技術(shù)特征：

1.一種含硅膜前體，其中，包含式(1)所示的含硫硅氧烷，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅膜前體，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含硅膜前體，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的含硅膜前體，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的含硅膜前體，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的含硅膜前體，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的含硅膜前體，其中，

8.一種含硅膜形成用的組合物，其中，包含式(1)所示的含硫硅氧烷，

9.一種含硫硅氧烷的制造方法，其中，含硫硅氧烷由式(1)表示，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的含硫硅氧烷的制造方法，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的含硫硅氧烷的制造方法，其中，

12.一種含硅膜的制造方法，其中，使用式(1)所示的含硫硅氧烷，

技術(shù)總結(jié)
提供一種硅氧烷化合物，其通過式(1)所示的含硫硅氧烷，能用作含硅膜前體，該含硅膜前體在含硅膜的形成中，即使在高溫條件下也能進(jìn)行利用原子層沉積(ALD)法的成膜的。[式(1)中，R<supgt;1</supgt;～R<supgt;8</supgt;在各自出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為氫原子、碳原子數(shù)1～5的烷基、碳原子數(shù)2～5的烯基、碳原子數(shù)2～5的炔基或碳原子數(shù)1～5的烷氧基，R<supgt;1</supgt;～R<supgt;8</supgt;任選地各自相互鍵合而形成環(huán)，X<supgt;1</supgt;～X<supgt;3</supgt;在各自出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為氧原子或硫原子，n為0～2的整數(shù)。]

技術(shù)研發(fā)人員：平元輝,上野惠英
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友精化株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/29