專利名稱：含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及復合熒光薄膜及其制備方法，具體是指含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
近年來特種工程塑料由于其優(yōu)異的物理、化學性能廣泛應用于航空航天、電子電器、機械制造等領(lǐng)域。典型的代表品種有聚醚醚酮、聚醚砜、聚醚酰亞胺、聚芳醚腈等。這些品種相對于普通工程塑料具有很好的耐熱性和機械性能。目前熒光性復合材料廣泛應用于顯示產(chǎn)品。傳統(tǒng)的熒光性復合材料通常是將熒光性助劑與樹脂進行簡單復合制備，這些熒光性助劑一般為低分子量的有機熒光劑。這種熒光性復合材料的缺點是熒光性助劑的加入往往會降低復合材料的使用溫度和力學性能。聚芳醚腈(Polyarylene ether nitriles, PEN)是一類側(cè)鏈上具有腈基的熱塑性聚合物，它是從二十世紀八十年代以來首先為國防軍工和尖端技術(shù)的需求而發(fā)展起來的一類綜合性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)型高分子材料，具有很高的耐熱性、阻燃性、機械強度、防紫外線和抗蠕變性好等優(yōu)良特性。聚芳醚腈在國內(nèi)的研究起于80年代，主要集中在研究合成工藝和配方等方面。國內(nèi)申請關(guān)于聚芳醚腈的發(fā)明專利主要有專利申請?zhí)枮?4113026. 6 的《一種聚芳醚腈及其制造方法》、200610038381. 8的《聚芳醚腈的工業(yè)化生產(chǎn)方法》、 200510038360. 1的《聚芳醚腈高分子無鹵阻燃劑的工業(yè)化生產(chǎn)方法》、200610021306. 0的 《一種含間苯鏈節(jié)的聚芳醚腈共聚物及其制備方法》、200810305720. 3的《一種半晶型聚芳醚醚腈的工業(yè)化生產(chǎn)方法》、ZL200910302012. 9的《聚芳醚腈玻纖復合材料及其制備方法》 等。這些專利均為聚芳醚腈樹脂的合成與復合材料制備相關(guān)內(nèi)容，未涉及聚芳醚腈/稀土復合熒光薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是利用氧化銪作為填充材料，含羧基側(cè)基的聚芳醚腈作為基體材料，通過雜化的方法制備出復合熒光薄膜，所得到的含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜具有強度高、耐高溫和可柔性的特點。本發(fā)明的技術(shù)方案是含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜，包含96 99%質(zhì)量分數(shù)的基體材料和1 4%質(zhì)量分數(shù)的填充材料；所述基體材料為含羧基側(cè)基的聚芳醚腈，所述填充材料為氧化銪。所述含羧基側(cè)基的聚芳醚腈的結(jié)構(gòu)式為
權(quán)利要求
1.含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜，包含96 99%質(zhì)量分數(shù)的基體材料和1 4%質(zhì)量分數(shù)的填充材料；所述基體材料為含羧基側(cè)基的聚芳醚腈，所述填充材料為氧化銪。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含聚芳醚腈與稀土氧化物的復合熒光薄膜，其特征在于，所述含羧基側(cè)基的聚芳醚腈的結(jié)構(gòu)式為其中叫、n2為聚合度，且叫、Ii2大于等于14。
3.含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜的制備方法，包括以下步驟步驟1 將96 99%質(zhì)量分數(shù)的含羧基側(cè)基的聚芳醚腈溶于N-甲基吡咯烷酮有機溶劑中，然后加入1 4%質(zhì)量分數(shù)的氧化銪，超聲分散，得到含羧基側(cè)基的聚芳醚腈與氧化銪在N-甲基吡咯烷酮有機溶劑中的混合體系。步驟2 將步驟1所得混合體系加熱至200°C，攪拌下回流反應2 4小時，生成含羧基側(cè)基的聚芳醚腈與氧化銪的共混溶液。步驟3 蒸發(fā)多余的N-甲基吡咯烷酮有機溶劑，使得含羧基側(cè)基的聚芳醚腈與氧化銪共混溶液的粘度適合于采用流延工藝制作薄膜。步驟4 將步驟3所得具有合適粘度的含羧基側(cè)基的聚芳醚腈與氧化銪共混溶液流延于干燥潔凈的玻璃板上成膜。步驟5 將步驟4所得流延薄膜連同玻璃板置于160 200°C條件下烘干處理4 6小時以徹底除去殘留的N-甲基吡咯烷酮有機溶劑，自然冷卻至室溫后得到從玻璃板上自然分離的含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜的制備方法，其特征在于，所述含羧基側(cè)基的聚芳醚腈的結(jié)構(gòu)式為其中η” η2為聚合度，且n” Ii2大于等于14。
全文摘要
含聚芳醚腈與氧化銪的復合熒光薄膜及其制備方法，屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。所述復合熒光薄膜包含96～99％質(zhì)量分數(shù)的含羧基側(cè)基的聚芳醚腈和1～4％質(zhì)量分數(shù)的氧化銪。制備時先將96～99％質(zhì)量分數(shù)的含羧基側(cè)基聚芳醚腈溶于N-甲基吡咯烷酮，然后加入1～4％質(zhì)量分數(shù)的氧化銪，超聲分散，200℃下回流攪拌2～4小時，再蒸發(fā)掉部分有機溶劑后流延于干燥潔凈的玻璃板上成膜，最后在160～200℃下烘干4～6小時，自然冷卻后得到所述復合熒光薄膜。本發(fā)明所制備的復合熒光薄膜具有很好的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性，優(yōu)異的力學性能，對可見光高透，對紫外光高吸收，且具有很好的宏觀可柔性，紫外激發(fā)下發(fā)出很強的紅色特征熒光。其制備方法簡單，適合于制作大面積復合熒光薄膜。
文檔編號C08L71/10GK102516740SQ20111037829
公開日2012年6月27日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者劉孝波, 唐海龍, 楊建 申請人:電子科技大學