一種加熱裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，新材料、新能源及光電科學(xué)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體高純硅的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，當(dāng)前三氯氫硅是生產(chǎn)多晶硅的主要原料之一。在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中，涉及三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程、三氯氫硅精餾生產(chǎn)過(guò)程，這兩種生產(chǎn)過(guò)程均會(huì)產(chǎn)生出含有雜質(zhì)較多的氯硅烷廢液，這些氯硅烷廢液能否部分有效地再回收很重要，這跟多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的節(jié)能降耗有直接關(guān)系。
[0003]在傳統(tǒng)的三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程中的濕法除塵、三氯氫硅精餾生產(chǎn)過(guò)程中，均會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)含量較多的氯硅烷廢液。這些氯硅烷廢液采用有效回收利用方法及設(shè)備至關(guān)重要，一個(gè)綜合性能高的回收氯硅烷廢液的設(shè)備的選擇決定氯硅烷廢液回收過(guò)程的安全、效率、節(jié)能。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，大多氯硅烷廢液的回收是利用其中的氯硅烷與雜質(zhì)含量沸點(diǎn)的差異，氯硅烷廢液分離設(shè)備采用加熱蒸發(fā)的方式將氯硅烷汽化與雜質(zhì)分離，最后將汽化后的氯硅烷液化得到液態(tài)的氯硅烷從而進(jìn)一步回收利用，而濃縮后的氯硅烷廢液則進(jìn)行三廢處理。由于氯硅烷廢液中的雜質(zhì)包括有大量金屬氯化物、高聚物、細(xì)小硅塵等，常溫下這些雜質(zhì)都是以固態(tài)存在于氯硅烷廢液中，部分金屬氯化物溶解在氯硅烷廢液內(nèi)，在氯硅烷廢液分離設(shè)備采用加熱蒸發(fā)進(jìn)行回收的過(guò)程中，容易出現(xiàn)氯硅烷廢液蒸發(fā)不充分，為了將氯硅烷廢液中的大量氯硅烷汽化，多數(shù)采用高溫加熱，這樣對(duì)于氯硅烷廢液加熱溫度過(guò)高則會(huì)使溶解在氯硅烷廢液中的金屬氯化物和高聚物隨著汽化的氯硅烷蒸出氯硅烷廢液分離設(shè)備，這樣蒸出氯硅烷廢液分離設(shè)備的液態(tài)的氯硅烷中仍舊含有金屬氯化物雜質(zhì)，不能達(dá)到液態(tài)氯硅烷的有效回收，并且蒸發(fā)出的金屬氯化物及高聚物進(jìn)入后續(xù)的工藝中會(huì)堵塞后續(xù)的冷卻設(shè)備，高聚物及金屬氯化物在溫度梯度較大的地方會(huì)以固態(tài)的形態(tài)吸附在后續(xù)的工藝中所使用的設(shè)備的內(nèi)壁上，久而久之會(huì)出現(xiàn)設(shè)備的排放口堵塞。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種加熱裝置，該加熱裝置加熱三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程中的氯硅烷廢液，可以使得廢液中的氯硅烷汽化與雜質(zhì)分離，由于該加熱裝置加熱均勻，所以不會(huì)出現(xiàn)加熱溫度過(guò)高且高于預(yù)設(shè)的加熱溫度，所以在廢液中的氯硅烷汽化過(guò)程中不會(huì)蒸出廢液中的金屬氯化物和高聚物，從而使得廢液中的氯硅烷汽化后再液化得到的液態(tài)氯硅烷可以得到有效的回收利用。
[0006]解決本實(shí)用新型技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一種加熱裝置，包括夾套，所述夾套包括:
[0007]內(nèi)殼體，其用于盛放被加熱物質(zhì)；
[0008]外殼體,其設(shè)置于所述內(nèi)殼體的外部，所述內(nèi)殼體和所述外殼體之間存在間隙，所述間隙用于盛放加熱介質(zhì)；
[0009]加熱介質(zhì)入口；以及
[0010]加熱介質(zhì)出口；
[0011]所述夾套還包括隔板，
[0012]所述隔板設(shè)置在所述間隙中并與所述內(nèi)殼體及所述外殼體相連，從而形成加熱介質(zhì)流道，所述加熱介質(zhì)流道用于將所述加熱介質(zhì)從所述加熱介質(zhì)入口弓I導(dǎo)到所述加熱介質(zhì)出口。
[0013]優(yōu)選的是，所述隔板呈螺旋狀盤(pán)繞在所述間隙中。
[0014]優(yōu)選的是，所述隔板至少為兩塊。
[0015]優(yōu)選的是，所述隔板在所述間隙中縱向交錯(cuò)排布。
[0016]優(yōu)選的是，所述隔板為兩塊，所述隔板在所述夾套內(nèi)對(duì)稱分布，所述隔板將所述夾套內(nèi)的所述間隙分隔為底部連通的兩部分，所述加熱介質(zhì)入口和所述加熱介質(zhì)出口分別分布在所述隔板的兩側(cè)且分布在所述夾套的上部。
[0017]優(yōu)選的是，所述隔板由導(dǎo)熱材料制成。
[0018]優(yōu)選的是，所述的加熱裝置還包括攪拌器，所述攪拌器包括攪拌漿葉、攪拌桿和攪拌電機(jī)，所述攪拌漿葉、所述攪拌桿設(shè)置于所述內(nèi)殼體的內(nèi)部，所述攪拌漿葉通過(guò)所述攪拌桿與所述攪拌電機(jī)相連。
[0019]優(yōu)選的是，所述攪拌桿上設(shè)置有連接臂，所述攪拌漿葉包括與所述連接臂連接的縱向平板，該縱向平板用于攪拌被加熱物質(zhì)。
[0020]優(yōu)選的是，所述攪拌漿葉還包括扇形攪拌漿葉，該扇形攪拌漿葉設(shè)置于所述攪拌桿上。
[0021 ] 通過(guò)本實(shí)用新型中的加熱裝置加熱三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程中的氯硅烷廢液，可以使得廢液中的氯硅烷汽化與雜質(zhì)分離，由于該加熱裝置加熱均勻，所以不會(huì)出現(xiàn)加熱溫度過(guò)高且高于預(yù)設(shè)的加熱溫度，在廢液中的氯硅烷汽化過(guò)程中不會(huì)蒸出廢液中的金屬氯化物和高聚物，從而使得廢液中的氯硅烷汽化后再液化得到的液態(tài)氯硅烷可以得到有效的回收利用，液態(tài)氯硅烷進(jìn)入后續(xù)的工藝中并不會(huì)損壞或堵塞后續(xù)工藝設(shè)備。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例2中的加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例2中的加熱裝置的正視圖；
[0024]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例3中的加熱裝置的正視圖；
[0025]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例4中的加熱裝置的剖視圖；
[0026]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例4中的加熱裝置的俯視圖。
[0027]圖中:1_夾套；2_內(nèi)殼體；3_外殼體；4_加熱介質(zhì)入口 ；5_加熱介質(zhì)出口 ；6_隔板；7-進(jìn)料口 ；8-出料口 ；9_排渣口 ； 10-安全附件；11-保護(hù)氣入口 ； 12-測(cè)溫口 ；13_測(cè)壓口 ；14_尾氣出口 ；15_攪拌桿；16-攪拌電機(jī)；17-連接臂；18-縱向平板；19-扇形攪拌漿葉；20-輔助氣入口 ；21_冷凝液出口。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0029]實(shí)施例1
[0030]本實(shí)施例提供一種加熱裝置，包括夾套，所述夾套包括:
[0031]內(nèi)殼體，其用于盛放被加熱物質(zhì)；
[0032]外殼體,其設(shè)置于所述內(nèi)殼體的外部，所述內(nèi)殼體和所述外殼體之間存在間隙，所述間隙用于盛放加熱介質(zhì)；
[0033]加熱介質(zhì)入口；以及
[0034]加熱介質(zhì)出口；
[0035]所述夾套還包括隔板，
[0036]所述隔板設(shè)置在所述間隙中并與所述內(nèi)殼體及所述外殼體相連，從而形成加熱介質(zhì)流道，所述加熱介質(zhì)流道用于將所述加熱介質(zhì)從所述加熱介質(zhì)入口弓I導(dǎo)到所述加熱介質(zhì)出口。
[0037]通過(guò)本實(shí)施例中的加熱裝置加熱三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程中的氯硅烷廢液，可以使得廢液中的氯硅烷汽化與雜質(zhì)分離，由于本實(shí)施例中的加熱裝置加熱均勻，所以不會(huì)出現(xiàn)加熱溫度過(guò)高且高于預(yù)設(shè)的加熱溫度，在廢液中的氯硅烷汽化過(guò)程中不會(huì)蒸出廢液中的金屬氯化物和高聚物，從而使得廢液中的氯硅烷汽化后再液化得到的液態(tài)氯硅烷可以得到有效的回收利用，液態(tài)氯硅烷進(jìn)入后續(xù)的工藝中并不會(huì)損壞或堵塞后續(xù)工藝設(shè)備。
[0038]通過(guò)本實(shí)施例中的加熱裝置的夾套中的隔板形成的加熱介質(zhì)流道，可以使得加熱介質(zhì)的熱量均勻的傳遞給夾套的內(nèi)殼體，從而對(duì)被加熱介質(zhì)均勻的加熱，提高了加熱介質(zhì)與被加熱物質(zhì)的換熱效果，避免了夾套的內(nèi)殼體的傳熱不均勻引起的局部過(guò)熱高溫加熱，提高了加熱介質(zhì)的使用效率。
[0039]實(shí)施例2
[0040]如圖1、2所示,本實(shí)施例提供一種加熱裝置,包括夾套I,所述夾套I包括:
[0041]內(nèi)殼體2，其用于盛放被加熱物質(zhì)；
[0042]外殼體3,其設(shè)置于所述內(nèi)殼體2的外部,所述內(nèi)殼體2和所述外殼體3之間存在間隙，所述間隙用于盛放加熱介質(zhì)；
[0043]加熱介質(zhì)入口 4;以及
[0044]加熱介質(zhì)出口 5;
[0045]所述夾套I還包括隔板6,
[0046]所述隔板6設(shè)置在所述間隙中并與所述內(nèi)殼體2及所述外殼體3相連，從而形成加熱介質(zhì)流道，所述加熱介質(zhì)流道用于將所述加熱介質(zhì)從所述加熱介質(zhì)入口 4引導(dǎo)到所述加熱介質(zhì)出口 5。
[0047]三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程中的濕法除塵、三氯氫硅精餾生產(chǎn)過(guò)程中，均會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)含量較多的氯硅烷廢液，氯硅烷廢液中的主要成份為三氯氫硅、四氯化硅、硅粉塵、高沸物粉塵，高沸物粉塵的成分是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的除硅粉塵意外的其它副反應(yīng)的固體顆粒，如金屬顆粒等。
[0048]通過(guò)本實(shí)施例中的加熱裝置加熱三氯氫硅合成生產(chǎn)過(guò)程中的氯硅烷廢液，可以使得廢液中的氯硅烷汽化與雜質(zhì)分離，由于本實(shí)施例中的加熱裝置加熱均勻，所以不會(huì)出現(xiàn)加熱溫度過(guò)高且高于預(yù)設(shè)的加熱溫度，在廢液中的氯硅烷汽化過(guò)程中不會(huì)蒸出廢液中的金屬氯化物和高聚物，從而使得廢液中的氯硅烷汽化后再液化得到的液態(tài)氯硅烷可以得到有效的回收利用，液態(tài)氯硅烷進(jìn)入后續(xù)的工藝中并不會(huì)損壞或堵塞后續(xù)工藝設(shè)備。