用于多晶硅還原爐的底盤組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于多晶硅還原爐的底盤組件。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅還原爐是多晶硅生產(chǎn)中產(chǎn)出最終產(chǎn)品的核心設(shè)備，也是決定系統(tǒng)產(chǎn)能、能耗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。小型多晶硅還原爐(如12對(duì)棒、18對(duì)棒還原爐等)生產(chǎn)單位重量產(chǎn)品普遍能耗較高，單爐產(chǎn)量相對(duì)低，已經(jīng)越來越不適應(yīng)目前的市場(chǎng)要求.隨著多晶硅設(shè)備水平的不斷發(fā)展和提高，大型還原爐得到不斷開發(fā)，出現(xiàn)了 36對(duì)棒、48對(duì)棒甚至60對(duì)棒還原爐。
[0003]相關(guān)技術(shù)中的大型多晶硅還原爐，雖然解決了一些產(chǎn)量和能耗的問題，但伴隨著設(shè)備的大型化和復(fù)雜化，其底盤中的冷卻液流動(dòng)阻力增大，導(dǎo)致冷卻效果較差，且由于冷卻液的流程較長(zhǎng)，底盤徑向溫度分布不均，致使底盤產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型提出一種用于多晶硅還原爐的底盤組件，該用于多晶硅還原爐的底盤組件具有冷卻液流動(dòng)阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型提出一種用于多晶硅還原爐的底盤組件，所述用于多晶硅還原爐的底盤組件包括:底盤本體，所述底盤本體內(nèi)限定有從所述底盤本體的中心處旋向所述底盤本體的外周緣處的六個(gè)螺旋流道，所述底盤本體上設(shè)有與六個(gè)所述螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和至少六個(gè)冷卻液出口，所述冷卻液進(jìn)口位于所述底盤本體的中心處；多個(gè)電極座，多個(gè)所述電極座設(shè)置在所述底盤本體上；多個(gè)進(jìn)氣管和多個(gè)排氣管，多個(gè)所述進(jìn)氣管和多個(gè)所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的用于多晶硅還原爐的底盤組件具有冷卻液流動(dòng)阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
[0007]另外，根據(jù)本實(shí)用新型的用于多晶硅還原爐的底盤組件還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0008]六個(gè)所述螺旋流道的長(zhǎng)度相等。
[0009]六個(gè)所述螺旋流道沿所述底盤本體的徑向盤繞成七層。
[0010]所述底盤本體包括:底盤法蘭；上底板，所述上底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi)；下底板，所述下底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板下方；中隔板，所述中隔板設(shè)在底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板和所述下底板之間，所述中隔板與所述上底板和所述底盤法蘭限定出冷卻腔；六個(gè)導(dǎo)流板，六個(gè)所述導(dǎo)流板設(shè)在所述冷卻腔內(nèi)且在所述冷卻腔內(nèi)限定出六個(gè)所述螺旋流道。
[0011]六個(gè)所述導(dǎo)流板焊接在所述中隔板上。
[0012]所述導(dǎo)流板的鄰近所述進(jìn)氣管、所述排氣管和所述電極座處分別設(shè)有弧形段。
[0013]每個(gè)所述導(dǎo)流板上設(shè)有若干連通孔。
[0014]所述用于多晶硅還原爐的底盤組件還包括設(shè)在所述底盤本體上的冷卻液進(jìn)管和至少六個(gè)冷卻液出管，所述冷卻液進(jìn)管設(shè)置在所述底盤本體的中心處且與所述冷卻液進(jìn)口連通，所述冷卻液出管設(shè)置在所述底盤本體的外周緣處且分別與對(duì)應(yīng)的所述冷卻液出口連通。
[0015]任一個(gè)所述冷卻液出管的最高點(diǎn)高于所述冷卻液進(jìn)管的最高點(diǎn)。
[0016]多個(gè)所述進(jìn)氣管中位于所述底盤本體中心處的所述進(jìn)氣管嵌套在所述冷卻液進(jìn)管內(nèi)，所述排氣管為至少六個(gè)且分別嵌套在對(duì)應(yīng)的所述冷卻液出管內(nèi)。
【附圖說明】
[0017]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的軸向剖視圖。
[0018]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的徑向剖視圖。
[0019]附圖標(biāo)記:用于多晶硅還原爐的底盤組件10、底盤本體100、螺旋流道110、冷卻液進(jìn)口 120、冷卻液出口 130、底盤法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170、冷卻腔180、導(dǎo)流板190、弧形段191、電極座200、進(jìn)氣管300、排氣管400、冷卻液進(jìn)管500、冷卻液出管600。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0021]下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
[0022]如圖1和圖2所示，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個(gè)電極座200、多個(gè)進(jìn)氣管300和多個(gè)排氣管400。
[0023]底盤本體100內(nèi)限定有六個(gè)螺旋流道110，六個(gè)螺旋流道110從底盤本體100的中心處旋向底盤本體100的外周緣處，底盤本體100上設(shè)有與六個(gè)螺旋流道110連通的冷卻液進(jìn)口 120和至少六個(gè)冷卻液出口 130，即冷卻液進(jìn)口 120分別六個(gè)螺旋流道110連通，而每個(gè)螺旋流道110與至少一個(gè)冷卻液出口 130連通，其中，冷卻液進(jìn)口 120位于底盤本體100的中心處。多個(gè)電極座200設(shè)置在底盤本體100上。多個(gè)進(jìn)氣管300和多個(gè)排氣管400設(shè)置在底盤本體100上且沿上下方向貫穿底盤本體100(上下方向如附圖中的箭頭A所示)O
[0024]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10，通過在底盤本體100內(nèi)設(shè)置從底盤本體100的中心旋向底盤本體100的外周緣的六個(gè)螺旋流道110，且在底盤本體100的中心處設(shè)置分別與六個(gè)螺旋流道110連通的冷卻液進(jìn)口 120，這樣冷卻液可以通過冷卻液進(jìn)口 120分別進(jìn)入六個(gè)螺旋流道110，對(duì)底盤本體100的上表面、多個(gè)進(jìn)氣管300、多個(gè)排氣管400和多個(gè)電極座200進(jìn)行強(qiáng)制冷卻。由于在底盤本體100內(nèi)設(shè)置六個(gè)螺旋流道110，使得每個(gè)螺旋流道110的流程較短，減少了冷卻液的流動(dòng)阻力，提高了冷卻效果，且避免了底盤本體100徑向溫差過大，有利于防止底盤本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。因此，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10具有冷卻液流動(dòng)阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
[0025]下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型具體實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
[0026]在本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個(gè)電極座200、多個(gè)進(jìn)氣管300和多個(gè)排氣管400。
[0027]進(jìn)一步地，六個(gè)螺旋流道110的長(zhǎng)度相等，且六個(gè)螺旋流道110的相同長(zhǎng)度處的寬度相等。由此可以進(jìn)一步提高底盤本體100徑向溫度的均勻性，從而進(jìn)一步防止底盤本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
[0028]可選地，如圖1所示，六個(gè)螺旋流道110沿底盤本體100的徑向盤繞成七層，冷卻液出口 130設(shè)置在底盤本體100的外周緣處，冷卻液由底盤本體100中心經(jīng)螺旋流道110
后排出。
[0029]在本實(shí)用新型的一些具體示例中，如圖1和圖2所示，底盤本體100包括底盤法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170。底盤法蘭140用于連接爐體。上底板150、下底板160和中隔板170均設(shè)在底盤法蘭140內(nèi)，其中下底板160位于上底板150下方且中隔板170位于上底板150和下底板160之間，中隔板170與上底板150和底盤法蘭140限定出冷卻腔180。進(jìn)氣管300和排氣管400貫穿上底板150、中隔板170和下底板160。由此可以減少爐體下部進(jìn)氣管數(shù)量，簡(jiǎn)化設(shè)備安裝和管路布置。
[0030]為了在上述底盤本體100上設(shè)置螺旋流道110，可以將六個(gè)導(dǎo)流板190設(shè)在冷卻腔180內(nèi)且在冷卻腔180內(nèi)限定出六個(gè)螺旋流道110，即冷卻腔180可以由六個(gè)螺旋流道110共同組成。為提高導(dǎo)流板190在冷卻腔180內(nèi)的穩(wěn)定性，六個(gè)導(dǎo)流板190可以焊接在中隔板170的上表面上。
[0031]進(jìn)一步地