本發(fā)明涉及PCB板的制備技術(shù)領(lǐng)域，特別地，涉及一種蝕刻裝置及蝕刻方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中PCB板的制備方法，主要包括：在PCB板的基板上鉆孔，對(duì)基板整板進(jìn)行鍍銅處理，在基板兩側(cè)的表面上均形成鍍銅層；在鍍銅層的表面上覆蓋感光膜，并對(duì)感光膜進(jìn)行曝光和顯影處理，以在基板兩側(cè)被感光膜遮擋的鍍銅層位置處形成預(yù)制線路；之后再對(duì)基板兩側(cè)的非預(yù)制線路位置處的鍍銅層(也即感光膜遮擋之外的鍍銅層)進(jìn)行蝕刻處理，將基板兩側(cè)的預(yù)制線路顯示出來(lái)，最后去除預(yù)制線路上覆蓋的感光膜，烘干得到PCB板。其中，在蝕刻過(guò)程中，基板沿著水平方向移動(dòng)，上、下噴淋單元噴出的蝕刻液將基板上、下表面的非預(yù)制線路位置處的鍍銅層蝕刻掉，從而使得基板兩側(cè)表面的預(yù)制線路顯示出來(lái)。

但是，基板水平方向移動(dòng)會(huì)造成蝕刻液在基板上形成水池效應(yīng)，從而使得基板的上表面不能高頻高速的接觸新的蝕刻液，進(jìn)而造成基板的上表面參與反應(yīng)的蝕刻液的濃度降低以及銅離子含量升高，最終會(huì)導(dǎo)致基板的上表面蝕刻不均勻的問(wèn)題。

因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的PCB板蝕刻方法進(jìn)行進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，以避免上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述現(xiàn)有的PCB板蝕刻方法存在基板的上表面蝕刻不均勻的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種使基板的上表面和下表面蝕刻均勻的蝕刻裝置及蝕刻方法。

本發(fā)明提供一種蝕刻裝置，所述蝕刻裝置包括輸送單元和噴淋單元，所述輸送單元用于輸送基板，所述噴淋單元用于向所述輸送單元輸送的所述基板噴淋蝕刻液，所述輸送單元包括平行間隔設(shè)置的上輸送組件和下輸送組件，所述上輸送組件和所述下輸送組件配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)。

在本發(fā)明提供的蝕刻裝置的一種較佳實(shí)施例中，所述基板的運(yùn)動(dòng)軌跡的傾斜角度不小于5度，且不大于8度。

在本發(fā)明提供的蝕刻裝置的一種較佳實(shí)施例中，所述上輸送組件和所述下輸送組件的結(jié)構(gòu)相同，且中心對(duì)稱設(shè)置。

在本發(fā)明提供的蝕刻裝置的一種較佳實(shí)施例中，所述上輸送組件包括多個(gè)行轆，多個(gè)所述行轆平行間隔設(shè)置并與所述基板所在的平面相切。

在本發(fā)明提供的蝕刻裝置的一種較佳實(shí)施例中，多個(gè)所述行轆的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次增大。

本發(fā)明還提供一種蝕刻方法，所述蝕刻方法包括以下步驟：

提供輸送單元，所述輸送單元包括平行間隔設(shè)置的上輸送組件和下輸送組件；

提供待蝕刻的基板，所述基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述上輸送組件和所述下輸送組件配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)；

提供蝕刻液，利用所述蝕刻液蝕刻所述第一表面和所述第二表面上非預(yù)制線路處的鍍銅層。

在本發(fā)明提供的蝕刻方法的一種較佳實(shí)施例中，所述基板運(yùn)動(dòng)軌跡的傾斜角度不小于5度，且不大于8度。

在本發(fā)明提供的蝕刻方法的一種較佳實(shí)施例中，所述上輸送組件和所述下輸送組件的結(jié)構(gòu)相同，且中心對(duì)稱設(shè)置。

在本發(fā)明提供的蝕刻方法的一種較佳實(shí)施例中，所述上輸送組件包括多個(gè)行轆，多個(gè)所述行轆平行間隔設(shè)置并與所述基板所在的平面相切。

在本發(fā)明提供的蝕刻方法的一種較佳實(shí)施例中，多個(gè)所述行轆的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次增大。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的蝕刻裝置及蝕刻方法具有以下有益效果：

一、通過(guò)所述上輸送組件和所述下輸送組件配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)，不僅避免了所述基板上表面因不能高頻高速的接觸新的蝕刻液造成蝕刻不均勻的問(wèn)題，也有利于對(duì)阻抗板的線寬線距的控制，而且有利于環(huán)境保護(hù)和降低成本。

二、通過(guò)將所述上輸送組件和所述下輸送組件設(shè)置成使得所述基板的運(yùn)動(dòng)軌跡的傾斜角度不小于5度，且不大于8度的角度，不僅能在保證所述基板蝕刻均勻的同時(shí)縮短蝕刻時(shí)間，而且有利于蝕刻液的循環(huán)利用。

三、通過(guò)將所述上輸送組件和所述下輸送組件設(shè)置成多個(gè)平行間隔設(shè)置并與所述基板所在的平面相切的所述行轆，且所述上輸送組件的多個(gè)所述行轆的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次增大，所述下輸送組件的多個(gè)所述行轆的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次減小，能夠改善所述基板在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的受力情況。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1是本發(fā)明提供的蝕刻裝置一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1所示蝕刻裝置的蝕刻方法的步驟流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，是本發(fā)明提供的蝕刻裝置一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。所述蝕刻裝置1包括輸送單元11和噴淋單元13，所述輸送單元11用于輸送基板，所述噴淋單元13用于向所述輸送單元11輸送的所述基板噴淋蝕刻液。

所述輸送單元11包括平行間隔設(shè)置的上輸送組件111和下輸送組件113，所述上輸送組件111和所述下輸送組件113配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)。其中，所述上輸送組件111和所述下輸送組件113的傾斜角度不小于5度，且不大于8度。

所述上輸送組件111和所述下輸送組件113的結(jié)構(gòu)相同，且中心對(duì)稱設(shè)置。

所述上輸送組件111和所述下輸送組件113均包括多個(gè)行轆115，多個(gè)所述行轆115平行間隔設(shè)置并與所述基板所在的平面相切，且所述上輸送組件111的多個(gè)所述行轆115的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次增大，所述下輸送組件113的多個(gè)所述行轆115的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次減小。在本實(shí)施例中，多個(gè)所述行轆115還可以為具有相同尺寸的行轆。

所述噴淋單元13的數(shù)量為多個(gè)，并分別設(shè)于所述輸送單元11的兩側(cè)。當(dāng)所述輸送單元11輸送所述基板時(shí)，多個(gè)所述噴淋單元13向所述基板的相對(duì)兩表面上噴淋蝕刻液以蝕刻所述基板非預(yù)制線路處的鍍銅層。

由于所述基板在輸送過(guò)程中存在一定的角度，從而使得所述基板的相對(duì)兩表面都能高頻高速的接觸新的蝕刻液，從而使得所述基板的相對(duì)兩表面蝕刻均勻，同時(shí)，由于所述基板的相對(duì)兩表面能高頻高速的接觸新的蝕刻液，所述基板的相對(duì)兩表面上的銅離子濃度易控制在最優(yōu)范圍內(nèi)，因此，在蝕刻段不僅無(wú)須在蝕刻液中補(bǔ)加其它的成分，而且蝕刻母液可以再利用，從而有利于環(huán)境保護(hù)和降低成本。

請(qǐng)參閱圖2，是圖1所示蝕刻裝置的蝕刻方法的步驟流程圖。本發(fā)明還提供一種采用所述蝕刻裝置1的蝕刻方法，所述蝕刻方法包括以下步驟：

步驟S1、提供輸送單元，所述輸送單元11包括平行間隔設(shè)置的上輸送組件111和下輸送組件113。

步驟S2、提供待蝕刻的基板，所述基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述上輸送組件111和所述下輸送組件113配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)。

具體的，當(dāng)需要蝕刻所述基板時(shí)，所述基板在所述上輸送組件111和所述下輸送組件113配合驅(qū)動(dòng)下沿傾斜角度不小于5度，且不大于8度的斜線運(yùn)動(dòng)。在此過(guò)程中，所述基板的所述第一表面和所述第二表面分別與所述上輸送組件111和所述下輸送組件113抵接。

步驟S3、提供蝕刻液，利用所述蝕刻液蝕刻所述第一表面和所述第二表面上非預(yù)制線路處的鍍銅層。

具體的，當(dāng)所述上輸送組件111和所述下輸送組件113配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)時(shí)，多個(gè)所述噴淋單元13分別向所述基板的所述第一表面和所述第二表面噴淋蝕刻液以蝕刻所述第一表面和所述第二表面上非預(yù)制線路處的鍍銅層。

本發(fā)明提供的蝕刻裝置及蝕刻方法具有以下有益效果：

一、通過(guò)所述上輸送組件111和所述下輸送組件113配合驅(qū)動(dòng)所述基板沿斜線運(yùn)動(dòng)，不僅避免了所述基板上表面因不能高頻高速的接觸新的蝕刻液造成蝕刻不均勻的問(wèn)題，也有利于對(duì)阻抗板的線寬線距的控制，而且有利于環(huán)境保護(hù)和降低成本。

二、通過(guò)將所述上輸送組件111和所述下輸送組件113設(shè)置成使得所述基板的運(yùn)動(dòng)軌跡的傾斜角度不小于5度，且不大于8度的角度，不僅能在保證所述基板蝕刻均勻的同時(shí)縮短蝕刻時(shí)間，而且有利于蝕刻液的循環(huán)利用。

三、通過(guò)將所述上輸送組件111和所述下輸送組件113設(shè)置成多個(gè)平行間隔設(shè)置并與所述基板所在的平面相切的所述行轆115，且所述上輸送組件111的多個(gè)所述行轆115的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次增大，所述下輸送組件113的多個(gè)所述行轆115的尺寸沿所述基板的運(yùn)動(dòng)方向依次減小，能夠改善所述基板在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的受力情況。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。