專利名稱：還原爐電極石英絕緣構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝，是一種還原爐電極石英絕緣構(gòu)件。
背景技術(shù)：
目前多晶硅生產(chǎn)主要工藝為改良西門子法，其還原工序主要是由電能提供熱源，讓反應(yīng)混合原料在高溫高壓的爐內(nèi)氣相沉積生成多晶娃。由于還原反應(yīng)的啟動要在100°c至200°C的溫度條件下，提供3000V至12000V的高壓對爐內(nèi)硅芯進行擊穿通電提供能源，這就要求電極的附屬絕緣構(gòu)件絕緣性能要好；而在整個多晶硅沉積生產(chǎn)過程中電極的聚四氟乙烯絕緣套極易被高溫?zé)龎模@就要求絕緣構(gòu)件的隔熱性能好、耐溫高、化學(xué)穩(wěn)定性要好。還原爐電極石英絕緣構(gòu)件的原理就是利用石英具有極低的熱膨脹系數(shù)、高的耐溫性、極好的化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)良的電絕緣性等性能，以達到還原爐電極電絕緣性能好、低維護、長期穩(wěn)定運行的目的。目前多晶硅生產(chǎn)行業(yè)內(nèi)的還原爐電極絕緣構(gòu)件主要采用陶瓷絕緣環(huán)，陶瓷絕緣環(huán)由于熱膨脹系數(shù)稍大((Tioocrc，石英砂熱膨脹系數(shù)-為5.5 X 10-7/°C )，在硅棒生長到Φ40mm左右時陶瓷絕緣環(huán)有開裂損壞現(xiàn)象；當(dāng)硅棒長到Φ IOOmm左右時陶瓷絕緣環(huán)開裂損壞30%以上；這使得電極的聚四氟乙烯絕緣套燒毀嚴(yán)重，更換頻繁，同時為生產(chǎn)帶來較大的安全隱患。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種電絕緣性能好、低維護、長期穩(wěn)定運行的還原爐電極石英絕緣構(gòu)件，這樣即保證了啟動時的優(yōu)良電絕緣性，又保證在整個娃棒生長過程中絕緣構(gòu)件沒有任何開裂損壞現(xiàn)象；保證了不中斷生產(chǎn)的連續(xù)穩(wěn)定性、不增加備件消耗，也不影響產(chǎn)品純度，且降低了生 產(chǎn)安全隱患。本實用新型的技術(shù)方案如下:還原爐電極石英絕緣構(gòu)件,其特征在于:包括由石英制成的絕緣外環(huán)、絕緣內(nèi)環(huán)和絕緣頂蓋；絕緣內(nèi)環(huán)配置在還原爐內(nèi)底盤上電極與聚四氟乙烯絕緣套之間；絕緣外環(huán)套在還原爐底盤的聚四氟乙烯絕緣套上端，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀；絕緣外環(huán)和絕緣內(nèi)環(huán)的頂面位于同一平面，所述絕緣內(nèi)環(huán)和絕緣外環(huán)上面設(shè)置有絕緣頂蓋，讓還原爐底盤、絕緣內(nèi)環(huán)、絕緣外環(huán)、絕緣頂蓋圍成一個封閉空間，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱和高溫氣流對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀。所述絕緣內(nèi)環(huán)、絕緣外環(huán)和絕緣頂蓋均為磨砂面。本實用新型的有益效果如下:本實用新型能保證還原爐電極絕緣能長周期、低維護、運行穩(wěn)定；石英絕緣內(nèi)環(huán)放在還原爐內(nèi)底盤上電極與聚四氟乙烯絕緣套之間，可以增強它們之間的電絕緣性；石英絕緣外環(huán)套在還原爐底盤聚四氟乙烯絕緣套上，可以降低爐內(nèi)硅棒輻射熱對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀；另外石英絕緣內(nèi)環(huán)和絕緣外環(huán)均為磨砂面，進一步增強其隔熱性能；石英絕緣頂蓋全為磨砂面，放在石英絕緣內(nèi)環(huán)和石英絕緣外環(huán)上，讓其爐底盤、石英絕緣內(nèi)環(huán)、石英絕緣外環(huán)、石英絕緣頂蓋圍成一個封閉空間，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱和高溫氣流對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖其中附圖標(biāo)記為:1絕緣外環(huán)，2絕緣內(nèi)環(huán),3絕緣頂蓋。
具體實施方式
如圖1所示,還原爐電極石英絕緣構(gòu)件,包括由石英制成的絕緣外環(huán)1、絕緣內(nèi)環(huán)2和絕緣頂蓋3 ;絕緣內(nèi)環(huán)2配置在還原爐內(nèi)底盤上電極與聚四氟乙烯絕緣套之間；絕緣外環(huán)I套在還原爐底盤的聚四氟乙烯絕緣套上端，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀；絕緣外環(huán)I和絕緣內(nèi)環(huán)2的頂面位于同一平面，所述絕緣內(nèi)環(huán)2和絕緣外環(huán)I上面設(shè)置有絕緣頂蓋3，讓還原爐底盤、絕緣內(nèi)環(huán)2、絕緣外環(huán)1、絕緣頂蓋3圍成一個封閉空間，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱和高溫氣流對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀。所述絕緣內(nèi)環(huán)2、絕緣外環(huán)I和絕緣頂蓋3均為磨砂面。
權(quán)利要求1.還原爐電極石英絕緣構(gòu)件，其特征在于:包括由石英制成的絕緣外環(huán)(I)、絕緣內(nèi)環(huán)(2)和絕緣頂蓋(3);絕緣內(nèi)環(huán)(2)配置在還原爐內(nèi)底盤上電極與聚四氟乙烯絕緣套之間；絕緣外環(huán)(I)套在還原爐底盤的聚四氟乙烯絕緣套上端；絕緣外環(huán)(I)和絕緣內(nèi)環(huán)(2)的頂面位于同一平面，所述絕緣內(nèi)環(huán)(2)和絕緣外環(huán)(I)上面設(shè)置有絕緣頂蓋(3)，還原爐底盤、絕緣內(nèi)環(huán)(2 )、絕緣外環(huán)(I)、絕緣頂蓋(3 )圍成一個封閉空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐電極石英絕緣構(gòu)件，其特征在于:所述絕緣內(nèi)環(huán)(2)、絕緣外環(huán)(I)均為磨砂面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐電極石英絕緣構(gòu)件，其特征在于:所述絕緣頂蓋(3)均為磨砂面。
專利摘要本實用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝，是一種還原爐電極石英絕緣構(gòu)件，其特征在于包括由石英制成的絕緣外環(huán)、絕緣內(nèi)環(huán)和絕緣頂蓋；絕緣內(nèi)環(huán)配置在還原爐內(nèi)底盤上電極與聚四氟乙烯絕緣套之間；絕緣外環(huán)套在還原爐底盤的聚四氟乙烯絕緣套上端，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀；絕緣外環(huán)和絕緣內(nèi)環(huán)的頂面位于同一平面，所述絕緣內(nèi)環(huán)和絕緣外環(huán)上面設(shè)置有絕緣頂蓋，讓還原爐底盤、絕緣內(nèi)環(huán)、絕緣外環(huán)、絕緣頂蓋圍成一個封閉空間，為降低爐內(nèi)硅棒輻射熱和高溫氣流對聚四氟乙烯絕緣套的燒毀；本實用新型能保證還原爐電極絕緣能長周期、低維護、運行穩(wěn)定。
文檔編號C01B33/021GK203021302SQ20122064773
公開日2013年6月26日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者游書華 申請人:四川永祥多晶硅有限公司