一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩堝保護(hù)板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種太陽能行業(yè)的多晶鑄錠爐，特別涉及一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前多晶鑄錠爐由于使用的時(shí)間較久，設(shè)備有些老化特別是保溫效果較差，在運(yùn)行過程中溫度散失較為嚴(yán)重，造成上下溫差大、四面受熱不均、熱傳不規(guī)律，熔化時(shí)隔熱效果差，底部溫度高，籽晶留不住。長(zhǎng)晶時(shí)形成高低不平的長(zhǎng)晶面，晶向彎曲生長(zhǎng)，使得大大增加了功耗，降低了產(chǎn)品的質(zhì)量，增加了運(yùn)行時(shí)間，降低了產(chǎn)能。籽晶沒留住，造成硅片位錯(cuò)增加，少子壽命和硅片的轉(zhuǎn)換效率就越低。位錯(cuò)是晶體中局部滑移區(qū)域的邊界線，即是晶體中的一種線缺陷；它是決定金屬等晶體力學(xué)性質(zhì)的基本因素，也對(duì)晶體的其他許多性質(zhì)(包括晶體生長(zhǎng))有著嚴(yán)重的影響。通過化學(xué)腐蝕可在晶體表面上觀察到位錯(cuò)的露頭處一一腐蝕坑。
[0003]典型的位錯(cuò)有刃位錯(cuò)(棱位錯(cuò))和螺旋位錯(cuò)兩種。刃位錯(cuò)的位錯(cuò)線方向與滑移方向垂直，而螺旋位錯(cuò)的位錯(cuò)線方向與滑移方向平行。此外，還有所謂位錯(cuò)環(huán)，這是在晶體內(nèi)部的一個(gè)環(huán)形線，往往是由許多空位的集合一一空洞塌陷而成。
[0004]位錯(cuò)除了有一定的施主、受主和雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)呢?fù)作用以外，位錯(cuò)所造成的晶格畸變是散射載流子的中心，將嚴(yán)重散射載流子，影響迀移率；不過在位錯(cuò)密度<108/cm2時(shí)，這種散射作用可忽略。但在η-型Si中，位錯(cuò)作為受主中心電離后即形成一條帶負(fù)電的線，這將對(duì)載流子產(chǎn)生各向異性的散射作用。
[0005]位錯(cuò)應(yīng)力場(chǎng)與雜質(zhì)的相互作用，使得雜質(zhì)優(yōu)先沿位錯(cuò)線沉積；特別是在Si中溶解度小、擴(kuò)散快的重金屬雜質(zhì)(Cu、Fe、Au等)，更容易沉積在位錯(cuò)線上。這就將形成大量的深能級(jí)復(fù)合中心，甚至引起導(dǎo)電通道等，嚴(yán)重影響硅片的使用壽命和轉(zhuǎn)化效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]為解決上述問題，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種對(duì)于硅錠起到保溫和隔熱的效果，同時(shí)可以克服斜面長(zhǎng)晶，盡量把長(zhǎng)晶面控制在同一個(gè)平面，使得晶體生長(zhǎng)過程中起到更好的分凝效果，減少微晶和位錯(cuò)的產(chǎn)生，更好的控制硅錠晶粒的均勻性，提高硅錠少子壽命，進(jìn)而提高硅片的轉(zhuǎn)換效率的多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板。
[0007]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，設(shè)置于多晶鑄錠爐坩禍四周的中下部，其特征在于，包括石墨護(hù)板、軟氈和C-C蓋板，所述軟氈固定在所述石墨護(hù)板一側(cè)，所述C-C蓋板覆蓋在所述軟氈外側(cè)。
[0008]采用上述技術(shù)方案的有益效果是取材方便，C-C蓋板即為市面上的碳碳蓋板，主要置于多晶鑄錠爐坩禍四周的中下部，在長(zhǎng)晶過程中保證硅錠的垂直溫度是一個(gè)梯度。降低硅錠側(cè)面中下部少子壽命紅色區(qū)域所占比例。減少側(cè)面溫度的傳播，最優(yōu)的控制籽晶，從而提尚娃徒品質(zhì)。
[0009]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn):
[0010]進(jìn)一步，所述石墨護(hù)板的厚度為25mm。
[0011]進(jìn)一步，所述軟租和所述C-C蓋板的厚度相同，均為5_。
[0012]采用上述進(jìn)一步技術(shù)方案的有益效果在石墨護(hù)板厚度的基礎(chǔ)上共加厚10mm，其目的是對(duì)于硅錠起到保溫和隔熱的效果，克服斜面長(zhǎng)晶，盡量把長(zhǎng)晶面控制在同一個(gè)平面，使得晶體生長(zhǎng)過程中起到更好的分凝效果，減少微晶和位錯(cuò)的產(chǎn)生，更好的控制硅錠晶粒的均勾性，提尚娃徒少子壽命，進(jìn)而提尚娃片的轉(zhuǎn)換效率。
[0013]進(jìn)一步，所述石墨護(hù)板上設(shè)有M12螺紋孔，所述軟氈和所述C-C蓋板上設(shè)有與所述Ml2螺紋孔位置相匹配的R6圓孔。
[0014]進(jìn)一步，所述軟氈和所述C-C蓋板通過M12螺桿和M12螺母固定在所述石墨護(hù)板上。
[0015]進(jìn)一步，所述石墨護(hù)板和所述軟氈之間緊密貼合，所述軟氈和所述C-C蓋板之間緊密貼合。
[0016]進(jìn)一步，所述石墨護(hù)板為高純石墨材料，所述石墨護(hù)板表面光滑平整。
[0017]綜上所述，本實(shí)用新型的有益效果是對(duì)硅錠有著良好的保溫和隔熱的效果，有效克服斜面長(zhǎng)晶，盡量把長(zhǎng)晶面控制在同一個(gè)平面，使得晶體生長(zhǎng)過程中起到更好的分凝效果，減少微晶和位錯(cuò)的產(chǎn)生，更好的控制硅錠晶粒的均勻性，提高硅錠少子壽命，進(jìn)而提高硅片的轉(zhuǎn)換效率，降低了生產(chǎn)能耗，節(jié)約了生產(chǎn)成本，同時(shí)提高了產(chǎn)品的品質(zhì)，增大了行業(yè)產(chǎn)能。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實(shí)用主視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本實(shí)用俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為本實(shí)用側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:
[0022]1、石墨護(hù)板，2、Ml2螺母，3、C-C蓋板，4、軟氈。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0024]如圖1至圖3所示，一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，設(shè)置于多晶鑄錠爐坩禍四周的中下部，其特征在于，包括石墨護(hù)板1、軟氈4和C-C蓋板3，所述軟氈4固定在所述石墨護(hù)板I 一側(cè)，所述C-C蓋板3覆蓋在所述軟氈4外側(cè)。
[0025]所述石墨護(hù)板I的厚度為25mm。
[0026]所述軟租4和所述C-C蓋板3的厚度相同，均為5mm。
[0027]所述石墨護(hù)板I上設(shè)有M12螺紋孔，所述軟氈4和所述C-C蓋板3上設(shè)有與所述Ml2螺紋孔位置相匹配的R6圓孔。
[0028]所述軟氈4和所述C-C蓋板3通過Ml2螺桿和Ml2螺母2固定在所述石墨護(hù)板I上。
[0029]所述石墨護(hù)板I和所述軟氈4之間緊密貼合，所述軟氈4和所述C-C蓋板3之間緊密貼合。
[0030]所述石墨護(hù)板I為高純石墨材料，所述石墨護(hù)板I表面光滑平整。
[0031]本實(shí)用新型的工作原理和過程:本實(shí)用新型主要置于多晶鑄錠爐坩禍四周的中下部，在長(zhǎng)晶過程中保證硅錠的垂直溫度是一個(gè)梯度，降低硅錠側(cè)面中下部少子壽命紅色區(qū)域所占比例，減少側(cè)面溫度的傳播，最優(yōu)的控制籽晶，從而提高硅錠品質(zhì)。
[0032]在石墨護(hù)板I厚度的基礎(chǔ)上共加厚10mm，其目的是對(duì)于硅錠起到保溫和隔熱的效果，克服斜面長(zhǎng)晶，盡量把長(zhǎng)晶面控制在同一個(gè)平面，使得晶體生長(zhǎng)過程中起到更好的分凝效果，減少微晶和位錯(cuò)的產(chǎn)生，更好的控制硅錠晶粒的均勻性，提高硅錠少子壽命，進(jìn)而提高硅片的轉(zhuǎn)換效率。
[0033]本實(shí)用新型加厚護(hù)板，降低了生產(chǎn)能耗，節(jié)約了生產(chǎn)成本，同時(shí)提高了產(chǎn)品的品質(zhì)，增大了行業(yè)產(chǎn)能。
[0034]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，包括石墨護(hù)板(I)、軟氈(4)和C-C蓋板(3)，所述軟氈(4)固定在所述石墨護(hù)板⑴一側(cè)，所述C-C蓋板(3)覆蓋在所述軟氈⑷外側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，所述石墨護(hù)板(I)的厚度為25mm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，所述軟氈⑷和所述C-C蓋板(3)的厚度相同，均為5_。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，所述石墨護(hù)板(I)上設(shè)有M12螺紋孔，所述軟氈(4)和所述C-C蓋板(3)上設(shè)有與所述M12螺紋孔位置相匹配的R6圓孔。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，所述軟氈⑷和所述C-C蓋板(3)通過M12螺桿和M12螺母⑵固定在所述石墨護(hù)板⑴上。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，所述石墨護(hù)板(I)和所述軟氈(4)之間緊密貼合，所述軟氈(4)和所述C-C蓋板(3)之間緊密貼合。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩禍保護(hù)板，其特征在于，所述石墨護(hù)板(I)為高純石墨材料，所述石墨護(hù)板(I)表面光滑平整。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種多晶鑄錠爐用的新型石英坩堝保護(hù)板，設(shè)置于多晶鑄錠爐坩堝四周的中下部，其特征在于，包括石墨護(hù)板、軟氈和C-C蓋板，所述軟氈固定在所述石墨護(hù)板一側(cè)，所述C-C蓋板覆蓋在所述軟氈外側(cè)。本實(shí)用新型的有益效果是對(duì)硅錠有著良好的保溫和隔熱的效果，有效克服斜面長(zhǎng)晶，盡量把長(zhǎng)晶面控制在同一個(gè)平面，使得晶體生長(zhǎng)過程中起到更好的分凝效果，減少微晶和位錯(cuò)的產(chǎn)生，更好的控制硅錠晶粒的均勻性，提高硅錠少子壽命，進(jìn)而提高硅片的轉(zhuǎn)換效率，降低了生產(chǎn)能耗，節(jié)約了生產(chǎn)成本，同時(shí)提高了產(chǎn)品的品質(zhì)，增大了行業(yè)產(chǎn)能。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開號(hào)】CN204874820
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520468759
【發(fā)明人】趙兵, 張紅光, 李紹 , 任運(yùn)鴻, 張建東, 張建超
【申請(qǐng)人】北京京儀集團(tuán)涿鹿光伏材料有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年6月30日