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一種常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法

文檔序號:9761399閱讀:974來源:國知局
一種常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于石墨烯的制備領(lǐng)域,具體涉及一種常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]自從2004年英國科學(xué)家安德烈?蓋姆(AndreGeim)和康斯坦丁 ?諾沃肖羅夫(Konstantin Novoselov)用機械分離法成功獲得石墨稀以來,石墨稀就在全世界范圍內(nèi)掀起了廣泛的研究熱潮。
[0003]石墨烯是碳原子以SP2雜化連接的單原子構(gòu)成的二維晶體,它幾乎完全透明,是目前自然界最薄、強度最高、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能最強的材料,常溫下其電子迀移率超過15000 cm2/(V.S),其在納米電子器件、傳感器件和光電器件等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。隨著對石墨烯研究的深入,石墨烯的制備主要有兩類方法:一類是以石墨為原料,通過物理或化學(xué)剝離或裁剪的方法獲得單層或多層石墨烯;另一類是以含碳化合物為原料,通過化學(xué)分解、碳原子結(jié)晶生長等方法獲得。具體的方法主要有:機械剝離法、氧化還原法、化學(xué)氣相沉積法、取向附生長法、晶體外延生長法等等。上述方法雖然較成熟,但仍存在一些不足。比如機械剝離法雖然操作簡單,但產(chǎn)率低,尺寸不易控制?;瘜W(xué)氣相沉積法被認為是最有希望制備出高質(zhì)量、大面積石墨烯的方法,是產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)石墨烯薄膜最具潛力的方法。但是其工藝溫度一般較尚,耗時長,且成本較大。
[0004]因此,提供一種能夠在常溫常壓大氣環(huán)境下快速制備石墨烯的方法是目前亟需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種常溫常壓大氣環(huán)境下快速制備石墨烯的方法,利用激光作用于浸沒在液態(tài)碳源的金屬催化劑上,直接在金屬表面可制備得到石墨烯薄膜,該方法升溫與降溫速度快,具有快速制備石墨烯的優(yōu)點。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法,將經(jīng)預(yù)處理后的金屬催化劑浸沒在裝滿液態(tài)碳源的石英玻璃皿中,密封,在常溫常壓的大氣環(huán)境下,采用激光光源輻照金屬催化劑,在金屬表面形成石墨稀薄膜。
[0007]若使所述激光光源按一定的圖案對所述催化劑金屬進行掃描照射,還可以在所述催化劑金屬表面形成圖案化石墨烯薄膜。
[0008]所述催化劑金屬為銅、鎳、鈷、釕、鐵中的一種或其合金。
[0009 ] 所述液態(tài)碳源為液態(tài)苯、甲醇、乙醇、乙二醇、己烷、甲苯等。
[0010]所述激光光源為近紅外激光光源或可見光光源,脈寬為皮秒或納秒,掃描速度為0.1-100 mm/s,激光束斑直徑在0.8?50微米,功率密度為14?16 W/cm2。
[0011]本發(fā)明的有益效果在于: (1)本發(fā)明利用高功率密度激光束掃描浸沒在液態(tài)碳源中的催化劑金屬表面,具有升溫與降溫速度快的特點,是一種快速制備石墨烯的方法;
(2)本發(fā)明采用常見的液態(tài)碳源,成本低、易獲取;整個制備過程液態(tài)碳源與催化劑金屬密封在石英玻璃皿中,制備過程安全無污染,不生成副產(chǎn)物,且整個制備過程在常溫常壓的大氣環(huán)境下進行,工藝簡單易操作;
(3)采用聚焦的激光束作用時,配合掃描振鏡和加工平臺的運動,可以掃描出所設(shè)計的任意圖案,得到圖案化的石墨烯。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明實施例一的石墨稀制備不意圖;
圖2為本發(fā)明實施例一所制備的石墨烯薄膜示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例二的石墨烯制備示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例二所制備的石墨烯薄膜示意圖;
圖5為本發(fā)明實施例一所制備的石墨烯的拉曼光譜。
【具體實施方式】
[0013]本發(fā)明提供的一種常溫常壓大氣環(huán)境下快速制備石墨烯的方法,其包括:提供一催化劑金屬;提供一液態(tài)碳源,將所述催化劑金屬浸沒在該液態(tài)碳源中;提供一激光光源,使其透過所述液態(tài)碳源照射于所述催化劑金屬上,在催化劑金屬的催化作用下,所述液態(tài)碳源在催化劑金屬表面形成石墨烯薄膜。若使所述激光光源按一定的圖案對催化劑金屬進行掃描照射,還可以在催化劑金屬表面形成圖案化石墨烯薄膜。
[0014]其中,本發(fā)明的原理是激光照射于催化劑金屬表面,使得催化劑金屬瞬間加熱,從而吸收液態(tài)碳源的碳原子,當(dāng)激光束移開后,催化劑金屬快速降溫,從而使碳原子從金屬表面析出,最終形成石墨烯薄膜。
[0015]為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點更明顯易懂,現(xiàn)結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細描述。
[0016]實施例一
(1)如圖1所示,首先,提供一銅箔10,將其浸入到硝酸(70%,aq)中30_90秒;隨后將銅箔浸入到去離子水中清洗5次以除去表面的殘留物;接著分別用丙酮和異丙醇對銅箔進行沖洗,以除去水分,并用氮氣吹干;最后將其置于管式爐中,在氫氣的保護下,進行950°C的退火處理1分鐘;
(2)提供一石英玻璃皿11,將液態(tài)苯12裝滿該石英玻璃皿;然后將所處理的銅箔浸入到液態(tài)苯中,使其完全被液態(tài)苯淹沒;
(3)提供一激光光源13輻照置于液態(tài)苯12中的銅箔10,該激光光源為近紅外光源,且波長為1.06 μπι,激光束斑為高斯光束,直徑為30 μπι,功率密度為I X 16 W/cm2,以I mm/s的速度進行圖案化掃描;銅箔10可有效地吸收激光的能量而快速升溫,從而吸收周圍液態(tài)苯的碳原子,使得碳原子吸附于銅箔表面,進而成核生長成石墨烯島,當(dāng)激光掃描結(jié)束時,銅箔快速降溫,最終在銅箔10表面形成圖案化石墨烯薄膜14,如圖2所示。
[0017]實施例二 (1)如圖3所示,首先,提供一基板20,該基板可以為玻璃、二氧化硅或塑料;在基板20上蒸鍍一層金屬鎳21,其厚度為50-100 nm;
(2)提供一石英玻璃皿22,將液態(tài)苯23裝滿該石英玻璃皿;然后將鍍有金屬鎳的基板浸入到液態(tài)苯中,使其完全被液態(tài)苯淹沒;
(3)提供一激光光源24輻照置于液態(tài)苯23中的基板上的金屬鎳21,該激光光源為近紅外光源,且波長為1.06 μπι,激光束斑為高斯光束,直徑為30 μπι,功率密度為2 X 15 ff/cm2,以I mm/s的速度進行圖案化掃描;金屬鎳21可有效地吸收激光的能量而快速升溫,從而吸收周圍液態(tài)苯的碳原子,當(dāng)激光掃描結(jié)束時,金屬鎳快速降溫,從而使碳原子從金屬鎳的表面析出,最終在金屬鎳的上表面形成多層圖案化石墨烯25,下表面也形成多層圖案化石墨烯26;
(4)利用一FeCl3水溶液將金屬鎳膜21剝離,此時在金屬鎳的下表面即金屬鎳與基板之間形成的圖案化石墨烯26完整地留在基板20上,如圖4所示。
[0018]綜上所述,本發(fā)明制備方法新穎,制作成本低,制備工藝簡單,不僅制備的速度快,而且制備的環(huán)境無需特殊的要求,在常溫常壓的大氣環(huán)境下就可進行。再者,本發(fā)明還可以根據(jù)實際要求,配合掃描振鏡和加工平臺的運動,制備出圖案化的石墨烯薄膜。
[0019]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾,皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【主權(quán)項】
1.一種常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法,其特征在于:將經(jīng)預(yù)處理后的金屬催化劑浸沒在裝滿液態(tài)碳源的石英玻璃皿中,密封,在常溫常壓的大氣環(huán)境下,采用激光光源輻照金屬催化劑,在金屬表面形成石墨烯薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法,其特征在于:所述金屬催化劑包括銅、鎳、釕、鈷、鐵中的一種或其合金。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法,其特征在于:所述液態(tài)碳源包括液態(tài)苯、甲醇、乙醇、乙二醇、己烷、甲苯中的一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法,其特征在于:所述激光光源為近紅外激光光源或可見光光源,脈寬為皮秒或納秒,掃描速度為0.1-100 mm/s,激光束斑直徑在0.8?50微米,功率密度為14?16 ff/cm2。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種常溫常壓下利用激光快速制備石墨烯的方法,包括以下步驟:提供一催化劑金屬;提供一液態(tài)碳源,將催化劑金屬浸沒在該液態(tài)碳源中;提供一激光光源,使其透過液態(tài)碳源照射于該催化劑金屬上,使催化劑金屬瞬間加熱,液態(tài)碳源在催化劑金屬的作用下在催化劑金屬表面形成石墨烯薄膜。若使激光光源按一定的圖案對催化劑金屬進行掃描照射,還可以在催化劑金屬表面形成圖案化石墨烯薄膜;該方法升溫與降溫速度快,具有快速制備石墨烯的優(yōu)點。
【IPC分類】C01B31/04
【公開號】CN105523554
【申請?zhí)枴緾N201610078743
【發(fā)明人】胡海龍, 郭太良, 黃航, 朱敬光, 李福山, 楊尊先, 周雄圖, 張永愛, 葉蕓, 孫磊
【申請人】福州大學(xué)
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2016年2月4日
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