專利名稱：：發(fā)光裝置及以該發(fā)光裝置為光源的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及以其為光源的顯示裝置。特別是，本發(fā)明涉及具有高陰極射線致發(fā)光的發(fā)光效率的發(fā)光裝置及以其為光源的顯示裝置。
背景技術(shù)：
：可以向裝置外發(fā)光的裝置被稱為發(fā)光裝置。另外，發(fā)光裝置可以具有前基板和后基板，前基板上形成磷光體層和陽極電極，后基板上形成電子發(fā)射區(qū)域和驅(qū)動電極。前基板和后基板的周邊由密封構(gòu)件結(jié)合到一起，以形成密封的內(nèi)部空間，然后抽空該內(nèi)部空間，由此形成真空的容器。典型地，發(fā)光裝置的驅(qū)動電極包括陰極電極和柵極電極。在一個實施例中，柵極電極定位在陰極電極上，并且形成在與陰極電極相交的方向上。電子發(fā)射區(qū)域形成在陰極電極和柵極電極的交叉區(qū)域處。在另一個實施例中，驅(qū)動電極可以具有梳狀圖案，并且包括交替設(shè)置的陰極電極和柵極電極。這里，電子發(fā)射區(qū)域設(shè)置在對應(yīng)的陰極電極的面對對應(yīng)的柵極電極的側(cè)面上。發(fā)光裝置通過結(jié)合陰極電極與柵極電極而具有多個像素。設(shè)定(或預(yù)定)的驅(qū)動電壓施加給陰極電極和柵極電極，以控制每個像素的電子發(fā)射區(qū)域的輸出(或發(fā)射)電流(或電子)的量。這樣，發(fā)光裝置控制每個像素磷光體層的亮度。這里，發(fā)光裝置可以用作具有非自發(fā)射顯示面板(如液晶顯示面板)的顯示裝置的光源。金屬反射層可以設(shè)置在磷光體層的一個表面上，該磷光體層形成在前基板上。金屬反射層將從磷光體層發(fā)射的可見光中射向后基板的可見光朝著前基板側(cè)反射，以增加發(fā)光表面的亮度。金屬反射層也可以稱為金屬背層(backlayer)。為了進一步改善磷光體層的陰極發(fā)光(CL)效率，需要改善金屬反射層的反射效率。在
背景技術(shù)：
部分中公開的上述信息僅用于增強對本發(fā)明背景的理解，因此它會包含不形成本國、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實施例的各方面旨在具有高陰極發(fā)光效率的發(fā)光裝置和以其為光源的顯示裝置。本發(fā)明實施例的另一些方面針對于通過改善反射層的反射率而能改善磷光體層的陰極發(fā)光效率的發(fā)光裝置及采用該發(fā)光裝置作為光源的顯示裝置。本發(fā)明實施例的各方面不限于上面描述的各方面。根據(jù)本發(fā)明的實施例，發(fā)光裝置提供為包括第一基板和第二基板，彼此面對且其間具有真空區(qū)域；電子發(fā)射區(qū)域，設(shè)在第一基板面對第二基板的表面；驅(qū)動電極，設(shè)在第一基板的表面，用于控制從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射電子的量；陽極，設(shè)在第二基板面對第一基板的表面；磷光體層，設(shè)在陽極的一個表面上，用于接收從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子的至少一部分；以及反射層，覆蓋磷光體層，其中反射層包括第一反射層和第二反射層，第一反射層包5括Al，第二反射層包括Ag。反射層通過用第一反射層覆蓋磷光體層且用第二反射層覆蓋第一反射層而提供，或者通過用第二反射層覆蓋磷光體層且用第一反射層覆蓋第二反射層而提供。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，所提供的顯示裝置包括發(fā)光裝置和顯示面板，顯示面板設(shè)置為接收從發(fā)光裝置發(fā)射的光。本發(fā)明的示范性實施例的其它具體特征在下面的詳細描述中予以描述。這里，根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置改善了反射層的反射率，從而提供具有改善的陰極發(fā)光效率的磷光體。附圖與說明書一起圖解本發(fā)明的實施例，并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置的部分截面圖2是示出圖1所示發(fā)光裝置的有效區(qū)域內(nèi)部的分解透視示意圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的發(fā)光裝置的部分截面圖4是示出根據(jù)本發(fā)明再一個實施例的顯示裝置的分解透視示意圖5是示出圖4所示顯示裝置的部分截面圖；圖6是示出由示例1和比較示例2至4獲得的反射層的反射率的圖線。具體實施例方式在下面的詳細描述中，僅借助于圖解示出和描述了本發(fā)明的特定示范性實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施而不應(yīng)解釋為限于在此闡述的實施例。而且，在本申請的上下文中，當(dāng)元件被稱為"在另一個元件上"時，它可以直接在另一個元件上，或者間接在另一個元件上而其間設(shè)有一個或多個插入元件。相同的附圖標(biāo)記通篇指代相同的元件。在下文，將更加詳細地描述本發(fā)明的示范性實施例。然而，這些實施例僅為示例，本發(fā)明不限于此。根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，所提供的發(fā)光裝置包括第一基板和第二基板，設(shè)置為彼此面對，二者之間具有真空區(qū)域；電子發(fā)射區(qū)域，設(shè)置在第一基板面對第二基板的表面(在下文也稱為第一基板的內(nèi)表面)；驅(qū)動電極，設(shè)置在第一基板的內(nèi)表面，并且用于控制電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射電子的量；陽極電極，設(shè)置在第二基板面對第一基板的表面(在下文稱為第二基板的內(nèi)表面)；磷光體層，形成在陽極電極的一個表面上，以接收從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子的至少一部分；以及反射層，覆蓋磷光體層。反射層包括第一反射層和第二反射層，第一反射層包括Al，第二反射層包括Ag。根據(jù)一個實施例，反射層通過用第一反射層覆蓋磷光體層且用第二反射層覆蓋該第一反射層而形成，或者通過用第二反射層覆蓋磷光體層且用第一反射層覆蓋第二反射層而形成。換言之，發(fā)光裝置依次包括陽極電極、在陽極電極上的磷光體層、在磷光體層上的第一反射層以及在第一反射層上的第二反射層，或者依次包括陽極電極、在陽極電極上的磷光體層、在磷光體層上的第二反射層以及在第二反射層上的第一反射層。6另外，發(fā)光裝置可以包括在磷光體層和反射層之間的反射空間。反射空間可以通過在制造過程中在磷光體層上提供中間膜(intermediatefilm)并且在烘焙工藝中去除該中間膜而形成。就是說，能夠在烘焙工藝期間去除的包括有機溶劑和樹脂的混合物涂覆在磷光體層上而提供中間膜，然后在該中間膜上形成反射層。在后續(xù)的烘焙工藝期間，去除樹脂和有機溶劑而提供反射空間。在執(zhí)行形成中間膜的工藝時，可以改善反射層的附著強度，減小磷光體層的粗糙度并增加光滑度，由此改善反射率。樹脂可以通過混合乙基纖維素、硝基纖維素(nitrocellulose)和丙烯醛基(acryl-based)樹脂等的至少之一而制備，有機溶劑可以通過混合2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇一異丁酯(texanol)、松油醇和/或丁基卡必醇等而制備。第一反射層可以由形成Al反射層的任何合適的工藝形成，且其代表性示例可以包括A1熱蒸發(fā)、A1層壓、A1漆涂(lacquering)和/或Al濺射等。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一反射層的厚度在200A到3000A之間。在一個實施例中，當(dāng)?shù)谝环瓷鋵拥暮穸鹊陀?00A時，反射率下降。在另一個實施例中，當(dāng)?shù)谝环瓷鋵拥暮穸瘸^3000A時，電子的傳輸效率下降。在一個實施例中，第二反射層這樣形成，在磷光體層的一個表面或第一反射層的一個表面上噴涂(spray-coating)包括Ag鹽、添加劑和溶劑的金屬混合物，并且將其干燥。根據(jù)一個實施例，Ag鹽選自由Ag硝酸鹽、Ag氯化物、Ag醋酸鹽及其組合組成的組。另外，添加劑可以通過混合分散劑或還原劑的至少一種而制備。分散劑可以是四元酸(quadribasicacid)，如乙二胺四乙酸，還原劑可以選自由NaBH4、肼(hydrazine)、乙胺(ethylamine)及其組合組成的組。根據(jù)一個實施例，添加劑選自由分散劑、還原劑及其結(jié)合組成的組，其與金屬混合的重量比為0.25:l至2:1。在一個實施例中，當(dāng)添加劑包括分散劑和還原劑二者時，金屬、分散劑和還原劑混合的重量比為i:0.25:0.5至i:i:i。溶劑可以選自由H20、Na4OH、NaOH及其組合組成的組。在該混合物中，可以采用5wt^到20wt^之間的金屬鹽，并且可以采用5wt^和20wt^之間的添加劑。在采用分散劑和還原劑一起作為添加劑時，混合比可以適當(dāng)調(diào)整?？梢栽贗O(TC到45(TC之間的溫度執(zhí)行干燥工藝。在一個實施例中，在40(TC到45(TC之間的溫度執(zhí)行干燥工藝，以減少(或防止)在真空密封工藝期間產(chǎn)生殘留氣體。Ag鹽中的Ag離子在干燥工藝期間被還原為Ag而提供第二反射層，從而第二反射層具有納米尺寸的Ag，以提供致密且均勻的厚度。另外，用作添加劑的分散劑和還原劑等在后續(xù)的烘焙工藝期間被去除，從而它們不存在于最終的發(fā)光裝置中。根據(jù)一個實施例，第二反射層的厚度在200A到3000A之間。在一個實施例中，當(dāng)?shù)诙瓷鋵拥暮穸鹊陀?00A時，反射效率下降。在另一個實施例中，當(dāng)?shù)诙瓷鋵拥暮穸却笥?000A時，電子傳輸效率下降。發(fā)光裝置的反射層包括用于傳輸電子束的精細孔，并且將從磷光體層朝著第一基板發(fā)射的可見光反射到第二基板側(cè)，從而改善了發(fā)光表面的亮度。磷光體層可以用白磷光體形成，白磷光體是紅磷光體、綠磷光體和藍磷光體的混合。紅磷光體選自由Y203:Eu、Y202S:Eu、SrTi03:Pr及其組合組成的組，并且綠磷光體選自由Y2Si05:Tb、Gd202S:Tb、ZnS:(Cu，Al)、ZnSi04:Mn、Zn(Ga，Al)204:Mn、SrGa2S4:Eu及其組合組成的組。另外，藍磷光體選自由ZnS:(Ag，Al)、Y2Si05:Ce、BaMgAl^O^Eu及其組合組成的組。根據(jù)一個實施例，在磷光體層中，紅磷光體、綠磷光體和藍磷光體混合的重量比為15:30:24至30:60:45。在一個實施例中，在紅磷光體、綠磷光體和藍磷光體的混合比在上面描述的范圍內(nèi)，將其應(yīng)用于發(fā)光裝置，且該發(fā)光裝置用作顯示裝置的光源而提供白光時，由該發(fā)光裝置產(chǎn)生的光可以具有改善的亮度，且具有顯示面板透射的合適的色坐標(biāo)(colorcoordinate)。在下文，參考圖1和圖2圖解具有第一反射層36和第二反射層38的發(fā)光裝置100的實施例。然而，圖l和圖2僅圖解了具有反射層的發(fā)光裝置的一個實施例，而本發(fā)明不限于此。圖1是示出本發(fā)明一個實施例的部分截面圖，圖2是示出圖1所示發(fā)光裝置的有效區(qū)域內(nèi)部的分解透視示意圖。發(fā)光裝置100包括第一基板12和第二基板14，第一基板12和第二基板14設(shè)置為彼此面對且二者之間具有真空區(qū)域(或者預(yù)定距離)。在第一基板12和第二基板14的邊緣部分(或邊緣)，密封構(gòu)件16設(shè)置為將基板12和14接合在一起。真空區(qū)域排空到約10—6托(Torr)的真空度，從而提供包括第一基板12、第二基板14和密封構(gòu)件16的真空面板18。第一基板12、第二基板14和密封構(gòu)件16限定的區(qū)域可以分隔成對發(fā)射可見光具有貢獻的有效區(qū)域和圍繞有效區(qū)域的非有效區(qū)域。發(fā)射電子的電子發(fā)射單元20位于由第一基板12限定的有效區(qū)域中，并且發(fā)射可見光的發(fā)光單元22位于由第二基板14限定的有效區(qū)域中。電子發(fā)射單元20包括電子發(fā)射區(qū)域24和控制電子發(fā)射區(qū)域24發(fā)射電流量的驅(qū)動電極。驅(qū)動電極包括陰極電極26和柵極電極30，陰極電極26沿著第一基板12的第一方向(例如，圖l和2中的y軸方向)形成條形圖案，柵極電極30在陰極電極26的上部上沿著與陰極電極26的第一方向交叉的第二方向(例如，圖l和2中的x軸方向)形成條形圖案，陰極電極26和柵極電極30之間具有絕緣層28。柵極電極30和絕緣層28在陰極電極26和柵極電極30的每個交叉區(qū)域處具有開口301和281，以暴露陰極電極26的表面的一部分。電子發(fā)射區(qū)域24形成在絕緣層28的開口281內(nèi)的陰極電極26上。電子發(fā)射區(qū)域24可以包括選自由在真空下通過施加電場而發(fā)射電子的材料組成的組的任何合適的材料，例如，碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石狀碳、富勒烯、硅納米線及其組合。重疊陰極電極26和柵極電極30的一個交叉區(qū)域可以對應(yīng)于發(fā)光裝置100的一個像素區(qū)域，或者兩個或多個交叉區(qū)域可以對應(yīng)于發(fā)光裝置100的一個像素區(qū)域。發(fā)光單元22包括陽極電極32、設(shè)置在陽極電極32的一個表面上的磷光體層34以及覆蓋磷光體層34的反射層36和38。陽極電極32用透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(IT0)形成，以在施加有5kV或更高的高電壓(陽極電壓)時保持磷光體層34在高電勢狀態(tài)，并且透射由磷光體層34發(fā)射的可見光。反射層36和38朝著第二基板14側(cè)反射射向第一基板12的可見光，從而增加發(fā)光表面的亮度。另一方面，可以省略陽極電極32，則反射層36和38施加有陽極電壓，以擔(dān)當(dāng)陽極電極的作用。8磷光體層34可以由紅磷光體、綠磷光體和藍磷光體混合的白磷光體組成。如圖1和2所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的反射層可以包括第二反射層38和在磷光體層34與第二反射層38之間的第一反射層36。而且，如圖3所示，在根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的發(fā)光裝置100'的形成期間，中間膜39可以在磷光體層34與反射層36和38之間形成以覆蓋磷光體層34。中間膜39保證了磷光體層34與反射層36和38之間的用于反射可見光的反射空間以改善反射率。然后，在烘焙工藝期間去除中間膜39以提供反射空間。圖4示出了采用發(fā)光裝置100作為光源的根據(jù)本發(fā)明再一個實施例的發(fā)顯示置200。如圖4所示，顯示裝置200包括發(fā)光裝置100和設(shè)置在發(fā)光裝置100前面的顯示面板60。漫射體52設(shè)置在發(fā)光裝置100和顯示面板60之間。顯示面板60包括液晶面板或其它合適的非自發(fā)射顯示面板。在下文，更加詳細地描述顯示面板60為液晶面板的情況。圖5是圖4所示的顯示面板的部分截面圖。參考圖5，顯示面板60包括形成有多個薄膜晶體管(TFT)62的下基板64、形成有濾色器層66的上基板68以及注入在基板64和68之間的液晶層70。偏光片72和74分別附著在上基板68的上表面和下基板64的下表面，以偏振透射通過顯示面板60的光。透明像素電極76(每個透明像素電極76都由每個子像素的TFT62驅(qū)動和/或控制)設(shè)置在下基板64面對上基板68的表面上，透明公用電極78設(shè)置在上基板68面對下基板64的表面上。濾色器層66包括紅色濾光片層66R、綠色濾光片層66G和藍色濾光片層66B，其每一個都為子像素而設(shè)置。在導(dǎo)通特定子像素的TFT62時，像素電極76和公用電極78之間形成電場。該電場改變液晶分子的排列角度，由此改變光的透射率。顯示面板60通過這樣的處理控制每個像素的亮度和發(fā)光顏色。圖4中的附圖標(biāo)記80表示用于給每個TFT的柵極電極傳輸柵極驅(qū)動信號的柵極印刷電路板組件(PBA)，附圖標(biāo)記82表示用于給每個TFT的源極電極傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)印刷電路板組件(PBA)。參考圖4，發(fā)光裝置100的像素數(shù)量少于顯示面板60，以允許發(fā)光裝置100的一個像素對應(yīng)于顯示面板60的兩個或多個像素。發(fā)光裝置100的每個像素可以響應(yīng)于顯示面板60的多個對應(yīng)像素的灰度當(dāng)中最高的灰度而發(fā)光，并且可以表示2至8位灰度級中的灰度。為了方便起見，顯示面板60的像素定義為第一像素，發(fā)光裝置100的像素定義為第二像素。對應(yīng)于一個第二像素的第一像素稱為第一像素組。發(fā)光裝置100可以由這樣的程序驅(qū)動，該程序包括①用控制顯示面板60的信號控制部分檢測形成第一像素組的各第一像素的灰度中的最高灰度；②根據(jù)檢測的最高灰度來決定和/或計算第二像素中發(fā)光所需的灰度，以將其轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；③采用該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)產(chǎn)生發(fā)光裝置100的驅(qū)動信號；以及④將所產(chǎn)生的驅(qū)動信號施加給發(fā)光裝置100的驅(qū)動電極。在一個實施例中，發(fā)光裝置100的驅(qū)動信號包括掃描驅(qū)動信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動信號。在一個實施例中，驅(qū)動電極包括如上所述的陰極電極26和柵極電極30。在一個實施例中，9例如，柵極電極30施加有掃描驅(qū)動信號，陰極電極26施加有數(shù)據(jù)驅(qū)動信號。驅(qū)動發(fā)光裝置100的掃描印刷電路板組件(PBA)和數(shù)據(jù)印刷電路板組件(PBA)可以設(shè)置在發(fā)光裝置100的后表面。根據(jù)本發(fā)明的實施例，圖4中的附圖標(biāo)記84表示將陰極電極26連接到數(shù)據(jù)印刷電路板組件(PBA)的第一連接構(gòu)件，附圖標(biāo)記86表示將柵極電極30連接到掃描印刷電路板組件(PBA)的第二連接構(gòu)件。附圖標(biāo)記88表示給陽極電極32施加陽極電壓的第三連接構(gòu)件。如上所述，在圖像表達在對應(yīng)于發(fā)光裝置100的第二像素的第一像素組中時，第二像素與第一像素組同步以發(fā)射設(shè)定的(或者預(yù)定的)灰度的光。換言之，發(fā)光裝置ioo給在由顯示面板60表達的屏幕中的亮區(qū)域提供高亮度光，而給暗區(qū)域提供低亮度光。從而，根據(jù)圖4和5的實施例的顯示裝置200可以增加其對比度，并且改善其更清晰的圖像質(zhì)量。下面的示例更加詳細地說明了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不受這些示例的限制。比較示例1通過在玻璃基板上鍍覆Cr而制備反射層。比較示例2通過在玻璃基板上濺射Al而制備反射層。比較示例3通過在玻璃基板上沉積Ag而制備反射層。示例1通過在Na40H溶劑中以20:10:20wt%的比率混合AgN03、乙二胺四乙酸的分散劑和肼的還原劑而制備混合物。該混合物噴涂在玻璃基板上，并且在40(TC干燥，以提供反射層。比較示例4反射層根據(jù)超鏡法(SuperMirrormethod)在玻璃基板上用不銹鋼制備。測量了由示例1和比較示例1至4獲得的反射層以確定反射率，并且結(jié)果如圖6所示。表1示出了在約1000nm的波長下測量示例1和比較示例1至2獲得的反射層的結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>如表1和圖6所示，噴涂Ag的示例1具有最好的反射率結(jié)果。如圖6所示，沉積Ag的比較示例3顯示出比示例1更低的反射率。另外，這樣的沉積工藝具有需要附加設(shè)備的困難問題，特別是難于產(chǎn)生諸如反射層的厚層。這樣，可以得出Ag噴涂工藝提供的反射層比Ag沉積工藝獲得的反射層能改善反射率。應(yīng)當(dāng)理解的是，通過Ag沉積工藝形成反射層的比較示例3的反射率和根據(jù)超鏡法用不銹鋼形成反射層的比較示例4的反射率基本上低于示例1。示例2IOOOA厚Al的第一反射層通過在中間膜的一個表面上沉積Al而制備，該中間膜形成在具有圖3所示結(jié)構(gòu)的白磷光體層上。通過在N0H溶劑中以20:10:20wt^的比率混合AgN03、乙二胺四乙酸的分散劑和肼的還原劑而制備的混合物噴涂在Al第一反射層上，并且在40(TC干燥，以提供Ag第二反射層。第二反射層的厚度為2000A。比較示例5除了Ag第二反射層通過沉積工藝制備外，反射層根據(jù)與示例1相同的工藝制備。測量由示例2和比較示例5獲得的反射層以決定陰極發(fā)光效率，其結(jié)果如下面的表2所示。表2CL效率比較示例5191m/W示例2231m/W如表2所示，比較A1反射層的CL效率，通過沉積工藝制備比通過噴涂工藝涂覆的Al反射層具有更好的CL效率。本發(fā)明不限于以附圖和表說明的實施例，而是可以在包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員制作成各種修改和等同方案。因此，前述實施例應(yīng)當(dāng)理解為示范性的，而不是以任何形式限定本發(fā)明。盡管本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合一定的示范性實施例進行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同方案以及它們的等同物。權(quán)利要求一種發(fā)光裝置，包括第一基板和第二基板，彼此面對且二者之間具有真空區(qū)域；電子發(fā)射區(qū)域，設(shè)在第一基板的面對所述第二基板的表面；驅(qū)動電極，設(shè)在所述第一基板的所述表面，且用于控制從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射電子的量；陽極，設(shè)在所述第二基板的面對所述第一基板的表面；磷光體層，設(shè)在所述陽極的一個表面上，并且用于接收從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的所述電子的至少一部分；以及反射層，覆蓋所述磷光體層，其中所述反射層包括第一反射層和第二反射層，所述第一反射層包括Al，所述第二反射層包括Ag。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第一反射層覆蓋所述磷光體層，所述第二反射層覆蓋所述第一反射層。3.如權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其中所述第二反射層覆蓋所述磷光體層，并且所述第一反射層覆蓋所述第二反射層。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第二反射層用分散劑噴涂形成，其中所述分散劑是四元酸。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第二反射層用添加劑和金屬噴涂形成，其中所述添加劑和所述金屬混合的重量比在約0.25:l到約2:l之間。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第一反射層的厚度在約200A到約3000A之間。7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第二反射層的厚度在約200A到約3000A之間。8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第二反射層用包括Ag鹽、添加劑和溶劑的金屬混合物噴涂形成在所述磷光體層的一個表面或所述第一反射層的一個表面上。9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述Ag鹽選自由Ag硝酸鹽、Ag氯化物、Ag醋酸纖維素及其組合組成的組。10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述磷光體層是白磷光體，并且所述白磷光體是紅磷光體、綠磷光體和藍磷光體的混合物。11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中所述紅磷光體選自由Y203:Eu、Y202S:Eu、SrTi03:Pr及其組合組成的組；所述綠磷光體選自由Y2Si05:Tb、Gd202S:Tb、ZnS:(Cu，Al)、ZnSi04:Mn、Zn(Ga，Al)204:Mn、SrGa2S4:Eu及其組合組成的組；所述藍磷光體選自由ZnS:(Ag，Al)、Y2Si05:Ce、BaMgAl10017:Eu及其組合組成的組。12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中所述紅磷光體、所述綠磷光體和所述藍磷光體以在約15:30:24到約30:60:45之間的重量比混合。13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述驅(qū)動電極包括彼此交叉的陰極電極和柵極電極且二者之間具有絕緣層，并且所述陰極電極和所述柵極電極重疊的交叉區(qū)域在位置上對應(yīng)于所述發(fā)光裝置的像素區(qū)域。14.一種顯示裝置，包括發(fā)光裝置，用于發(fā)光；以及顯示面板，用于接收從所述發(fā)光裝置發(fā)射的光，其中所述發(fā)光裝置包括第一基板和第二基板，彼此面對且二者之間具有真空區(qū)域；電子發(fā)射區(qū)域，設(shè)在所述第一基板的面對所述第二基板的表面；驅(qū)動電極，設(shè)在所述第一基板的所述表面，且用于控制從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射電子的量；陽極，設(shè)在所述第二基板的面對所述第一基板的表面；磷光體層，設(shè)在所述陽極的一個表面上，并且用于接收從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的所述電子的至少一部分；以及反射層，覆蓋所述磷光體層，其中所述反射層包括第一反射層和第二反射層，所述第一反射層包括A1，所述第二反射層包括Ag。15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述顯示面板包括多個第一像素，所述發(fā)光裝置包括多個第二像素，所述多個第二像素的數(shù)量小于所述第一像素的數(shù)量，并且其中所述第二像素的每個都對應(yīng)于所述第一像素的至少兩個對應(yīng)像素的最高灰度而獨立發(fā)光。16.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述顯示面板是液晶面板。17.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第一反射層覆蓋所述磷光體層，所述第二反射層覆蓋所述第一反射層。18.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第二反射層覆蓋所述磷光體層，所述第一反射層覆蓋所述第二反射層。19.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第二反射層用分散劑噴涂形成，其中所述分散劑是四元酸。20.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第二反射層用添加劑和金屬噴涂形成，其中所述添加劑和所述金屬混合的重量比在約0.25:l到約2:l之間。21.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第一反射層的厚度在約200A到約3000A之間。22.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第二反射層的厚度在約200A到約3000A之間。23.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第二反射層用包括Ag鹽、添加劑和溶劑的金屬混合物噴涂形成在所述磷光體層的一個表面或所述第一反射層的一個表面上。24.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中所述Ag鹽選自由Ag硝酸鹽、Ag氯化物、Ag醋酸纖維素及其組合組成的組。25.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述磷光體層是白磷光體，且所述白磷光體是紅磷光體、綠磷光體和藍磷光體的混合物。26.如權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述紅磷光體選自由Y203:Eu、Y2028:Eu、SrTi03:Pr及其組合組成的組；所述綠磷光體選自由Y2Si05:Tb、Gd202S:Tb、ZnS:(Cu，Al)、ZnSi04:Mn、Zn(Ga，Al)204:Mn、SrGa2S4:Eu及其組合組成的組；所述藍磷光體選自由ZnS:(Ag，Al)、Y2Si05:Ce、BaMgAl10017:Eu及其組合組成的組。27.如權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述紅磷光體、所述綠磷光體和所述藍磷光體以在約15:30:24到約30:60:45之間的重量比混合。28.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述驅(qū)動電極包括彼此交叉的陰極電極和柵極電極且二者之間具有絕緣層，并且由所述陰極電極和所述柵極電極重疊的交叉區(qū)域在位置上對應(yīng)于所述發(fā)光裝置的像素區(qū)域。全文摘要本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及以該發(fā)光裝置為光源的顯示裝置，該發(fā)光裝置包括第一基板和第二基板，彼此面對且二者之間具有真空區(qū)域；電子發(fā)射區(qū)域，設(shè)在第一基板面對第二基板的表面；驅(qū)動電極，設(shè)在第一基板的表面，且用于控制從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射電子的量；陽極，設(shè)在第二基板面對第一基板的表面；磷光體層，設(shè)在陽極的一個表面上，且用于接收從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子；以及反射層，覆蓋磷光體層，其中反射層包括第一反射層和第二反射層，第一反射層包括Al，第二反射層包括Ag。這里，根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置具有高反射的反射層，從而改善磷光體層的陰極發(fā)光效率。文檔編號C09K11/64GK101752194SQ20091025380公開日2010年6月23日申請日期2009年12月8日優(yōu)先權(quán)日2008年12月8日發(fā)明者朱圭楠,李琮熙,李相辰,李邵羅,鄭在仙,金潤珍,金載明申請人:三星Sdi株式會社