半導體檢查用的耐熱性粘合片的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及一種半導體檢查用的耐熱性粘合片。
【背景技術】
[0002] 半導體晶圓在形成電路之后貼合粘合片，然后進行切割（dicing)成元件小片、 清洗、干燥、粘合片的延展（expanding)、自粘合片的元件小片的剝離（pickup)、安裝 (mounting)等各個工序。在運些工序中所使用的粘合片（dicingtape)，理想的是對切割工 序至干燥工序為止的被切割為元件小片具有充分的粘著力，并且在拾取工序中粘著力可減 少至粘著劑不會殘留的程度。
[0003] 作為粘合片，有在對紫外線及/或電子束等的活性光線具有透明度的基材上涂布 藉由紫外線等進行聚合硬化反應的粘著劑層者。此粘合片是采用于切割工序后W紫外線等 照射粘著劑層，使粘著劑層聚合硬化、粘著力降低之后，拾取被切斷的忍片的方法。
[0004] 作為此種粘合片，專利文獻1 W及專利文獻2中掲示了例如在基材面上涂布由在 分子內含有光聚合性不飽和雙鍵的化合物（多官能低聚物）所構成的粘著劑，所述粘著劑 會藉由活性光線而Ξ維網(wǎng)狀化。 陽0化][專利文獻1]日本特開2009-245989號公報
[0006][專利文獻2]日本特開2012-248640號公報
[0007] 半導體的制造工序中，按W下順序進行加工W及性能檢查。
[0008] ?半導體晶圓的切割
[0009] ?性能檢查（常溫）
[0010] ?封裝 柳川 ?性能檢查（高溫W及常溫）
[0012] 在上述的工序中，到封裝后的性能測試為止前都無法判斷出在高溫狀態(tài)下是否有 異常的忍片。因此，高溫狀態(tài)下有異常的所有忍片也都必須進行封裝，因而增加封裝成本。
[0013] 若切割后的性能測試可在高溫下進行，就能降低封裝成本，但是，性能檢查是在半 導體忍片貼附于切割膠帶等的粘合片的狀態(tài)下進行，因此，一旦對半導體忍片進行加熱，貝U 會導致粘合片變形或粘合片過度緊貼等問題。
[0014] 粘合片一旦變形，則形成于晶圓上的電極焊點與檢測用探針就無法自動對位，需 要較長的檢查時間。此外，當變形嚴重時，可能會導致無法使晶圓接觸檢測用探針。另外， 當半導體忍片的間隔較狹窄時，可能會導致忍片互相接觸，造成忍片的破損或強度降低。
[0015]另外，一旦粘合片與半導體忍片過度緊貼，則即使照射紫外線等使粘著劑層硬化， 粘著劑層的粘著力也不會充分降低，會造成拾取困難、粘著劑殘留等的不良情況。

【發(fā)明內容】

[0016] 本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，加熱所造成的粘合片的變形是起因于基材的熱收縮率W及 線膨脹系數(shù)，而加熱所造成的粘著劑層的軟化則是起因于粘著劑所含有的增粘樹脂的軟 化。
[0017]基于此發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明提供一種使用低熱收縮率及低線膨脹系數(shù)的基材的粘合片。
[0018]本發(fā)明的半導體檢查用的耐熱性粘合片，為在加熱半導體忍片的同時進行性能檢 查的工序中所使用的粘合片，所述粘合片為在基材上設有粘著劑層而成，所述基材在150°C 下加熱30分鐘后的熱收縮率低于1%，且60°C~150°C下的線膨脹系數(shù)為5.OX10W 下，且所述粘合片的所述粘著劑層包含（甲基）丙締酸共聚物、光聚合性化合物、多官能異 氯酸醋硬化劑W及光聚合起始劑；對100重量的所述（甲基）丙締酸共聚物，所述光聚合性 化合物為5~200質量份，所述多官能異氯酸醋硬化劑為0. 5~20質量份，所述光聚合起 始劑為0. 1~20質量份，且所述粘著劑層不包含增粘樹脂。
[0019]優(yōu)選地，所述粘合片的粘著劑層包含硅氧烷類接枝共聚物。
[0020] 優(yōu)選地，所述多官能異氯酸醋硬化劑具有3個W上的異氯酸醋基。
[0021]優(yōu)選地，所述光聚合起始劑Wl〇°C/分鐘的升溫速度從23°C開始升溫，其質量減 少率成為1〇%時的溫度為250°(：^上。
[0022] 優(yōu)選地，所述粘合片使用于半導體的制造方法中，而所述半導體的制造方法包 括：（a)貼附工序，將粘合片貼附于半導體忍片；化）吸附工序，吸附并固定貼附有粘合片的 半導體忍片，使其W粘合片接觸載置臺的方式承載于60~15(TC的載置臺上；（C)檢查工 序，將載置臺加熱至60~150°C的同時檢查半導體忍片的性能；（d)紫外線照射工序，對粘 合片照射紫外線；W及（e)拾取工序，自粘合片拾取半導體忍片。
[0023]優(yōu)選地，所述粘合片使用于半導體的制造方法中，而所述半導體的制造方法包 括：（a)貼附工序，將粘合片貼附于半導體晶圓或基板；化）切割工序，切割半導體晶圓或基 板，使其成為半導體忍片；（C)吸附工序，吸附并固定貼附有粘合片的半導體忍片，使其W 粘合片接觸載置臺的方式承載于60~15(TC的載置臺上；（d)檢查工序，將載置臺加熱至 60~150°C的同時檢查半導體忍片的性能；（e)紫外線照射工序，對粘合片照射紫外線；W 及（f)拾取工序，自粘合片拾取半導體忍片。
[0024]另外，本發(fā)明還提供一種電子元件的制造方法，所述制造方法包括W 60~150°C對貼附有粘合片的電子元件進行加熱的工序。作為所述粘合片，為在低熱收縮率及低線膨 脹系數(shù)的基材上層積光硬化型粘著劑層而制成的粘合片，光硬化型粘著劑包含（甲基）丙 締酸共聚物、光聚合性化合物、多官能異氯酸醋硬化劑W及光聚合起始劑，且所述粘著劑層 不包含增粘樹脂。
[0025]在此，于"增粘樹脂"中包含為了提高丙締酸類粘著劑的粘著性的常規(guī)配制的樹 月旨，例如松香類樹脂、祗締類樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、氨化石油樹脂、苯并 巧喃-巧樹脂、苯乙締類樹脂、二甲苯樹脂W及運些樹脂的混合物等。
[0026]發(fā)明的效果
[0027]根據(jù)本發(fā)明，提供一種在加熱時不會輕易發(fā)生粘合片變形或粘著劑層軟化的粘合 片，能在加熱半導體晶圓的狀態(tài)下進行檢查。傳統(tǒng)的在加熱狀態(tài)下的晶圓檢查是在半導體 的封裝工序后進行，但是，根據(jù)本發(fā)明，在加熱狀態(tài)下的晶圓檢查能在封裝工序前進行。意 即，依據(jù)本發(fā)明，能在封裝工序前判別加熱狀態(tài)下的不良忍片，因此，所述不良忍片不會進 行封裝，因而可降低封裝成本。
【具體實施方式】
[002引 W下，說明本發(fā)明的優(yōu)選實施形態(tài)。此外，W下說明的實施形態(tài)僅為本發(fā)明的代表 性實施形態(tài)的一例，對本發(fā)明的范圍的解釋并不會因此而狹窄。
[0029] 1.粘合片
[0030] (1)基材
[0031] (2)光硬化型粘著劑
[0032] (2-1)不包含增粘樹脂
[0033] (2-2)(甲基）丙締酸共聚物
[0034] (2-3)光聚合性化合物
[0035] (2-4)多官能異氯酸醋硬化劑
[0036] (2-5)光聚合起始劑
[0037] 2.電子元件的制造方法 陽03引 （1)貼附工序
[0039] 似加熱工序W40] 0)切割工序
[0041] (4)紫外線照射工序 陽0創(chuàng) 妨拾取工序 柳43] 1.粘合片
[0044] 本發(fā)明的粘合片，是在低熱收縮率及低線膨脹系數(shù)的基材上層積光硬化型粘著劑 層（W下，單純稱為"粘著劑層"）而成，其特征在于在粘著劑層中不包含增粘樹脂。本發(fā)明 的粘合片在被加熱的情況下也不會產生變形。另外，本發(fā)明的粘合片不會產生起因于增粘 樹脂軟化的粘著劑層的軟化，故不會過度地粘著于半導體晶圓等。因此，本發(fā)明的粘合片， 可防止粘合片的變形所造成較長的檢查時間及半導體忍片的破損。并且，可藉由紫外線等 照射充分降低粘著劑層的粘著力，且可W防止拾取不良及粘著劑殘留。 W45] (1)基材
[0046] 作為基材的材料，優(yōu)選W150°C加熱30分鐘后的熱收縮率為1%W下。熱收縮率 一旦大于1%，則可能會產生在加熱時基材收縮導致粘合片變形的情況。在此，熱收縮率為 根據(jù)下式求出的值。
[0047] 〇i)-Ll)/LOX100(% ) W4引L0:加熱前的基材長度（10cm) W例 L1:W150°C加熱30分鐘，冷卻至室溫后的基材長度
[0050] 另夕F，基材的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為5.0X10W下。線膨脹系數(shù)一旦大于 5. 0X10 ^Κ，則貼附粘合片的環(huán)狀框架與被測物的半導體晶圓和忍片之間的線膨脹系數(shù)差 會變大，可能會造成粘合片變形。作為運種基材，可列舉聚糞二甲酸乙二醋（PEN)、聚苯硫酸 (PPS)、聚酸酸酬（PEEK)、聚酷胺酷亞胺（PAI)、聚酷亞胺（PI)等的塑料基材、和紙及高質量 紙、玻璃紙、皺紋紙等的紙基材。另外，也可為利用乳膠等對紙基材進行浸潰、填充處理者。
[0051] 基材可為由上述材料構成的單層或多層的薄膜或者薄片，也可為層積不同材料構 成的薄膜等而形成?；牡暮穸葹?0~200μm，優(yōu)選為70~150μm。
[0052] 對于基材，優(yōu)選施行抗靜電處理。作為抗靜電處理，有向基材添加抗靜電劑的處 理、向基材表面涂布抗靜電劑的處理、藉由電暈放電的處理。