在室溫下攪拌0.5-2小時(shí)；
b)配置散熱漿料:按重量百分將20%石墨烯、1%碳納米管、15%碳化硅以、25%氮化硼倒入25%丙酮中，在室溫下攪拌0.5-3小時(shí)，然后加入14%的步驟a所制備的粘結(jié)劑中，繼續(xù)攪拌2~8小時(shí)；
c)涂布及烘干處理:將步驟b制備的散熱漿料用光輥涂布工藝均勻涂布至銅箔表面，然后加熱烘干處理，加熱溫度為45~55°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘，即可獲得所需的高導(dǎo)熱納米碳銅箔。
[0015]
實(shí)施例4:
一種高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，它包括以下工藝步驟:
a)配置粘結(jié)劑:按重量百分比將20%聚丙烯酸酯倒入80%的水中，并在室溫下攪拌
0.5-2小時(shí)；
b)配置散熱漿料:按重量百分將19%石墨烯、14%碳納米管、20%碳化硅以、2%氮化硼倒入25%水中，在室溫下攪拌0.5-3小時(shí)，然后加入20%的步驟a所制備的粘結(jié)劑中，繼續(xù)攪拌2~8小時(shí)；
c)涂布及烘干處理:將步驟b制備的散熱漿料用光輥涂布工藝均勻涂布至銅箔表面，然后加熱烘干處理，加熱溫度為65~75°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘，即可獲得所需的高導(dǎo)熱納米碳銅箔。
[0016]
實(shí)施例5:
一種高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，它包括以下工藝步驟:
a)配置粘結(jié)劑:按重量百分比將15%聚丙烯酸酯倒入85%的水中，并在室溫下攪拌
0.5-2小時(shí)；
b)配置散熱漿料:按重量百分將20%石墨烯、15%碳納米管、20%碳化硅以、21%氮化硼倒入4%水中，在室溫下攪拌0.5-3小時(shí)，然后加入20%的步驟a所制備的粘結(jié)劑中，繼續(xù)攪拌2~8小時(shí)； c)涂布及烘干處理:將步驟b制備的散熱漿料用光輥涂布工藝均勻涂布至銅箔表面，然后加熱烘干處理，加熱溫度為65~75°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘，即可獲得所需的高導(dǎo)熱納米碳銅箔。
[0017]
實(shí)施例6:
一種高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，它包括以下工藝步驟:
a)配置粘結(jié)劑:按重量百分比將25%環(huán)氧樹脂倒入75%的N，N-二甲基甲酰胺中，并在室溫下攪拌0.5-2小時(shí)；
b)配置散熱漿料:按重量百分將20%石墨烯、10%碳納米管、20%碳化硅以、25%氮化硼倒入20%N，N- 二甲基甲酰胺中，在室溫下攪拌0.5-3小時(shí)，然后加入5%的步驟a所制備的粘結(jié)劑中，繼續(xù)攪拌2~8小時(shí)；
c)涂布及烘干處理:將步驟b制備的散熱漿料用光輥涂布工藝均勻涂布至銅箔表面，然后加熱烘干處理，加熱溫度為75~85°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘，即可獲得所需的高導(dǎo)熱納米碳銅箔。
[0018]由于本發(fā)明粘結(jié)劑選用樹脂和極性溶劑，成膜機(jī)理為揮發(fā)成膜，期間無任何化學(xué)反應(yīng)，使得成品的質(zhì)量更加穩(wěn)定；另外，漿料配置使高導(dǎo)熱填料在高分子基體中的分散更加均勻，實(shí)現(xiàn)了高導(dǎo)熱納米填料在粘結(jié)劑體系中的優(yōu)異分散；另外涂布采用光輥涂布工藝，將散熱漿料轉(zhuǎn)移至銅箔表面從而完成涂布，通過調(diào)整上膠輥和涂布輥的間隙即可控制涂布量，涂布效果較好、涂層厚度靈活可控、涂布精度高。
[0019]雖然已經(jīng)在此處描述了【具體實(shí)施方式】，但應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所披露的實(shí)施方式僅僅是本發(fā)明的典型例子而已，其可體現(xiàn)為各種形式。因此，這里披露的具體細(xì)節(jié)不被認(rèn)為是限制性的，而僅僅是作為權(quán)利要求的基礎(chǔ)以及作為用于教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員以實(shí)際中任何恰當(dāng)?shù)姆绞讲煌貞?yīng)用本發(fā)明的代表性的基礎(chǔ)，包括采用這里所披露的各種特征并結(jié)合這里可能沒有明確披露的特征。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于包括以下工藝步驟: a)配置粘結(jié)劑:該粘結(jié)劑按重量百分比包括:5~40%樹脂和60~95%的極性溶劑，將樹脂倒入極性溶劑中并在室溫下攪拌0.5-2小時(shí)； b)配置散熱漿料:該散熱漿料按重量百分比包括1~20%石墨烯、1~15%碳納米管、1-20%碳化硅以、2~25%氮化硼，4~25%極性溶劑和5~20%的步驟a所制備的粘結(jié)劑，首先按上述重量百分比將石墨烯、碳納米管、碳化硅、氮化硼分別倒入裝有極性溶劑的容器中，在室溫下攪拌0.5-3小時(shí)，然后加入上述重量百分比的步驟a所制備的粘結(jié)劑中，繼續(xù)攪拌2-8小時(shí)； c)涂布及加熱烘干處理:將步驟b制備的散熱漿料均勻涂布至銅箔表面，然后加熱烘干處理，即可獲得所需的高導(dǎo)熱納米碳銅箔。2.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:所述步驟a中的樹脂為聚偏氟乙烯或環(huán)氧樹脂或聚氨酯或聚丙烯酸酯。3.如權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:所述步驟a和步驟b中的極性溶劑為N-甲基吡咯烷酮。4.如權(quán)利要求3所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:在所述步驟c的加熱烘干處理中，加熱溫度為85~95°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘。5.如權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:所述步驟a和步驟b中的極性溶劑為N，N- 二甲基甲酰胺。6.如權(quán)利要求5所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:在所述步驟c的加熱烘干處理中，加熱溫度為75~85°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘。7.如權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:所述步驟a和步驟b中的極性溶劑為丙酮。8.如權(quán)利要求7所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:在所述步驟c的加熱烘干處理中，加熱溫度為45~55°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘。9.如權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:所述步驟a和步驟b中的極性溶劑為水。10.如權(quán)利要求9所述的高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，其特征在于:在所述步驟c的加熱烘干處理中，加熱溫度為65~75°C，加熱時(shí)間為2~10分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高導(dǎo)熱納米碳銅箔的制備方法，包括以下工藝步驟：a）配置粘結(jié)劑；b)配置散熱漿料；c)涂布及加熱烘干處理：將步驟b制備的散熱漿料均勻涂布至銅箔表面，然后加熱烘干處理，即可獲得所需的高導(dǎo)熱納米碳銅箔。
【IPC分類】C09D133/04, C09D127/16, C09D7/12, H05K7/20, C09D175/04, C09D163/00
【公開號(hào)】CN105086659
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510491809
【發(fā)明人】屈潔昊
【申請(qǐng)人】嘉興中易碳素科技有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年8月12日