3> TiO2等，CdS、WO3等也能使用為光催化劑。利用率高的光催化劑物質(zhì)，不僅要有很好的光學(xué)活性，而且沒(méi)有光腐蝕性，使得其耐久耐磨性優(yōu)異，同時(shí)，在生物學(xué)及化學(xué)上是非活性的，且其本身無(wú)毒性，對(duì)環(huán)境的安全性高。能滿足上述光催化劑特征，且價(jià)格低廉、地球資源豐富的代表性產(chǎn)品就是白色粉末狀二氧化鈦(TiO2)。通常二氧化鈦在氣相反應(yīng)時(shí)以薄膜形態(tài)利用，液相反應(yīng)時(shí)主要以膠體形態(tài)利用或在支撐體上被鍍?yōu)楸∧な褂谩－h(huán)境領(lǐng)域上二氧化鈦的空氣及水質(zhì)凈化技術(shù)開(kāi)發(fā)和相關(guān)研究成為主流。尤其是，室內(nèi)空氣中的揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)及氮氧化物(NOx)去除技術(shù)的開(kāi)發(fā)非?；钴S，達(dá)到了商用化步驟。相反，與水質(zhì)凈化技術(shù)相關(guān)的領(lǐng)域中，從1990年起進(jìn)行了很多研究，但目前尚沒(méi)有一項(xiàng)技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。其原因大體上可以根據(jù)兩個(gè)背景來(lái)說(shuō)明，首先，目前法律規(guī)定的污水廢水處理的水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)不太嚴(yán)格，以至于還不需要使用光催化劑。但是，將來(lái)預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)更多新的微量有害有機(jī)物質(zhì)，而且地球因供水不足現(xiàn)象日趨嚴(yán)重，要通過(guò)改善水循環(huán)體系普及和擴(kuò)大水的再生利用，因此目前的污水廢水的生物學(xué)水處理實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)化的技術(shù)是有待于解決的課題。與此同時(shí)，水質(zhì)凈化技術(shù)領(lǐng)域上，光催化劑出色的處理效率雖然得到了論證，但不能被廣泛使用的最大原因是它具有使用后難以從水中分離和回收的缺點(diǎn)。一般使用的光催化劑大小為50nm左右，在水中因粒子附聚(agglomeration)現(xiàn)象，其大小范圍約為
O.5 1 μ m范圍內(nèi)，為了氧化鈦的回收再利用，為了水處理時(shí)完整回收氧化鈦生產(chǎn)出干凈的處理水，必須要求追加投入膜處理(membrane)等昂貴的技術(shù)。韓國(guó)授權(quán)專利第886906號(hào)當(dāng)中，提出了具有納米多孔二氧化鈦表面的鈦分離膜及其制造方法，但其缺點(diǎn)是納米多孔表面發(fā)生的污染(fouling)導(dǎo)致不能連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，要求定期清洗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明著眼于解決上述問(wèn)題，其目的在于提供電噴射法和熱壓法將二氧化鈦固定在基板上，進(jìn)行水處理時(shí)不必對(duì)二氧化鈦進(jìn)行分離回收，而且能調(diào)節(jié)二氧化鈦晶型比例為最佳，使光催化活性達(dá)到最大限度的基板固定型二氧化鈦納米線及其制造方法，以及利用此基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的基板固定型二氧化鈦納米線由二氧化鈦納米線固定在基板的步驟和二氧化鈦納米線晶型比例的調(diào)節(jié)步驟來(lái)完成；上述二氧化鈦納米線固定在基板的步驟由以下三個(gè)過(guò)程組成包含二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液及基板的準(zhǔn)備過(guò)程；上述混合溶液經(jīng)電噴射將二氧化鈦納米線鍍?cè)诨迳系倪^(guò)程；通過(guò)熱壓處理將二氧化鈦納米線固定在基板上的過(guò)程上述二氧化鈦納米線的晶型比例的調(diào)節(jié)步驟是，上述固定二氧化鈦納米線的基板經(jīng)過(guò)后熱處理來(lái)調(diào)節(jié)二氧化鈦納米線的銳鈦礦型結(jié)晶和金紅石型結(jié)晶的比例。
上述二氧化鈦納米線的晶型比例調(diào)節(jié)步驟當(dāng)中，上述銳鈦礦型和金紅石型結(jié)晶的比例優(yōu)選調(diào)節(jié)為8:2至7:3，上述后熱處理溫度可以是50(T60(TC。上述混合溶液經(jīng)電噴射在基板上蒸鍍二氧化鈦納米線的過(guò)程是，由電噴射設(shè)備來(lái)完成的，上述電噴射設(shè)備由供應(yīng)含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液的前驅(qū)體混合溶液供給部、電噴射噴頭、收集器(chamber)及高電壓發(fā)生器構(gòu)成；上述收集器內(nèi)部設(shè)有形成鈦薄膜的基板，上述前驅(qū)體混合溶液由上述前驅(qū)體混合溶液供給部供應(yīng)到上述電噴射噴頭的同時(shí)，上述高電壓發(fā)生器產(chǎn)生的高電壓施加到上述電噴射噴頭上，根據(jù)電噴射原理電噴射噴頭內(nèi)的前驅(qū)體混合溶液轉(zhuǎn)變?yōu)槎趸伡{米線，噴射到收集器內(nèi)部空間，收集器內(nèi)部的二氧化鈦納米線蒸鍍?cè)阝伇∧ど?。此時(shí)，上述基板上的鈦薄膜處于接地狀態(tài)。上述含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液由氧化鈦前驅(qū)體、乙醇及調(diào)節(jié)粘度的高分子粘結(jié)劑來(lái)構(gòu)成。而且上述基板可以為硅基板或石英基板。本發(fā)明的基板固定型二氧化鈦納米線由基板、上述基板上形成的鈦薄膜及上述鈦薄膜上形成的二氧化鈦納米線構(gòu)成，上述二氧化鈦納米線的結(jié)晶型為，銳鈦礦型和金紅石型的比例為8:2至7:3。本發(fā)明的利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法，其特征在于，是利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法；上述基板固定型二氧化鈦納米線由基板、上述基板上形成的鈦薄膜、上述鈦薄膜上形成的二氧化鈦納米線構(gòu)成；上述二氧化鈦納米線的結(jié)晶型的銳鈦礦型和金紅石型的比例為8:2至7:3 ;上述基板固定型二氧化鈦納米線設(shè)置在原水通過(guò)的水處理管道或去除原水中雜質(zhì)的反應(yīng)槽內(nèi)，根據(jù)上述二氧化鈦納米線的光催化活性將原水中含有的有機(jī)污染物質(zhì)分解。上述水處理管道或反應(yīng)槽內(nèi)還可以設(shè)有紫外線燈。發(fā)明效果本發(fā)明的基板固定型二氧化鈦納米線及其制造方法，以及利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法有如下效果。用電噴射法將二氧化鈦納米線蒸鍍?cè)诨迳蠒r(shí)，基板上預(yù)先形成鈦薄膜，能使鈦薄膜被利用為導(dǎo)電的接地板的同時(shí)，能增大二氧化鈦納米線的結(jié)合力。而且，使二氧化鈦納米線的結(jié)晶型的銳鈦礦型和金紅石型結(jié)晶比例達(dá)到最佳，光催化活性達(dá)到最大限度，提高水處理效果。于此同時(shí)，二氧化鈦納米線呈固定于基板的狀態(tài)，因此，進(jìn)行水處理時(shí)不用再分離回收二氧化鈦納米線，可反復(fù)再使用。


圖I為電噴射設(shè)備的構(gòu)造圖。圖2為本發(fā)明結(jié)合一實(shí)施例來(lái)說(shuō)明基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法的流程圖。圖3是熱壓工藝有無(wú)對(duì)比的樣品照片。圖4是本發(fā)明結(jié)合一實(shí)施例進(jìn)行的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法中各步驟的二氧化鈦納米線的照片。 圖5顯示后熱處理溫度對(duì)晶型比例變化的影響的XRD結(jié)果。圖6顯示后熱處理溫度對(duì)雷尼替丁(ranitidine)的光催化分解速度變化的影響的圖譜。圖7是顯示后熱處理溫度對(duì)對(duì)氯苯酹(4-chlorophenol)的光催化分解速度變化的影響的圖譜。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的特征是利用電噴射法(electrospinning)和熱壓法將二氧化鈦納米線固定于基板上，并通過(guò)后熱處理控制二氧化鈦的晶型比例，使進(jìn)行水處理時(shí)二氧化鈦納米線的光催化活性達(dá)到最大限度，不需要分離回收二氧化鈦納米線。本發(fā)明的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，大體分為基板上固定二氧化鈦納米線的步驟和調(diào)節(jié)二氧化鈦納米線晶型比例的步驟。上述基板上固定二氧化鈦納米線的步驟，可細(xì)分為I)含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液及基板的準(zhǔn)備過(guò)程、2)上述混合溶液經(jīng)電噴射在基板上蒸鍍二氧化鈦納米線的過(guò)程和3)通過(guò)熱壓處理將二氧化鈦納米線固定于基板上的過(guò)程。上述I)含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液及基板的準(zhǔn)備過(guò)程(圖2中的S201)，詳細(xì)說(shuō)明如下。 含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液包含氧化鈦前驅(qū)體(TTIP，titaniumtetra-isopropoxide)、乙醇、調(diào)節(jié)粘度的高分子粘結(jié)劑。上述乙醇起到了提高前驅(qū)體粘度、抑制起泡的作用，上述調(diào)節(jié)粘度的高分子粘結(jié)劑可使用聚乙烯批咯燒酮(PVP ；polyvinylpyrrolidone)。并且,上述混合溶液內(nèi)還可以包含促進(jìn)二氧化鈦結(jié)晶化的起到催化劑作用的-冰醋酸。上述混合溶液優(yōu)選在5(T70°C溫度下攪拌30分鐘小時(shí)。上述基板可使用硅(Si)基板或石英(SiO2)基板，上述基板上要預(yù)先形成一定厚度的鈦薄膜。上述鈦薄膜將被利用為后述的混合溶液電噴射時(shí)的接地導(dǎo)電面，同時(shí)起到增加基板上固定的二氧化鈦納米線的結(jié)合力的作用。因鈦(Ti)和二氧化鈦(TiO2)的格子構(gòu)造類似，可最大程度地防止二氧化鈦納米線從基板上脫落。如上所述的鈦薄膜可通過(guò)電子束蒸鍍機(jī)(E-beam evaporator)優(yōu)選以50 150nm的厚度蒸鍍?cè)诨迳?，除了電子束蒸鍍機(jī)外，還可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD ；plasma enhanced chemical vapor deposition),灘鍛(sputtering)工藝形成欽薄膜。下面，說(shuō)明上述2)混合溶液靜電噴霧將二氧化鈦納米線鍍于基板上的過(guò)程(S202)。含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液經(jīng)電噴射，將二氧化鈦納米線鍍?cè)诨宓倪^(guò)程由電噴射設(shè)備來(lái)完成。電噴射設(shè)備如圖I所示，由供應(yīng)含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液的前驅(qū)體混合溶液供給部(120)、電噴射噴頭(130)、收集器(110)及高電壓發(fā)生器(140)構(gòu)成，上述收集器(110)內(nèi)設(shè)有形成鈦薄膜(151)的基板(150)。在此狀態(tài)下，上述前驅(qū)體混合溶液供給部(120)供應(yīng)前驅(qū)體混合溶液到上述電噴射噴頭上(130)，同時(shí)由上述高電壓發(fā)生器(140)將高電壓施加到上述電噴射噴頭(130)上，根據(jù)電噴射(electrospinning)原理電噴射噴頭(130)內(nèi)的前驅(qū)體混合溶液轉(zhuǎn)變?yōu)槎趸伡{米線并噴射到上述收集器(110)內(nèi)部空間。此時(shí)，前驅(qū)體混合溶液的溶劑成分因施加的高電壓而揮發(fā)掉，二氧化鈦納米線為(+)或(_)單極帶電。并且設(shè)在收集器(110)下部的基板(150)的鈦薄膜(151)呈接地狀態(tài)，從而收集器(110)內(nèi)部的二氧化鈦納米線·鍍?cè)阝伇∧?151)上。二氧化鈦納米線鍍?cè)诨宓臓顟B(tài)下，進(jìn)行上述3)熱壓處理將二氧化鈦納米線固定在基板上的過(guò)程(S203)。上述熱壓工藝是在一定溫度和壓力下用沖床對(duì)基板進(jìn)行熱壓的過(guò)程，此時(shí)的壓力和溫度各為l(Tl5MPa、10(Tl5(rC，熱壓工藝可持續(xù)5 15分鐘。通過(guò)上述熱壓工藝，基板和二氧化鈦納米線的結(jié)合力增大，通過(guò)這一系列工序完成將二氧化鈦納米線固定于基板的步驟。上述二氧化鈦納米線固定于基板的步驟完成后，進(jìn)行二氧化鈦納米線晶型比例的調(diào)節(jié)步驟(S204)，通過(guò)此步驟可以控制固定在基板上的二氧化鈦納米線的晶型比例，并選擇最佳晶型比例，使二氧化鈦納米線的光催化活性達(dá)到最大限度。具體來(lái)講，二氧化鈦納米線固定在基板的狀態(tài)下，在50(T90(TC溫度范圍內(nèi)對(duì)上述基板進(jìn)行后熱處理。通過(guò)此后熱處理來(lái)調(diào)節(jié)二氧化鈦的結(jié)晶型的銳鈦礦型和金紅石型的晶型比例。相對(duì)較低的溫度即500°C左右時(shí)銳鈦礦型的比例大，隨著溫度上升金紅石型的比例會(huì)上升。后述實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，銳鈦礦型和金紅石型的比例為7:3時(shí)光催化活性達(dá)到最高，因此銳鈦礦型和金紅石型的控制比例優(yōu)選是7:3至8:2，此時(shí)后熱處理溫度為50(T600°C。通過(guò)如上所述的制造方法，可制造基板固定型二氧化鈦納米線，制造出的基板固定型二氧化鈦納米線可應(yīng)用于水處理領(lǐng)域。具體來(lái)講，根據(jù)本發(fā)明制造出的基板固定型二氧化鈦納米線，放置于原水通過(guò)的水處理管道或去除原水中雜質(zhì)的反應(yīng)槽內(nèi)，可分解含在原水中的污染物質(zhì)，上述水處理管道或反應(yīng)槽內(nèi)可追加設(shè)置紫外線燈來(lái)提升污染物質(zhì)的分解效率。固定于基板的二氧化鈦納米線由可視光或紫外線(30(T400nm)的照射生成氫氧根自由基，原水中的有機(jī)污染物質(zhì)與生成的氫氧根自由基反應(yīng)后轉(zhuǎn)換并分解為二氧化碳和水。下面，本發(fā)明結(jié)合一實(shí)施例來(lái)制造基板固定型二氧化鈦納米線，并了解其特征。實(shí)施例I基板固定型二氧化鈦納米線的制造及其特征分析混合冰醋酸4ml、乙醇14ml、調(diào)節(jié)粘度的高分子粘結(jié)劑PVP Ig及二氧化鈦前驅(qū)體TTIP 2g，在50°C溫度下攪拌30分鐘，制備前驅(qū)體混合溶液。利用電子束蒸鍍機(jī)在石英基板上形成IOOnm鈦薄膜后，上述前驅(qū)體溶液2ml以50 μ m/min的速度進(jìn)行電噴射，將二氧化鈦納米線鍍于基板上。然后在120°C溫度和15MPa壓力下沖床壓基板進(jìn)行熱壓處理10分鐘，將二氧化鈦納米線固定在基板上。圖3是各自顯示制造基板固定型二氧化鈦納米線時(shí)，不進(jìn)行熱壓處理而直接進(jìn)行后熱處理的樣品(圖3中的(a))和進(jìn)行熱壓處理和后熱處理的樣品(圖3中的(b))的圖片。如圖3所示，經(jīng)過(guò)熱壓處理后進(jìn)行后熱處理的樣品，可確認(rèn)二氧化鈦納米線穩(wěn)定地固定在石英基板上。圖4為利用掃描電子顯微鏡(SEM)分別觀察各制造步驟中的二氧化鈦納米線的照片，圖4(a)可觀察到電噴射后納米線直徑大約為300nm左右；如圖(c)所示省略熱壓工藝直接在600°C進(jìn)行后熱處理的納米線的直徑收縮為1/2，但其形貌與(a)非常相似。而且，(b)和⑷是各在15MPa和20MPa下進(jìn)行熱壓和后熱處理的二氧化鈦的照片，(b)觀察到納米線的直徑為IOOnm左右，(d)可確認(rèn)納米線已熔解。參考圖4的(b)和(d)可知，加上15MPa以上的壓力會(huì)引起二氧化鈦納米線形貌發(fā)生變形。圖5顯示的是經(jīng)過(guò)熱壓處理固定在石英基板上的二氧化鈦納米線，在變化的溫度下進(jìn)行后熱處理后的XRD分析結(jié)果。參考圖5可知，后熱處理溫度超過(guò)500°C以上時(shí)二氧化鈦納米線開(kāi)始結(jié)晶化，隨著溫度的增加二氧化鈦納米線的結(jié)晶由銳鈦礦型相變?yōu)榻鸺t石型。也就是說(shuō)500°C時(shí)二氧化鈦納米線的結(jié)晶大部分為銳鈦礦型，而800°C以上大部分會(huì)相轉(zhuǎn)移為金紅石型。而且后熱處理溫度為600°C時(shí)銳鈦礦型和金紅石型的比例大約為7:3。實(shí)施例2根據(jù)晶型比例的光催化活性分析觀察了通過(guò)實(shí)施例I制造出的基板固定型二氧化鈦納米線的有機(jī)污染物質(zhì)的分解效率。圖6是顯示后熱處理溫度變化引起的雷尼替丁的光催化分解速度的變化圖譜。實(shí)驗(yàn)所用到的石英基板是長(zhǎng)寬各2cm，雷尼替丁為有機(jī)污染物質(zhì)。而且雷尼替丁的初始濃度為100 μ M，光分解實(shí)驗(yàn)的光源利用的是4W BLB lamp (發(fā)光波長(zhǎng)350至400nm，PhilipsCo.)。參考圖6可知，雷尼替丁的光催化分解效果在600°C后熱處理時(shí)最好，后熱處理溫度不同其分解速度也不同。如前所觀察，可確認(rèn)后熱處理溫度和晶型比例具有相互關(guān)系，隨 著晶型的比例變化其光催化分解速度也會(huì)變化，如圖6所示銳鈦礦型和金紅石型的比例為7:3時(shí)光催化分解速度最快。圖7是4-氯酚做為需要分解的有機(jī)污染物質(zhì)，與圖6在同一條件下觀察其光催化分解速度的結(jié)果。如圖7所示，可再次確認(rèn)4-氯酚的光催化分解也是納米線的后熱處理溫度為600°C時(shí)，即銳鈦礦型和金紅石型比例為7:3時(shí)效率最高。符號(hào)說(shuō)明110:收集器120 :前驅(qū)體混合溶液供給部130:電噴射噴頭140:高電壓發(fā)生器150 :基板151 :鈦薄膜
權(quán)利要求
1.一種基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于， 由二氧化鈦納米線固定在基板的步驟及二氧化鈦納米線晶型比例的調(diào)節(jié)步驟構(gòu)成， 上述二氧化鈦納米線固定在基板的步驟，包括以下三個(gè)過(guò)程含有二氧化鈦前驅(qū)體混合溶液和基板的準(zhǔn)備過(guò)程、上述混合溶液經(jīng)電噴射將二氧化鈦納米線鍍?cè)诨迳系倪^(guò)程，和通過(guò)熱壓處理將二氧化鈦納米線固定在基板上的過(guò)程， 上述二氧化鈦納米線的晶型比例的調(diào)節(jié)步驟是，上述固定二氧化鈦納米線的基板經(jīng)過(guò)后熱處理來(lái)調(diào)節(jié)二氧化鈦納米線的銳鈦礦型結(jié)晶和金紅石型結(jié)晶的比例。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于，上述二氧化鈦納米線的晶型比例的調(diào)節(jié)步驟中，上述銳鈦礦型和金紅石型的比例調(diào)節(jié)為8:2至7:3。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于，上述二氧化鈦納米線的晶型比例的調(diào)節(jié)步驟中，上述后熱處理溫度為50(T60(TC。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于，上述混合溶液經(jīng)電噴射將二氧化鈦納米線鍍?cè)诨宓倪^(guò)程，由電噴射設(shè)備來(lái)完成， 上述電噴射設(shè)備由供應(yīng)含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液的前驅(qū)體混合溶液供給部、電噴射噴頭、收集器及高電壓發(fā)生器構(gòu)成，上述收集器內(nèi)設(shè)有形成鈦薄膜的基板， 上述前驅(qū)體混合溶液供給部供應(yīng)前驅(qū)體混合溶液到上述電噴射噴頭上，同時(shí)由上述高電壓發(fā)生器將高電壓施加到上述電噴射噴頭上，則根據(jù)電噴射原理電噴射噴頭內(nèi)的前驅(qū)體混合溶液轉(zhuǎn)變?yōu)槎趸伡{米線并噴射到上述收集器內(nèi)部空間，收集器內(nèi)部的二氧化鈦納米線蒸鍍?cè)阝伇∧ど稀?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于，上述基板上的鈦薄膜呈接地狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于，上述含有二氧化鈦前驅(qū)體的混合溶液包括氧化鈦前驅(qū)體、乙醇及調(diào)節(jié)粘度的高分子粘結(jié)劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板固定型二氧化鈦納米線的制造方法，其特征在于，上述基板是硅基板或石英基板。
8.一種基板固定型二氧化鈦納米線，其特征在于，包含基板、上述基板上形成的鈦薄膜、及上述鈦薄膜上形成的二氧化鈦納米線，上述二氧化鈦納米線晶型的銳鈦礦型和金紅石型比例為8:2至7:3。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板固定型二氧化鈦納米線，其特征在于，上述鈦薄膜在電噴射時(shí)可利用為導(dǎo)電接地板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板固定型二氧化鈦納米線，其特征在于，上述基板是硅基板或石英基板。
11.一種水處理方法，是利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板固定型二氧化鈦納米線設(shè)置在原水通過(guò)的水處理管道或去除原水中雜質(zhì)的反應(yīng)槽內(nèi)，通過(guò)上述二氧化鈦納米線的光催化活性分解原水內(nèi)含有的有機(jī)污染物質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的水處理方法，其特征在于，上述水處理管道或反應(yīng)槽內(nèi)還包括紫外線燈。
全文摘要
本發(fā)明提供基板固定型二氧化鈦納米線及其制造方法，以及利用基板固定型二氧化鈦納米線的水處理方法，通過(guò)電噴射法和熱壓法，將二氧化鈦固定在基板上，從而進(jìn)行水處理時(shí)不用分離回收二氧化鈦，調(diào)節(jié)二氧化鈦晶型的比例為最佳，使得光催化活性達(dá)到最大限度。
文檔編號(hào)C02F1/30GK102949985SQ20121024080
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者洪錫垣, 崔炅鎮(zhèn), 李相協(xié), 李在祥, 崔時(shí)爀, 權(quán)初榮, 金熙燦 申請(qǐng)人:韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院