一種吊裝裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及單晶硅制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于單晶爐熱場內(nèi)的吊裝裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，也是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。
[0003]單晶硅的晶體生長方法可分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。其中，采用直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底和太陽能電池等，因而得到廣泛的應(yīng)用。
[0004]目前，直拉單晶硅多為規(guī)?；a(chǎn)，傳統(tǒng)的生產(chǎn)方式為:待單晶爐停爐后依次取出爐內(nèi)高溫石墨件，對(duì)石墨件進(jìn)行清灰操作后再依次重新裝回爐內(nèi)，而后進(jìn)行爐內(nèi)填料作業(yè)。
[0005]但是，這種傳統(tǒng)的生產(chǎn)方式具有如下缺點(diǎn):
[0006]1)待單晶硅停爐后先依次取出爐內(nèi)高溫石墨件，再依次進(jìn)行清灰操作和填料作業(yè)，而清理石墨件及填料作業(yè)需要消耗大量的時(shí)間，導(dǎo)致生產(chǎn)周期較長；
[0007]2)填料作業(yè)需要在爐內(nèi)進(jìn)行，而在填料作業(yè)時(shí)，爐內(nèi)的石墨粉塵、二氧化硅粉塵以及其他空氣中其他雜質(zhì)會(huì)混入原料中，導(dǎo)致原料極易受到污染而導(dǎo)致無法生產(chǎn)高品質(zhì)的產(chǎn)品Ο
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷，提供一種能夠?qū)t內(nèi)高溫石墨件一次性取出的吊裝裝置。
[0009]解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0010]本實(shí)用新型提供一種用于吊裝石墨件的吊裝裝置，所述吊裝裝置包括吊架和鉤取單元，所述吊架為中空結(jié)構(gòu)，其中空部分能夠容納石墨件，所述鉤取單元與吊架沿豎直方向滑動(dòng)連接，所述鉤取單元的底部用于托住石墨件的底部，所述鉤取單元的頂部用于與吊架的頂部卡合連接。
[0011]優(yōu)選地，所述吊架包括至少3個(gè)環(huán)形件，所述至少3個(gè)環(huán)形件彼此平行設(shè)置且在水平面上的投影重合，并且所述至少3個(gè)環(huán)形件兩兩固定連接形成一個(gè)整體。
[0012]優(yōu)選地，所述環(huán)形件的外徑為25mm?35mm ;所述環(huán)形件為空心管狀結(jié)構(gòu)，其管壁厚度為3mm?5mm。
[0013]優(yōu)選地，所述吊裝裝置在吊裝石墨件時(shí)，所述至少3個(gè)環(huán)形件中位于最上層的環(huán)形件的底端與石墨件的頂端之間的距離不小于3 5 c m。
[0014]優(yōu)選地，所述吊架包括3個(gè)環(huán)形件，其中位于中間層的環(huán)形件的頂端與石墨件的頂端之間的距離為8mm?12mm。
[0015]優(yōu)選地，所述吊架還包括至少4根中空的桿狀件，每個(gè)環(huán)形件上均對(duì)應(yīng)設(shè)置有至少4個(gè)沿豎直方向延伸的通孔，所述通孔的內(nèi)徑大于所述桿狀件的外徑，且每個(gè)環(huán)形件上設(shè)置的通孔沿該環(huán)形件均勻分布，每根桿狀件均能依次穿過所述至少3個(gè)環(huán)形件上的對(duì)應(yīng)通孔并與所述至少3個(gè)環(huán)形件固定連接。
[0016]優(yōu)選地，所述鉤取單元包括至少4個(gè)鉤取件，每個(gè)鉤取件均對(duì)應(yīng)一根中空的桿狀件，所述鉤取件包括桿部以及分別設(shè)置于桿部上、下兩端的第一折彎部和第二折彎部，每個(gè)折彎部均包括水平部和豎直部，每個(gè)鉤取件的桿部均設(shè)置在其對(duì)應(yīng)的桿狀件的中空區(qū)域內(nèi)并能沿自身的軸向移動(dòng)以及繞自身的軸轉(zhuǎn)動(dòng)，且每個(gè)鉤取件的第一折彎部和第二折彎部均能從其對(duì)應(yīng)的桿狀件的兩端露出，每個(gè)鉤取件的第二折彎部的水平部指向所述至少3個(gè)環(huán)形件的軸線時(shí)，其第一折彎部用于與位于最上層的環(huán)形件卡合連接。
[0017]優(yōu)選地，位于最上層的環(huán)形件上還設(shè)置有至少4個(gè)圓形槽或圓孔，每個(gè)圓形槽或圓孔均與設(shè)置在該環(huán)形件上的一個(gè)通孔對(duì)應(yīng)，且每個(gè)圓形槽或圓孔與其對(duì)應(yīng)的通孔之間的距離與穿過該通孔的鉤取件的第一折彎部的水平部的長度相匹配，以使得穿過該通孔的鉤取件的第一折彎部的豎直部能夠插入所述圓形槽或圓孔。
[0018]優(yōu)選地，所述吊裝裝置還包括連接單元，所述連接單元用于與升降裝置配合使用以吊起、放下所述吊架和鉤取單元。
[0019]優(yōu)選地，所述連接單元包括至少三個(gè)鏈狀件，所述至少三個(gè)鏈狀件的一端與升降裝置連接，另一端與吊架的頂部連接，且與吊架頂部的連接處沿該吊架的頂部均勻分布。
[0020]有益效果:
[0021]本實(shí)用新型所述吊裝裝置主要應(yīng)用于直拉法單晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域的生產(chǎn)技術(shù)中，采用本實(shí)用新型所述吊裝裝置能夠?qū)t內(nèi)高溫石墨件一次性取出，其操作簡單，使用快捷、安全，投入到生產(chǎn)車間后，將大幅縮短直拉單晶硅生長周期，從而降低生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0022]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的吊裝裝置的俯視圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的吊裝裝置的側(cè)視圖；以及
[0024]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的吊裝裝置的應(yīng)用示意圖。
[0025]圖中:10 —吊架；11 —環(huán)形件；12 —桿狀件；20 —鉤取單元；21 —鉤取件；30 —連接單兀；31 —鏈狀件；40 —石墨件；41 —石英i甘禍；42 —石墨i甘禍；43 —托盤。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0027]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種用于吊裝石墨件的吊裝裝置，所述石墨件40包括托盤43，設(shè)置于所述托盤43上的石墨坩禍42以及設(shè)置于所述石墨坩禍42上的石英坩禍43，所述石英坩禍43中盛有原料(如圖3所示)，所述石墨件40及其盛放的原料的重量為300kg左右。
[0028]如圖1至圖3所示，所述吊裝裝置包括吊架10、鉤取單元20和連接單元30，所述吊架10為中空結(jié)構(gòu)，其中空部分能夠容納石墨件40，所述鉤取單元20與吊架10沿豎直方向滑動(dòng)連接，所述鉤取單元20的底部用于托住石墨件40的底部，所述鉤取單元20的頂部用于與吊架10的頂部卡合連接，從而將石墨件限制在吊架10中空部分中，所述連接單元30用于與升降裝置(例如，吊裝車，其能夠上、下運(yùn)動(dòng))配合使用以吊起、放下所述吊架10、鉤取單元20以及限制在吊架10中空部分中的石墨件40和盛放的原料，因此能夠?qū)t內(nèi)高溫石墨件(200°C以上)和原料一次性取出，以及一次性放進(jìn)單晶爐熱場指定位置上。
[0029]其中，吊架10的中空部分既要能夠容納石墨件40，又要與石墨件40的尺寸相匹配，以盡量避免石墨件40及其中盛放的原料在被吊起和放下的過程中晃動(dòng)。優(yōu)選地，吊架10的內(nèi)壁與石墨件40的外壁在位于水平面的任意方向上的間距均小于5mm。
[0030]下面具體描述所述吊裝裝置的吊架10、鉤取單元20和連接單元30的具體結(jié)構(gòu)。
[0031]如圖2和3所示，所述吊架10包括3個(gè)環(huán)形件11，所述3個(gè)環(huán)形件11彼此平行設(shè)置且在水平面上的投影重合，并且所述3個(gè)環(huán)形件11兩兩固定連接形成一個(gè)整體，優(yōu)選采用焊接的方式固定連接。在實(shí)際應(yīng)用中，為了增加吊架的強(qiáng)度，也可采用4個(gè)以上的環(huán)形件，此處不再贅述。
[0032]為了保證使用強(qiáng)度，所述環(huán)形件11的外徑為25mm?35mm，優(yōu)選為30mm。所述環(huán)形件可以為實(shí)心結(jié)構(gòu)。但是，從節(jié)省材料的角度考慮，所述環(huán)形件11可以為空心管狀結(jié)構(gòu)，其管壁厚度為3mm?5mm，優(yōu)選為4mm。
[0033]此外，為了防止吊裝時(shí)碰落填裝于石英坩禍41內(nèi)的原料，所述吊裝裝置在吊裝石墨件時(shí)，所述3個(gè)環(huán)形件11中位于最上層的環(huán)形件11的底端與石墨件的石英坩禍41頂端之間的距離不小于35cm。而且，為了保證吊裝過程中的穩(wěn)定性，所述3個(gè)環(huán)形件11中位于中間層的環(huán)形件11的頂端與石墨件的石英i甘禍41的頂端之間的距離為8mm?12mm。
[0034]進(jìn)一步地，如圖2和3所示，為了保證吊架的穩(wěn)定性，所述吊架10還包括4根中空的桿狀件12，每個(gè)環(huán)形件11上均對(duì)應(yīng)設(shè)置有4個(gè)沿豎直方向延伸的通孔，所述通孔的內(nèi)徑大于所述桿狀件的外徑，且每個(gè)環(huán)形件11上設(shè)置的通孔沿該環(huán)形件11均勻分布，每根桿狀件12均能依次穿過所述3個(gè)環(huán)形件11上的對(duì)應(yīng)通孔并與所述3個(gè)環(huán)形件11固定連接，優(yōu)選采用焊接的方式固定連