導(dǎo)電性膜形成用銀合金濺射靶及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[ooou本發(fā)明設(shè)及一種用于形成有機(jī)化元件的反射電極和觸控面板的配線膜等導(dǎo)電性 膜的銀合金瓣射祀及其制造方法。
[0002] 本申請(qǐng)基于2013年3月11日于日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2013-048388號(hào)主張優(yōu)先權(quán)， 并將其內(nèi)容援用于此。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機(jī)化元件為一種發(fā)光元件，其為在對(duì)于形成于有機(jī)化發(fā)光層兩側(cè)的陽(yáng)極與陰 極之間施加電壓，從陽(yáng)極將空穴、從陰極將電子分別注入至有機(jī)化膜，且使用在有機(jī)化發(fā) 光層中當(dāng)空穴和電子結(jié)合時(shí)發(fā)光的原理，并且，作為顯示設(shè)備用發(fā)光元件近年來(lái)備受關(guān)注。 該有機(jī)化元件的驅(qū)動(dòng)方式中有無(wú)源矩陣方式和有源矩陣方式。該有源矩陣方式為驅(qū)動(dòng)方 式，其通過(guò)在一個(gè)像素上設(shè)置一個(gè)W上的薄膜晶體管而能夠進(jìn)行高速轉(zhuǎn)換，因此，有利于高 對(duì)比度、高清晰度，且能夠發(fā)揮有機(jī)化元件的特征。
[0004] 并且，在光的提取方式中有從透明基板側(cè)提取光的底部發(fā)光方式和從基板的相反 側(cè)提取光的頂部發(fā)光方式，且開(kāi)口率較高的頂部發(fā)光方式有利于高亮度化。
[0005] 為了更有效地反射由有機(jī)化層發(fā)出的光，優(yōu)選該頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)中的反射電極膜 為高反射率且耐蝕性高。并且，作為電極還優(yōu)選為低電阻電極。作為該種材料已知有Ag合 金及A1合金，但為了得到更高亮度的有機(jī)化元件，從可見(jiàn)光反射率較高方面來(lái)看Ag合金 為優(yōu)異的。其中，在形成有機(jī)化元件的反射電極膜時(shí)采用瓣射法，且使用銀合金祀（專利 文獻(xiàn)1)。
[0006] 然而，伴隨有機(jī)化元件制造時(shí)的玻璃基板的大型化，在形成反射電極膜時(shí)使用的 銀合金祀也使用大型祀。其中，當(dāng)對(duì)大型祀投入高功率而進(jìn)行瓣射時(shí)，產(chǎn)生根據(jù)祀的異常放 電而產(chǎn)生的被稱為"噴瓣"的現(xiàn)象，烙融的微粒子附著于基板上而使配線或電極之間短路， 由此存在有機(jī)化元件的成品率下降的問(wèn)題。頂部發(fā)光方式的有機(jī)化元件的反射電極層 中，由于反射電極層成為有機(jī)發(fā)光層的基底層，因此要求更高的平坦性且需要進(jìn)一步抑制 噴瓣。
[0007] 為了解決該樣的課題，在專利文獻(xiàn)2及專利文獻(xiàn)3中提出有一種有機(jī)化元件的反 射電極膜形成用銀合金祀及其制造方法，即隨著祀的大型化，即使對(duì)祀投入大功率也能夠 抑制噴瓣。
[000引專利文獻(xiàn)1 ;國(guó)際公開(kāi)第2002/077317號(hào)
[0009] 專利文獻(xiàn)2 ;日本專利公開(kāi)2011-100719號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)2 ;日本專利公開(kāi)2011-162876號(hào)公報(bào)
[0011] 通過(guò)該些專利文獻(xiàn)2及專利文獻(xiàn)3中所記載的反射電極膜形成用銀合金祀，即使 投入大功率也能夠抑制噴瓣，然而在大型的銀合金祀中，隨著祀的消耗，電弧放電次數(shù)增 加，并有基于電弧放電的噴瓣增加的傾向，要求進(jìn)一步改善。
[001引并且，除了有機(jī)化元件用反射電極膜之外，還對(duì)在觸控面板的引出配線等導(dǎo)電性 膜中使用銀合金膜也進(jìn)行了研究。作為該種配線膜，若使用例如純Ag，則產(chǎn)生遷移而容易發(fā) 生短路故障，因此對(duì)銀合金膜的采用進(jìn)行了研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 本發(fā)明是鑒于該種情況而完成的，其目的在于提供一種能夠進(jìn)一步抑制電弧放電 及噴瓣的導(dǎo)電性膜形成用銀合金瓣射祀及其制造方法。
[0014] 本發(fā)明人們經(jīng)深入研究的結(jié)果獲得如下見(jiàn)解，即，為了進(jìn)一步抑制伴隨祀消耗而 增加的電弧放電次數(shù)，有效的方式是，將晶粒微細(xì)化至平均粒徑小于30ym，并將晶粒粒徑 的偏差抑制在平均粒徑的30%W下。
[0015] 基于此一見(jiàn)解，本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金瓣射祀，具有如下成分組成：含 有合計(jì)為0. 1~1.5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu) 成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，其中，該合金的晶粒的平均粒徑為1ymW上且小于 30ym，所述晶粒的粒徑的偏差為平均粒徑的30%W下。
[0016] In具有固溶于Ag而抑制祀的晶粒成長(zhǎng)，將晶粒微細(xì)化的效果。In提高祀的硬度， 因此抑制機(jī)械加工時(shí)的翅曲。In提高W瓣射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。
[0017] Sn與In-樣，具有固溶于Ag而抑制祀的晶粒成長(zhǎng)，將晶粒微細(xì)化的效果。Sn提 高祀的硬度，因此抑制機(jī)械加工時(shí)的翅曲。Sn提高W瓣射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。
[001引若In及Sn中的一種W上的合計(jì)含量小于0. 1質(zhì)量％，則無(wú)法得到上述效果，若超 過(guò)1. 5質(zhì)量％，則膜的反射率或電阻下降。
[0019] 將平均粒徑設(shè)為1ymW上且小于30ym是因?yàn)樾∮?ym的平均粒徑不切實(shí)際且 導(dǎo)致制造成本的增加，若平均粒徑在30ymW上，則難W控制結(jié)晶粒徑的偏差，結(jié)果瓣射時(shí) 異常放電隨著祀的消耗而增加的傾向會(huì)顯著。
[0020] 若平均粒徑的偏差超過(guò)30%，則瓣射時(shí)異常放電隨著祀的消耗而增加的傾向會(huì)顯 著。
[0021] 本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金瓣射祀，具有如下成分組成：含有合計(jì)為0. 1~ 1.5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上、還含有合計(jì)為0. 1~2. 5質(zhì)量％的訊及Ga中的一種 W上且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，所述訊及 Ga是固溶于Ag的元素，其中，該合金的晶粒的平均粒徑為1ymW上且小于30ym，所述晶 粒的粒徑的偏差為平均粒徑的30%W下。
[0022] 訊及Ga具有固溶于Ag而進(jìn)一步抑制晶粒成長(zhǎng)的效果。訊及Ga進(jìn)一步提高W瓣 射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。尤其是Ga提高膜的耐鹽性。若其含量小于0.1質(zhì)量％，貝U 無(wú)法得到上述效果，若超過(guò)2. 5質(zhì)量％，則不僅膜的反射率或電阻下降，而且出現(xiàn)熱軸時(shí)產(chǎn) 生破裂的傾向。
[0023] 并且，本發(fā)明的導(dǎo)電性膜形成用銀合金瓣射祀的制造方法，對(duì)烙煉鑄造鑄錠，依次 實(shí)施熱軸工序、冷卻工序、冷軸工序、熱處理工序、機(jī)械加工工序而制造銀合金瓣射祀，所述 烙煉鑄造鑄錠具有如下成分組成；含有合計(jì)為0. 1~1. 5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上 且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成，其中，所述熱軸工序中，包含一道次W上的精熱軸， 該精熱軸的每一道次的軸制率為20~35 %，應(yīng)變速度為3~10/sec，而道次后的溫度為 400~650°C;所述冷卻工序中，W100~l〇〇〇°C/min的冷卻速度驟冷至200°CW下；所述 冷軸工序中，所有軸制道次中的每一道次的軸制率的平均值為10~30%，所有軸制道次中 的應(yīng)變速度的平均值為3~10/sec，W40~80%的總軸制率進(jìn)行至成為目標(biāo)板厚；所述熱 處理工序中，W350~550°C保持1~2小時(shí)。
[0024] 并且，銀合金瓣射祀的制造方法，對(duì)烙煉鑄造鑄錠，依次實(shí)施熱軸工序、冷卻工序、 冷軸工序、熱處理工序、機(jī)械加工工序而制造銀合金瓣射祀，所述烙煉鑄造鑄錠具有如下成 分組成：含有合計(jì)為0. 1~1.5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上、還含有合計(jì)為0. 1~2. 5 質(zhì)量％的訊及Ga中的一種W上且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構(gòu)成，其中，所述熱軸工 序中，包含一道次W上的精熱軸，該精熱軸的每一道次的軸制率為20~35%，應(yīng)變速度為 3~10/sec，而道次后的溫度為400~650°C;所述冷卻工序中，W100~l〇〇〇°C/min的冷 卻速度驟冷至20(TCW下；所述冷軸工序中，所有軸制道次中的每一道次的軸制率的平均 值為10~30%，所有軸制道次中的應(yīng)變速度的平均值為3~10/sec，W40~80%的總軸 制率進(jìn)行至成為目標(biāo)板厚；所述熱處理工序中，W350~550°C保持1~2小時(shí)。
[0025]將精熱軸的每一道次的軸制率設(shè)為20~35%是因?yàn)槿糨S制率小于20%，則晶粒 的微細(xì)化變得不充分。若要得到超過(guò)35%的軸制率，則軸制機(jī)的負(fù)荷荷載變得過(guò)大而不切 實(shí)際。
[0026] 并且，將應(yīng)變速度設(shè)為3~10/sec是因?yàn)槿魬?yīng)變速度小于3/sec，則晶粒的微細(xì)化 變得不充分，出現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生微細(xì)粒與粗大粒的混合粒的傾向。若應(yīng)變速度超過(guò)10/sec，則軸制 機(jī)的負(fù)荷荷載變得過(guò)大而不切實(shí)際。
[0027] 若各道次后的溫度小于400°C，則動(dòng)態(tài)再結(jié)晶變得不充分，結(jié)晶粒徑的偏差增大的 傾向會(huì)顯著。若各道次后的溫度超過(guò)650°C，則進(jìn)行晶粒成長(zhǎng)且不能實(shí)現(xiàn)結(jié)晶粒徑的微細(xì) 化。
[002引并且，通過(guò)在該熱軸后進(jìn)行驟冷而能夠抑制晶粒的成長(zhǎng)，并且能夠得到晶粒微細(xì) 的祀。若冷卻速度小于l00°C/min,則進(jìn)行晶粒成長(zhǎng)，因此不優(yōu)選。即使