專利名稱：一種還原氧化石墨烯的制備方法與應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種還原氧化石墨烯的制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)：
石墨烯，是一種從石墨材料中剝離出的單層碳原子厚度的材料，碳原子之間以共 價(jià)鍵連結(jié)形成二維六方蜂巢結(jié)構(gòu)。自從2004年，英國(guó)曼徹斯特大學(xué)Geim教授的研究小 組首次通過機(jī)械微應(yīng)力技術(shù)(micromechanical cleavage)的簡(jiǎn)單方法，成功獲得單層 石墨烯以來(Novoselov, K. ；Geim, A. ；Morozov, S. ；Jiang, D. ；Zhang, Y. ；Dubonos, S.； Grigorieva, I. ；Firsov, A Science 2004，306，666-669.)，目前，已經(jīng)發(fā)展了各種物理或化 學(xué)方法來制備各種基于石墨烯的先進(jìn)功能材料(Dreyer，D.R. ；Park, S. ；Bielawski, C. W.； Ruoff, R. S. Chem. Soc. Rev. 2010，39，228-240 ；Allen, Μ. J. ；Tung, V. C. ；Kaner, R. B. Chem. Rev. 2010，110，132-145 ；Geim, Α. K. ；Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007，6，183—191.)。在 各種制備石墨烯的方法中，采用強(qiáng)酸插層石墨的化學(xué)剝離法，由于其廉價(jià)、可量化制備、簡(jiǎn) 單、便捷等特點(diǎn)而引起了特別關(guān)注(Stankovich，S. ；Dikin, D. A. ；Piner, R. D. ；Kohlhaas, K. A. ；Kleinhammes, A. ； Jia, Y. ；Wu, Y. ；Nguyen, S. Τ. ；Ruoff, R.S.Carbon 2007,45, 1558-1565)。然而，該方法致命的缺點(diǎn)是，不能直接得到具有良好結(jié)構(gòu)的石墨烯，而只能得 到具有羧基、環(huán)氧基、羥基等含氧基團(tuán)的氧化石墨烯(grapheneOXide，G0)，由于這些含氧基 團(tuán)破壞了石墨烯的大η共軛體系，使其電阻要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于石墨烯。因此，修復(fù)氧化石墨烯中 的缺陷，以獲得具有低電阻的還原氧化石墨烯(reduced graphene oxide,RG0)具有重要實(shí) 踐意義。目前，修復(fù)氧化石墨烯的方法有多種，大致可以分為干法和濕法。然而，這些方法 通常需要引入各種化學(xué)物質(zhì)、電解質(zhì)、有毒氣體或高溫加熱。因此，亟需一種在常溫下綠色、 潔凈的方法來修復(fù)氧化石墨烯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有低電阻的還原氧化石墨烯薄膜及其制備方法。本發(fā)明所提供的還原氧化石墨烯薄膜是按照包括下述步驟的方法制備得到的1)采用下述a)或b)中所述方法構(gòu)建氧化石墨烯薄膜_間隙電極對(duì)；2)在步驟1)制備的氧化石墨烯薄膜_間隙電極對(duì)上施加電壓，通過電子注入法 (亦即通電)對(duì)氧化石墨烯薄膜(GO)進(jìn)行修復(fù)，得到還原氧化石墨烯(RGO)薄膜；所述a)方法如下先將間隙電極固定到固體基片上，以獲得間隙電極對(duì)；再將氧 化石墨烯溶液澆鑄到所述固體基片上，待溶劑揮發(fā)后，即得到所述的氧化石墨烯薄膜_間 隙電極對(duì)；所述b)方法如下先將氧化石墨烯溶液澆鑄到固體基片上，待溶劑揮發(fā)后，得到 氧化石墨烯薄膜；然后在所述氧化石墨烯薄膜上固定間隙電極，以獲得間隙電極對(duì)，即得到 所述的氧化石墨烯薄膜_間隙電極對(duì)；其中，所述氧化石墨烯溶液由氧化石墨烯和極性溶劑組成。
所述a)方法和b)方法中氧化石墨烯溶液的濃度可為0. 05-200mg/ml，優(yōu)選的濃度 為 0. 1 3mg/ml0所述a)方法和b)方法中氧化石墨烯溶液中的極性溶劑可選自下述至少一種水、 稀鹽酸(濃度lmmol/L-100mmol/L)、稀硫酸(lmmol/L-100mmol/L)、乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、 乙二醇、乙酸、甲酸、乙酸乙脂、卩比啶和甲苯，優(yōu)選為水、乙醇和甲醇。所述a)方法和b)方法中澆鑄到所述固體基片上的氧化石墨烯溶液的體積可為 10 μ I-IOOml，優(yōu)選為 ομ 1 ΙΟΟμ 1 ；所述氧化石墨烯薄膜的厚度可為20 lOOOnm，優(yōu)選 為 100 300nm。所述a)方法和b)方法中所述固體基片可為絕緣體或半導(dǎo)體固體基片，具體可為 石英片、玻璃片、塑料片、云母片、硅片、打印紙或光盤片；所述間隙電極可為針式或片式金 屬電極。 所述間隙電極對(duì)中兩間隙電極之間的距離為20 μ m-20mm,優(yōu)選為20 μ m-50 μ m。所述步驟2)中在氧化石墨烯薄膜的間隙電極對(duì)上所施加的電壓在lOOmV-lOOOV 范圍內(nèi)變化，采用電子注入法通電的時(shí)間為20-3600S對(duì)氧化石墨烯薄膜進(jìn)行修復(fù)的環(huán)境 條件如下環(huán)境溫度為_20°C _80°C，相對(duì)濕度18% -80%。本發(fā)明所用的氧化石墨烯(GO)是基于石墨(graphite)通過酸剝離插層的化學(xué)法 得到的。本發(fā)明的電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜材料是采用兩電極法，以各種金屬電極為 間隙電極，在氧化石墨烯膜上通電，隨著電子流經(jīng)氧化石墨烯薄膜，可以修復(fù)氧化石墨烯表 面的缺陷，使氧化石墨烯的η電子共軛程度增加，從而獲得具有低電阻的還原氧化石墨 火布。本發(fā)明的氧化石墨烯缺陷的修復(fù)程度與氧化石墨烯溶液的濃度、滴膜時(shí)所使用的 氧化石墨烯溶液的體積、氧化石墨烯薄膜的厚度、氧化石墨烯薄膜層間水、酸、醇等質(zhì)子性 物質(zhì)的含量、環(huán)境濕度、兩間隙電極間的距離以及施加電壓的大小、通電時(shí)間等均有很大關(guān)系。本發(fā)明的氧化石墨烯薄膜中水分、酸性物質(zhì)、醇類物質(zhì)的含量越多，通電環(huán)境的濕 度越大，間隙電極間的距離越小，所施加的電壓越大、通電時(shí)間越長(zhǎng)，電子修復(fù)氧化石墨烯 的效果越好。本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供所獲得的還原氧化石墨烯的應(yīng)用。本發(fā)明所提供的還原氧化石墨烯的應(yīng)用是其作為間隙電極在制備光電響應(yīng)器件 中的應(yīng)用。將所述步驟2)中獲得的還原氧化石墨烯薄膜和其兩側(cè)的間隙電極隔開，并將還 原氧化石墨烯薄膜劃成片狀區(qū)域，以獲得基于這些還原氧化石墨烯的間隙電極，將具有光 電響應(yīng)功能的材料搭建在相鄰的還原氧化石墨烯間隙電極上，得到基于還原氧化石墨烯為 間隙電極的光電響應(yīng)器件。本發(fā)明所涉及的光電響應(yīng)材料包括酞菁、嚇啉、茈、偶氮苯、含大π體系的導(dǎo)電聚 合物等大環(huán)η體系化合物或其衍生物。這些光電響應(yīng)材料或通過物理氣相沉積法沉積搭建到還原氧化石墨烯間隙電極 上，或?qū)⑦@些化合物的微晶或小顆粒直接搭建到還原氧化石墨烯間隙電極上，亦或通過澆鑄法將其溶液滴加到還原氧化石墨烯間隙電極上，以獲得光電響應(yīng)體系。本發(fā)明所得到的還原氧化石墨烯薄膜的電阻與未修復(fù)前的氧化石墨烯薄膜材料 的電阻相比，降低了 IO2 IO8倍。以全氟鈦菁銅為光電響應(yīng)材料，基于所述還原氧化石墨 烯為間隙電極制備光電響應(yīng)器件，光電流響應(yīng)測(cè)試結(jié)果表明還原氧化石墨烯電極的性能明 顯優(yōu)于金屬電極和氧化石墨烯電極。



圖1為實(shí)施例1中的氧化石墨烯薄膜在通電期間的電壓_電流曲線(I-V)(濕度 28%),圖中箭頭表示掃描次數(shù)遞增。圖2為實(shí)施例1中的氧化石墨烯薄膜在通電期間的電流_時(shí)間曲線(I-T)。圖3為實(shí)施例1中的氧化石墨烯薄膜在通電前后的典型Raman光譜。圖4為實(shí)施例1中的氧化石墨烯薄膜在通電期間的電壓_電流曲線(I-V)(濕度 80%),圖中箭頭表示掃描次數(shù)遞增。圖5為實(shí)施例2所使用的銅網(wǎng)掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為實(shí)施例2中以還原氧化石墨烯為間隙電極、未經(jīng)通電還原的氧化石墨烯為 間隙電極、金膜為間隙電極，以全氟酞菁銅薄膜為光電響應(yīng)材料的光電器件，在外加電壓為 50V時(shí)的光電響應(yīng)曲線。
具體實(shí)施例方式下面通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的方法進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不局限于此。下述實(shí)施例中所述實(shí)驗(yàn)方法，如無特殊說明，均為常規(guī)方法；所述試劑和生物材 料，如無特殊說明，均可從商業(yè)途徑獲得。實(shí)施例1、修復(fù)氧化石墨烯1)氧化石墨烯(GO)水溶液的制備采用改進(jìn)的Hummers方法剝離平均粒徑為20 μ m的石墨(純度，99wt% )制備氧化 石墨烯。將Ig石墨加入含0. 5g NaNO3的23ml硫酸溶液中。在10°C以下的冰水浴中強(qiáng)烈 攪拌下，緩慢滴加3g高錳酸鉀到上述混合溶液中。冰水浴移去后繼續(xù)攪拌5天。加超純水 到上述漿狀產(chǎn)物中，繼續(xù)攪拌30min后，再加入125ml(3wt%)的過氧化氫。經(jīng)過反復(fù)沉淀、 過濾、離心來提純亮棕色混合物，直到用飽和氯化鋇溶液檢測(cè)不到上層溶液中的硫酸鹽，過 濾，即得到氧化石墨烯。將得到的氧化石墨烯分散到水中得到的濃度約為0.3wt% (3mg/ mL)氧化石墨烯水溶液。2)氧化石墨烯(GO)薄膜樣品的制備將3mg/ml的氧化石墨烯水溶液用純水稀釋至0. 5mg/ml。用微量進(jìn)樣器移取 οομ 、濃度為0. 5mg/ml的氧化石墨烯溶液滴加到石英片上，溶劑自然揮發(fā)后，得到厚度 為IOOnm 300nm的氧化石墨烯薄膜。放置于室溫潔凈環(huán)境中。3)上電極法構(gòu)建氧化石墨烯薄膜的間隙電極對(duì)真空熱沉積金膜到氧化石墨烯薄膜上。用直徑為20 μ m的金絲為掩模板，在 6 X ICT4Pa的真空條件下，以0.1 0.3 A/s的速度熱沉積厚度20nm，純度為99. 999%的金膜， 沉積完畢后，去除掩模板，得到氧化石墨烯薄膜_間隙電極對(duì)。
4)電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜利用Micromanipulator 6150probe大氣探針臺(tái)，借助于配套的光學(xué)顯微鏡，將針 尖直徑為10 μ m 20 μ m的鎢探針搭到兩個(gè)相鄰的金膜間隙電極上(間隙電極間的距離為 20 μ m 25 μ m)。利用Keithley 4200 SCS半導(dǎo)體測(cè)試儀，通過兩電極法測(cè)量該修復(fù)體系 的I-V，I-t曲線。當(dāng)環(huán)境濕度為28%、溫度為28°C時(shí)，在0 30V電壓下通電，掃描電壓為0 30V， 循環(huán)多次掃描，隨著掃描次數(shù)的增加電流依次遞增(見圖1)，表明氧化石墨烯薄膜的電阻 依次遞減，還原成功進(jìn)行。當(dāng)環(huán)境濕度為80%、溫度為18°C時(shí)，在0 IOV電壓下通電，掃描電壓為0 10V， 循環(huán)多次掃描，隨著掃描次數(shù)的增加電流依次遞增(見圖4)，表明氧化石墨烯薄膜的電阻 依次遞減，還原成功進(jìn)行。 當(dāng)環(huán)境濕度為30%、溫度為20°C時(shí)，在30V下通電40s后，電流迅速增加達(dá)到儀器 的設(shè)定參數(shù)10_3A，隨著掃描時(shí)間的增加，電流連續(xù)增加，通電時(shí)間足夠長(zhǎng)時(shí)，達(dá)到飽和(見 圖2)。表明隨掃描時(shí)間的增加，氧化石墨烯薄膜的電阻從2X IO8歐姆降低到3 X IO4歐姆， 還原成功進(jìn)行。為了進(jìn)一步證明該過程發(fā)生的化學(xué)變化，比較了電子修復(fù)前后的拉曼光譜如圖3 所示。拉曼光譜顯示氧化石墨烯薄膜通電前在1594CHT1和1360CHT1處的吸收峰為氧化石墨 烯典型的G帶和D帶拉曼光譜峰。電刺激后，其D帶和G帶分別在1352CHT1和1586CHT1處 有明顯的吸收。且通電后的G/D明顯降低。進(jìn)一步證明了在一定的電壓下通電一段時(shí)間后 氧化石墨烯薄膜得到了很好的修復(fù)。實(shí)施例2、修復(fù)氧化石墨烯及其作為電極材料在光電響應(yīng)器件中的應(yīng)用氧化石墨烯溶液的制備如實(shí)施例1 ；氧化石墨烯(GO)薄膜樣品的制備如實(shí)施例1 ；真空熱沉積金膜到氧化石墨烯薄膜上的方法如實(shí)施例1，所不同的是以型號(hào)為 G75，間隙電極間的距離為20 μ m 50 μ m，銅網(wǎng)邊緣寬度為280 300 μ m，直徑為3mm的銅 網(wǎng)為掩模板，如圖5所示；電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜的方法如實(shí)施例1 當(dāng)間隙電極間的距離為20 μ m 50 μ m時(shí)，在30V電壓下通電一定時(shí)間(20_600s)
即實(shí)現(xiàn)了原位電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜。當(dāng)間隙電極間的距離為280μπι 300μπι時(shí)，需要在100V 180V電壓下通電一 定時(shí)間(600-3600S)以實(shí)現(xiàn)原位電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜。電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜電極是利用鎢探針將銅網(wǎng)邊緣長(zhǎng)、寬度均為290 μ m 的修復(fù)氧化石墨烯薄膜和周圍的金膜劃開，并在修復(fù)氧化石墨烯薄膜上沿縱向和橫向各劃 出一條20 μ m寬度的溝道。金電極和氧化石墨烯電極也是用鎢探針在所述氧化石墨烯薄膜和金膜上劃出同 電子修復(fù)氧化石墨烯薄膜電極相同大小的尺寸和溝道；全氟酞菁銅薄膜光電響應(yīng)材料的蒸鍍?nèi)佪笺~(FieCuPc)(購(gòu)于阿法埃莎(Alfa Aesar)有限公司)，用物理氣相沉 積法((PVD)進(jìn)一步提純，具體純化方法如下利用管式爐在低真空下進(jìn)行多次升華純化處理。將F16CuPc粉末放置在高溫區(qū)，襯底放置在低溫區(qū)。高溫區(qū)溫度控制在400到500°C之 間。整個(gè)過程中采用Ar氣作為載氣，流量約為200sCCm。整個(gè)加熱時(shí)間約3小時(shí)，加熱完 成后自然降溫至室溫。反應(yīng)完成后在低溫區(qū)的襯底上獲得提純后的全氟酞菁銅樣品。再在 6 X IO-4Pa的真空條件下，以0.1 0.3 A/s的速度分別熱沉積50nm厚度的全氟鈦菁銅薄膜到 電子注入修復(fù)氧化石墨烯電極間隙、氧化石墨烯電極間隙和金膜電極間隙上。3，4，9，10-茈四甲酰二亞胺(卩丁0)1，95%)(1^1，上海)和5，10，15，20-四(4-甲 氧基苯基)-21H，23H-卟啉(H2TPPOMe, Aldrich,95% )的晶體不需純化直接作為光電響應(yīng) 材料使用，借助于鎢探針在靜電吸附力的作用下將其轉(zhuǎn)移到電子注入 修復(fù)氧化石墨烯電極 間隙，氧化石墨烯電極間隙和金膜電極間隙上。光電流響應(yīng)的測(cè)試在大氣環(huán)境下用Keithley 4200 SCS和Micromanipulator 6150probe來測(cè)量。比較沉積了全氟鈦菁銅薄膜的三種光電響應(yīng)材料在修復(fù)氧化石墨烯電 極間隙、金電極間隙和氧化石墨烯電極間隙上明暗電流的光電開關(guān)比。測(cè)試結(jié)果表明修復(fù) 氧化石墨烯電極的性能優(yōu)越于金電極和氧化石墨烯電極，如圖6所示。實(shí)施例3、修復(fù)氧化石墨烯作為電極材料在光電響應(yīng)器件中的應(yīng)用氧化石墨烯水溶液的制備如實(shí)施例1 ；氧化石墨烯(GO)薄膜樣品的制備用微量進(jìn)樣器移取500μ 1，濃度為3mg/ml的 氧化石墨烯水溶液滴加到親水玻璃載玻片上，任其自然干燥后，得到厚度為100-300nm的
氧化石墨烯薄膜。放置于室溫潔凈環(huán)境中。真空熱沉積金膜到氧化石墨烯薄膜上的方法如實(shí)施例1，所不同的是以0. 5 2mm 寬度的鋁箔為掩模板。電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜的方法如實(shí)施例1，所不同的是因間隙電極的寬度 為0. 5 2mm，需要在180V電壓下通電較長(zhǎng)時(shí)間(20min)，即可實(shí)現(xiàn)原位電子注入修復(fù)氧化
石墨烯薄膜。電子注入修復(fù)氧化石墨烯薄膜電極、金電極和氧化石墨烯電極的構(gòu)建均采用實(shí)施 例2的方法。全氟酞菁銅(F16CuPc)薄膜的蒸鍍、3，4，9，10-茈四甲酰二亞胺和5，10，15，20-四 (4-甲氧基苯基)-21H，23H-卟啉微晶膜的構(gòu)建均采用實(shí)施例2的方法。光電流響應(yīng)的測(cè)試方法和結(jié)果如同實(shí)施例2。
權(quán)利要求
一種制備還原氧化石墨烯薄膜的方法，包括下述步驟1)采用下述a)或b)中所述方法構(gòu)建氧化石墨烯薄膜-間隙電極對(duì)；2)在步驟1)制備的氧化石墨烯薄膜-間隙電極對(duì)上施加電壓，通過電子注入法對(duì)氧化石墨烯薄膜進(jìn)行修復(fù)，得到還原氧化石墨烯薄膜；所述a)方法如下先將間隙電極固定到固體基片上，以獲得間隙電極對(duì)；再將氧化石墨烯溶液澆鑄到所述固體基片上，待溶劑揮發(fā)后，即得到所述的氧化石墨烯薄膜-間隙電極對(duì)；所述b)方法如下先將氧化石墨烯溶液澆鑄到固體基片上，待溶劑揮發(fā)后，得到氧化石墨烯薄膜；然后在所述氧化石墨烯薄膜上固定間隙電極，以獲得間隙電極對(duì)，即得到所述的氧化石墨烯薄膜-間隙電極對(duì)；其中，所述氧化石墨烯溶液由氧化石墨烯和極性溶劑組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述a)方法和b)方法中氧化石墨烯溶 液的濃度為0. 05-200mg/ml，優(yōu)選的濃度為0. l_3mg/ml ；所述a)方法和b)方法中氧化石墨烯溶液中的極性溶劑選自下述至少一種水、稀鹽 酸、稀硫酸、乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、乙二醇、乙酸、甲酸、乙酸乙脂、吡啶和甲苯，優(yōu)選為水、 乙醇和甲醇中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述a)方法和b)方法中澆鑄到所 述固體基片上的氧化石墨烯溶液的體積為10 μ I-IOOml，優(yōu)選為10 μ 1 100 μ 1 ；所述氧化 石墨烯薄膜的厚度為20 lOOOnm，優(yōu)選為100 300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于所述a)方法和b)方法中所述 固體基片為絕緣體或半導(dǎo)體固體基片，優(yōu)選為石英片、玻璃片、塑料片、云母片、硅片、打印 紙或光盤片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于所述間隙電極為針式或片式金 屬電極；所述間隙電極對(duì)中兩間隙電極之間的距離為20 μ m-20mm,優(yōu)選為20 μ m-50 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于所述步驟2)中在氧化石墨烯薄 膜_間隙電極對(duì)上施加lOOmV-lOOOV電壓，并通電20s 3600s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于所述步驟2)中對(duì)氧化石墨烯薄 膜進(jìn)行修復(fù)的環(huán)境條件如下環(huán)境溫度為_20°C -80°C，相對(duì)濕度18% -80%。
8.權(quán)利要求1-7中任一所述方法制備得到的還原氧化石墨烯薄膜。
9.權(quán)利要求8所述的還原氧化石墨烯薄膜作為間隙電極在制備光電響應(yīng)器件中的應(yīng)用。
10.一種光電響應(yīng)器件，是按照下述方法制備得到的用權(quán)利要求9所述的還原氧化石 墨烯薄膜制備還原氧化石墨烯間隙電極對(duì)，將光電響應(yīng)材料搭建在所述還原氧化石墨烯間 隙電極對(duì)的間隙上，得到基于還原氧化石墨烯為間隙電極的光電響應(yīng)器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電響應(yīng)器件，其特征在于所述光電響應(yīng)材料為大環(huán)π 體系化合物或其衍生物，優(yōu)選酞菁、嚇啉、茈、偶氮苯或含大η體系的導(dǎo)電聚合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的光電響應(yīng)器件，其特征在于采用下述任意一方法將 所述光電響應(yīng)材料搭建在所述還原氧化石墨烯間隙電極對(duì)的間隙上1)通過物理氣相沉積法沉積搭建到還原氧化石墨烯間隙電極對(duì)的間隙上；2)將所述光電響應(yīng)材料的微晶或小顆粒直接搭建到還原氧化石墨烯間隙電極對(duì)的間 隙上； 3)通過澆鑄法將所述光電響應(yīng)材料的溶液滴加到還原氧化石墨烯間隙電極對(duì)的間隙上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種還原氧化石墨烯薄膜及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明所提供的還原氧化石墨烯薄膜是以氧化石墨烯(graphene oxide，GO)在水、乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、乙二醇，乙酸、甲酸、乙酸乙脂、吡啶、甲苯等極性溶劑或這些溶劑的混合溶劑中的溶液為原料，依次經(jīng)過通電修復(fù)體系的構(gòu)建、電子注入等步驟而制得的。本發(fā)明所得到的還原氧化石墨烯薄膜的電阻與未修復(fù)前的氧化石墨烯薄膜材料的電阻相比，降低了102～108倍。通過該方法所修復(fù)的RGO薄膜可以應(yīng)用于光電響應(yīng)器件等光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中。
文檔編號(hào)C01B31/04GK101844760SQ20101015997
公開日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2010年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月29日
發(fā)明者劉鳴華, 姚平平, 陳鵬磊 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所