一種避免空心陰極放電的噴淋頭的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備反應(yīng)腔室的噴淋頭，特別涉及一種避免空心陰極放電的噴淋頭，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積的應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備的噴淋頭由于背面的孔徑處于容易產(chǎn)生空心陰極放電的鞘層范圍內(nèi)，因此會(huì)在噴淋板背面形成輝光區(qū)，發(fā)生反應(yīng)腔打火現(xiàn)象，從而影響工藝質(zhì)量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型以解決上述現(xiàn)有問(wèn)題為目的，提供了一種避免空心陰極放電的噴淋頭，本實(shí)用新型采用了新型階梯式噴淋板，解決現(xiàn)有設(shè)備工藝過(guò)程中由空心陰極放電引起的反應(yīng)腔打火問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案:
[0005]—種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺(tái)形成相對(duì)面，載物臺(tái)上放置所載物，該噴淋頭包括噴淋頭本體，所述噴淋頭本體上設(shè)有噴淋頭小孔，噴淋頭小孔包括上表面小孔和下表面小孔。
[0006]所述噴淋頭小孔為階梯式結(jié)構(gòu)。
[0007]所述下表面小孔孔徑小于上表面小孔孔徑。
[0008]所述噴淋頭與載物臺(tái)形成相對(duì)面設(shè)置于反應(yīng)腔室中，反應(yīng)氣體從噴淋頭向反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行氣體供給。
[0009]所述噴淋頭設(shè)置有多個(gè)噴淋頭小孔，用于反應(yīng)氣體以噴淋狀向載物臺(tái)均勻供給。
[0010]所述噴淋頭可與載物臺(tái)形成上下電極。
[0011]所述噴淋頭與載物臺(tái)之間施加電壓形成等離子體，可對(duì)載物臺(tái)及所載物進(jìn)行等離子體處理。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0013]本實(shí)用新型的噴淋頭小孔采用階梯式設(shè)計(jì)，通過(guò)擴(kuò)大噴淋頭上表面孔徑尺寸，可以破壞空心陰極放電條件，從而避免噴淋頭背面的輝光放電，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在沉積工藝過(guò)程中出現(xiàn)的空心陰極放電現(xiàn)象，防止反應(yīng)腔室發(fā)生打火，避免了硬件損傷，保證了工藝的穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為噴淋頭小孔的局部放大圖；
[0016]圖3為噴淋頭與載物臺(tái)相對(duì)位置示意圖；
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但實(shí)用新型保護(hù)內(nèi)容不局限于所述實(shí)施例:
[0018]實(shí)施例
[0019]參考圖1至圖3，一種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺(tái)5形成相對(duì)面，載物臺(tái)5上放置所載物6，該噴淋頭包括噴淋頭本體1，所述噴淋頭本體I上設(shè)有噴淋頭小孔2，噴淋頭小孔2包括上表面小孔3和下表面小孔4。
[0020]所述噴淋頭小孔2為階梯式結(jié)構(gòu)。
[0021]所述下表面小孔4孔徑小于上表面小孔3孔徑。
[0022]所述噴淋頭與載物臺(tái)5形成相對(duì)面設(shè)置于反應(yīng)腔室中，反應(yīng)氣體從噴淋頭向反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行氣體供給。
[0023]所述噴淋頭設(shè)置有多個(gè)噴淋頭小孔2，用于反應(yīng)氣體以噴淋狀向載物臺(tái)5均勻供給。
[0024]所述噴淋頭可與載物臺(tái)5形成上下電極。
[0025]所述噴淋頭與載物臺(tái)5之間施加電壓形成等離子體，可對(duì)載物臺(tái)5及所載物6進(jìn)行等離子體處理。
[0026]噴淋頭開(kāi)孔區(qū)域設(shè)置有多個(gè)噴淋頭小孔2，用于向反應(yīng)腔室內(nèi)以噴淋狀噴射反應(yīng)氣體。這些噴淋頭小孔2按照一定的規(guī)律進(jìn)行分布，可以是均勻分布也可以是非均勻分布，本實(shí)施例采用均勻分布。
[0027]從噴淋頭的噴淋頭小孔2以噴淋狀對(duì)載物臺(tái)5進(jìn)行工藝氣體的供給，并從載物臺(tái)5周圍均勻排氣，通過(guò)控壓裝置穩(wěn)壓后，噴淋頭與載物臺(tái)5作為上下電極來(lái)施加電壓可在噴淋頭與載物臺(tái)5間形成等離子體場(chǎng)，對(duì)所載物6進(jìn)行等離子體處理，本實(shí)施例載物臺(tái)5的所載物6是300mm娃片。
[0028]噴淋頭小孔2采用臺(tái)階式結(jié)構(gòu)，上表面小孔3孔徑大于下表面小孔4孔徑，小孔3孔徑為4_，小孔3孔徑為0.8mm,這種比例的孔徑設(shè)計(jì)可以避開(kāi)空心陰極放電的條件，保證工藝的穩(wěn)定性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺(tái)形成相對(duì)面，載物臺(tái)上放置所載物，其特征在于，該噴淋頭包括噴淋頭本體，所述噴淋頭本體上設(shè)有噴淋頭小孔，噴淋頭小孔包括上表面小孔和下表面小孔。2.如權(quán)利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，噴淋頭小孔為階梯式結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述下表面小孔孔徑小于上表面小孔孔徑。4.如權(quán)利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭與載物臺(tái)形成相對(duì)面設(shè)置于反應(yīng)腔室中，反應(yīng)氣體從噴淋頭向反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行氣體供給。5.如權(quán)利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭設(shè)置有多個(gè)噴淋頭小孔，用于反應(yīng)氣體以噴淋狀向載物臺(tái)均勻供給。6.如權(quán)利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭可與載物臺(tái)形成上下電極。7.如權(quán)利要求1所述的一種避免空心陰極放電的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭與載物臺(tái)之間施加電壓形成等離子體，可對(duì)載物臺(tái)及所載物進(jìn)行等離子體處理。
【專利摘要】一種避免空心陰極放電的噴淋頭，解決現(xiàn)有技術(shù)存在的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在沉積工藝過(guò)程中出現(xiàn)的空心陰極放電現(xiàn)象的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種避免空心陰極放電的噴淋頭，噴淋頭與載物臺(tái)形成相對(duì)面，載物臺(tái)上放置所載物，該噴淋頭包括噴淋頭本體，所述噴淋頭本體上設(shè)有噴淋頭小孔，噴淋頭小孔包括上表面小孔和下表面小孔。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在沉積工藝過(guò)程中出現(xiàn)的空心陰極放電現(xiàn)象，防止反應(yīng)腔室發(fā)生打火，避免了硬件損傷，保證了工藝的穩(wěn)定性。
【IPC分類】C23C16/455
【公開(kāi)號(hào)】CN204918761
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520646244
【發(fā)明人】楊凌旭, 戚艷麗
【申請(qǐng)人】沈陽(yáng)拓荊科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年8月25日