專(zhuān)利名稱(chēng)：用于制造高純度硅的方法和裝置的制作方法
用于制造高純度硅的方法和裝置本發(fā)明涉及一種用于通過(guò)硅化合物的熱分解制造高純度硅的方法以及可以實(shí)施這種方法的反應(yīng)器和設(shè)備。高純度硅一般以多級(jí)過(guò)程從冶金硅出發(fā)進(jìn)行制造。在許多公知的方法中，為此首先將冶金硅轉(zhuǎn)換成硅氫化合物，隨后可以將其熱分解成硅和氫。相應(yīng)的反應(yīng)順序例如在DE 33 11 650中有所介紹。硅化合物的熱分解在此方面通常要么在流化床上的高溫加熱的顆粒上進(jìn)行，要么在分解或熱解反應(yīng)器內(nèi)的高溫加熱的細(xì)絲上進(jìn)行。后一工藝方式例如在EP 0181803中有所介紹，適用的流化床反應(yīng)器的詳細(xì)說(shuō)明例如參閱EP 1 397 620、EP 1 337 463或EP 1 343 722。無(wú)論是硅化合物在流化床上的熱分解還是高溫加熱細(xì)絲的分解，均具有重大缺陷，即需要以定期的間隔“收獲”沉積的硅。進(jìn)行分解的反應(yīng)器為此目的必須下移，從而可以取出和置換進(jìn)行硅沉積的細(xì)絲或顆粒。這一點(diǎn)造成很大的開(kāi)支和成本。一方面所需的置換細(xì)絲或置換顆粒本身必須在復(fù)雜的過(guò)程中才能制造。另一方面，定期停止和重新啟動(dòng)熱解反應(yīng)器造成時(shí)間上和能源的明顯損耗。此外，反應(yīng)器在重新運(yùn)行時(shí)必須徹底沖洗。本發(fā)明的目的在于，提供一種用于制造高純度硅且不出現(xiàn)上述問(wèn)題的技術(shù)方案。 特別是該技術(shù)方案可以使熱解反應(yīng)器盡可能連續(xù)運(yùn)行，而不出現(xiàn)所提到的定期中斷。該目的通過(guò)具有權(quán)利要求1特征的方法以及具有權(quán)利要求15特征的反應(yīng)器和具有權(quán)利要求19特征的設(shè)備得以實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選的實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求 2-14中予以說(shuō)明。依據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器和依據(jù)本發(fā)明的設(shè)備優(yōu)選的實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求16_18、20和21中予以說(shuō)明。全部權(quán)利要求的文本因此參閱說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容。用于制造高純度硅依據(jù)本發(fā)明的方法如在開(kāi)頭所述的從現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法那樣，進(jìn)行優(yōu)選氣態(tài)硅化合物的熱分解。但與已經(jīng)公知的方法相比，依據(jù)本發(fā)明的方法的特征特別是在于，硅化合物為分解而與具有高于硅化合物熱分解溫度的溫度的載體氣體混合。與現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法相反，硅化合物的熱分解因此不是在例如像燒紅的細(xì)絲這種加熱的固體表面上進(jìn)行，而是主要在氣相中進(jìn)行。依據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選的特征在于，分解硅化合物所需的能量至少部分，在優(yōu)選的實(shí)施方式中僅通過(guò)載體氣體提供。在依據(jù)本發(fā)明的方法特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，硅化合物的分解在以液態(tài)形式由該分解獲得硅的條件下進(jìn)行。這例如可以通過(guò)硅化合物在高于硅熔點(diǎn)的溫度下(特別是在彡1410°C的溫度下)，特別優(yōu)選在硅的熔點(diǎn)溫度與硅的沸騰溫度之間的溫度下分解來(lái)進(jìn)行。在這種高溫下，從分解中產(chǎn)生的硅一般不以固體形式出現(xiàn)，確切地說(shuō)它可以直接以液態(tài)形式獲得。從高純度硅中這樣產(chǎn)生的熔液可以毫無(wú)問(wèn)題地連續(xù)排出，由此可以避免為“收獲”以固體形式沉積的硅而開(kāi)頭所稱(chēng)的定期停止和重新啟動(dòng)反應(yīng)器。
在現(xiàn)有技術(shù)已知的方法中，原則上始終嘗試硅化合物的熱分解在細(xì)絲或流化床顆粒上在盡可能低的溫度下進(jìn)行，以便將所需的能耗保持在盡可能低的程度上。依據(jù)本發(fā)明的方法中的高溫與此相反，首先需要更高的能源開(kāi)支。但這種增加的開(kāi)支至少部分由此得到補(bǔ)償，即依據(jù)本發(fā)明的方法可以連續(xù)運(yùn)行。免除了由于必須更換細(xì)絲或流化床顆粒而定期停止和重新啟動(dòng)熱解反應(yīng)器。與免除提供沉積專(zhuān)用的細(xì)絲和顆粒的必要性相組合，依據(jù)本發(fā)明的方法與所公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)相比提供顯著的優(yōu)點(diǎn)。在這里特別需要指出的是，在以液態(tài)形式獲得從分解中獲得的硅的條件下的硅化合物熱分解的特征原則上也可以獨(dú)立實(shí)現(xiàn)，也就是說(shuō)，所要分解的硅化合物無(wú)需與加熱的載體氣體混合。高純度硅例如也可以在硅化合物在相應(yīng)高溫加熱的固體表面上分解時(shí)或通過(guò)電磁輻射，特別是熱輻射以液態(tài)形式產(chǎn)生。高于硅熔點(diǎn)的所述優(yōu)選分解溫度不僅僅可利用加熱的載體氣體產(chǎn)生。特別是也可以將硅化合物引導(dǎo)通過(guò)加熱到高于硅化合物的分解溫度，優(yōu)選高于硅的熔點(diǎn)，特別是在硅的熔化溫度與硅的沸騰溫度之間溫度上的空心體(例如管)，而硅化合物事先不與所提到的加熱載體氣體混合。在與空心體的高溫加熱壁接觸時(shí)和/或通過(guò)從空心體高溫加熱的壁發(fā)出的熱輻射，可以使硅化合物產(chǎn)生分解。與此同時(shí)形成的硅隨后可以?xún)?yōu)選在后面還要介紹的反應(yīng)器內(nèi)冷凝。本發(fā)明的主題因此也在于一種用于通過(guò)優(yōu)選氣態(tài)硅化合物的熱分解制造高純度硅的方法，其特征在于，硅化合物的熱分解這樣進(jìn)行，即以液態(tài)形式獲得從分解中獲得的硅 (與如何進(jìn)行分解的方法無(wú)關(guān))。在使用加熱的載體氣體情況下，所提到的熱分解可以特別有利地如下實(shí)現(xiàn)在與硅化合物混合之前將載體氣體加熱到高于硅熔點(diǎn)的溫度(特別是彡1410°C的溫度)，特別優(yōu)選加熱到硅的熔化溫度與硅的沸騰溫度之間的溫度。與硅化合物混合之前載體氣體優(yōu)選加熱到1410°C到5000°C之間的溫度，優(yōu)選 1650 0C到5000 V之間的溫度，特別優(yōu)選2000 V到4000 V之間的溫度，特別是2000 V到 3000°C之間的溫度。所使用的硅化合物優(yōu)選是硅氫化合物，特別優(yōu)選是四氫化硅(SiH4)。但依據(jù)本發(fā)明的方法例如也可以對(duì)氯硅烷，特別是例如三氯甲硅烷(SiHCl3)進(jìn)行分解。原則上也可以設(shè)想使用在室溫下為液態(tài)的硅烷，這種硅烷任選地必須在與載體氣體混合之前氣化。高純度硅在本申請(qǐng)書(shū)的框架內(nèi)此外特別是指可以直接在半導(dǎo)體工業(yè)中例如用于制造太陽(yáng)能電池或微芯片而進(jìn)一步加工的硅。載體氣體此外優(yōu)選是氫。這一點(diǎn)當(dāng)然特別是在硅化合物是硅氫化合物的情況下適用。在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式中，載體氣體也可以是氫和惰性氣體，特別是氬的載體氣體混合物。在載體氣體混合物內(nèi)惰性氣體的含量?jī)?yōu)選為到50%。相應(yīng)能量向載體氣體內(nèi)的投入特別是可以借助等離子發(fā)生器進(jìn)行。因此優(yōu)選硅化合物與作為載體氣體的等離子混合，特別優(yōu)選與氫等離子混合。等離子公知是部分電離的氣體，其顯著的比例含有自由載流子如離子或電子。等離子始終通過(guò)外部的能量輸送獲得，這種能量輸送特別是通過(guò)熱激發(fā)、輻射激發(fā)或通過(guò)靜電場(chǎng)或電磁場(chǎng)的激發(fā)進(jìn)行。在這里特別優(yōu)選后一種激發(fā)方法。相應(yīng)的等離子發(fā)生器可以商購(gòu)并在本申請(qǐng)書(shū)的框架內(nèi)無(wú)須贅述。
載體氣體和硅化合物的混合物的溫度一般不超過(guò)硅的沸騰溫度(3280°C )，相應(yīng)優(yōu)選1410°C到3280°C之間的范圍。在該范圍內(nèi)特別優(yōu)選1410°C到2000°C之間的溫度。特別優(yōu)選所要分解的硅化合物與加熱的載體氣體這樣混合，即使得產(chǎn)生的混合物具有1600°C 到1800°C之間的溫度。對(duì)此重要的特別是載體氣體的溫度以及此外是載體氣體與硅化合物之間的混合比。載體氣體溫度的優(yōu)選范圍已經(jīng)提到?；旌衔飪?nèi)硅化合物的比例特別優(yōu)選在5重量％到99重量％之間，特別是在5重量％到50重量％之間，特別優(yōu)選在5重量％到20重量％之間。優(yōu)選硅化合物與載體氣體的混合物特別是在混合后直接導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)。在此方面，硅化合物的熱分解不是在反應(yīng)器內(nèi)才進(jìn)行，確切地說(shuō)，一般此前就已經(jīng)開(kāi)始。在使用加熱的載體氣體情況下，分解例如一般在混合過(guò)程中就已經(jīng)開(kāi)始。在反應(yīng)器內(nèi)可以結(jié)束分解和特別是在那里也可以進(jìn)行混合物的至少部分分離。分解開(kāi)始后，混合物不再僅包括硅化合物和載體氣體，而是也包括硅蒸氣和可能氣態(tài)的分解產(chǎn)物。硅蒸氣可以冷凝在反應(yīng)器壁上。冷凝的硅蒸氣可以重新聚集在反應(yīng)器底部。聚集在分壓器底部的液態(tài)硅優(yōu)選以分批法或連續(xù)地或至少準(zhǔn)連續(xù)地從反應(yīng)器排出。液態(tài)硅隨后可以分成份并例如通過(guò)鑄造轉(zhuǎn)換成適于進(jìn)一步處理的形式。混合物導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)優(yōu)選在較高的流速下進(jìn)行，以便在反應(yīng)器內(nèi)部達(dá)到良好的渦流。對(duì)渦流的問(wèn)題下面還要詳細(xì)介紹。特別優(yōu)選200m/s到800m/s之間，特別是200m/s到 400m/s之間的速度。術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)入”嚴(yán)格意義上不再符合這種速度，在這種速度下更適用術(shù)語(yǔ)高壓下的“噴射”。優(yōu)選混合物連續(xù)或至少準(zhǔn)連續(xù)地導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)。作為選擇，混合物也可以在反應(yīng)器內(nèi)才形成。在這種情況下，將硅化合物和高溫加熱的載體氣體分別導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)并在進(jìn)入反應(yīng)器的內(nèi)腔時(shí)或之后才混合，從而分解在反應(yīng)器內(nèi)才開(kāi)始。在任何情況下，均優(yōu)選分解時(shí)產(chǎn)生的硅蒸氣在反應(yīng)器內(nèi)冷凝并以液態(tài)形式從反應(yīng)器排出。本發(fā)明因此特別是還涉及一種通過(guò)硅化合物的熱分解制造高純度硅的方法，其特征尤其在于，硅化合物為分解而與載體氣體混合，該載體氣體具有熱分解硅化合物的溫度， 且其中產(chǎn)生的硅在反應(yīng)器內(nèi)冷凝并以液態(tài)形式從反應(yīng)器排出。反應(yīng)器內(nèi)優(yōu)選存在略高于正常壓力、特別是在1013. 25mbar到2000mbar之間的壓力。反應(yīng)器優(yōu)選是封閉的反應(yīng)器，物質(zhì)交換因此基本上可以?xún)H通過(guò)下面介紹的氣態(tài)分解產(chǎn)物的排出管道、液態(tài)硅的出口或載體氣體和硅化合物或它們的混合物的單個(gè)或多個(gè)入 □通道進(jìn)行。如果作為硅化合物使用硅氫化合物，那么在硅化合物分解時(shí)，除了已經(jīng)提到的液態(tài)硅外，當(dāng)然還獲得氣態(tài)氫。在依據(jù)本發(fā)明的方法一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所獲得的氫不是廢氣，確切地說(shuō)而是作為載體氣體重新使用。分解時(shí)獲得的氫可以相應(yīng)返回等離子發(fā)生器內(nèi)，轉(zhuǎn)換成高溫等離子并重新與硅化合物混合。盡管硅化合物的分解作為選擇，也就是在不使用加熱的載體氣體情況下例如將硅化合物導(dǎo)過(guò)相應(yīng)加熱的空心體(見(jiàn)上)而進(jìn)行，但通常使用這樣一種反應(yīng)器。該反應(yīng)器特別是用于硅的冷凝以及分離所產(chǎn)生的氫，這種氫在前面的過(guò)程步驟中可以繼續(xù)用于制造硅化合物。依據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器如同依據(jù)本發(fā)明的方法那樣用于制造高純度硅并特別也適用于實(shí)施該方法。該反應(yīng)器包括可以導(dǎo)入如上所述含有加熱到上述溫度的載體氣體的上述硅化合物的混合物的耐熱內(nèi)腔。該反應(yīng)器為此必須采用相應(yīng)耐高溫的材料加襯。在這里例如適用基于石墨的內(nèi)襯。此外重要的是，所獲得的硅不在反應(yīng)器內(nèi)凝固。反應(yīng)器內(nèi)腔的壁工作時(shí)優(yōu)選具有高于硅熔點(diǎn)的溫度，因此不會(huì)形成固體的硅沉積。反應(yīng)器應(yīng)相應(yīng)具有適當(dāng)?shù)慕^熱，以避免過(guò)度的熱損失。反應(yīng)器需要時(shí)也可以具有一個(gè)或多個(gè)加熱裝置，利用其可以將反應(yīng)器的組成部分、壁和/或內(nèi)腔加熱到高于硅熔點(diǎn)的溫度。但在使用載體氣體的情況下，反應(yīng)器的加熱優(yōu)選僅通過(guò)已經(jīng)提到的載體氣體進(jìn)行。除了耐高溫的內(nèi)腔外，依據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)器特別是還包括氣態(tài)分解產(chǎn)物(在優(yōu)選的實(shí)施方式中特別是純氫)的排出管道以及已經(jīng)提到的液態(tài)硅的出口。對(duì)二者還要單獨(dú)介紹。反應(yīng)器內(nèi)腔的至少一段在優(yōu)選的實(shí)施方式中基本上構(gòu)成為圓柱體。硅化合物和載體氣體的混合物可以通過(guò)通入內(nèi)腔的通道導(dǎo)入。該通道的口特別是設(shè)置在內(nèi)腔的上部區(qū)域內(nèi)，特別優(yōu)選設(shè)置在基本上呈圓柱體的區(qū)段的上端，而液態(tài)硅的出口則優(yōu)選處于反應(yīng)器內(nèi)腔的底部區(qū)域內(nèi)。反應(yīng)器內(nèi)腔的底部可以構(gòu)成為錐形，其中出口位于最低點(diǎn)，以便易于液態(tài)硅的排出。通過(guò)這種通道也可以將所提到的選擇(例如通過(guò)與空心體高溫加熱的壁接觸和/ 或由于空心體高溫加熱的壁發(fā)出的熱輻射)加熱的硅化合物導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)。需要時(shí)通道本身形成所提到的空心體。在特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，通道正切通入反應(yīng)器內(nèi)腔，特別是基本上呈圓柱體的區(qū)段的上端。如果硅化合物和載體氣體的混合物在高流速下(如上所述)通過(guò)這種正切通入內(nèi)腔的通道導(dǎo)入，那么該混合物由于通道的正切口而進(jìn)行高度旋轉(zhuǎn)。這導(dǎo)致反應(yīng)器內(nèi)的環(huán)形渦流運(yùn)動(dòng)，從而使等離子、硅化合物和所形成的硅蒸氣有效充分混合。在反應(yīng)器的內(nèi)部，特別是所形成的硅蒸氣向液相的過(guò)渡問(wèn)題具有重要作用。硅蒸氣的快速冷凝特別是可以通過(guò)所述的渦流得到促進(jìn)，但此外硅首先冷凝在上面的反應(yīng)器內(nèi)壁的溫度當(dāng)然也是一個(gè)重要因素。反應(yīng)器壁的溫度優(yōu)選保持在較低的水平(優(yōu)選在1420°C 到1800°C之間，特別是1500°C到1600°C之間)。為此反應(yīng)器可以具有冷卻裝置，例如水冷外殼，通過(guò)其可以調(diào)節(jié)反應(yīng)器內(nèi)壁的溫度。氣態(tài)分解產(chǎn)物的排出管道在優(yōu)選的實(shí)施方式中包括一側(cè)敞開(kāi)管形式的過(guò)濾器。該管特別是以垂直位置設(shè)置在反應(yīng)器的內(nèi)腔內(nèi)，其中，管的敞開(kāi)側(cè)優(yōu)選處于反應(yīng)器底部的區(qū)域內(nèi)。在那里所產(chǎn)生的氫可以進(jìn)入管內(nèi)并排出?？赡軒ё叩墓枵魵饪梢猿练e在管的內(nèi)側(cè)并向反應(yīng)器底部的方向上運(yùn)動(dòng)(逆流原理)。管內(nèi)因此進(jìn)行從氫中帶走的硅蒸氣的進(jìn)一步分離。管優(yōu)選保持在1600°C到1800°C的溫度。用于制造高純度硅的依據(jù)本發(fā)明的設(shè)備首先包括如上所述用于制造高純度硅的反應(yīng)器。該設(shè)備此外特別是還具有加熱裝置，在該加熱裝置內(nèi)可以將載體氣體加熱到上述溫度。特別優(yōu)選加熱裝置如已經(jīng)提到的那樣是等離子發(fā)生器。本發(fā)明的其他特征來(lái)自結(jié)合從屬權(quán)利要求對(duì)用于制造高純度硅的依據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施方式的下面說(shuō)明。在這種情況下，在本發(fā)明的實(shí)施方式中的單個(gè)特征可以實(shí)現(xiàn)各自本身或相互的多個(gè)組合。所介紹的優(yōu)選實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和更好理解本發(fā)明， 而不應(yīng)理解為是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制。其中

圖1示出用于制造高純度硅的依據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施方式的示意圖。這種設(shè)備100大致可以劃分為反應(yīng)器101和加熱裝置102。后者特別是等離子發(fā)生器。在等離子發(fā)生器內(nèi)，氫被加熱到2000°C到3000°C之間的溫度。隨后將所要分解的四氫化硅與所產(chǎn)生的等離子混合。產(chǎn)生的混合物在高流速下通過(guò)反應(yīng)器101正切通入寬區(qū)域圓柱體構(gòu)成的內(nèi)腔103內(nèi)的通道噴入。內(nèi)腔的內(nèi)部中心垂直的位置上設(shè)置管狀的過(guò)濾器 104。所噴入的混合物可以環(huán)繞該過(guò)濾器沿反應(yīng)器101的內(nèi)壁形成渦流，其中，形成液態(tài)硅的沉積。載體氣體以及所產(chǎn)生的氫氣隨后可以進(jìn)入過(guò)濾器104內(nèi)，液態(tài)硅在該過(guò)濾器內(nèi)可以進(jìn)一步沉積。該液態(tài)硅可以聚集在反應(yīng)器內(nèi)腔103的下部區(qū)域內(nèi)?；旌衔锘蜉d體氣體和氫氣的流動(dòng)方向通過(guò)箭頭示意示出。反應(yīng)器101的內(nèi)腔在底部區(qū)域內(nèi)錐形構(gòu)成。處于其最低點(diǎn)上的是所產(chǎn)生的液態(tài)硅的出口 105。
權(quán)利要求
1.用于通過(guò)熱分解硅化合物而制造高純度硅的方法，其特征在于，為進(jìn)行所述分解而使硅化合物與具有硅化合物熱分解溫度的載體氣體混合。
2.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，分解硅化合物所需的能量至少部分、在優(yōu)選的實(shí)施方式中僅唯一通過(guò)載體氣體提供。
3.按權(quán)利要求1或權(quán)利要求2或權(quán)利要求1前序部分所述的方法，其特征在于，硅化合物的分解在以液態(tài)形式獲得高純度硅的條件下進(jìn)行。
4.按權(quán)利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，硅化合物的分解在高于硅熔點(diǎn)的溫度下，特別是在彡1410°C的溫度下進(jìn)行。
5.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，載體氣體與硅化合物混合之前加熱到高于硅熔點(diǎn)的溫度，特別是彡1410°C的溫度。
6.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，載體氣體與硅化合物混合之前加熱到1410°C到4000°C之間，特別是2000°C到4000°C之間的溫度。
7.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述硅化合物是硅氫化合物。
8.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述載體氣體是氫。
9.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述載體氣體在與硅化合物混合之前在等離子發(fā)生器內(nèi)加熱。
10.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，將硅化合物與載體氣體的混合物調(diào)整到1600°C到1800°C之間的溫度。
11.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述混合物內(nèi)硅化合物的比例在5 重量％到99重量％之間。
12.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，將硅化合物與載體氣體的混合物導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)。
13.按權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述混合物以200米/秒到400米/秒之間的流速導(dǎo)入反應(yīng)器內(nèi)。
14.按前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，硅氫化合物熱分解時(shí)產(chǎn)生的氫作為載體氣體使用。
15.用于通過(guò)硅化合物、特別是以按前述權(quán)利要求之一所述的方法制造高純度硅的反應(yīng)器，其包括可以導(dǎo)入硅化合物與加熱到> 1410°C的溫度的載體氣體的混合物的耐熱內(nèi)腔、氣態(tài)分解產(chǎn)物的排出管道以及液態(tài)硅的出口。
16.按權(quán)利要求15所述的反應(yīng)器，其特征在于，反應(yīng)器內(nèi)腔的至少一段基本上以圓柱體形式構(gòu)成。
17.按權(quán)利要求15或16所述的反應(yīng)器，其特征在于，該反應(yīng)器具有優(yōu)選正切通入內(nèi)腔的通道，通過(guò)該通道可以導(dǎo)入硅化合物與載體氣體的混合物。
18.按權(quán)利要求15-17之一所述的反應(yīng)器，其特征在于，氣態(tài)分解產(chǎn)物的排出管道包括一側(cè)敞開(kāi)管形式的過(guò)濾器，該管優(yōu)選垂直設(shè)置在反應(yīng)器的內(nèi)腔內(nèi)。
19.用于制造高純度硅的設(shè)備，其包括按權(quán)利要求15-18之一所述的反應(yīng)器。
20.按權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備具有加熱裝置，在該加熱裝置內(nèi)可以將載體氣體加熱到> 1410°C的溫度，特別是2000°C到4000°C之間的溫度。
21.按權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置是等離子發(fā)生器。
全文摘要
介紹一種用于通過(guò)熱分解硅化合物制造高純度硅的方法，其中，硅化合物為分解與具有熱分解硅化合物溫度的載體氣體混合。此外介紹一種可以實(shí)施該方法的反應(yīng)器和設(shè)備。
文檔編號(hào)C01B33/029GK102307810SQ200980147790
公開(kāi)日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月27日
發(fā)明者A·佩特里克, C·施密德, J·哈恩 申請(qǐng)人:施米德硅晶片科技有限責(zé)任公司