Vgf鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座的制作方法
【專利摘要】VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，涉及一種底座，尤其是一種VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座。本實(shí)用新型的VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，其特征在于該裝置由橫桿、底板、活動(dòng)塊、散熱孔和細(xì)圓棒構(gòu)成；底板通過(guò)內(nèi)六角螺栓固定在兩根橫桿之間，活動(dòng)塊拼接在底板側(cè)面，底板與活動(dòng)塊相對(duì)的一側(cè)都具有一個(gè)半圓孔，兩者通過(guò)外六角螺栓連接構(gòu)成一個(gè)圓孔，底板中間設(shè)置散熱孔，兩根細(xì)圓棒通過(guò)U型卡槽固定在散熱孔的兩側(cè)。本實(shí)用新型的VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，在保證能平穩(wěn)、牢固地支撐爐芯、石英管及爐套的情況下，也能固定好石英棒與測(cè)溫?zé)犭娕?，且安裝方便，使用簡(jiǎn)單，穩(wěn)固性好，散熱性好，實(shí)用性高，適合用在不同尺寸的VGF爐中。
【專利說(shuō)明】
VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種底座，尤其是一種VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座。
【背景技術(shù)】
[0002]VGF法(垂直梯度凝固法)由于生長(zhǎng)單晶時(shí)溫度梯度較低，生長(zhǎng)速率較小，目前已成為生長(zhǎng)大直徑、低位錯(cuò)密度晶體的主流技術(shù)之一。在VGF法生長(zhǎng)晶體工藝過(guò)程中，備爐是一個(gè)很重要的階段，在該階段中，需要將做好的爐芯、石英管(支撐管)及爐套重疊起來(lái)，然后從爐體的下方放入爐內(nèi)，下端置于底座上。其中，爐芯主要是用來(lái)放置測(cè)溫?zé)犭娕肌⑸嵋约斑M(jìn)行籽晶熔接;爐套主要用來(lái)保溫;石英管主要用來(lái)支撐裝有Ge(GaAs、InP)料的異型管。
[0003]目前用VGF法生長(zhǎng)晶體時(shí)，采用的底座容易使石英管發(fā)生位移或傾斜，會(huì)直接影響到晶體的質(zhì)量，而且插入爐芯底端的石英棒與底座的散熱性也會(huì)影響籽晶的熔接程度，進(jìn)而影響到晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量。另外，怎么固定好爐體下方石英棒與測(cè)溫?zé)犭娕家彩且粋€(gè)普遍存在的冋題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型針對(duì)石英管容易發(fā)生位移或傾斜，散熱性差，無(wú)法固定好爐體下方石英棒與測(cè)溫?zé)犭娕嫉膯栴}，提供一種VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座。
[0005]本實(shí)用新型的VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，其特征在于該裝置由橫桿、底板、活動(dòng)塊、散熱孔和細(xì)圓棒構(gòu)成;底板通過(guò)內(nèi)六角螺栓固定在兩根橫桿之間，活動(dòng)塊拼接在底板側(cè)面，底板與活動(dòng)塊相對(duì)的一側(cè)都具有一個(gè)半圓孔，兩者通過(guò)外六角螺栓連接構(gòu)成一個(gè)圓孔，底板中間設(shè)置散熱孔，兩根細(xì)圓棒通過(guò)U型卡槽固定在散熱孔的兩側(cè)。
[0006]所述的橫桿、底板、活動(dòng)塊及細(xì)圓棒的上表面保持在同一水平面。
[0007]所述的內(nèi)六角螺栓的下方有一排十字螺栓。
[0008]本實(shí)用新型的VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，在保證能平穩(wěn)、牢固地支撐爐芯、石英管及爐套的情況下，也能固定好石英棒與測(cè)溫?zé)犭娕?，且安裝方便，使用簡(jiǎn)單，穩(wěn)固性好，散熱性好，實(shí)用性高，適合用在不同尺寸的VGF爐中。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型底座結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0010]圖2是本實(shí)用新型底座結(jié)構(gòu)的正視圖；
[0011]圖3是本實(shí)用新型底座結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0012]圖中，橫桿1、底板2、散熱孔3、細(xì)圓棒4、U型卡槽5、活動(dòng)塊6、圓孔7、外六角螺栓8、內(nèi)六角螺栓9、十字螺栓1。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0014]實(shí)施例1: VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座由橫桿1、底板2、活動(dòng)塊6、散熱孔3及細(xì)圓棒4構(gòu)成;橫桿1、底板2及活動(dòng)塊6都為長(zhǎng)方形，橫桿1、底板2、活動(dòng)塊6及細(xì)圓棒4的上表面保持在同一水平面，以使底座平穩(wěn)放置，底板2通過(guò)內(nèi)六角螺栓9固定在兩根橫桿I之間，活動(dòng)塊6拼接在底板2上，底板2與活動(dòng)塊6相對(duì)的一側(cè)都具有一個(gè)半圓孔，通過(guò)外六角螺栓8連接將兩個(gè)半圓孔構(gòu)成一個(gè)圓孔7，底板2中間設(shè)置散熱孔3，散熱孔3為圓角矩形，兩根細(xì)圓棒4通過(guò)U型卡槽5固定在散熱孔3的兩側(cè)，兩根細(xì)圓棒4之間的距離為3cm。
[0015]備爐時(shí)，通過(guò)圓孔7把底座固定在爐體下方的活動(dòng)圓桿上，然后轉(zhuǎn)動(dòng)手柄將爐體搖成45°傾斜，把做好的爐芯、石英管及爐套重疊在一起，從爐體的下方放入爐內(nèi)，用一只手托住，另一只手轉(zhuǎn)動(dòng)手柄，等爐體成90°垂直后慢慢將爐芯、石英管及爐套置于底座上，該步驟中，爐芯下端的測(cè)溫?zé)犭娕夹鑿膬筛?xì)圓棒4的中間穿過(guò)。根據(jù)裝爐的尺寸，搖動(dòng)活動(dòng)圓桿的手柄，將底座搖至相應(yīng)的位置，然后從具有散熱作用的散熱孔3孔中插入石英棒與測(cè)溫?zé)犭娕?，并利用十字螺?0固定起來(lái)。
[0016]以上僅為本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式，只要使用了以上所述的結(jié)構(gòu)，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，其特征在于該底座由橫桿(I)、底板(2)、活動(dòng)塊(6 )、散熱孔(3)和細(xì)圓棒(4)構(gòu)成；底板(2)通過(guò)內(nèi)六角螺栓(9)固定在兩根橫桿(I)之間，活動(dòng)塊(6)拼接在底板(2)側(cè)面，底板(2)與活動(dòng)塊(6)相對(duì)的一側(cè)都具有一個(gè)半圓孔，兩者通過(guò)外六角螺栓(8)連接構(gòu)成一個(gè)圓孔(7)，底板(2)中間設(shè)置散熱孔(3)，兩根細(xì)圓棒(4)通過(guò)U型卡槽(5 )固定在散熱孔(3 )的兩側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，其特征在于所述的橫桿(1)、底板(2)、活動(dòng)塊(6)及細(xì)圓棒(4)的上表面保持在同一水平面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VGF鍺單晶生長(zhǎng)爐支撐底座，其特征在于所述的內(nèi)六角螺栓(9)的下方有一排十字螺栓(10)。
【文檔編號(hào)】C30B29/08GK205688056SQ201620518771
【公開日】2016年11月16日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日 公開號(hào)201620518771.4, CN 201620518771, CN 205688056 U, CN 205688056U, CN-U-205688056, CN201620518771, CN201620518771.4, CN205688056 U, CN205688056U
【發(fā)明人】肖祥江, 董汝昆, 李武芳, 祝永成, 何永彬, 高云浩, 金之生, 楊小瑞, 權(quán)忠朝
【申請(qǐng)人】云南中科鑫圓晶體材料有限公司, 昆明云鍺高新技術(shù)有限公司, 云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司