本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)模板，具體涉及一種采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板。
背景技術(shù)：
：已知的，藍(lán)寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(αA1203)的單晶，又稱為剛玉。剛玉晶體具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)和機(jī)械性能，其硬度僅次于鉆石。具有機(jī)械強(qiáng)度高、高溫化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱性好、高絕緣性、小摩擦系數(shù)等特點(diǎn)。藍(lán)寶石被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子器件、激光器、真空器件、精密機(jī)械等。特別是含Ti4+藍(lán)寶石，是優(yōu)異的固體寬帶調(diào)諧激光材料，可制作超強(qiáng)的飛秒量級可調(diào)諧激光器。高質(zhì)量寶石晶體的人工合成是人們研究的重要領(lǐng)域。人工制備藍(lán)寶石晶體材料目前己有很多種方法，主要有:泡生法（Kyropolous，簡稱Ky法)、導(dǎo)模法(即EdgeDefinedFilm-fedGrowthtechniques，簡稱EFG法)、熱交換法(即HeatExchangeMethod，簡稱HEM沾)，提拉法（Czochralski)，布里奇曼法CBridgman)，坩堝下降法等。以EFG法為例，制造方法大致如下：將氧化鋁原料裝入鎢鉬坩堝內(nèi)，加熱熔融，在坩堝內(nèi)部放入特定的導(dǎo)模板，導(dǎo)模板開有適當(dāng)寬度的孔或槽。由于氧化鋁與導(dǎo)模板之間具有浸潤性，故在毛細(xì)作用下，溶液可爬升至導(dǎo)模板頂端，并在導(dǎo)模板頂部形成一層薄膜。采用EFG法生長藍(lán)寶石晶片時(shí)，其核心之一就是導(dǎo)模板，導(dǎo)模板直接影響產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量。導(dǎo)模板目前較常用的是等寬的導(dǎo)模板，在熱場中隨著晶體的拉制穩(wěn)定持續(xù)升高，更由于隨著使用的厚度及長度的要求越來越大，等寬的EFG法晶體導(dǎo)模板的弊端愈發(fā)明顯：例如：a、由于導(dǎo)模板采用等寬結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)模板的外邊緣靠近發(fā)熱體處溫度高不容易供料，導(dǎo)致晶板縮角；b、由于導(dǎo)模板采用等寬結(jié)構(gòu)，隨著晶板的拉制越來越長，靠近發(fā)熱體的導(dǎo)模板溫度越來越高，造成所拉制晶體寬度不一致；c、由于導(dǎo)模板采用等寬結(jié)構(gòu)，外側(cè)溫度高后為保證晶體厚度要求需降低拉制速度，造成生產(chǎn)效率降低鑒于此，現(xiàn)迫切需要設(shè)計(jì)一種新的板狀導(dǎo)模板來實(shí)現(xiàn)厚晶板的持續(xù)成形，使其在拉制過程中表現(xiàn)形式一致，操作方便可靠等等。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于
背景技術(shù)：
中存在的不足，本實(shí)用新型公開了一種采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，本實(shí)用新型通過在導(dǎo)模板主體的兩側(cè)面分別設(shè)有向內(nèi)凹陷的凹陷面使導(dǎo)模板主體形成中部薄兩端厚的結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型改變了導(dǎo)模板局部溫度，利于晶體結(jié)晶，解決了晶體縮角的問題，保證晶體的完整性，同時(shí)還增加了導(dǎo)模板兩端頭的局部寬度，解決了隨溫度增高晶體寬度變窄的問題，利于晶體拉制時(shí)的操作，增大了控制調(diào)整范圍等。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，包括第一側(cè)板、凹陷面、主供料縫和第二側(cè)板，所述第一側(cè)板與第二側(cè)板平行且間隔設(shè)置構(gòu)成長方形導(dǎo)模板主體，第一側(cè)板與第二側(cè)板之間的縫隙構(gòu)成主供料縫，在導(dǎo)模板主體的出料端設(shè)有向下凹陷的V形槽，在導(dǎo)模板主體的兩側(cè)面分別設(shè)有向內(nèi)凹陷的凹陷面使導(dǎo)模板主體形成中部薄兩端厚的結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)模板主體的進(jìn)料端設(shè)有連接槽形成所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板。所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，所述凹陷面的中部為平面，凹陷面的兩端為斜面。所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，所述斜面的長度為1～30mm。所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，所述導(dǎo)模板主體兩側(cè)面設(shè)置的凹陷面斜面的夾角為0.1°～50°。所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，所述凹陷面上的平面與斜面的交界處設(shè)有過度圓弧。所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，所述主供料縫的寬度為0.1～3mm。所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，所述V形槽兩邊的夾角為70°～150°。由于采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有如下有益效果：本實(shí)用新型所述的一種采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，本實(shí)用新型通過在導(dǎo)模板主體的出料端設(shè)有向下凹陷的V形槽，在導(dǎo)模板主體的兩側(cè)面分別設(shè)有向內(nèi)凹陷的凹陷面使導(dǎo)模板主體形成中部薄兩端厚的結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型改善了具備熱場環(huán)境，降低了具備溫度，使兩側(cè)與中間位置處于同一條等溫線上，較之前提升拉制速度，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)改變了導(dǎo)模板局部溫度，利于晶體結(jié)晶，解決了晶體縮角的問題，保證晶體的完整性，同時(shí)還增加了導(dǎo)模板兩端頭的局部寬度，解決了隨溫度增高晶體寬度變窄的問題，利于晶體拉制時(shí)的操作，增大了控制調(diào)整范圍等，適合大范圍的推廣和應(yīng)用。【附圖說明】圖1是本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖1的左視結(jié)構(gòu)示意圖；在圖中：1、第一側(cè)板；2、凹陷面；3、V形槽；4、主供料縫；5、第二側(cè)板；6、過度圓?。?、連接槽?！揪唧w實(shí)施方式】參考下面的實(shí)施例，可以更詳細(xì)地解釋本實(shí)用新型；但是，本實(shí)用新型并不局限于這些實(shí)施例。需要說明的是，本實(shí)用新型中采用的位置描述關(guān)系（即上、下、左、右、前、后）僅以附圖為例。結(jié)合附圖1～3所述的一種采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板，包括第一側(cè)板1、凹陷面2、主供料縫4和第二側(cè)板5，所述第一側(cè)板1和第二側(cè)板5的形狀均為長方形結(jié)構(gòu)，第一側(cè)板1和第二側(cè)板5的長度、寬度和厚度均設(shè)置為一致，第一側(cè)板1與第二側(cè)板5平行、對應(yīng)且間隔設(shè)置構(gòu)成長方形導(dǎo)模板主體，第一側(cè)板1與第二側(cè)板5之間的縫隙構(gòu)成主供料縫4，所述主供料縫4的寬度b設(shè)置為0.1～3mm，在實(shí)際應(yīng)用過程中，第一側(cè)板1與第二側(cè)板5之間設(shè)置若干個(gè)間隔塊，然后第一側(cè)板1與第二側(cè)板5通過螺栓固定為一體（此結(jié)構(gòu)附圖中未示出）;進(jìn)一步,第一側(cè)板1與第二側(cè)板5的材料選用鎢或鉬或鎢鉬合金當(dāng)中的任意一種；進(jìn)一步，在導(dǎo)模板主體的出料端設(shè)有向下凹陷的V形槽3（如圖3所示），所述V形槽3兩邊的夾角β為70°～150°，在實(shí)際實(shí)施過程中,V形槽3的設(shè)置即在第一側(cè)板1的上端設(shè)置左側(cè)高右側(cè)低的斜面A,在第二側(cè)板5的上端設(shè)置左側(cè)低右側(cè)高的斜面B,由所述斜面A與斜面B構(gòu)成V形槽3；進(jìn)一步，在導(dǎo)模板主體的兩側(cè)面分別設(shè)有向內(nèi)凹陷的凹陷面2使導(dǎo)模板主體形成中部薄兩端厚的結(jié)構(gòu)（具體如圖2所示），所述凹陷面2的中部為平面，凹陷面2的兩端為斜面；所述斜面的長度a設(shè)置為1～30mm。導(dǎo)模板主體兩側(cè)面設(shè)置的凹陷面2斜面的夾角θ設(shè)置為0.1°～50°；進(jìn)一步，在凹陷面2上的平面與斜面的交界處設(shè)有過度圓弧6；進(jìn)一步，在導(dǎo)模板主體的進(jìn)料端設(shè)有連接槽7，由所述連接槽7連接坩堝內(nèi)的導(dǎo)模板固定座（此結(jié)構(gòu)附圖未示出）形成形成所述的采用導(dǎo)模法生長藍(lán)寶石晶體的導(dǎo)模板。本實(shí)用新型的具體優(yōu)點(diǎn)如下：1、本實(shí)用新型改善了具備熱場環(huán)境，降低了具備溫度，使導(dǎo)模板兩側(cè)與中間位置處于同一條等溫線上，較之前提升拉制速度，提高生產(chǎn)效率；2、本實(shí)用新型改變導(dǎo)模板局部溫度，利于晶體結(jié)晶，解決晶體縮角問題，保證了晶體的完整性；3、本實(shí)用新型增加了導(dǎo)模板兩端頭的局部寬度，解決了隨溫度增高晶體寬度變窄的問題，利于晶體拉制時(shí)的操作，增大了控制調(diào)整范圍等。本實(shí)用新型的應(yīng)用實(shí)例如下表所示：θ值abβ晶體縮角情況5°30.370°厚度方向縮角趨勢減弱，但仍有2～3mm的縮角同時(shí)拉制調(diào)整區(qū)間窄12°80.4100°厚度方向存在1m左右的V形縮角，拉制調(diào)整區(qū)間相對較窄20°150.5120°溫高溫底均無縮角現(xiàn)象存在，拉制調(diào)整區(qū)間寬30°200.6150°厚度方向存在2m左右的V形縮角,拉制調(diào)整區(qū)間相對較窄本實(shí)用新型未詳述部分為現(xiàn)有技術(shù)。為了公開本實(shí)用新型的實(shí)用新型目的而在本文中選用的實(shí)施例，當(dāng)前認(rèn)為是適宜的，但是，應(yīng)了解的是，本實(shí)用新型旨在包括一切屬于本構(gòu)思和發(fā)明范圍內(nèi)的實(shí)施例的所有變化和改進(jìn)。當(dāng)前第1頁1 2 3