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一種多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置的制作方法

文檔序號:4409786閱讀:295來源:國知局
專利名稱:一種多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置的制作方法
技術(shù)領域
本實用新型涉及高分子材料表面處理領域,特別是生物檢測用或細胞培養(yǎng)用多孔板表面處理領域。
背景技術(shù)
多孔板是細胞培養(yǎng)和生化檢測領域普遍使用的基礎材料,但從使用現(xiàn)狀來看,多孔板周邊的孔與中間孔的檢測或培養(yǎng)效果差異較大。為提高實驗的可比性、穩(wěn)定性,通常要對多孔板進行表面處理。通常使用的方法是紫外線照射、表面化學處理、低壓輝光放電處理等。由于要對孔底或內(nèi)壁進行處理,所以不能用普通高頻放電來處理
實用新型內(nèi)容
本實用新型解決的技術(shù)問題是提供一種一種多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置。本實用新型的技術(shù)方案如下一種多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,包括由可通氣多柱形上電極板、下電極板、電源及控制器系統(tǒng)、調(diào)氣系統(tǒng)、多孔氣體分配上電極支架、下電極支架及設置于上電極板和下電極板之間的待處理多孔板構(gòu)成。所述上電極支架上設置有進氣口、出氣孔、上電極支架上層氣體進入上電極的入氣口 ;所述上電極板設置小孔、導線和出氣口。所述下電極板上設置導線;所述下電極板與待測多孔板底部接觸;所述下電極板為平板狀或多孔狀;所述多柱形上電極板與多孔氣體分配上電極支架配合,能將所需氣體引入待處理多孔板孔的底部。所述多柱形上電極板的柱電極中間有小孔,所述小孔與多孔氣體分配上電極支架相通。所述多孔氣體分配上電極支架,能夠配合多柱形上電極板實現(xiàn)氣體在每個孔的均勻分配,能夠與待測多孔板構(gòu)成氣體回路;上電極支架分上下兩層,層間不互通,氣體由多孔氣體分配上電極支架上層進入電極板內(nèi)孔并進入多孔板底部,經(jīng)多柱形上電極板外孔四周進入孔氣體分配上電極支架下層并從出氣口排出,從而構(gòu)成回路。本實用新型設計適用于多孔板的常壓等離子處理裝置,通過一個氣體混合系統(tǒng)和氣體分配支架,可以保證每個孔得到相同成分的氣體。本發(fā)明主要是基于多孔酶標板或多孔細胞培養(yǎng)板內(nèi)表面的常壓調(diào)氣等離子處理裝置。設計中心帶孔的柱狀電極,可以將電極伸入多孔板孔內(nèi),有利于調(diào)節(jié)柱電極與下電極的距離,由于各電極的大小和形狀一致,故可以保證產(chǎn)生相同密度和能量的等離子體,可以使多孔板的表面基團均勻一致,從而有利于保證細胞培養(yǎng)效果一致,保證生化檢測的重復性和可靠性。

圖1是本實用新型裝置的系統(tǒng)構(gòu)成圖。圖2是本實用新型多孔氣體分配上電極支架100的放大圖。圖3是本實用新型可通氣多柱形上電極板200的放大圖。圖中提到的103是上電極支架100上層氣體進入多孔上電極板200的入氣口。401是下電極板400的導線,主要是對極板通電201是多柱形上電極板200的導線。203是是多柱形上電極200出氣口,氣體道。有益效果故可以保證產(chǎn)生相同密度和能量的等離子體,可以使多孔板的表面基團均勻一致,從而有利于保證細胞培養(yǎng)效果一致,保證生化檢測的重復性和可靠性。該裝置的特征就在于多孔板每個孔都能在在同一電場同一氣氛下進行常壓等離子處理,根據(jù)表面要求對處理氣成分進行調(diào)節(jié),從而得到理想的細胞培養(yǎng)板或酶標板。本發(fā)明設計適用于多孔板的常壓等離子處理裝置,通過一個氣體混合系統(tǒng)和氣體分配支架,可以保證每個孔得到相同成分的氣體;設計中心帶孔的柱狀電極,可以將電極伸入多孔板孔內(nèi),有利于調(diào)節(jié)柱電極與下電極的距離,由于各電極的大小和形狀一致,故可以保證產(chǎn)生相同密度和能量的等離子體,可以使多孔板的表面基團均勻一致,從而有利于保證細胞培養(yǎng)效果一致,保證生化檢測的重復性和可靠性。
具體實施方式
下面通過具體的實施方案敘述本發(fā)明中設備結(jié)構(gòu)和使用方法。除非特別說明,本發(fā)明中所用的技術(shù)手段均為本領域技術(shù)人員所公知的方法。另外,實施方案應理解為說明性的,而非限制本發(fā)明的范圍,本發(fā)明的實質(zhì)和范圍僅由權(quán)利要求書所限定。對于本領域技術(shù)人員而言,在不背離本發(fā)明實質(zhì)和范圍的前提下,對這些實施方案中組件進行的各種改變或改動也屬于本發(fā)明的保護范圍。結(jié)合圖1-3進行說明本裝置由可通氣多柱形上電極板200、下電極板400、電源及控制器系統(tǒng)700、調(diào)氣系統(tǒng)800、多孔氣體分配上電極支架100和下電極支架500構(gòu)成。使用時放電氣體從進氣口 101進入多孔氣體分配上電極支架100并進入上電極板200的小孔202從而進入待處理多孔板300底部,在電場激發(fā)下放電產(chǎn)生等離子體,等離子體焰從多孔板300板底孔部噴出, 實現(xiàn)對內(nèi)表面處理。廢氣從出氣孔102排出。該裝置根據(jù)要求對處理氣成分進行調(diào)節(jié),從而得到理想的細胞培養(yǎng)板或酶標板。103是上電極支架100上層氣體進入多孔上電極200 的入氣口 ;401是下電極板400的導線,對電極板通電;201是多柱形上電極板200的導線; 203是是多柱形上電極板200出氣口,氣體道;廢氣從出氣孔102排出。
權(quán)利要求1.一種多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,其特征在于所述多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置由可通氣多柱形上電極板、下電極板、電源及控制器系統(tǒng)、調(diào)氣系統(tǒng)、多孔氣體分配上電極支架、下電極支架及設置于上電極板和下電極板之間的待處理多孔板組成。
2.如權(quán)利要求1所述多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,其特征在于所述上電極支架上設置有進氣口、出氣孔、上電極支架上層氣體進入上電極的入氣口。
3.如權(quán)利要求1所述多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,其特征在于所述上電極板設置小孔、導線和出氣口。
4.如權(quán)利要求1所述多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,其特征在于所述下電極板上設置導線。
5.如權(quán)利要求1或4所述多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,其特征在于所述下電極板與待測多孔板底部接觸。
6.如權(quán)利要求1所述多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,其特征在于所述下電極板為平板狀或多孔狀。
專利摘要本實用新型公開了一種多孔板內(nèi)表面常壓調(diào)氣放電處理裝置,本實用新型涉及高分子材料表面處理領域,特別是生物檢測用或細胞培養(yǎng)用多孔板表面處理領域。該裝置由可通氣多柱形上電極板200、下電極400、電源及控制器系統(tǒng)700、調(diào)氣系統(tǒng)800、多孔氣體分配上電極支架100和下電極支架500等幾個部分構(gòu)成。使用時放電氣體從進氣口101進入多孔氣體分配上電極支架100并進入上電極200的小孔202從而進入待處理多孔板300底部,在電場激發(fā)下放電產(chǎn)生等離子體,等離子體焰從多孔板300板底孔部噴出,實現(xiàn)對內(nèi)表面處理。廢氣從出氣孔102排出。該裝置根據(jù)要求對處理氣成分進行調(diào)節(jié),從而得到理想的細胞培養(yǎng)板或酶標板。
文檔編號B29C71/04GK202163017SQ20112026252
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者王華山, 王美怡 申請人:天津科技大學
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