專利名稱:內(nèi)氧化銀-氧化錫系合金電觸頭材料及其制造方法
近來，含有0.5～12%(重量)Sn的內(nèi)氧化Ag基合金被廣泛地用作各種電氣裝置(例如，開關(guān)、接觸器、繼電器和斷路器)中的電觸頭材料。
這類Ag基合金經(jīng)熔煉、鑄造和軋制或拉制后通常呈薄板形，無論在其一側(cè)補(bǔ)貼或不補(bǔ)貼純銀薄板，都在壓力及含氧氣氛下進(jìn)行內(nèi)氧化處理。這類合金不同于燒結(jié)Ag-金屬氧化物合金，后者是用Ag粉基體同金屬氧化物粉混合燒結(jié)而成的。它們的顯著差別之一在于，前者，即內(nèi)氧化Ag-Sn系合金，在結(jié)構(gòu)密度方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于后者，而后者中的金屬氧化物擴(kuò)散比前者均勻。后者在極快而頻繁的通斷操作中會很快消耗。經(jīng)過一段時(shí)間后滲入Ag合金的氧使該合金中的金屬溶質(zhì)元素氧化，并以細(xì)微金屬氧化沉淀物的形式分散在Ag基體中。上述金屬氧化沉淀物使Ag合金具有耐熔性和隨之而來的抗熔焊性。當(dāng)使用補(bǔ)貼薄純銀板時(shí)，它們用作中間物質(zhì)，使氧化銀合金觸頭材料能焊接到電觸點(diǎn)的支承或基座金屬上。
然而，業(yè)已觀察到。當(dāng)上述類型的Ag合金經(jīng)內(nèi)氧化處理時(shí)，Ag合金內(nèi)的金屬溶質(zhì)元素并不均勻沉淀分布于其Ag基體中，而是富集在與氧直接接觸的外表面附近區(qū)域。當(dāng)這種Ag合金從兩側(cè)進(jìn)行內(nèi)氧化處理時(shí)，這種在外表面發(fā)生的金屬氧化物沉淀作用，會在外表面(尤其在頂部表面)附近產(chǎn)生偏析現(xiàn)象，從而在該Ag合金頂部和底部表面之間形成一層相當(dāng)厚度的阻擋層。在電觸頭材料外表面附近高濃集的金屬氧化物的偏析現(xiàn)象，使外表面太硬，尤其在操作的初始階段，使材料的接觸電阻變大，隨后發(fā)生過度溫升。在實(shí)際應(yīng)用中，經(jīng)常用銼刀等刮掉外表面附近的偏析層。但這樣不僅費(fèi)工，而且由于銼刀金屬屑沾污而使外表面銀合金屑無法重復(fù)利用。
同內(nèi)氧化Ag-Sn系合金比較，另一種有競爭力的Ag-Cd系合金具有更均勻的金屬氧化物擴(kuò)散作用。這主要是因?yàn)?，Ag基體內(nèi)Cd的擴(kuò)散速度正好同內(nèi)氧化過程中氧的擴(kuò)散速度平衡，而在Ag-Sn系合金內(nèi)氧化處理時(shí)情況并非如此。換言之，用于制備Ag-Sn系合金及其內(nèi)氧化處理的方法幾乎不能參照用內(nèi)氧化Ag-Cd合金制成的電觸頭材料及其制造方法。
總之，接觸表面附近氧化錫的偏析現(xiàn)象使合金太硬，并經(jīng)常產(chǎn)生表面裂紋。尤其在操作的初始階段，由于頂部周圍表面氧化錫的偏析或過度濃集而導(dǎo)致內(nèi)氧化Ag-Sn合金接觸電阻增加。偏析也會引起接點(diǎn)溫度過分升高。
為了避免產(chǎn)生這種偏析現(xiàn)象，本發(fā)明人發(fā)明了諸如在美國專利No4，457，787和No4，472，211中公開的一類方法，在美國專利No4，457，787中，通過用氫一類元素吸收某些合金元素在其內(nèi)產(chǎn)生晶格空穴，在內(nèi)氧化時(shí)，溶質(zhì)熔液填充這些空穴，并在無數(shù)原子級氧化物晶核上沉淀出氧化物。這些氧化物不會到處擴(kuò)散，僅僅達(dá)到最鄰近的空穴，因而不會發(fā)生任何氧化錫偏析和阻擋層。在美國專利No4，472，211中，通過Ag合金內(nèi)氧化處理以前在接觸表面附近使溶質(zhì)金屬升華還原或分離來避免由于接觸表面附近金屬氧化物包括氧化錫高濃集和過飽和而引起的高接觸電阻。
前述的阻擋層，由于其中完全不含金屬化合物或者太薄，因而其耐熔性極差。幾乎不能承受劇烈的開關(guān)操作。因此，在使用其上接觸表面與下表面之間具有阻擋層的觸頭材料時(shí)，其損耗達(dá)到阻擋層時(shí)，使用壽命就結(jié)束了。這意味著，阻擋層下面的下半部的觸頭材料只能同阻擋層上面的上半部觸頭材料共同發(fā)散由于開關(guān)操作而產(chǎn)生的熱量并給出所要求的材料厚度，而不能作為有效的接觸表面。一般而言，這種下半部接觸材料的存在是毫無意義的。
因此，本發(fā)明提供一種內(nèi)氧化Ag-Sn系合金電觸頭材料。其接觸表面有適中的初始接觸電阻而無阻擋層，本發(fā)明還提供制造這種優(yōu)異觸頭材料的方法，而不是采用上述美國專利中公開的難以嚴(yán)格控制的方法。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，盡管在Ag-Sn系合金表面或者氧首先同其接觸并從其滲進(jìn)合金的表面附近，Ag-Sn系合金的內(nèi)氧化組織是粗糙的，然而該組織滲入合金內(nèi)愈深，它們就愈細(xì)。換言之，沿合金內(nèi)氧化擴(kuò)展方向前沿部分產(chǎn)生的內(nèi)氧化組織是極細(xì)的，并且沒有氧化錫偏析現(xiàn)象。因此，它們最適合于作為接觸表面。
本發(fā)明人還觀察到，沿著內(nèi)氧化擴(kuò)展方向沉淀在Ag基體內(nèi)的氧化錫晶體的粒度逐漸長大。從而，Ag基體和氧化錫之間的差別，在內(nèi)氧化擴(kuò)展方向上變得更清晰或更顯著，也可以用上述說法描述這種差別，即沿內(nèi)氧化擴(kuò)展方向最前面部分的內(nèi)氧化組織最細(xì)。氧化錫沉淀物顆粒愈大，Ag基體占有的區(qū)域就愈大，因而能保證較低的接觸電阻;并且能相應(yīng)避免接點(diǎn)溫度過分升高。假定合金各部分或從合金內(nèi)氧化的最后面部分到最前面部分的Sn濃度不變，且在氧化錫對銀基體重量百分比相同的條件下，則僅含有一個(gè)氧化錫晶粒的內(nèi)氧化最前部分，能比含有多個(gè)例如十個(gè)氧化錫晶粒的最后部分使Ag基體產(chǎn)生更大的接觸表面。還應(yīng)注意到，氧化錫沉淀物愈大，伴隨內(nèi)氧化過程在氧化錫內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力愈小，從而使沉淀物具有適中的硬度，使接觸表面不會產(chǎn)生裂紋。
從上述觀點(diǎn)出發(fā)，在本說明書中及權(quán)利要求
書中使用的“沿內(nèi)氧化擴(kuò)散方向的前沿部分”可通過顯微觀察很快為那些熟悉本行技術(shù)的人員所理解，它們能詳細(xì)說明本發(fā)明。
當(dāng)合金從兩側(cè)進(jìn)行內(nèi)氧化處理時(shí)，這種極細(xì)的內(nèi)氧化Ag-Sn合金組織對稱地出現(xiàn)在內(nèi)氧化區(qū)的前沿或最前端，二者間則是阻擋層。當(dāng)合金從一側(cè)進(jìn)行氧化時(shí)，這種極細(xì)的組織出現(xiàn)在內(nèi)氧化區(qū)的底部。從與該部相對的表面上氧滲入合金內(nèi)部。因?yàn)?，阻擋層或氧化錫貧乏的區(qū)帶，通常緊鄰著內(nèi)氧化區(qū)最前沿部分，在本發(fā)明中作為接觸表面的區(qū)域不應(yīng)包括上述阻擋層或貧錫區(qū)。
在本發(fā)明中能采用的典型Ag-Sn合金是由Ag基體、0.5～12%(重量)Sn和0.5～15%(重量)In，以及由Ag基體、3～12%(重量)Sn和0.01～1.5%以下(重量)Bi組成的合金。上述組成還可以包括從0.1～5%(重量)Cd、0.1～2%(重量)Zn、0.1～2%(重量)Sb和0.01～2%(重量)Pb中選擇的一種或多種作為金屬添加元素。在上述后一種組成中，可以包含0.1～2%(重量)以下的In。此外，Ag-Sn合金組成還可以包含低于0.5%(重量)的一種或多種鐵族元素。
作為本發(fā)明的實(shí)施方案，將上述Ag合金制成平板或園片，它們的厚度至少是所要求的最終厚度的兩倍與一個(gè)阻擋層厚度之和。這是因?yàn)楫?dāng)Ag合金進(jìn)行內(nèi)氧化處理時(shí)，預(yù)計(jì)會產(chǎn)生上述阻擋層。在該Ag合金的兩側(cè)表面上再補(bǔ)貼一純銀薄層。
然后，在壓力和高溫下的氧氣氣氛中，使按上述方法制備的Ag合金完成內(nèi)氧化處理。
在Ag合金內(nèi)氧化處理期間，補(bǔ)貼上的純銀薄層起以下作用。
由于在高溫下溶解在銀中的氧的分壓較低，并且在預(yù)定比溫和預(yù)定比壓的氧氣氛中，擴(kuò)散透過銀層的氧量不變，所以能夠容易而任意控制通過銀層擴(kuò)散進(jìn)入金屬合金以氧化合金的氧量。除此優(yōu)點(diǎn)以外，在這種情況下由于氧是透過銀擴(kuò)散進(jìn)入金屬合金的，因而在選定的氧擴(kuò)散路徑的方向上，在金屬合金內(nèi)氧化和沉淀的金屬晶粒并不是無規(guī)則排列的，而能夠在氧擴(kuò)散的路徑上排成棱形。因?yàn)檫@些成棱形排列的金屬氧化物也同流過內(nèi)氧化Ag合金觸頭材料的電流通路平行，所以材料的電阻下降了。
完全內(nèi)氧化過程的銀合金板或園片中部在垂直于板或園片高度或軸線方向上有阻擋層，可以用超硬高速切削工具如銑刀沿該阻擋層切割，刀具寬度應(yīng)大于阻擋層的厚度。與采用普通砂輪從內(nèi)氧化處理的Ag合金表面上磨掉偏析的金屬氧化物的方法不同，上述切割操作不會粘污切口表面和包括阻擋層在內(nèi)的Ag合金切下的部分。
從薄板或園片上這樣切割下來的兩部分分別都有完全內(nèi)氧化的Ag合金體，該Ag合金體有適中的硬度和初始電組的新接觸表面并在底部表面上補(bǔ)貼有純銀層，并且沒有阻擋層。
實(shí)例1(1)Ag-Sn 8%-In 4%(2)Ag-Sn 8%-In 4%-Cd 0.5%(3)Ag-Sn 7%-Bi 0.5%(4)Ag-Sn 7%-Bi 0.5%-Zn 0.3%在約1100～1200℃的高頻熔煉爐內(nèi)熔煉以上(1)～(4)號成分的合金，并將其澆鑄成每塊重約5kg的鑄錠。在每塊錠坯的一側(cè)表面上進(jìn)行剝離。然后，用水壓機(jī)將薄鎳板緊貼在每塊錠坯的剝離表面上，再軋制成厚約2.2mm的薄板，其上補(bǔ)貼鎳層厚約1mm。
在650℃氧氣氛下，將每塊薄板處理200小時(shí)，以便薄板完全被內(nèi)氧化。由于補(bǔ)貼的鎳層不可氧化，故僅僅從剝離表面進(jìn)行內(nèi)氧化。在剝離表面周圍觀察到氧化錫的偏析。在薄板內(nèi)沿內(nèi)氧化擴(kuò)展方向的最前面部分產(chǎn)生的內(nèi)氧化組織，也就是距剝離表面深約2mm區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)氧化組織極細(xì)，并且完全沒有金屬氧化物的偏析現(xiàn)象。阻擋層或鄰近上述氧化層前沿部分的氧化錫貧乏的帶區(qū)的深度約1mm。
將每塊經(jīng)內(nèi)氧化處理的薄板置于H氣氣氛中，在750℃下加熱10分鐘，以便還原或分解剝離表面附近的金屬氧化物，使剝離表面能夠釬焊在移動的或固定的接點(diǎn)基座上。
可以用不可氧化的其它金屬來代替鎳板，可以通過在溶劑內(nèi)加熱或浸泡在酸液中，實(shí)現(xiàn)金屬氧化物的還原或分解。
然后，在距底面0.2mm的平面處水平切割薄板。并且，將薄板切割成邊長為5mm厚度為1.9mm的正方形電觸頭，沿內(nèi)氧化擴(kuò)展方向的內(nèi)氧化前沿部分作為接觸表面。被還原或分解的剝離表面作為基座。
也可以在內(nèi)氧化處理以前將薄板切割或沖壓成所要求的外形，而不在內(nèi)氧化處理后再切割薄板。
為了同按照本發(fā)明制造的以上電觸頭比較，制造了以下觸頭試件。
(5)Ag-Sn 8%-In 4%(6)Ag-Sn 8%-In 4%-Cd 0.5%(7)Ag-Sn 7%-Bi 0.5%(8)Ag-Sn 7%-Bi 0.5%-Zn 0.3%同以上試件類似，將(5)～(8)號成分的合金制成鑄錠。然后，用壓模板加熱到約440℃的水壓機(jī)將純銀板緊貼在每塊錠坯的剝離表面上，并將此錠坯軋制成厚約2mm的薄板，同時(shí)在約600℃下進(jìn)行退火，每個(gè)階段的軋制壓縮率為30%。
在650℃氧氣氛中將每塊板進(jìn)行200小時(shí)內(nèi)氧化處理。然后，用直徑為6mm的沖孔機(jī)將經(jīng)內(nèi)氧化處理的板沖壓成厚度為2mm的電觸頭，其上補(bǔ)貼薄銀層。
隨后對本發(fā)明的上述(1)～(4)號合金和前面已知實(shí)施例(5)～(8)號合金的觸頭試樣的接觸表面硬度，及在以下條件下的初始接觸電阻進(jìn)行檢驗(yàn)。
初始接觸電阻接觸壓力-400g電流 -直流6V，1A
表1樣品 硬度(洛氏硬度“鍛造”)(1) 69～82(2) 67～74(3) 64～76(4)“本發(fā)明的” 67～76(5) 95～105(6) 93～94(7) 90～100(8)“前面已知實(shí)施例的” 90～100表2樣品 初始接觸電阻(mΩ)(1) 0.6～2.1(2) 0.6～2.1(3) 1.5～1.4(4)“本發(fā)明的” 0.5～1.6
(5) 1.2～2.2(6) 1.2～2.2(7) 0.7～2.1(8)“前面已知實(shí)施例的” 1.7～2.2因而，從上表可知，同相應(yīng)的前面已知的觸頭材料比較，按照本發(fā)明制造的觸頭材料具有適中的硬度和較低的初始接觸電阻。
實(shí)例2將Ag-Sn 8%-In 4%的合金錠坯拉制成直徑為5mm的線材，并用此線材制備一批試件其主園柱體直徑為5mm長度為3.3mm在主園柱體兩端完整地帶有直徑為2.5mm高為1mm的凸臺。這些試件完全內(nèi)氧化處理后，垂直于其軸線用寬0.3mm的銑刀將其切成相等兩部分，從而制得一種鉚釘形的觸頭材料，每件都是直徑為5mm高度為1.5mm，并帶一直徑為2.5mm高1mm的小凸臺。此觸頭的特點(diǎn)在于將內(nèi)氧化區(qū)的前沿部分作為接觸表面。這些試件可在切成兩部分以前或以后進(jìn)行H氣處理，以便如實(shí)例1所述使凸臺能夠釬焊在接點(diǎn)支承金屬上。
同相應(yīng)的普通觸頭材料比較，按上述方法制得的鉚釘形觸頭材料具有優(yōu)異的物理和電學(xué)特性。業(yè)已觀察到，它們的硬度低于普通接觸材料約30%，它們的初始接觸電阻還不到普通接觸材料的50%。
實(shí)例3(9)Ag-Sn 8%-In 4%(10)Ag-Sn 8%-In 4%-Cd 0.05%(11)Ag-Sn 7%-Bi 0.5%(12)Ag-Sn 7%-Bi 0.5%-Zn 0.3%在約1100～1200℃的高頻熔煉爐內(nèi)熔煉以上(9)～(12)號合金，并將其澆鑄成重約5kg的鑄錠。在每塊錠坯的兩側(cè)表面上進(jìn)行剝離。然后，利用壓模板加熱至400℃的水壓機(jī)將純銀薄板緊貼在錠坯兩側(cè)的剝離表面上，并將錠坯軋制成厚度為3.1mm的薄板，每次軋制壓縮率為30%。每次軋制后都在約500℃進(jìn)行退火。
將(9)、(10)、(11)和(12)號合金的每一種都制備成一塊厚度為2.5mm的薄板，薄板兩側(cè)表面上補(bǔ)貼上厚度為0.3mm的純銀層。
在650℃氧氣氛中對每塊薄板進(jìn)行完全內(nèi)氧化處理200小時(shí)。在薄板中部有厚約0.1～0.2mm的阻擋層。隨后用寬度為0.5mm的銑刀沿水平方向?qū)⒈“迩谐上嗟鹊膬刹糠?，并將薄板切成邊長為5mm厚度為1mm的正方形電觸頭，在其一側(cè)表面上補(bǔ)貼0.3mm厚的薄銀層。
也可以在內(nèi)氧化處理以前將薄板切割或沖壓成所要求的外形，而不在內(nèi)氧化處理以后再切割薄板。
隨后對上本發(fā)明的上述(9)～(12)號合金和前面已知實(shí)施例(實(shí)例1)(5)～(8)號合金的觸頭試樣的接觸表面硬度，及在以下條件下的初始接觸電阻進(jìn)行檢驗(yàn)。
初始接觸電阻接觸壓力-400g電流 -直流6V，1A
表1樣品 硬度(洛氏硬度“鍛造”)(9) 69～80(10) 67～72(11) 64～75(12)“本發(fā)明的” 67～75(5) 95～105(6) 93～94(7) 90～100(8)“前面已知實(shí)施例的” 90～100表2樣品 初始接觸電阻(mΩ)(9) 0.6～2.0(10) 0.6～2.0(11) 1.5～1.3(12)“本發(fā)明的” 0.5～1.4
(5) 1.2～2.2(6) 1.2～2.2(7) 0.7～2.1(8)“前面已知實(shí)施例的” 1.7～2.2因此，從上表可知，同相應(yīng)的前面已知的觸頭材料比較，按照本發(fā)明制造的觸頭材料具有適中的硬度和較低的初始接觸電阻。
盡管在以上各實(shí)例中，都是通過熔煉方法制備Ag-Sn系合金，然后進(jìn)行內(nèi)氧化;但也可以通過粉末冶金法緊接著鍛造制備Ag-Sn系合金，然后再進(jìn)行內(nèi)氧化處理。因而順理成章的是，由于后一種合金內(nèi)氧化作用機(jī)理與前一種合金完全相同，所以在權(quán)利要求
書中所明確的本發(fā)明毫無疑問也包括后一種合金。還應(yīng)注意的是，盡管同實(shí)例1中(1)～(4)號合金剝離表面周圍的內(nèi)氧化組織比較，按照本發(fā)明在實(shí)例3中獲得的(9)～(10)號電觸頭材料(在該合金內(nèi)它們不直接而是間接地通過純銀薄板同氧接觸)，在其緊鄰上述純銀薄板并首先同氧接觸的表面上的氧化組織不太粗糙，但在沿內(nèi)氧化擴(kuò)展方向的前沿部分的組織卻更細(xì)一些，這一點(diǎn)通過前述的顯微觀察可明顯識別。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)氧化Ag-SnO系合金電觸頭材料，它由包含0.5～12%(重量)Sn和0.5～15%(重量)In或0.01～1.5%以下(重量)Bi的完全內(nèi)氧化處理的合金組成，該合金也可以0.1～5%(重量)Cd、0.1～2%(重量)Zn、0.1～2%(重量)Sb、0.01～2%(重量)Pb和0.1～2%以下(重量)In元素組中選擇一種或多種添加金屬元素，其特征在于，在內(nèi)氧化區(qū)擴(kuò)展方向上其前沿部份用作接觸表面。
2.按照權(quán)利要求
1的電觸頭材料，其特征在于內(nèi)氧化前沿區(qū)材料直接用作接觸表面，其方法是對合金作切割或修薄加工，其加工面應(yīng)遠(yuǎn)離進(jìn)行氧化處理時(shí)氧化向合金內(nèi)開始擴(kuò)散的表面，以便從合金去掉緊鄰內(nèi)氧化區(qū)前沿部分的金屬氧化物貧乏的區(qū)帶。
3.按照權(quán)利要求
2的電觸頭材料，其特征在于，使氧擴(kuò)散進(jìn)入合金以進(jìn)行內(nèi)氧化處理的表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以便還原或分解上述表面附近的金屬氧化物，以使上述表面能進(jìn)行焊接。
4.一種內(nèi)氧化Ag-Sn O系合金電觸頭材料，它由包含0.5～12%(重量)Sn和0.5～15%(重量)In或0.01～1.5%以下(重量)Bi的合金制造在其接觸部份有所要求的厚度，上述合金可從0.1～5%(重量)Cd、0.1～2%(重量)Zn、0.1～2%(重量)Sb、0.01～2%(重量)Pb和0.1～2%以下(重量)In元素組中選擇一種或多種作為添加金屬元素，該合金厚度至少是上述所要求厚度的兩倍與合金內(nèi)預(yù)期會產(chǎn)生的阻擋層厚度之和，通過將合金固定夾在純銀薄層之間使合金完全內(nèi)氧化，并且沿水平方向?qū)⑵淝谐上嗟鹊膬刹糠帧Ｍ瑫r(shí)從合金中去掉阻擋層。
5.按照權(quán)利要求
4的電觸頭材料，其特征在于，使夾在純銀層中間的合金內(nèi)氧化處理以后，將其切割成所要求的外形。
6.按照權(quán)利要求
4的電觸頭材料，其特征在于，使夾在純銀層中間的合金在內(nèi)氧化以前沖壓或切成所要求的外形。
7.一種生產(chǎn)內(nèi)氧化Ag-Sn系合金電觸頭材料的方法，它包括制備含有0.5～12%(重量)Sn和0.5～15%(重量)In或0.01～1.5%以下(重量)Bi的Ag合金，該合金也可從0.1～5%(重量)Cd、0.1～2%(重量)Zn、0.1～2%(重量)Sb、0.01～2%(重量)·Pb和0.1～2%以下(重量)In元素組中的選擇一種或多種作為添加金屬元素;使合金完全內(nèi)氧化;以及切割合金，以便使合金內(nèi)在內(nèi)氧化擴(kuò)展方向上最前沿的內(nèi)氧化部分暴露，作為合金的接觸表面。
8.一種生產(chǎn)內(nèi)氧化Ag-Sn O系合金電觸頭材料的方法，它包括制備含有0.5～12%(重量)Sn和0.5～15%(重量)In或0.01～1.5%以下(重量)Bi的具有所要求厚度的合金，該合金可從0.1～5%(重量)Cd、0.1～2%(重量)Zn、0.1～2%(重量)Sb、0.01～2%(重量)Pb和0.1～2%以下(重量)In元素組中選擇一種或多種作為添加金屬元素，它的厚度至少是上述所要求厚度的兩倍與合金內(nèi)預(yù)期會產(chǎn)生的阻擋層厚度之和，并且將該合金夾在純銀薄層中間;使合金完全內(nèi)氧化;以及沿水平方向?qū)⒑辖鹎谐上嗟鹊膬刹糠帧Ｍㄟ^上述切割工序同時(shí)可從合金內(nèi)去掉阻擋層。
9.按照權(quán)利要求
8的方法，其特征在于，在合金內(nèi)氧化處理以后，將其切割成所要求的外形。
10.按照權(quán)利要求
8的方法，其特征在于，在合金內(nèi)氧化處理之前，將其沖壓或切割成所要求的外形。
專利摘要
用含有0.5～12％(重量)Sn的內(nèi)氧化Ag合金制造電觸頭材料。合金的內(nèi)氧化組織用作接觸表面，該組織出現(xiàn)在沿內(nèi)氧化擴(kuò)展方向的前沿部分的合金中。該組織極細(xì)并且沒有氧化錫偏析現(xiàn)象。通過對與上述接觸表面相對的另一表面附近的金屬氧化物進(jìn)行還原或分解處理，能夠使其成為可釬焊的表面。作為一種實(shí)施方案，將合金夾在純銀薄層中間進(jìn)行內(nèi)氧化處理，并且沿水平方向?qū)⒑辖鹎谐上嗟鹊膬刹糠?，同時(shí)從內(nèi)氧化合金中去掉阻擋層。
文檔編號H01H1/02GK86103279SQ86103279
公開日1987年2月25日 申請日期1986年5月13日
發(fā)明者柴田昭 申請人:中外電氣工業(yè)株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan