本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基板防污罩及基板磨邊設(shè)備。

背景技術(shù)：

oled(organiclight-emittingdiode；有機(jī)電致發(fā)光)顯示面板的制備過程中，需對(duì)玻璃基板進(jìn)行激光切割、磨邊和清洗工藝，然后采用蒸鍍法在玻璃基板上形成oled器件。在磨邊工藝中會(huì)產(chǎn)生大量的玻璃粉塵，oled顯示面板的生產(chǎn)過程中對(duì)玻璃基板表面的異物數(shù)量要求較高，而玻璃基板的表面在被玻璃粉塵污染后會(huì)降低后續(xù)工藝中形成的oled器件的良率。

為減少在磨邊工藝中對(duì)玻璃基板造成的粉塵污染，目前的解決方法為在磨邊工藝過程中在玻璃基板的上方設(shè)置防污罩，防污罩的下表面設(shè)有若干個(gè)出水孔，在磨邊過程中，防污罩可阻擋部分玻璃粉塵落入玻璃基板表面，同時(shí)可通過出水孔排出清洗液對(duì)玻璃基板表面進(jìn)行清洗。然而，現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的防污罩對(duì)玻璃粉塵的防護(hù)能力和清潔能力仍不能滿足oled顯示面板對(duì)玻璃基板表面異物數(shù)量的要求，在磨邊工藝后玻璃基板上仍殘留有較多玻璃粉塵，降低了oled顯示面板的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種基板防污罩及基板磨邊設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的防污罩對(duì)玻璃粉塵防護(hù)能力和清潔能力不足而導(dǎo)致的磨邊工藝后玻璃基板上殘留的粉塵數(shù)量較多，進(jìn)而降低oled顯示面板良率的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下的技術(shù)方案：

一種基板防污罩，用于基板磨邊設(shè)備，包括：

罩體，所述罩體具有防護(hù)側(cè)，所述防護(hù)側(cè)在所述基板磨邊設(shè)備的工作過程中與待研磨的基板相對(duì)設(shè)置；

水幕裝置，在所述基板磨邊設(shè)備的工作過程中，所述水幕裝置用于在所述罩體的防護(hù)側(cè)上形成流向所述基板的第一水幕，所述第一水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角小于90°，且在所述基板的待研磨邊方向上，所述第一水幕的長度大于或等于所述基板的長度；

沖洗裝置，在所述基板磨邊設(shè)備的工作過程中，所述沖洗裝置用于在所述罩體的防護(hù)側(cè)向所述基板排放清洗液體。

本發(fā)明提供的基板防污罩中，水幕裝置可在基板磨邊設(shè)備的工作過程中在罩體的防護(hù)側(cè)形成流向基板的第一水幕，第一水幕在基板的待研磨邊方向的長度大于或等于基板的長度，可阻擋部分基板磨邊設(shè)備形成的粉塵落在基板表面，且第一水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角小于90°，可減小混入粉塵的水幕由基板邊緣流向基板表面的概率；同時(shí)，沖洗裝置還可在基板磨邊設(shè)備的工作過程中向基板排放清洗液體，對(duì)基板表面進(jìn)行沖洗。因此，本發(fā)明提供的基板防污罩可通過第一水幕阻擋部分粉塵，并通過沖洗裝置對(duì)基板表面的粉塵進(jìn)行沖洗，提高了防污罩對(duì)粉塵的防護(hù)能力和清潔能力，減少了磨邊工藝后玻璃基板上殘留的粉塵數(shù)量，進(jìn)而可提高oled顯示面板良率。

可選地，在所述基板磨邊設(shè)備的工作過程中，所述水幕裝置還用于在所述罩體的防護(hù)側(cè)上形成流向所述基板的第二水幕，所述第二水幕位于所述第一水幕遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)，所述第二水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角小于90°，且在所述基板的待研磨邊方向上，所述第二水幕的長度大于或等于所述基板的長度。

進(jìn)一步地，所述第二水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角小于所述第一水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角。

進(jìn)一步地，所述第一水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角小于或等于45°，所述第二水幕所在的平面與所述基板之間在遠(yuǎn)離所述待研磨邊的一側(cè)的夾角小于45度。

進(jìn)一步地，所述水幕裝置包括用于流出所述第一水幕的第一縫隙、以及用于流出所述第二水幕的第二縫隙；

所述第一縫隙和所述第二縫隙平行且均靠近于所述罩體的一個(gè)邊，所述第一縫隙與所述邊的距離小于或等于30mm，所述第二縫隙與所述邊的距離小于或等于50mm。

進(jìn)一步地，所述第一水幕和所述第二水幕的水壓大于等于0.6mpa且小于等于1.5mpa。

可選地，所述沖洗裝置包括設(shè)置于所述防護(hù)側(cè)的至少一個(gè)導(dǎo)水槽，每個(gè)導(dǎo)水槽為回轉(zhuǎn)體結(jié)構(gòu)，且沿由每個(gè)導(dǎo)水槽的底面到開口的方向上，每個(gè)導(dǎo)水槽的直徑逐漸增大；

每個(gè)導(dǎo)水槽的底面設(shè)有用于排出清洗液體的排水孔。

進(jìn)一步地，每個(gè)導(dǎo)水槽為圓臺(tái)結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，每個(gè)導(dǎo)水槽底面與側(cè)壁之間平滑過渡、且側(cè)壁與開口所在平面之間平滑過渡。

進(jìn)一步地，每個(gè)導(dǎo)水槽的開口的直徑小于或等于150mm，每個(gè)排水孔的直徑小于或等于30mm。

進(jìn)一步地，所述沖洗裝置包括多個(gè)在所述防護(hù)側(cè)陣列分布的導(dǎo)水槽。

進(jìn)一步地，還包括與所述罩體連接的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)用于帶動(dòng)所述罩體進(jìn)行平移，和/或，回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。

本發(fā)明還提供了一種基板磨邊設(shè)備，包括如上述技術(shù)方案提供的防污罩。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的防污罩的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的防污罩在防護(hù)側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的防污罩的工作過程示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的防污罩的工作過程示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的防污罩的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

01，基板；011，待研磨邊；10，罩體；11；防護(hù)側(cè)；20，水幕裝置；

21，第一縫隙；22，第二縫隙；30，沖洗裝置；31，導(dǎo)水槽；311，排水孔；

40，傳動(dòng)機(jī)構(gòu)；100，第一水幕；200，第二水幕。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參見圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基板防污罩，用于基板磨邊設(shè)備，包括：

罩體10，具體實(shí)施中，罩體10可采用鈑金件制成，或采用框架結(jié)合蒙皮的結(jié)構(gòu)制成。罩體10內(nèi)部可為中空結(jié)構(gòu)，以便于安裝其他零件。參見圖4所示，罩體10具有防護(hù)側(cè)11，防護(hù)側(cè)11在基板磨邊設(shè)備的工作過程中與待研磨的基板01相對(duì)設(shè)置。

繼續(xù)參見圖1所示，還包括水幕裝置20，參見圖4所示，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，水幕裝置20用于在罩體10的防護(hù)側(cè)11上形成流向基板01的第一水幕100，具體地，參見圖1和圖2所示，水幕裝置20包括用于流出第一水幕100的第一縫隙21，參見圖3所示，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，第一縫隙21與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)存在夾角θ1，則第一水幕100由第一縫隙21流出時(shí)與基板01之間的夾角也為θ1，第一水幕100所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角小于90°，參見圖3所示，在基板01的待研磨邊011方向上，第一水幕100的長度大于基板01的長度，具體實(shí)施中，第一水幕100的長度也可與基板01的長度相等。

繼續(xù)參見圖1所示，還包括沖洗裝置30，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，沖洗裝置30用于在罩體10的防護(hù)側(cè)11向基板01排放清洗液體。具體地，參見圖2和圖3所示，沖洗裝置30包括設(shè)置于防護(hù)側(cè)11的多個(gè)導(dǎo)水槽31，每個(gè)導(dǎo)水槽31的底面設(shè)有用于排出清洗液體的排水孔311，具體地，清洗液體可為水或其他液體。具體實(shí)施中，水幕裝置20和沖洗裝置30均連接有供水裝置，供水裝置用于為水幕裝置20提供水流形成第一水幕100，且為每個(gè)排水孔311提供清洗液體，具體可采用水泵實(shí)現(xiàn)。

參見圖4所示，本實(shí)施例提供的基板01防污罩中，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，在對(duì)基板01的待研磨邊011進(jìn)行打磨時(shí)，在待沿磨邊所在一側(cè)會(huì)形成粉塵。罩體10的防護(hù)側(cè)11與基板01相對(duì)設(shè)置，水幕裝置20可在基板磨邊設(shè)備的工作過程中在防護(hù)側(cè)11形成流向基板01的第一水幕100，第一水幕100在基板01的待研磨邊011方向的長度大于或等于基板01的長度，可阻擋部分基板磨邊設(shè)備形成的粉塵落在基板01表面，且第一水幕100所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角小于90°，則第一水幕100內(nèi)在與基板01表面接觸后會(huì)流向待研磨邊011的方向，減小了在第一水幕100混入粉塵后將粉塵由基板01邊緣帶到基板01表面的概率，因此，水幕裝置20可提高對(duì)粉塵的阻擋能力，同時(shí)，沖洗裝置30還可在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，通過排水孔311向基板01排放清洗液體，對(duì)基板01表面進(jìn)行沖洗，可沖洗掉透過第一水幕100落入基板01表面的粉塵，提高了對(duì)粉塵的清潔能力。

因此，本發(fā)明提供的基板01防污罩可通過第一水幕100阻擋部分粉塵，并通過沖洗裝置30對(duì)基板01表面的粉塵進(jìn)行沖洗，提高了防污罩對(duì)粉塵的防護(hù)能力和清潔能力，減少了磨邊工藝后玻璃基板01上殘留的粉塵數(shù)量，進(jìn)而可提高oled顯示面板良率。

為進(jìn)一步提高本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆牢壅謱?duì)粉塵的阻擋能力，參見圖4所示，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，水幕裝置20還用于在罩體10的防護(hù)側(cè)11上形成流向基板01的第二水幕200，第二水幕200位于第一水幕100遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)，則透過第一水幕100的部分粉塵可由第二水幕200進(jìn)行阻擋。具體地，水幕裝置20包括用于流出第二水幕200的第二縫隙22，參見圖3所示，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，第二縫隙22與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)存在夾角θ2，則第二水幕200由第二縫隙22流出時(shí)與基板01之間的夾角也為θ2。為提高第二水幕200的阻擋能力，且減小在第二水幕200混入粉塵后將粉塵由基板01邊緣帶到基板01表面的概率，第二水幕200所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角小于90°，且在基板01的待研磨邊011方向上，第二水幕200的長度大于或等于基板01的長度。

參見圖4所示，為進(jìn)一步減小在第二水幕200混入粉塵后將粉塵由基板01邊緣帶到基板01表面的概率，第二水幕200所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角θ2小于第一水幕100所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角θ1，進(jìn)一步地，第一水幕100所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角小于或等于45°，第二水幕200所在的平面與基板01之間在遠(yuǎn)離待研磨邊011的一側(cè)的夾角小于45度。則第一水幕100和第二水幕200在接觸到基板01后不易產(chǎn)生濺射，且第二水幕200可將第一水幕100流向基板01表面方向的水流沖向基板01的待研磨邊011，進(jìn)一步減小了在第一水幕100和第二水幕200混入粉塵后將粉塵由基板01邊緣帶到基板01表面的概率。

為減小第一水幕100和第二水幕200與基板01的接觸面積，進(jìn)而減小混入粉塵的第一水幕100和第二水幕200塵基板01邊緣流向基板01表面的概率，參見圖2所示，一種具體實(shí)施方式中，第一縫隙21和第二縫隙22平行且均靠近于罩體10的一個(gè)邊，第一縫隙21與邊的距離小于或等于30mm，第二縫隙22與邊的距離小于或等于50mm。則參見圖4所示，在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，第一水幕100和第二水幕200流向基板01上靠近待研磨邊011的區(qū)域并從待研磨邊011處流出，減小了第一水幕100和第二水幕200與基板01的接觸面積。

為減小第一水幕100和第二水幕200對(duì)基板01的沖擊，一種具體實(shí)施方式中，第一水幕100和第二水幕200的水壓大于等于0.6mpa且小于等于1.5mpa，可減小對(duì)基板01的沖擊，使基板01不易在第一水幕100和第二水幕200的沖擊下發(fā)生振動(dòng)或產(chǎn)生破裂。

在沖洗裝置30的排水孔311對(duì)基板01進(jìn)行沖洗后，在罩體10的防護(hù)側(cè)11有可能存在殘留水，殘留水中混有粉塵，有可能會(huì)對(duì)基板01再次造成污染。為減少?zèng)_洗裝置30的殘留水量，參見圖4所示，在一種具體實(shí)施方式中，每個(gè)導(dǎo)水槽31為回轉(zhuǎn)體結(jié)構(gòu)，且沿由每個(gè)導(dǎo)水槽31的底面到開口的方向上，每個(gè)導(dǎo)水槽31的直徑逐漸增大，可減少排水孔311流出的清洗液體附著在導(dǎo)水槽31內(nèi)的概率。具體地，參見圖4所示，一種具體實(shí)施方式中，每個(gè)導(dǎo)水槽31為圓臺(tái)結(jié)構(gòu)，即排水孔311所在的表面為平面。為進(jìn)一步減少排水孔311流出的清洗液體附著在導(dǎo)水槽31內(nèi)的概率，參見圖5所示，另一種實(shí)施方式中，每個(gè)導(dǎo)水槽31底面與側(cè)壁之間平滑過渡、且側(cè)壁與開口所在平面之間平滑過渡，具體地，排水孔311所在的表面可為球面，該結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步減少附著在導(dǎo)水槽31內(nèi)的清洗液體。

為保證沖洗裝置30的清潔能力，一種具體實(shí)施方式中，每個(gè)導(dǎo)水槽31的開口的直徑小于或等于150mm，每個(gè)排水孔311的直徑小于或等于30mm。進(jìn)一步地，參見圖2所示，沖洗裝置30包括多個(gè)在防護(hù)側(cè)11陣列分布的導(dǎo)水槽31。具體地，導(dǎo)水槽31的數(shù)量和分布面積應(yīng)根據(jù)基板01的大小進(jìn)行設(shè)置。

在基板磨邊設(shè)備的工作過程中，防污罩需在研磨過程開始前移動(dòng)到基板01上方并在研磨過程結(jié)束后移走，且當(dāng)基板01存在多一個(gè)待研磨邊011時(shí)，防污罩還需跟隨基板磨邊設(shè)備進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)以適應(yīng)不同的待研磨邊011，為使防污罩的罩體10進(jìn)行平移或回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，參見圖1和圖4所示，一種具體實(shí)施方式中，本實(shí)施例提供的防污罩還包括與罩體10連接的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)40，傳動(dòng)機(jī)構(gòu)40用于帶動(dòng)罩體10進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)或回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，或帶動(dòng)罩體10同事進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)和回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。具體實(shí)施中，傳動(dòng)機(jī)構(gòu)40可采用電機(jī)或滑軌實(shí)現(xiàn)。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本實(shí)施例還提供了一種基板磨邊設(shè)備，包括如上述實(shí)施例提供的防污罩。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。