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精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模及其制造方法

文檔序號(hào):4482761閱讀:280來源:國知局
專利名稱:精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模及其制造方法
精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模及其制造方法
但是,上述的專利文獻(xiàn)l、 2的轉(zhuǎn)印方法是用保持壓模端部的夾 具使其機(jī)械地彎曲,所以被保持時(shí)在壓模端部上施加的負(fù)荷較大、有 時(shí)候在反復(fù)進(jìn)行轉(zhuǎn)印之中壓模就會(huì)發(fā)生破損。
進(jìn)而作為具體的基體102的材料,可列舉石英、Si、包含氟化物的多成分玻璃,但并不限定于此。另外,作為薄膜103的材料可列舉例如用化學(xué)式SiOx(其中,x為大于0小于等于2的值)所示的硅氧化物,但并不限定于此。
而且,在薄膜103的材料是用化學(xué)式SiOx所示的材料或者Si的情況下,它們還可以進(jìn)一步包含Ge、 B、 P等摻雜劑(dopint)。
而且,本實(shí)施方式所涉及的壓模IOO不同于以往的彎曲后的鎳壓 模(例如,參照專利文獻(xiàn)3),形成了精細(xì)圖案101的基體102和薄膜 103成為一體,由于此薄膜103的線膨脹系數(shù)相對(duì)于基體102的線膨 脹系數(shù)有差異,所以即便對(duì)壓模IOO反復(fù)進(jìn)行加熱工序以及冷卻工序, 恢復(fù)到室溫時(shí)的彎曲量(彎曲程度)在其復(fù)原性上也表現(xiàn)出色。
另外,如上述那樣,希望與薄膜形成工序并行實(shí)施的加熱工序中 的加熱溫度設(shè)定得高于這里的轉(zhuǎn)印工序的溫度。通過這樣設(shè)定上述的 加熱工序中的加熱溫度,壓模100在其復(fù)原性上就更加表現(xiàn)出色。
接著,在此制造方法中,如圖5(c)所示那樣將精細(xì)圖案502 (抗 蝕圖案)作為掩模通過公知的干蝕刻技術(shù)來加工與此精細(xì)圖案502鄰 接的薄膜103,由此在該薄膜103上形成精細(xì)圖案101。接著,如圖3(c)所示那樣,通過在將被轉(zhuǎn)印體203的背面真空吸 附固定于加壓工作臺(tái)204的狀態(tài)下降下工作臺(tái)204,借助于壓模100 恢復(fù)到彎曲形狀的應(yīng)力,壓模100從被轉(zhuǎn)印體203的外圓周部的 一部 分開始起模。[0072J然后,如圖3(d)所示那樣,壓模100的精細(xì)圖案101被轉(zhuǎn)印到光 硬化性樹脂202的表面上而獲得被轉(zhuǎn)印體203。這里進(jìn)行參照的圖6 是表示在本實(shí)施例中所形成的抗蝕圖案之截面的電子顯微鏡照片。在被轉(zhuǎn)印體203的表面上作為圖6所示的抗蝕圖案形成了寬度 50nm、深度80nm、間距100nm的同心圓狀溝槽圖案。[0073J接著,將此抗蝕圖案作為掩模,通過氟系氣體對(duì)薄膜103實(shí)施了 干蝕刻加工,而在基板201的表面加工了寬度50nm、深度40nm、間 距100mn的同心圓狀溝槽圖案。此外,通過在此基板201的表面形成非磁性層、磁性層、非磁性 的平坦化膜、保護(hù)膜、潤滑膜來制作垂直磁記錄方式的離散磁道媒介 (discrete track media )。[0074(實(shí)施例5)在本實(shí)施例中,使用通過與實(shí)施例1相同的方法所制作的壓模 IOO來制作反射光抑制器件。這里所使用的轉(zhuǎn)印方法在圖3(a) (d)所 示的轉(zhuǎn)印方法中除壓模100朝向被轉(zhuǎn)印體203推壓以外與實(shí)施例4的轉(zhuǎn)印方法同樣地進(jìn)行。0075此壓模100是在直徑100mm、厚度0.5mm的石英制造的基體 102(參照?qǐng)Dl)的表面通過公知的電子束描繪技術(shù)和干蝕刻技術(shù)在 30mmx30mm的區(qū)域內(nèi)以間隔70nm排列了直徑230nm、深度400nm 的坑結(jié)構(gòu)。[0076作為圖3(a)所示的被轉(zhuǎn)印體203,使用了直徑50mm、厚度 0,5mm、折射率為2.23的光學(xué)器件用基板。在此轉(zhuǎn)印方法中,被形成在被轉(zhuǎn)印體203的表面上的凹凸圖案與 壓才莫100的凹凸圖案相對(duì),而成為直徑230nm、高度400nm的柱狀 體以間隔70nm進(jìn)行了排列的結(jié)構(gòu)。[0077接著,形成了凹凸圖案的被轉(zhuǎn)印體203的表面通過干蝕刻技術(shù)進(jìn) 一步進(jìn)行加工。其結(jié)果,就獲得在被轉(zhuǎn)印體203的表面直徑230nm、 高度230nm的柱狀體以間隔70nm進(jìn)行了排列的未圖示的精細(xì)結(jié)構(gòu)體 (光學(xué)板)。[0078接著,對(duì)在此光學(xué)板的圖案形成面所產(chǎn)生的反射率進(jìn)行了測(cè)定。 在圖7中表示其結(jié)果。這里進(jìn)行參照的圖7是表示從本實(shí)施例中所制 作的光學(xué)板的圖案形成面的反射率之波長(zhǎng)特性的圖表,縱軸是反射率 (%),橫軸是反射波的波長(zhǎng)(nm)。[0079如圖7所示那樣,從波長(zhǎng)1.16jim到1.5nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射 率小于等于1%。另外,雖然沒有圖示,在沒有形成凹凸圖案以外與 被轉(zhuǎn)印體203相同材質(zhì)的基板其反射率約為14%。根據(jù)這一現(xiàn)象就可 確認(rèn)通過 成凹凸圖案使反射波得到抑制。
權(quán)利要求
1.一種用于使被形成在基體的表面和背面之中的單面?zhèn)鹊木?xì)圖案接觸到被轉(zhuǎn)印體,將上述精細(xì)圖案轉(zhuǎn)印到上述被轉(zhuǎn)印體表面的樹脂層上的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于在上述基體的表面和背面之中至少一面?zhèn)仍O(shè)置至少一層薄膜,上述基體和上述薄膜的線膨脹系數(shù)不同,上述基體借助于發(fā)生在上述薄膜上的內(nèi)部應(yīng)力以精細(xì)圖案?jìng)?cè)成為凸出的方式而彎曲。
2. 按照權(quán)利要求l所記栽的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 使具有200nm到2000nm波長(zhǎng)的電磁波透過10%以上。
3. 按照權(quán)利要求l所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述被轉(zhuǎn)印體表面的樹脂層包含一照射電磁波就硬化的樹脂,上述薄膜比上述電磁波的波長(zhǎng)厚。
4. 按照權(quán)利要求3所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述薄膜的厚度大于等于0.5pm小于等于100jim。
5. 按照權(quán)利要求l所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述基體用石英來形成,上述薄膜用SiOx所示的氧化膜而形成,此氧化膜具有與石英不同的密度,其中,x是大于0小于等于2的值。
6. 按照權(quán)利要求l所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述基體用石英來形成,上述薄膜用包含摻雜劑的Si02來形成。
7. 按照權(quán)利要求l所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述基體用Si或者多成分玻璃而形成,在形成上述基體的精細(xì)圖案的一面?zhèn)刃纬缮鲜霰∧ぁ?br> 8. 按照權(quán)利要求l所記栽的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述薄膜在上述基體的表面和背面分別形成,各薄膜的厚度以及組成的至少一方相互不同。
9. 按照權(quán)利要求l所記栽的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模,其特征在于 上述薄膜的厚度在形成上述精細(xì)圖案的面內(nèi)恒定。
10. —種權(quán)利要求1所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模的制造方法, 其特征在于具有在上述基體的表面和背面之中至少一面?zhèn)刃纬芍辽僖粚颖?膜的薄膜形成工序,還進(jìn)一步具有與此薄膜形成工序并行,或者在此薄膜形成工序之 后對(duì)上述基體和上述薄膜進(jìn)行加熱的加熱工序。
11. 按照權(quán)利要求10所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模的制造方法, 其特征在于上述加熱工序的加熱溫度在將上述精細(xì)圖案轉(zhuǎn)印到上述被轉(zhuǎn)印 體的表面之際高于該精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模被暴露的溫度。
12. —種權(quán)利要求1所記載的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模的制造方法, 其特征在于上述精細(xì)圖案用多個(gè)精細(xì)的凹凸而形成,在將此精細(xì)圖案形成于 上述基體之際,具有在上述基體的單面形成樹脂層的樹脂層形成工序;使形成上述精細(xì)圖案的母盤接觸上述樹脂層以轉(zhuǎn)印上述母盤的 精細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印工序;以及將形成了上述精細(xì)圖案的上述樹脂層作為掩模對(duì)上述基體的表面進(jìn)行蝕刻加工以在此基體的表面形成精細(xì)圖案的蝕刻工序,構(gòu)成通過蝕刻加工在上述基體的表面所形成的精細(xì)圖案的上述 凹凸的高度以及上述突出部的側(cè)壁的角度的某一個(gè),不同于構(gòu)成母盤 的精細(xì)圖案的上述凹凸的高度以及上述凹凸的側(cè)壁的角度。
全文摘要
本發(fā)明的課題是提供一種在耐久性上表現(xiàn)出色的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模。為此,本發(fā)明的特征是在用于使被形成在基體(102)的單面?zhèn)鹊木?xì)圖案(101)接觸到被轉(zhuǎn)印體,將上述精細(xì)圖案(101)轉(zhuǎn)印到上述被轉(zhuǎn)印體表面的樹脂層上的精細(xì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印用壓模(100)中,在上述基體(102)的表面和背面之中至少一面?zhèn)仍O(shè)置至少一層薄膜(103),上述基體(102)和上述薄膜(103)的線膨脹系數(shù)不同,上述基體(102)借助于發(fā)生在上述薄膜(103)上的內(nèi)部應(yīng)力以精細(xì)圖案(101)側(cè)成為凸出的方式而彎曲。
文檔編號(hào)B29C33/42GK101670629SQ200910165959
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2009年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月10日
發(fā)明者北野延明, 大薗和正, 安藤拓司, 宮內(nèi)昭浩, 本鄉(xiāng)晃史, 鹽田恒夫, 鷲谷隆太 申請(qǐng)人:日立電線株式會(huì)社
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