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一種蒸鍍機的制作方法

文檔序號:9541498閱讀:457來源:國知局
一種蒸鍍機的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領域,特別是涉及一種蒸鍍機。
【【背景技術(shù)】】
[0002]有機發(fā)光二極管(0LED)顯示技術(shù)較之當前主流的液晶顯示技術(shù),具有對比度高、色域廣、柔性、輕薄、節(jié)能等優(yōu)點。近年來0LED顯示技術(shù)逐漸在智能手機和平板電腦等移動設備、智能手表等柔性可穿戴設備、大尺寸曲面電視、白光照明等領域普及,發(fā)展勢頭強勁。
[0003]0LED技術(shù)主要包括以真空蒸鍍技術(shù)為基礎的小分子0LED技術(shù)和以溶液制程為基礎的高分子0LED技術(shù)。蒸鍍機是當前已量產(chǎn)的小分子0LED器件生產(chǎn)的主要設備,其設備核心部分為蒸發(fā)源裝置,分為點蒸發(fā)源、線蒸發(fā)源、面蒸發(fā)源等。線蒸發(fā)源為當前重要的0LED量產(chǎn)技術(shù),主要分為一體式線蒸發(fā)源和輸送式線蒸發(fā)源。
[0004]圖1為現(xiàn)有蒸鍍機的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,現(xiàn)有輸送式蒸發(fā)源裝置包括蒸發(fā)源11,與蒸發(fā)源連接的氣體通道12 ;與氣體通道連接的輸出部13。其中蒸發(fā)源11、氣體通道12、輸出部13均設有獨立的加熱裝置、冷卻裝置及溫度監(jiān)控裝置,通過溫度控制裝置精確控制各部分的溫度。氣體通道上還設有速率監(jiān)測器15(Rate Monitor)及閥門16,輸出部13設有若干蒸發(fā)噴咀14。輸送式蒸發(fā)源將材料填充于蒸發(fā)源腔體中,通過高溫氣體通道將蒸發(fā)氣體輸送至蒸發(fā)噴咀,最終蒸發(fā)氣體溢出并沉積于基板17的表面。
[0005]但是現(xiàn)有蒸鍍機一種蒸鍍材料設置一個蒸發(fā)源,當蒸鍍中斷時,若保持蒸鍍速率會有材料損耗,若降溫至待機溫度,再恢復至設定速率,需要較長時間并且也會損耗材料。
[0006]因此,有必要提供一種蒸鍍機,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍機,以解決現(xiàn)有蒸鍍機蒸鍍中斷時,若保持當前蒸鍍速率會有材料損耗的技術(shù)問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明構(gòu)造了一種蒸鍍機,其包括:
[0009]蒸發(fā)源組,包括至少兩個蒸發(fā)源,所述蒸發(fā)源具有一腔體,所述蒸發(fā)源用于對其腔體內(nèi)的蒸發(fā)材料進行蒸發(fā),以產(chǎn)生蒸發(fā)氣體;
[0010]氣體通道,包括公共氣體通道和至少兩個子氣體通道,所述公共氣體通道用于將所述蒸發(fā)源產(chǎn)生的蒸發(fā)氣體導出到基板表面;每個所述蒸發(fā)源對應設置一所述子氣體通道;所述子氣體通道的一端與所述公共氣體通道連通;所述子氣體通道的另一端與對應的所述蒸發(fā)源連通;
[0011]閥門組,包括公共閥門和至少兩個子閥門,每個所述子氣體通道對應設置一所述子閥門,所述公共閥門用于控制所述公共氣體通道的導通或者不導通;所述子閥門用于控制對應的所述子氣體通道的導通或者不導通。
[0012]在本發(fā)明的蒸鍍機中,當所述蒸鍍機蒸鍍時,開啟任意一個所述蒸發(fā)源對應的所述子閥門和所述公共閥門,關(guān)閉其余所述子閥門,以使蒸鍍蒸發(fā)源的對應的子氣體通道和所述公共氣體通道導通,其中所述蒸鍍蒸發(fā)源為所述開啟的子閥門對應的蒸發(fā)源。
[0013]在本發(fā)明的蒸鍍機中,所述公共氣體通道的溫度大于所述蒸鍍蒸發(fā)源的溫度,所述蒸鍍蒸發(fā)源對應的子氣體通道的溫度大于所述蒸鍍蒸發(fā)源的溫度。
[0014]在本發(fā)明的蒸鍍機中,當所述蒸鍍蒸發(fā)源的腔體中的蒸發(fā)材料的容量小于預設值時,關(guān)閉所述蒸鍍蒸發(fā)源對應的所述子閥門,開啟所述公共閥門和其余所述子閥門中的一個。
[0015]在本發(fā)明的蒸鍍機中,當所述蒸鍍機暫停蒸鍍時,關(guān)閉所述公共閥門,開啟暫停蒸發(fā)源對應的所述子閥門和沉積蒸發(fā)源對應的所述子閥門;通過沉積通道,使所述暫停蒸發(fā)源產(chǎn)生的蒸發(fā)氣體流入與所述沉積蒸發(fā)源的腔體中進行沉積,其中所述沉積通道為所述暫停蒸發(fā)源對應的子氣體通道與所述沉積蒸發(fā)源對應的子氣體通道之間的連通通道;所述暫停蒸發(fā)源為所述蒸鍍機蒸鍍時使用的蒸發(fā)源,所述沉積蒸發(fā)源為其余所述蒸發(fā)源中的任意一個或多個。
[0016]在本發(fā)明的蒸鍍機中,所述暫停蒸發(fā)源的溫度大于所述沉積蒸發(fā)源的溫度,以使所述暫停蒸發(fā)源產(chǎn)生的蒸發(fā)氣體在所述沉積蒸發(fā)源內(nèi)沉積為液態(tài)或固態(tài)。
[0017]在本發(fā)明的蒸鍍機中,所述公共氣體通道內(nèi)還設置有速率監(jiān)測裝置,所述速率監(jiān)測裝置用于監(jiān)測所述蒸發(fā)源的速率頻率。
[0018]在本發(fā)明的蒸鍍機中,所述蒸鍍機還包括輸出部,所述輸出部設置有多個噴咀,所述輸出部用于將從所述氣體通道導出的蒸發(fā)氣體通過所述噴咀噴到所述基板的表面。
[0019]在本發(fā)明的蒸鍍機中,當任意一個所述蒸發(fā)源蒸鍍時,所述輸出部的溫度大于所述蒸鍍的蒸發(fā)源的溫度。
[0020]在本發(fā)明的蒸鍍機中,所述蒸發(fā)源設置有加熱裝置、冷卻裝置、溫度監(jiān)控裝置。
[0021]本發(fā)明的蒸鍍機,增加至少一個蒸發(fā)源,選定其中一個進行蒸鍍,當蒸鍍中斷時,將該蒸鍍的蒸發(fā)源蒸發(fā)的材料沉積在其余蒸發(fā)源中,在恢復蒸鍍時,能夠維持原有速率的同時,降低能源損耗。
【【附圖說明】】
[0022]圖1為現(xiàn)有蒸鍍機輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖2為本發(fā)明蒸鍍機的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實施方式】】
[0024]以下各實施例的說明是參考附加的圖式,用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明,而非用以限制本發(fā)明。在圖中,結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標號表示。
[0025]請參照圖2,圖2為本發(fā)明蒸鍍機的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]本發(fā)明的蒸鍍機包括:蒸發(fā)源組、氣體通道,閥門組;
[0027]所述蒸發(fā)源組包括至少兩個蒸發(fā)源,所述蒸發(fā)源具有一腔體,所述蒸發(fā)源用于對其腔體內(nèi)的蒸發(fā)材料進行蒸發(fā),以產(chǎn)生蒸發(fā)氣體;
[0028]所述氣體通道包括公共氣體通道和至少兩個子氣體通道,所述公共氣體通道用于將所述蒸發(fā)源產(chǎn)生的蒸發(fā)氣體導出到基板表面;每個所述蒸發(fā)源對應設置一所述子氣體通道;所述子氣體通道的一端與所述公共氣體通道連通;所述子氣體通道的另一端與對應的所述蒸發(fā)源連通;
[0029]閥門組,包括公共閥門和至少兩個子閥門,每個所述子氣體通道對應設置一所述子閥門,所述公共閥門用于控制所述公共氣體通道的導通或者不導通;所述子閥門,用于控制所述子氣體通道的導通或者不導通。所述蒸鍍機還可包括輸出部,所述輸出部設置有多個噴咀,所述輸出部用于將所述氣體通道導出的蒸發(fā)氣體通過所述噴咀噴到所述基板表面。
[0030]當所述蒸鍍機蒸鍍時,開啟任意一個所述蒸發(fā)源對應的所述子閥門和所述公共閥門,關(guān)閉其余所述子閥門,以使所述蒸鍍的蒸發(fā)源的對應的子氣體通道和所述公共氣體通道導通,其中所述蒸鍍蒸發(fā)源為所述開啟的子閥門對應的蒸發(fā)源。
[0031]在蒸鍍過程中,所述公共氣體通道的溫度大于所述蒸鍍蒸發(fā)源的溫度,所述蒸鍍蒸發(fā)源對應的子氣體通道的溫度大于所述蒸鍍蒸發(fā)源的溫度。當然所述輸出部的溫度也大于所述蒸鍍蒸發(fā)源的溫度,從而防止蒸發(fā)氣體在公共氣體通道、相應的子氣體通道、或者輸出部中沉積。
[0032]當所述蒸鍍蒸發(fā)源的腔體中的蒸發(fā)材料的容量小于預設值時,關(guān)閉所述蒸鍍蒸發(fā)源的對應的所述子閥門,開啟所述公共閥門和其余所述子閥門中的一個,即當正在使用中的蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料耗盡時,開啟另外的蒸發(fā)源,從而節(jié)省生產(chǎn)時間。
[0033]當所述蒸鍍機暫停蒸鍍時,關(guān)閉所述公共閥門,開啟所述暫停蒸發(fā)源對應的所述子閥門和沉積蒸發(fā)源對應的所述子閥門;通過沉積通道,使所述暫停蒸鍍蒸發(fā)源產(chǎn)生的蒸發(fā)氣體流入與所述沉積蒸發(fā)源的腔體中進行沉積,其中所述沉積通道為所述暫停蒸發(fā)源對應的子氣體通道與所述沉積蒸發(fā)源對應的子氣體通道之間的連通通道;所述沉積蒸發(fā)源為其余所述蒸發(fā)源中的任意一個或多個。所述暫停蒸發(fā)源為所述蒸鍍機蒸鍍時使用的蒸發(fā)源,即之前進行蒸鍍的蒸發(fā)源。
[0034]所述暫停蒸發(fā)源的溫度大于所述沉積蒸發(fā)源的溫度,以使所述
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