亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備的制造方法_2

文檔序號(hào):8725938閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
磁場(chǎng)線圈纏繞密度為14膽/_,二級(jí)磁場(chǎng)線圈銅線直徑為1_ ;
[0031](2)熱絲為直徑1_的鉭絲。
[0032]實(shí)施例3
[0033]該實(shí)施例與實(shí)施例1中一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備基本結(jié)構(gòu)相同,不同的結(jié)構(gòu)參數(shù)為:
[0034](I) 一級(jí)線圈支撐圓筒內(nèi)徑為Φ250ηιηι,長(zhǎng)度為100mm,一級(jí)磁場(chǎng)線圈的纏繞密度為8膽/_,一級(jí)磁場(chǎng)線圈的銅線直徑為2_ ;二級(jí)磁場(chǎng)線圈內(nèi)部設(shè)置二級(jí)線圈支撐圓筒,且二級(jí)線圈支撐圓筒內(nèi)徑為Φ 300mm,長(zhǎng)度為400mm,二級(jí)磁場(chǎng)線圈纏繞密度為5膽/mm, 二級(jí)磁場(chǎng)線圈銅線直徑為1.5mm ;
[0035](2)熱絲為直徑1.5mm的鶴絲。
[0036]實(shí)施例4
[0037]采用實(shí)施例1的設(shè)備進(jìn)行等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍方法,包括以下順序步驟:
[0038](I)制備滲氮層
[0039]將純鈦?zhàn)鳛殛帢O靶材安裝于上述等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備之中,關(guān)閉真空腔室9,抽真空至真空度4.8X 10_3Pa ;啟動(dòng)加熱器12,將工件加熱升溫至300 V,啟動(dòng)工件偏壓電源5,啟動(dòng)熱絲裝置2及熱絲偏壓電源I,設(shè)置工件偏壓電源為脈沖偏壓,其參數(shù)為:工作頻率5KHz,占空比5%,偏壓幅值為-400V ;
[0040]設(shè)置通入熱絲中的電流為20A,熱絲兩端的電壓為30V,設(shè)置熱絲偏壓電源的偏壓為-1OV ;
[0041 ] 通入隊(duì)及H 2至氣壓達(dá)到0.1Pa,引發(fā)N 2及H 2電離形成增強(qiáng)放電的氣體等離子體對(duì)工件滲氮,通入隊(duì)的流量為50SCCM,通入H 2的流量為50SCCM,獲得I μ m的滲氮層,停止通入隊(duì)及!12;
[0042](2)離子轟擊清洗
[0043]抽真空至真空度高于4.6 X l(T3Pa,通入Ar至氣壓達(dá)到0.1Pa,引發(fā)Ar電離形成增強(qiáng)放電的Ar的等離子體,調(diào)節(jié)工件偏壓電源5的偏壓,調(diào)節(jié)工件偏壓電源5的偏壓至600V,Ar離子在電場(chǎng)作用下轟擊清洗5分鐘;
[0044](3)制備硬質(zhì)薄膜層
[0045]關(guān)閉熱絲裝置及熱絲偏壓電源,保持真空度為0.1Pa,啟動(dòng)增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源3,通入反應(yīng)氣體CH4,通過(guò)電弧離子鍍制備0.5碳化鈦硬質(zhì)薄膜層;
[0046](4)重復(fù)離子轟擊后制備硬質(zhì)薄膜
[0047]重復(fù)步驟(2)、(3),直到工件表面碳化鈦硬質(zhì)薄膜層厚度達(dá)到20 μ m,得到致密的碳化鈦硬質(zhì)薄膜層。
[0048]實(shí)施例5
[0049]采用實(shí)施例2的設(shè)備進(jìn)行等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍方法,包括以下順序步驟:
[0050](I)制備滲氮層
[0051]將純鈦?zhàn)鳛殛帢O靶材安裝于上述等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備之中,關(guān)閉真空腔室9,抽真空至真空度4.5X10_3Pa;啟動(dòng)加熱器12,將工件加熱升溫至400 V,啟動(dòng)工件偏壓電源5,啟動(dòng)熱絲裝置2及熱絲偏壓電源I,設(shè)置工件偏壓電源為脈沖偏壓,其參數(shù)為:工作頻率15KHz,占空比25%,偏壓幅值為600V ;
[0052]設(shè)置通入熱絲中的電流為40A,熱絲兩端的電壓為50V,設(shè)置熱絲偏壓電源的偏壓為-20V ;
[0053]通入隊(duì)及H 2至氣壓達(dá)到5Pa,引發(fā)N 2及H 2電離形成增強(qiáng)放電的氣體等離子體對(duì)工件滲氮,通入隊(duì)的流量為150SCCM,通入H 2的流量為300SCCM,獲得2 μ m的滲氮層,停止通入隊(duì)及!12;
[0054](2)離子轟擊清洗
[0055]抽真空至真空度高于4.3X l(T3Pa,通入Ar至氣壓達(dá)到10Pa,引發(fā)Ar電離形成增強(qiáng)放電的Ar的等離子體,調(diào)節(jié)工件偏壓電源5的偏壓,調(diào)節(jié)工件偏壓電源5的偏壓至-800V,Ar離子在電場(chǎng)作用下轟擊清洗15分鐘;
[0056](3)制備硬質(zhì)薄膜層
[0057]關(guān)閉熱絲裝置及熱絲偏壓電源,保持真空度為4Pa,啟動(dòng)增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源3,通入反應(yīng)氣體隊(duì)和CH 4,通過(guò)電弧離子鍍制備I y m碳氮化鈦硬質(zhì)薄膜層;
[0058](4)重復(fù)離子轟擊后制備硬質(zhì)薄膜
[0059]重復(fù)步驟⑵、(3),直到工件表面碳氮化鈦硬質(zhì)薄膜層厚度達(dá)到30 μ m,得到致密的碳氮化鈦硬質(zhì)薄膜層。
[0060]實(shí)施例6
[0061]采用實(shí)施例2的設(shè)備進(jìn)行等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍方法,包括以下順序步驟:氮化鉻
[0062](I)制備滲氮層
[0063]將純鉻作為陰極靶材安裝于上述等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備之中,關(guān)閉真空腔室9,抽真空至真空度4.2X10_3Pa;啟動(dòng)加熱器12,將工件加熱升溫至500°C,啟動(dòng)工件偏壓電源5,啟動(dòng)熱絲裝置2及熱絲偏壓電源1,設(shè)置工件偏壓電源為脈沖偏壓,其參數(shù)為:工作頻率25KHz,占空比50%,偏壓幅值為-800V ;
[0064]設(shè)置通入熱絲中的電流為70A,熱絲兩端的電壓為80V,設(shè)置熱絲偏壓電源的偏壓為-40V ;
[0065]通入隊(duì)及!12至氣壓達(dá)到20Pa,引發(fā)\及!12電離形成增強(qiáng)放電的氣體等離子體對(duì)工件滲氮,通入N2的流量為300SCCM,通入H 2的流量為700SCCM,獲得3 μ m的滲氮層,停止通入隊(duì)及!12;
[0066](2)離子轟擊清洗
[0067]抽真空至真空度高于4.0X l(T3Pa,通入Ar至氣壓達(dá)到30Pa,引發(fā)Ar電離形成增強(qiáng)放電的Ar的等離子體,調(diào)節(jié)工件偏壓電源5的偏壓,調(diào)節(jié)工件偏壓電源5的偏壓至1200V,Ar離子在電場(chǎng)作用下轟擊清洗20分鐘;
[0068](3)制備硬質(zhì)薄膜層
[0069]關(guān)閉熱絲裝置及熱絲偏壓電源,保持真空度為8Pa,啟動(dòng)增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源3,通入反應(yīng)氣體N2,通過(guò)電弧離子鍍制備3 μπι氮化鉻硬質(zhì)薄膜層;
[0070](4)重復(fù)離子轟擊后制備硬質(zhì)薄膜
[0071]重復(fù)步驟(2)、(3),直到工件表面氮化鉻硬質(zhì)薄膜層厚度達(dá)到39 μπι,得到致密的氮化鉻硬質(zhì)薄膜層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備,包括真空腔室(9),其特征在于,所述真空腔室底部活動(dòng)安裝有旋轉(zhuǎn)平臺(tái)(8),旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上放置工件(11),旋轉(zhuǎn)平臺(tái)與工件偏壓電源(5)負(fù)極相連,旋轉(zhuǎn)平臺(tái)與真空腔室絕緣,工件偏壓電源(5)正極與真空腔室相連;所述真空腔室壁上固定安裝有熱絲裝置(2),熱絲裝置的負(fù)極與熱絲偏壓電源(I)負(fù)極相連,熱絲偏壓電源(I)正極與真空腔室相連,熱絲裝置與真空腔室絕緣;所述真空腔室上固定安裝有增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源(3);所述真空腔室上安裝有真空系統(tǒng)(4),所述真空腔室壁上還設(shè)置有腔室進(jìn)氣孔(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,所述熱絲裝置(2)采用熱絲連接于直流電源兩端電極之上,熱絲位于真空腔室內(nèi)部,所述熱絲為直徑0.5-1.5mm的鎢、鉬或鉭絲,熱絲裝置的電路中設(shè)置有熱絲裝置開關(guān)(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)與真空腔室之間安裝有旋轉(zhuǎn)平臺(tái)絕緣套(7),所述熱絲裝置與真空腔室之間安裝有熱絲裝置絕緣套(22),所述真空腔室內(nèi)壁上安裝有加熱器(12)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,所述增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源(3)采用弧源法蘭(34)固定于真空腔室壁之上,二級(jí)磁場(chǎng)線圈(33)固定于弧源法蘭之上,一級(jí)磁場(chǎng)線圈(31)固定于二級(jí)磁場(chǎng)線圈(33)末端,陰極靶(32)固定于一級(jí)磁場(chǎng)線圈中心;所述一級(jí)磁場(chǎng)線圈內(nèi)部設(shè)置一級(jí)線圈支撐圓筒,且一級(jí)線圈支撐圓筒內(nèi)徑為Φ 120-250mm,長(zhǎng)度為40_100mm,一級(jí)磁場(chǎng)線圈的纏繞密度為8_30匝/_,一級(jí)磁場(chǎng)線圈的銅線直徑為0.5-2mm ;所述二級(jí)磁場(chǎng)線圈內(nèi)部設(shè)置二級(jí)線圈支撐圓筒,且二級(jí)線圈支撐圓筒內(nèi)徑為?150-300mm,長(zhǎng)度為200-400mm,二級(jí)磁場(chǎng)線圈纏繞密度為5-20膽/mm, 二級(jí)磁場(chǎng)線圈銅線直徑為0.5-1.5mm。
【專利摘要】一種等離子體增強(qiáng)制備精密涂層的電弧離子鍍?cè)O(shè)備,屬于材料表面改性技術(shù)領(lǐng)域,該設(shè)備中,包括真空腔室,真空腔室底部活動(dòng)安裝有旋轉(zhuǎn)平臺(tái),旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上放置工件,旋轉(zhuǎn)平臺(tái)與工件偏壓電源負(fù)極相連,旋轉(zhuǎn)平臺(tái)與真空腔室絕緣,工件偏壓電源正極與真空腔室相連;真空腔室壁上固定安裝有熱絲裝置,熱絲裝置的負(fù)極與熱絲偏壓電源負(fù)極相連,熱絲偏壓電源正極與真空腔室相連,熱絲裝置與真空腔室絕緣;所述真空腔室上固定安裝有增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源;在同一設(shè)備同一數(shù)量級(jí)氣壓條件下連續(xù)進(jìn)行離子滲氮及電弧離子鍍膜的工藝,采用雙級(jí)磁場(chǎng)線圈結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)過(guò)濾陰極弧源,使用高密度的Ar離子轟擊硬質(zhì)薄膜層,進(jìn)一步磨平薄膜中的粗糙顆粒,提高層間結(jié)合力和致密度。
【IPC分類】C23C14-32, C23C8-36, C23C28-04
【公開號(hào)】CN204434722
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520057195
【發(fā)明人】林國(guó)強(qiáng), 韓治昀, 魏科科
【申請(qǐng)人】大連理工常州研究院有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2015年1月27日
當(dāng)前第2頁(yè)1 2 
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1